| 出願番号 |
特願2015-209337 |
| 出願日 |
2015/10/23 |
| 出願人 |
学校法人慶應義塾 |
| 公開番号 |
特開2017-081770 |
| 公開日 |
2017/5/18 |
| 登録番号 |
特許第6614651号 |
| 特許権者 |
学校法人慶應義塾 |
| 発明の名称 |
シリコンナノ粒子の製造方法及び装置 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
シリコンナノ粒子の製造方法及び装置 |
| 目的 |
原料コストの安価な材料を用いて、安価で大量生産に適したプロセスで、粒子サイズや結晶構造が均一であるシリコンナノ粒子を製造可能とする。 |
| 効果 |
産業廃棄物から極めて低い原料コストで、次世代太陽電池やメモリ素子の原料であるシリコンナノ粒子を製造することが可能になる。
レーザの出力と照射角度、ガス雰囲気の流量そして上基板と廃シリコン粉末との距離やレーザビームの走査速度を制御することで、シリコンナノ粒子のサイズと結晶構造および堆積厚さを精密に制御することが可能である。 |
技術概要
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透明な上基板を通して廃シリコン粉末にパルスレーザを照射し、レーザ照射による加熱作用とプラズマ発生によって廃シリコン粉末の一部を蒸発させ、結晶化されたシリコンナノ粒子を前記上基板の下面に堆積させることを特徴とするシリコンナノ粒子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)