出願番号 |
特願2006-195022 |
出願日 |
2006/7/18 |
出願人 |
国立大学法人豊橋技術科学大学 |
公開番号 |
特開2008-024596 |
公開日 |
2008/2/7 |
登録番号 |
特許第5232989号 |
特許権者 |
国立大学法人豊橋技術科学大学 |
発明の名称 |
光学活性2,6−ビスアミノメチルピリジン誘導体とその製造方法およびその使用 |
技術分野 |
機械・加工、化学・薬品 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
医薬、農薬、合成中間体、光学活性化合物、不斉触媒反応 |
目的 |
不斉触媒には高選択性及び高反応活性のみならず、反応目的に応じた多種多様性が要求され,さらに比較的容易に合成可能であること、また化学的に安定であること等の実現。 |
効果 |
有機金属錯体触媒を用いた種々の不斉合成反応において,配位子として適用可能であり,例えばβケトエステル化合物の不斉フッ素化反応に適用すると,高い不斉収率を達成することができる。 |
技術概要
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この技術は、光学活性2,6−ビスアミノメチルピリジン誘導体の金属錯体が不斉合成反応の触媒として有効にはたらくことに基づく。すなわち、式で示される光学活性アミン化合物とする。式中,R↓1、R↓2、R↓3、R↓4は水素原子または保護されていてもよい水酸基,アリール基を表す。保護されていてもよい水酸基における水酸基の保護基としては、例えばメチル基、メチルチオメチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、1−(2−クロロエトキシ)エチル基、メトキシメチル基、1−エトキシエチル基、ベンジルオキシメチル基などの置換基を有していてもよいアルキル基;ベンジル基、p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基などの置換基を有していてもよいアラルキル基;アセチル基、トリクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基などのアシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基;トリメチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基などの三置換シリル基などが挙げられる。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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