光電変換素子の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2019001819
- 開放特許情報登録日
- 2019/10/16
- 最新更新日
- 2024/5/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-093571 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/4/30 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/11/24 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | 光電変換素子の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、機械・加工 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 光電変換素子の製造方法 |
| 目的 | 研磨後のFOP基板の表面上にHARP膜を形成した光電変換素子を適用した高感度撮像デバイスにおいて、高電界印加動作時であっても画面欠陥が発生せず、安定したアバランシェ増倍動作を可能とする、光電変換素子の製造方法、及び、この製造方法によって作製される光電変換素子を提供する。 |
| 効果 | 研磨後のFOP基板の表面上にHARP膜を形成した光電変換素子を適用した高感度撮像デバイスにおいて、高電界印加動作時であっても画面欠陥が発生せず、安定したアバランシェ増倍動作を可能とする、光電変換素子の製造方法、及び、この製造方法によって作製される光電変換素子を提供することができる。 |
技術概要) |
FOP基板の表面に機械的研磨を行う工程と、
前記機械的研磨を行った前記FOP基板の表面にイオンエッチング法による平坦化処理を行う工程と、 前記イオンエッチング法による平坦化処理を行った表面にＨＡＲＰ膜を形成する工程と を含み、 前記機械的研磨の工程と前記イオンエッチング法による平坦化処理とにより、前記FOP基板のコアガラス部分の平坦度を0.5 nm以下にし、 前記イオンエッチング法により、前記FOP基板のコアガラス部の高さからクラッドガラス部の高さを引いて得る段差を５．５ｎｍまで増大させる、光電変換素子の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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