目的
プラズマCVD成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じない技術を提供する。
効果
プラズマ処理時において、放電電圧が従来のクリーニング用ガスを使用した場合とほぼ同じになって、むやみに高くなることがなく、しかもセルフバイアス電圧も大きな負の値になることがなくなる。このため、アーキングといわれるプラズマの局部的異常放電の発生が抑えられ、チャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じなくなる。また、地球温暖化物質の排出量も少なくなる。
技術概要
クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量の5〜10vol％である混合ガスを用いて、プラズマ処理する。ハイドロフルオロカーボンガスとしては、ペンタフルオロエタンガスが好ましく、解離性ガスには、CF4、C2F6、C3F8、c-C4F8、NF3、N2Oのいずれか1種以上が好ましい。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
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