センサチップ及びセンサチップ製造方法

開放特許情報番号
L2009000942
開放特許情報登録日
2009/2/27
最新更新日
2013/8/28

基本情報

出願番号 特願2006-132860
出願日 2006/5/11
出願人 国立大学法人秋田大学
公開番号 特開2007-303973
公開日 2007/11/22
登録番号 特許第5286515号
特許権者 国立大学法人秋田大学
発明の名称 センサチップ及びセンサチップ製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 センサチップ、センサチップ製造方法、プラズモン共鳴
目的 金属微粒子周囲の屈折率変化を高感度で検出可能なセンサチップ及びセンサチップの製造方法の提供。
効果 この技術によるセンサチップ及びセンサチップ製造方法によれば、金属微粒子周囲の屈折率変化を高感度で検出可能である。
技術概要
この技術では、センサチップは、金属微粒子と光との共鳴現象を利用して金属微粒子周囲の屈折率変化を検出するためのセンサチップであって、基板を備えると共に、基板上に形成されると共に、金属微粒子を固定するための第1の膜を備え、第1の膜のセンサ領域上に固定される複数の金属微粒子を備え、第1の膜上に固定されると共に、複数の金属微粒子のうち隣接する金属微粒子間に配置されるブロック剤を備える。第1の膜はシラン化合物から形成してなり、ブロック剤はカルボキシル基を有する化合物であることが好ましい。ブロック剤は、グリコール酸、酢酸ナトリウム、16−ヒドロキシヘキサデカン酸及びポリエチレングリコールの何れか一つから形成されていることが好適である。更にまた、金属微粒子の表面上に形成してなると共に、被検体を固定するための第2の膜を更に備えることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2024 INPIT