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L202000048620200304断熱材料、その製造方法および内燃機関 国立研究開発法人物質・材料研究機構 アモルファスシリコンを含有する断熱材料であって、
前記アモルファスシリコン中にビスマス結晶粒が分散しており、
ＣｕＫαを線源とする粉末Ｘ線回...
L202000048520200304シンチレータ材料、その製造方法、Ｘ線・放射線検出器およびＸ線・放射線撮像装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 水酸化炭酸ランタンを含有するシンチレータ材料であって、
前記水酸化炭酸ランタンは、六方晶の結晶構造を有し、
前記水酸化炭酸ランタンには、ラン...
L202000048420200304ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記半導体層はダイヤモン...
L202000048320200304立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 窒化ホウ素の単結晶粉末を製造する方法であって、
前記窒化ホウ素は、立方晶系窒化ホウ素（ｃＢＮ）または六方晶系窒化ホウ素（ｈＢＮ）であり、
第...
L202000048220200304Ｎｉ基超合金 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｃｒ：６質量％以上１２質量％以下、
Ｍｏ：０．４質量％以上３．０質量％以下、
Ｗ：６質量％以上１０質量％以下、
Ａｌ：４．０質量％以上６．５...
L202000048120200304ダイヤモンド構造体、ダイヤモンド・カンチレバー、およびダイヤモンド構造体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 単結晶ダイヤモンド層上に支持部を介してダイヤモンドの梁が形成されたダイヤモンド構造体において、
前記梁は表面欠陥層と本体層からなり、
前記表...
L202000048020200304ステント用合金及びステント 国立研究開発法人物質・材料研究機構 組成が質量％で、Ｃｒが１０〜２７％、Ｍｏが３〜１２％、Ｎｉが２２〜３４％、残部が実質的にＣｏ及び不可避不純物からなり、
前記不可避不純物のう...
L202000047920200304放射性セシウムの安定貯蔵方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 エチレングリコールを溶媒とする処理液を調整する工程と、
モンモリロナイトとともに放射性セシウム含有物質を当該処理液に投入して混和する工程と、...
L202000047820200304二次電池用負極電極、その製造方法およびそれを用いた二次電池 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸化マンガンからなる第１の単層ナノシートとグラフェンからなる第２の単層ナノシートとが交互に積層された超格子構造を含有する、二次電池用負極電極...
L202000047720200304固体酸化物形燃料電池用アノード及びこのアノードを使用した固体酸化物形燃料電池 国立研究開発法人物質・材料研究機構 固体電解質と、
金属ニッケル粒子と、
ブラウンミラーライト構造を有するＢａ↓２Ｉｎ↓（１．７）（Ｚｎ↓（０．５），Ｚｒ↓（０．５））↓（０．...
L202000047620200304高出力密度二次電池用電極材料及びそれを用いた高出力密度二次電池 国立研究開発法人物質・材料研究機構 複数層の金属−有機構造体を含んでなり、少なくとも１種のカチオン及び少なくとも１種のアニオンを共に電気化学的に挿入可能な、二次電池用電極材料で...
L202000047520200304半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ＧａおよびＡｓを含む単結晶の半導体層の第１主表面に金属を含む第１の電極が第１の界面層を介して形成され、かつ前記半導体層の第２主表面に金属を含...
L202000047420200304トリチウム分離固定化剤およびそれを用いたトリチウムの分離固定化方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 層状構造を有し、かつ、水酸基を有する金属化合物を含有する、トリチウムを含有する水溶液からトリチウムを分離し、固定化するトリチウム分離固定化剤...
L202000047320200304合金構造体およびその製造方法、これを用いた耐熱性構造体 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）からなる白金族元素群から選択される少なくとも３種の...
L202000047220200304形状記憶合金薄膜アクチュエータ、およびこれを用いたカメラモジュール 国立研究開発法人物質・材料研究機構 大略矩形形状をした外枠であって、当該外枠の長い辺の少なくとも１か所にＶ字型の切り込み部分を有しており、当該切り込み部分は設置後に切り離すよう...
L202000047120200304組成物、塗膜、塗膜付き基材、及び、塗膜付き基材の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 下記式（１）で表される繰り返し単位Ａ、及び、下記式（２）で表される繰り返し単位Ｂを有する重合体を含有する組成物。

【化１】

前記式（２）...
L202000047020200304結晶格子面分布測定方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 結晶構造を有する試料の結晶格子面方向分布を測定する結晶格子面方向分布測定方法において、
平行な光速を有する指向性のＸ線を、前記試料の結晶軸の...
L202000046920200304表面応力センサ用受容体 国立研究開発法人物質・材料研究機構 コア−シェル構造を有し、少なくとも前記シェルがナノポーラス構造を有するコア−シェル構造を有する粒子を含む、表面応力センサの受容体。
L202000046820200304多孔質セラミックス焼結体、その製造方法およびそれを用いた用途 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸化物イオン・電子混合伝導体からなり、
連通する気孔を有し、
１９％以上８１％以下の範囲を満たす開気孔率を有し、
１９％以上８０％以下の範囲...
L202000046720200304形状記憶合金、その製造方法、および、それを用いた用途 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｃｒと、Ｍｎおよび／またはＦｅと、Ｃｏと、必要に応じてＮｉと、不可避不純物とを含有し、
母相は、化学組成（原子％）において、
５５≦｛Ｃｒ＋...

　
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