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L201500183720151109廃棄物の処理方法 アルプス電気株式会社 廃棄物の表面を第1のガラスで覆う工程、
前記第1のガラスの表面を第2のガラスで覆う工程、を有し、
前記第1のガラスには前記第2のガラスよりも...
L201500180920151109タイツ オーガナイザー 大山 直子 タイツ、厚手ストッキングの掛ける収納を可能とした

 
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登録日タイトル 登録者 概     要
L201100493420110909RNA選択的ハイブリダイズ試薬及びその利用 国立研究開発法人科学技術振興機構 式I(図1)及び式II(図1)のいずれかで表される、1種又は2種以上のヌクレオチド誘導体単位を備える、RNAハイブリダイズ試薬である。ただし...
L201100493220110909胎盤型有機アニオントランスポーターとその遺伝子 国立研究開発法人科学技術振興機構 配列表の配列番号2に示されるアミノ酸配列、又は配列番号2で示されたアミノ酸配列において1若しくは数個のアミノ酸が欠失、置換若しくは付加された...
L201100493120110909グッドパスチャー症候群モデルマウス 国立研究開発法人科学技術振興機構 免疫グロブリンFcγレセプターIIB遺伝子機能が染色体上で欠損したマウスをタイプIVコラーゲンで免疫する前後又は免疫すると同時に、該マウスに...
L201100492220110909血管病変診断システムおよび診断プログラム記憶媒体 国立研究開発法人科学技術振興機構 超音波ビームを体内の血管3に向けて放射し、血管壁から反射された超音波信号を検出して検波出力する超音波計測部5と、出力された検波信号に基づいて...
L201100492020110909第2高調波発生用非線形光学結晶 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:Gd↓xY↓1↓−↓xCa↓4O(BO↓3)↓3(0.25≦x≦0.35)で示す二次非線形光学結晶に通過させることにより、レーザー入射方...
L201100491720110909液体ヘリウム再凝縮装置およびその装置に使用するトランスファーライン 国立研究開発法人科学技術振興機構 液体ヘリウム貯留槽1と、該貯留槽で気化したヘリウムガスを回収し同ヘリウムガスを冷却および液化する冷凍機5とを有し、同冷凍機で冷却した冷却ヘリ...
L201100491620110909高速剪断流によるEEM加工方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 超純水を主体として満たした加工槽内に被加工物2と高圧力ノズル1とを所定の間隔を置いて配設し、被加工物の表面近傍に高圧力ノズルから噴射した超純...
L201100491220110909オリゴチオフェン誘導体から成る核酸処理剤 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1)で示すオリゴチオフェン誘導体(A)から成る核酸処理剤である。式中、nは3から12の整数を示し、Meはメチル基を表す。このオリゴチオフ...
L201100490920110909窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 GaAs基板表面に、窒素化合物のガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成する窒化物もしくは窒化表面の形成...
L201100490820110909波長可変短パルス光発生装置及び方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 短パルス光源1と、この短パルス光源1からの光の特性を調整する光特性調整器2と、この光特性調整器2から入射パルスが入射されるとともに、出力パル...
L201100490720110909トランスファーライン 国立研究開発法人科学技術振興機構 ヘリウム貯留槽に供給するとともに、残りの高温ヘリウムガスを冷凍機の第1熱交換器6と第2熱交換器7によって液化し、この液体ヘリウムを冷却された...
L201100490620110909多重循環式液体ヘリウム再凝縮装置および方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 液体ヘリウム貯留槽1と、該貯留槽で気化した高温ヘリウムガスを回収するラインと、同ラインから供給された高温ヘリウムガスを極低温のヘリウムガスに...
L201100490420110909レーザ加熱装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 成膜装置の真空チャンバ内にて基板支持機構に設置した基板に対してレーザ光を照射することにより、基板を所定温度に加熱するようにした、薄膜形成用基...
L201100490320110909コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置20は、共通室22、成長室24、アニール室26、余熱加熱室28、ターゲットロードロック室32及...
L201100490220110909コンビナトリアル分子層エピタキシー装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 真空チャンバー2と、超高真空ポンプ4と、複数の基板5を保持し回転可能な基板ホルダー6と、基板ホルダー6を加熱するランプヒーター8と、基板ホル...
L201100490020110909マイクロスクラッチ試験機を使用した薄膜付着強度測定方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 マイクロスクラッチ試験機を使用して薄膜付着強度測定を行う方法において、マイクロスクラッチ試験機の圧子針1から生じる電気信号をフーリエ分解し、...
L201100489620110909導電性透明酸化物 国立研究開発法人科学技術振興機構 組成式ABO↓2(A:1価の陽イオンとなる元素、B:3価の陽イオンとなる元素、O:酸素)で示されるデラフォサイト系酸化物であり、Aは、1価の...
L201100489520110909波長変換結晶 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:M↑1↓xM↑2↓1↓−↓xCa↓4O(BO↓3)↓3で表わされる二次非線形光学結晶である波長変換結晶を提供する。式中、M↑1とM↑2は...
L201100488620110909低アレルゲン化小麦粉の作成方法と低アレルゲン化小麦粉並びにその加工 国立研究開発法人科学技術振興機構 小麦粉と水との混合物を撹拌し、遠心分離等によって水溶性画分を除き、小麦粉中の可溶性アレルゲンを水洗除去する。小麦粉と混合する水量は、好ましく...
L201100488220110909セシウム・リチウム・ボレート系結晶 国立研究開発法人科学技術振興機構 化学組成が、Cs↓1↓−↓xLi↓1↓−↓yM↓x↓+↓yB↓6O↓1↓0(Mは、CsおよびLi以外の少くとも1種のアルカリ金属元素を示し、...
L201100488120110909高調波発生方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 YCa↓4O(BO↓3)↓3で表わされるイットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶に波長1064nmのレーザ光と、その第2高調波である53...
L201100487820110909光干渉法による測定対象物の屈折率と厚さの同時測定装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1はSLDを用いた光干渉法による測定対象物の屈折率と厚さの同時測定の基本的なシステム構成図、図2は測定サンプル走査法とレンズ走査法の説明図...
L201100487720110909超音波診断装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、超音波診断装置の原理説明図である。超音波トランスデューサ1はΔTの周期の超音波パルスにより駆動され、超音波を胸部表面2から体内に向け...
L201100487620110909磁気センサ 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1はCMOSインバータによるマルチバイブレータ発振回路を用いたMIマイクロ磁気センサを構成する基礎回路の説明図であり、図1(a)はCMOS...
L201100487420110909磁界センサ 国立研究開発法人科学技術振興機構 磁界センサは、磁性体からなる一対のセンサヘッドと、一対のセンサヘッドに巻回されるバイアスコイルと帰還コイルと、帰還コイルに接続されるスイッチ...
L201100485320110909フッ素化化合物及びフッ素化ポリマーの製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 2−クロロ−2,2−ジフロロエタン−1,1−ジオールと、式I(図1)(式I中、Xは水酸基、フッ素原子、又は臭素原子を表す。)で表される化合物...
L201100485220110909ロボットの駆動システム、ロボットの駆動方法、及び、ロボットの駆動プログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、多指ロボットハンドの制御装置及び駆動方法を実施する装置の概略構成を示す図、図2は図1の対応関係決定手段の主要部をコンピュータを用いて...
L201100485120110909カーボンナノチューブ支持体及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、下側及び上側グラファイト層を、CNTと略平行に形成する場合の概要工程図である。支持部18a(1A)上に炭素物質層19を形成し(1B)...
L201100485020110909アミノ酸輸送蛋白及びその遺伝子 国立研究開発法人科学技術振興機構 ロイシン(Leu)、イソロイシン(Ile)、フェニルアラニン(Phe)、メチオニン(Met)、チロシン(Tyr)、トリプトファン(Trp)、...
L201100484820110909硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖の分析方法、硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を含む薬学的組成物および医薬、薬学的組成物および医薬の製造方法、疾患... 国立研究開発法人科学技術振興機構 硫酸化多糖または硫酸化オリゴ糖を酵素消化して得られる生成物を質量分析する工程を含む分析方法であって、酵素消化生成物は、モノサッカリド、ジサッ...
L201100484620110909単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイス 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は単結晶薄膜の製造工程断面図である。まず、図1(a)に示すように単結晶基板21を準備する。次に、図1(b)に示すように、この単結晶基板2...
L201100484420110909トランスポゾン転移酵素および遺伝子改変方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 配列表の配列番号2に示されるアミノ酸配列からなるトランポザーゼ活性を有する蛋白質又は蛋白質を産生し得る核酸を存在させて、細胞内のゲノム中の両...
L201100484220110909芳香族化合物の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 R−A[Rは、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は、C↑3↑〜↑1↑0飽和環基若しくは不飽和環基であって、環は、酸素原子又は−N(B)−...
L201100484020110909腫瘍細胞増殖を抑制するオリゴヌクレオチド及び方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 配列番号1(NEK2遺伝子)の塩基配列の403〜423番目の塩基配列中の連続する19塩基を少なくとも含む、配列番号1の塩基配列の連続する30...
L201100483820110909アモルファス酸化物薄膜 国立研究開発法人科学技術振興機構 スパッタ法、パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され、In、Ga、Zn及びOの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であっ...
L201100483720110909アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 結晶化したときの組成が、式InGaO↓3(ZnO)↓m(mは6未満の自然数)で示される酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を...
L201100483520110909ビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶(A)を形成...
L201100483420110909炭素系薄膜の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 まず、図1に示すように、基板30上に、炭素系非晶質薄膜15を形成する。さらに、薄膜15上に、所定のパターンとなるようにマスク31とする薄膜を...
L201100482920110909正規分布に従う乱数発生機構 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は正規分布に従う乱数発生機構のブロック図である。正規分布に従う乱数発生機構は、ランダムリカレンスプロット生成機構1とリカレンスプロット時...
L201100482820110909量子ドットを用いた電子装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 複数個並べられた半導体量子ドットの各量子ドット8、9近傍に高周波電場を高周波磁場に変換する強磁性体磁石10を配置し、この強磁性体磁石10は誘...
L201100482720110909代謝症候群の治療もしくは予防剤、検査方法、検査薬、及び代謝症候群の治療薬の候補化合物のスクリーニング方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 受容体活性改変タンパク質(RAMP)2をコードする、(a)配列番号1に示される塩基配列を有するDNA、(b)配列番号1に示される塩基配列とス...
L201100482620110909低分子RNAによる細胞または人工細胞モデルでの翻訳制御システム 国立研究開発法人科学技術振興機構 好ましくは、リボソーム結合部位の5’側にsmall RNA結合部位を設け、small RNA結合部位の5’側にリボソーム結合部位と相補的な塩...
L201100482420110909抗原濃度測定法 国立研究開発法人科学技術振興機構 抗体のV↓H領域を含むポリペプチド;所定のタンパク質;リンカーペプチド:所定のタンパク質と結合する活性を有し、このタンパク質との結合の有無が...
L201100482320110909透明導電性薄膜とその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 金属性の単層カーボンナノチューブ(m−SWNTs)と半導体性の単層カーボンナノチューブ(s−SWNTs)とが混在する単層カーボンナノチューブ...
L201100482220110909らせん構造が制御された合成高分子、及びそれからなるホストゲスト化合物、並びにそれらの製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 シンジオタクチックポリメタクリレート系又はシンジオタクチックポリアクリレート系ポリマー、及び、キラル化合物を溶媒に溶解させ、次いで、これを冷...
L201100482020110909ウイルスベクターおよびその利用 国立研究開発法人科学技術振興機構 ウイルスの塩基配列は、ウイルスの複製タンパク質をコードする第1の塩基配列およびウイルスの移行タンパク質をコードする第2の塩基配列からなり、第...
L201100481920110909ナノ材料用導電材料およびナノ材料の導電接続方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 一端をナノ材料に付着させてナノ材料もしくはその他の導電部材との間に硝酸マンガン六水和物を介在させて導電接続を形成するナノ材料の導電接続方法に...
L201100481720110909形質転換植物、形質転換細胞、タンパク質生産キットおよびタンパク質の生産方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 発現させるタンパク質をコードするポリヌクレオチドを含み、サイレンシングサプレッサーをコードするポリヌクレオチドを含まない植物RNAウイルスベ...
L201100481620110909抗生物質によるタンパク質の転写・分解二重制御法 国立研究開発法人科学技術振興機構 (a)抗生物質に結合するリプレッサータンパク質の変異体と目的のタンパク質との融合タンパク質をコードするポリヌクレオチド、および、(b)(a)...
L201100481420110909高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 例えば、複数本のアンテナ1と、各アンテナ1に高周波電力を供給するための高周波発振制御器(電力制御部、プラズマ制御部)2、及び増幅器4と、高周...
L201100481120110909光磁気スイッチング素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 カーボンナノチューブの光吸収におけるカーボンナノチューブの延在方向と平行な方向に印加される磁場に対する変化を利用した光磁気スイッチング素子に...
L201100481020110909結核菌に特異的なT細胞(CD8+)を検出するための方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 細胞を特定の配列番号で表されるアミノ酸配列(TLAGKGISVV)のC末端から少なくとも8の連続するアミノ酸からなるペプチドの存在下で培養し...
L201100480920110909n型半導体薄膜、ホモpn接合素子及び薄膜太陽電池並びにn型半導体薄膜及びホモpn接合素子の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 酸化第一錫(SnO)にAl↑3↑+、Ga↑3↑+、In↑3↑+、Sb↑3↑+から選ばれる3価の陽イオンを不純物として含有し、n型伝導性を示す...
L201100480820110909磁化測定装置およびその測定用ロッド 国立研究開発法人科学技術振興機構 温度調節手段、磁場発生手段、および磁気センサを備えて試料の磁化率を測る装置であって、電圧が印加される一対の電極5、22と、電極5、22間を満...
L201100480720110909受光素子の作製方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 P型半導体14、N型半導体13、各電極12、15の何れかを構成する材料を、逆バイアス電圧を印加するとともに、堆積させる材料の吸収波長よりも長...
L201100480520110909光信号転送方法、光信号中継装置、および光信号記憶装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 第1レーザ光源12からの第1波長λ↓1の第1入力光L↓1と第2レーザ光源16からの第2波長λ↓2の第2入力光L↓2とが入力された第1光増幅素...
L201100479920110909金クラスター修飾金属酸化物半導体とこれを用いた光電極並びに該光電極を備えた光電変換素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 金属酸化物半導体の表面に、8〜250量体の金クラスターが担持されてなり、可視光応答性を有する金クラスター修飾金属酸化物半導体にする。金属酸化...
L201100479620110909半導体積層構造 国立研究開発法人科学技術振興機構 第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられ、第1半導体層12よりバンドギャップの小さい第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられ...
L201100479420110909半導体積層構造 国立研究開発法人科学技術振興機構 第1半導体層12と、第1半導体層上に設けられ、第1半導体層よりバンドギャップの小さい第2半導体層14と、第1半導体層と第2半導体層との間に形...
L201100479320110909スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 国立研究開発法人科学技術振興機構 強磁性体であって、一方のスピンに対しては金属的なバンド構造を、他方のスピンに対しては半導体的又は絶縁体的なバンド構造をとるハーフメタルからな...
L201100479220110909有機材料含有デバイスに適した基板の製造方法、および有機材料含有デバイスの製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する、基板である。尚、半導体表面がSi、GeおよびGaから選ばれる少なくとも1種である原子...
L201100479020110909顕微鏡装置及び輪郭識別プログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 観察対象物が非観察対象物と衝突したか否かを判別する衝突判定手段23と、衝突判定手段で観察対象物が非観察対象物に衝突したと判定された場合に輪郭...
L201100478820110909疼痛治療剤 国立研究開発法人科学技術振興機構 シアリダーゼを有効成分として含有する、疼痛治療剤である。尚、シアリダーゼが、Arthrobacter ureafaciens由来シアリダーゼ...
L201100478720110909フラーレン誘導体および当該誘導体を含む光電変換材料 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1)[Fはフラーレン、フラーレン誘導体;MはCo、Rh、Ir;WはS、Se;Aは4価の電子供与基]の化合物である。尚、Fはそれぞれ独立し...
L201100478420110909走査型リアルタイム顕微システムおよび走査型X線高速描画システム 国立研究開発法人科学技術振興機構 X線ビームを照射する光源3と、光源から照射されたX線ビームを集光する集光手段と、X線ビームを集光する集光手段を動かす駆動手段2とを備えた、走...
L201100478320110909表面修飾基材およびポリマー被覆基材 国立研究開発法人科学技術振興機構 基材と、基材表面に形成されたポリドーパミン膜と、ポリドーパミン膜に固定された重合開始剤とを含む、表面修飾基材である。尚、基材と、基材表面に形...
L201100478220110909蛍光顕微鏡、蛍光観察方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 観察対象である試料に色素を導入し、色素を励起する励起光を試料に照射し、その励起光により励起されて発生される蛍光を結像して蛍光像を得る蛍光顕微...
L201100478120110909量子ドットを用いた光遅延器 国立研究開発法人科学技術振興機構 入力用の量子ドット12と、入力用の量子ドットよりも大体積で構成されてなるとともに、入力用の量子ドットから第1の励起子が注入される共鳴準位と共...
L201100477920110909スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 国立研究開発法人科学技術振興機構 絶縁性の強磁性体からなるトンネル障壁385とトンネル障壁を挟み込む強磁性体からなるソース381及び非磁性体または強磁性体からなるドレイン38...
L201100477820110909スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 国立研究開発法人科学技術振興機構 絶縁性の非磁性体からなるトンネル障壁365とトンネル障壁を挟み込む強磁性体からなるソース361及び強磁性体からなるドレイン363とにより形成...
L201100477720110909フラーレン誘導体の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 フラーレン誘導体の製造方法であって、炭素数mのフラーレン(F0)に、グリニャール試薬(D)と銅化合物(E)を反応させる工程1Aと、工程1Aで...
L201100477520110909光スイッチ用素子材料及びそれを有する光スイッチ装置並びに光スイッング方法。 国立研究開発法人科学技術振興機構 化学式[Pd(en)↓2][Pd(en)↓2Br↓2](C↓n−Y)↓4(H↓2O)[enはエチレンジアミン、C↓n−Yはジアルキルスルホサ...
L201100477320110909磁性光硬化樹脂で作成した回転構造体およびそれを使用した磁気駆動マイクロアクチュエータ 国立研究開発法人科学技術振興機構 磁性光硬化樹脂で作製された回転子3と、この回転子を駆動させるための電磁コイル4とから構成される、磁気駆動マイクロアクチュエータである。尚、磁...
L201100476820110909新規な(メタ)アクリル酸エステルの共重合体、組成物、光学部材及び電気部材 国立研究開発法人科学技術振興機構 繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとを含む式[R↑1及びR↑2は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表し、R↑3は炭素数が1〜4のアルキル基を表...
L201100476620110909核磁気共鳴撮像素子、及びそれを用いた撮像システム、撮像方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 基板10と、基板の一方の面である測定面11上に集積化されて設けられ、基板に対して所定領域に設定された核磁気共鳴の測定領域12に磁場を印加して...
L201100476520110909金属プローブ、その金属プローブの形成方法及びその形成装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 金属プローブ本体2の先端部が炭素含有のタングステン(W)、ハフニウム(Hf)、ロジウム(Rh)等の少なくとも一つを含む、金属プローブ9である...
L201100451720110902非天然アミノ酸をタンパク質に導入するためのtRNA変異体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、tRNAを用いることで終結因子との競合する場合でも非天然アミノ酸を効率良く導入することができるようにしたものである。すなわち、本技...
L201100451620110902形状記憶性及び超弾性を有する鉄系合金及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、(a)マルテンサイト変態及び逆変態の熱ヒステリシスにおける逆変態終了温度(Af点)とマルテンサイト変態開始温度(Ms点)との差が1...
L201100451520110902Co基合金製機能部材及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術のCo基合金製機能部材は、Al:3〜15質量%を含み、f.c.c.構造のα相とB2型のβ相とが層状に重なり合って繰り返されるラメラー組...
L201100451420110902加工性を改善した高強度Co基合金及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術のCo基合金は、Al:3〜13質量%の他にNi:0.01〜50質量%,Fe:0.01〜40質量%,Mn:0.01〜30質量%から選ばれ...
L201100451320110902ずり測定方法及びその装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の共振ずり測定方法において、入力信号U↓(in)を共振ずり測定ユニットの水平駆動部に入力し、この共振ずり測定ユニットにおける固体表面に...
L201100451220110902測定プローブ、試料表面測定装置、及び試料表面測定方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術による測定プローブは、試料の表面を測定するために用いられる測定プローブであって、(1)ベース部と、(2)表面測定用の探針が設けられたヘ...
L201100451120110902アセチレン化合物の水和反応によるケト酸類、アミノ酸類の合成方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、有害な水銀触媒を使用しない温和な条件で、アセチレン化合物(アセチレンカルボン酸類)の水和反応を行うことによってケト酸類を合成する方...
L201100450920110902微粒子−タンパク質複合体およびその作製方法、半導体装置、蛍光標識方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の微粒子−タンパク質複合体は、複数のモノマーサブユニットから構成され、内部に空洞が形成された外殻と、外殻内に形成され、化合物半導体から...
L201100450820110902分子性物質の成膜方法及びその装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、被蒸着物質に光源から光を照射し、被蒸着物質の蒸着速度を制御して基板に分子性物質を成膜する方法であって、光の連続波の強度を選択して照...
L201100450620110902オキサゾリンのランダム共重合体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術によれば、式(A)で表されるランダム共重合体が提供される。式中、Inはカチオン重合開始剤に由来する残基を表し、NPは求核剤に由来する残...
L201100450520110902新規な蛍光標識化合物 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、少なくとも2種類の希土類金属と錯体を形成することができ、錯体は蛍光を発することでき、かつ錯体が340nm以上の波長の光で励起可能と...
L201100450420110902ネマチック液晶を用いた液晶表示装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、ネマチック液晶を用いた液晶表示装置において、少なくとも一方が透明な一対の基板と、この一対の基板のそれぞれに形成され、少なくとも一方...
L201100450020110902タンパク質と他の分子との相互作用を検出するためのタンパク質プローブ 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、蛍光共鳴エネルギー移動のエネルギー供与体とエネルギー受容体をそれぞれ結合させた非天然アミノ酸を、タンパク質の他の分子との相互作用の...
L201100449920110902ナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術のナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子は、電子伝導性を有する磁性体からなるナノ構造体を有し、ナノ構造体の両端部に接続...
L201100449720110902強磁性形状記憶合金及びその用途 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、Mnと、In、Sn及びSbからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Co及び/又はFeとを含有するNi系合金の組成を調整することによ...
L201100449420110902機能性材料の三次元構造体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、無機基板表面に、複数の同一又は異なる無機材料結合ペプチドを表面に提示する集合体を導入し、集合体を無機基板上に単層結合させ、単層結合...
L201100449120110902ホウ素吸収促進遺伝子 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、以下の[1]〜[4]のいずれかに記載のDNAを含み、かつホウ素吸収促進活性を有するタンパク質を発現することができる組換えベクターを...
L201100449020110902人工骨及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術の人工骨の製造方法は、気孔率をX(%)、平均気孔径をY(μm)とするとき、チタン又はチタン合金粉末及び有機バインダーからなる顆粒を粒...
L201100448820110902論理回路および単電子スピントランジスタ 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、ソースとドレインに間に配置され、ソースとドレインそれぞれの間にトンネル接合を有する島と、この島に容量結合したゲートと、を具備し、ソ...
L201100448720110902磁性半導体材料 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、電子の吸引及び供与は、陰イオン(O及びP)の化学当量比を化学量論組成からずらすこと及び化合物の構成イオンと異なるイオン価を持つ陽イ...
L201100448220110902高計数率シンチレーター 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、BaF↓2発光の高速成分(0.6〜0.8ナノ秒)であるオージェ・フリー発光が内殻励起に起因し、不純物ドープの影響を受けにくいことが...
L201100448020110902光学活性ヒドロキシメチル化化合物の製法及びそのための触媒 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、水溶液中又は水と有機溶媒との混合溶媒中で、キラルなビピリジン化合物からなる配位子又はその対称体と、BiY↓3で表されるルイス酸(式...
L201100447820110902脱水縮合反応により相転移を生じ得る分子集合体およびその相転移方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の二分子膜ベシクルの相転移を誘起させる方法は、アミンまたはカルボン酸塩の極性頭部を有する界面活性剤を含む分子集合体(リポソーム)中で、...
L201100447320110902量子ドットを用いた光伝送路 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術において、この量子ドットに対して供給する光信号Bの周波数ω2は、光信号Aの周波数ω1と互いに異なる。このため第2の量子ドット列を構成す...
L201100447220110902生体内のアポトーシス細胞の除去促進剤及び除去阻害剤 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、脂肪球被膜糖蛋白質(MFG−E8−L)が、細胞がアポトーシスへ向かいはじめると細胞表面に露出するホスファチジルセリン(PS)などの...
L201100447120110902親水性置換基を有するポリ(メタフェニレン)誘導体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、水中でも安定ならせん構造を有する化合物の合成とこれらの重合、高分子化をめざして、鋭意、研究を進めてきた。その結果、5位に親水性の基...
L201100447020110902二重らせん分子からなる人工二重らせん高分子の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術に関し、従来は、高分子の合成に当たり、その分子の長さ、すなわち分子量を正確に制御することは困難であった。リビング重合法が発明され、この...
L201100446920110902新規な液晶性n型有機導電体材料 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、一般式[1]で表される完全縮環ポルフィリン二量体である。また、一般式[1]で表される完全縮環ポルフィリン二量体よりなる液晶性n型有...
L201100446620110902Ni基金属ガラス合金 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、45〜70原子%Ni、11〜34原子%Zr、2〜14原子%Al、6〜24原子%Nbの特定組成を溶融し、液体状態から急冷凝固させるこ...
L201100446120110902水素ガス発生部材及びその水素ガス製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の水素ガス発生部材は、金属マトリックス中に、Alを微細分散させた組織を有する水素ガス発生部材であって、水素ガス発生部材に水を接触させて...
L201100445920110902画像処理装置、方法およびプログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の画像処理装置は、修整対象となる画像を表示手段にて表示し、利用者の指示に応じて、表示手段によって表示された画像に含まれる修整箇所を、修...
L201100445820110902画像処理装置、方法およびプログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の画像処理装置は、画像入力手段にて画像を入力し、画像入力手段によって入力された画像に含まれるエッジの方向をエッジ方向検出手段にて検出し...
L201100445720110902抗原ペプチドおよびその利用 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、配列番号1に示されるアミノ酸配列を含むペプチドをコードするポリヌクレオチドを提供する。本技術に係るポリヌクレオチドは、ペプチドをコ...
L201100445620110902自己伝播高温合成方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、Ti、Nb、Zrから選ばれる少なくとも一種以上の金属粉末を硫黄粉末、炭素粉末と混合して圧粉成形した後、得られた圧粉体を反応容器にセ...
L201100445520110902液晶表示素子および装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、液晶表示素子において、一対の基板と、この一対の基板間に配置された液晶層と、この液晶層と一対の基板の少なくともいずれか一方との間に配...
L201100445220110902核磁気共鳴撮像システム及び撮像方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術における磁場印加用電極群は、測定領域について測定面を想定するとともに、測定領域に対して、設定すべき測定位置に応じた均一磁場を印加する均...
L201100444920110902脳型有機アニオントランスポーターとその遺伝子 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、有機アニオントランスポーターOAT3に関し、有機アニオントランスポーターOAT3は、異なる化学構造を持った有機アニオンに対してこれ...
L201100444420110902発光素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術の微小光共振器に発光体を導入して成る発光素子において、微小光共振器の光子寿命の2π倍とラビ振動周期の半周期とが一致するように設定されて...
L201100444220110902フランジ結合部材およびそれを使用したパイプラインの異常検出装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、フランジを結合するフランジ結合部材であって、フランジ結合部材はボルトであり、ボルト本体の中にピエゾ素子を備え、ピエゾ素子にはピエゾ...
L201100444120110902リグノフェノールの製造方法及びそれから得られる低分子量リグノフェノール 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、リグノフェノールを含むフェノール類やリグノフェノールのアセトンなどの親溶媒に溶解した溶液を、ジエチルエーテルなどのリグノフェノール...
L201100443920110902多孔質シリカゲル及びシリカガラスの製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、4官能ケイ素アルコキシドに水を加えて加水分解してシリカヒドロゲルを形成し、これを乾燥して多孔質シリカゲルを製造する方法において、4...
L201100443820110902血管内皮細胞の摩擦抵抗低減材料 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術に係る医療用具用材料は、N,N’−ジメチルアクリルアミドと、少なくとも二つ以上のエチレン性不飽和結合を有する架橋剤により構成されるゲル...
L201100443720110902イオン性カードラン誘導体を用いるナノ構造体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術におけるカチオン性カードラン誘導体としては、カードランの側鎖にカチオン性の官能基または原子団が導入されたものであれば使用可能であるが、...
L201100443620110902光電変換素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、光機能性部位としてポルフィリンで(化学)修飾されたβ−1,3−グルカンにより単層カーボンナノチューブ(SWNT)が可溶化されたβ−...
L201100443220110902イオン性カードラン誘導体および該カードラン誘導体と疎水性高分子から成る複合体 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術は、イオン性置換基をカードランの特定位置に、かつ特定のリンカーを挟んで導入することで、カードランを水溶化し、かつ多様なゲスト分子と水...
L201100443020110902オレフィン用重合触媒 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、フラーレン骨格に遷移金属を含む有機基が付加したフラーレン誘導体をオレフィン用重合触媒に用いることを見出し、この知見に基づいて本技術...
L201100442920110902フラーレン誘導体の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、[1]フラーレンに、少なくとも、ルイス酸(A)と、ベンゼンまたはその誘導体(B)と、水(D)またはアルコール(C)とを添加して、フ...
L201100442820110902超伝導化合物薄膜及びその作成方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、その上に成膜する薄膜に対して酸化機能を有しないYAGなどの単結晶基板上にエピタキシャル成長させたC12A7結晶薄膜に、還元処理によ...
L201100442720110902化合物超伝導体及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、これまでに、チョコラフスキー法で育成したC12A7単結晶をチタン金属蒸気中で熱処理することにより、単結晶中に、10↑(21)cm↑...
L201100442420110902α−アミノオキシケトン/α−アミノオキシアルデヒド及びα−ヒドロキシケトン/α−ヒドロキシアルデヒド化合物の製造方法並びに環式α,β−不飽和... 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術は、触媒的不斉O−ニトロソアルドール/マイケル反応を行う方法であって、プロリンベースの触媒の存在下に、環式α,β−不飽和ケトン基質と...
L201100442320110902自己組織化材料または微粒子を基板上に固定化する方法、および当該方法を用いて作製した基板 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術に係る金属酸化物からなる基板上に自己組織化材料を固定化する方法は、基板表面に水酸基を導入し得る酸溶液を基板上に提供する工程;および酸溶...
L201100442220110902ナノ黒鉛構造体−金属ナノ粒子複合体 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術は、ウマ脾臓由来Lタイプフェリチン分子のアミノ末端をコードするcDNAに、配列番号1で示されるアミノ酸配列からなるペプチドをコードする...
L201100441920110902演算処理システム、演算処理方法、ユーザプログラムシステム、ライブラリプログラムシステム、プログラム、および、プログラムを記録した記録媒体 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、演算の入力値に関する入力値情報がユーザプログラムシステムからライブラリプログラムシステムへ転送される。また、例えば、演算内容の...
L201100441720110902MALDI−TOFMS用基板及びそれを用いた質量分析方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、表面が核酸又はタンパク質に対して易吸着性の物質から成る、被検物質を付着させる微小なナノドット領域をMALDI−TOF MS用基...
L200600389720060623類似画像検索装置、方法およびプログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、類似画像検索装置の構成を示す図である。図1に示す類似画像検索装置は、被検索対象画像が入力されたときにこの画像に類似する登録済みの画像...
L200600389420060623金属微粒子配列シート 国立研究開発法人科学技術振興機構 表面に、径が3〜15nmの略円形の疎水性又は親水性の領域を10〜50nmの間隔で多数有するミクロ相分離膜上の略円形領域に、金属微粒子含有球状...
L200600388820060623磁気力顕微鏡用の磁性探針及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、磁性探針が適用される磁気力顕微鏡を利用する垂直磁気記録媒体中の保磁力分布を解析する解析装置を示すブロック図である。図1において、符号...
L200600355220060519広い過冷却液体領域を有するNi基非晶質合金 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:Ni↓(100−a−b)P↓aM↓b[式中のa及びbは、原子百分率を示し、Mは、Ti、Zr、Hf、及びNbよりなる群から選択される1種ま...
L200600354920060519マルチセンサー 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:R↓4[Pt↓2(pop)↓4X]・nH↓2O、(Rはアルカリ金属イオン、アルキルアンモニウムイオン、アルキルジアンモニウム、Xはハロゲ...
L200600354320060519シナプス成熟障害モデル動物 国立研究開発法人科学技術振興機構 マウス由来のドレブリン遺伝子を単離し、ドレブリンA特異的エクソン11Aを挟むようにloxP配列を挿入したターゲティングベクターを作製し、ES...
L200600353920060519ヘテロ接合素子、ヘテロ接合素子モジュール、及びヘテロ接合素子の制御方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 図に示すように、電子がドープされた遷移金属酸化物からなる第1酸化物結晶であるn型のTi酸化物基板(例えばNb:SrTiO↓3基板)10と、正...
L200600353520060519有機エレクトロルミネッセンス素子 国立研究開発法人科学技術振興機構 キャリアの注入によって発光する発光層を備え、発光層が第1の有機化合物と第2の有機化合物とを含む。発光層を構成する有機化合物に占める第1の有機...
L200600353220060519車輪状マルチポルフィリンデンドリマー化合物 国立研究開発法人科学技術振興機構 式1、式2または式3[nは1〜10;Xはエステル、エーテル、アミド、アルケン、ケトン、(環状)アミン、アルコキシ、ビニル、フェニル、チオルエ...
L200600352420060519電子透かし検出装置、それを内蔵する中継装置、及び、電子透かし検出方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 情報提供システムS1は、ネットワーク上でデータの送受信を中継する中継装置Rに受信されたデジタルコンテンツデータDに含まれる電子透かし中の識別...
L200600352320060519信号処理装置、方法およびプログラム 国立研究開発法人科学技術振興機構 着目点を挟んで存在する前後2個の離散データを抽出する離散データ抽出部10と、4個の離散データのそれぞれについて着目点と各離散データまでの距離...
L200600352220060519標本化関数発生装置およびデジタル−アナログ変換器 国立研究開発法人科学技術振興機構 3階Bスプライン関数に対応する波形を有する信号を連続的に発生するBスプライン関数発生回路10と、このBスプライン関数波形の信号を遅延させるこ...
L200600342920060502不斉触媒、光学活性アルコールの製造方法及びビナフトール誘導体 国立研究開発法人科学技術振興機構 ビナフトール骨格の3位と3’位に配位ユニットを有するキラルな化合物からなる不斉触媒において、配位ユニットはホスフィンオキシドユニット又はホス...
L200600286420060331三次の光学非線形感受率の非対角成分の測定方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 三次の光学非線形感受率の非対角成分の測定方法は、励起光の光軸を被測定試料の回転対称軸に一致させ、且つ、励起光の偏光方向を被測定試料の主軸の一...
L200600285920060331樹状突起スパイン移行配列 国立研究開発法人科学技術振興機構 配列番号10に示されるアミノ酸配列からなるペプチドをコードする塩基配列;配列番号10に示されるアミノ酸配列において、1若しくは数個のアミノ酸...
L200600285720060331新規なアントラセン誘導体 国立研究開発法人科学技術振興機構 4分子のチオフェン誘導体のそれぞれが1分子のアントラセンの1位と2位、3位と4位、5位と6位、及び7位と8位の位置にそれぞれ縮環した構造を有...
L200600285320060331深穴計測装置および深穴計測方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 深穴計測装置は、被加工物に形成された穴に挿入された状態で、穴の加工精度を計測する深穴計測プローブを備えているものであり、例えば、図1に示すよ...
L200600284520060331炭化処理による高強度・高靭性の高融点金属系合金材料とその製造法 国立研究開発法人科学技術振興機構 Mo、W、Crのうちの1種を母相とし、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種を固溶金属とする合金加工材の炭化処理材であって、...
L200600091620060224路面平坦性測定装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、第1の検出器は、車両の車軸に取り付けられ、バネ下における上下方向の第1の加速度又は速度を検出する。第2の検出器は、第1の検出器...
L200600091320060224テラヘルツ電磁波を用いた物性測定装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 本技術のテラヘルツ電磁波を用いた物性測定装置は、テラヘルツ電磁波を発生させる入射光学系と、入射光学系から被測定材料へ入射されるテラヘルツ電磁...
L200600089820060224ドライビングシミュレータ 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、ホストコンピュータは、路面の摩擦係数と位置座標に対応した路面高さとを含む実測路面データを記憶部から入力する。また、入力された実...
L200600089020060224電圧制御発振器 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術による、リング発振回路は、3つの反転素子であるインバータを有している。リング発振回路は、第1段目のインバータの出力側に抵抗が設けてあ...
L200600088920060224新規糖鎖担持カルボシランデンドリマーおよびその製造方法、並びにデング熱ウイルス感染阻害剤、抗ウイルス剤及び抗HIV剤のスクリーニング用標的物... 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1)[R↑1、R↑6及びR↑7はC↓(1〜6)アルキル、フェニル、ビニル、アリル;R↑2〜R↑5はC↓(1〜6)アルキレン、フェニレン、...
L200600088620060224変異MJD遺伝子の発現を特異的に抑制するsiRNA 国立研究開発法人科学技術振興機構 マカドージョセフ病遺伝子の野生型アリルと変異体アリルを識別することができるsiRNA。尚、siRNAは、RNAの一次配列に非依存的に、マカド...
L200600087820060224微粒子集積体の製造方法及び微粒子細線アレイ 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、1vol.%のオクタデシルトリクロロシランを含む無水トルエンに、窒素雰囲気下でシリコンプレートを5分間浸漬して表面を疎水化し、...
L200600087720060224異径微粒子団集積体の製造方法、異径微粒子団集積体及び異径微粒子団細線アレイ 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、1vol%のオクタデシルトリクロロシランを含む無水トルエンに、窒素雰囲気下でシリコンプレートを浸漬して表面を疎水化し、微粒子集...
L200600087420060224抗菌剤 国立研究開発法人科学技術振興機構 少なくともタングステンを有し且つモリブデンを含まないヘテロポリ酸イオンと、アルカリ(土類)金属イオン等の陽イオンとにより構成された、K↓1↓...
L200600087320060224大理石骨病発症モデル非ヒト動物 国立研究開発法人科学技術振興機構 この技術では、免疫活性化シグナル伝達を担う膜アダプター分子DNAX活性化タンパク質DAP12をコードする遺伝子とFc受容体共通γサブユニット...
L200600087120060224低Pt含有量のFe−Pt系永久磁石合金 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:Fe↓(100−a−b)Pt↓aB↓b[式中、a、bは原子%で、10原子%<a≦35原子%、10原子%≦b≦35原子%である。]で示され...
L200600087020060224高強度のNi基金属ガラス合金 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:Ni↓(100−a−b−c)Ta↓aTi↓b(Zr,Hf)↓c[式中、a、b、cは原子%で、5原子%≦a≦35原子%、5原子%≦b<35...
L200600086820060224精油抽出方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 柑橘系果実等の果実の搾汁後の残滓に、ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液等で酸処理を施して、常圧または減圧の水蒸気蒸留で残滓から精油を抽出するこ...
L200600086420060224物理的成膜方法におけるドロップレットの捕捉装置。 国立研究開発法人科学技術振興機構 ターゲットから発生するドロップレットを、基板とターゲットの間に取り付けられた回転フィルター板を備えたロップレット捕捉手段で捕捉し、かつ回転フ...
L200501141720051228音響制御装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 壁面への入射音波を吸音する吸音手段の背後に、入射音波に向けて反射音波を放射する音波放射手段を配置し、入射音波を音波検知手段で検知し、検知した...
L200501141020051228有機発光性化合物 国立研究開発法人科学技術振興機構 (A)1−クロロ−2−ニトロベンゼンと一級アミン(RNH↓2)を酢酸ナトリウムの存在下に加熱還流して、(B)(2−ニトロフェニル)−アルキル...
L200501140720051228パルス論理回路 国立研究開発法人科学技術振興機構 二つの電圧レベルのうち片方を論理レベル1にすると共に他方を論理レベル0とし、所望の時刻あるいは時間区間にパルスが存在するとき該時刻あるいは前...
L200501086220051118高品質ハニカム構造フィルムの製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 振動を付与しながら連続的にハニカムフィルムを作製する方法を実施するため図1に示す装置を準備することが好ましい。この装置は、一対の基板装置から...
L200501085520051118二次元酸化物自然超格子を用いた熱電材料とその熱電特性の調整方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 デラッフォサイト構造を持つ二次元酸化物自然超格子を用いて、p型アクセプター及び/又はn型ドナーをドープすることによって半導体領域から金属領域へ...
L200501085020051118光学活性な2,3−ジヒドロ−4−ピロリドン化合物の合成方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 ジルコニウムアルコキシド化合物等のジルコニウム化合物と光学活性ビナフトール化合物とを含有するキラルジルコニウム触媒の存在下に、式(1)[Ra...
L200501084420051118常温溶融塩を用いた電気泳動法による希土類およびアルカリ土類元素の濃縮方法及び回収装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 式NR↑1R↑2R↑3R↑4[R↑1〜R↑4は(置換)C↓(1〜6)アルキル、シクロアルキル]で表される四級アンモニウムのカチオンと、[CF...
L200501083620051118物体の双方向反射分布関数の高速推定方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 ウィーナー推定法を用いて計測時の照明の配光分布を考慮して、画素値ベクトルから物体の双方向反射分布関数(BRDF)ベクトルを推定する推定行列を...
L200501083420051118超高強度Fe−Co系バルク金属ガラス合金 国立研究開発法人科学技術振興機構 [(Fe↓(1−a)Co↓a)↓(0.75)Si↓XB↓(0.25−X)]↓(100−Y)M↓Y[MはNb、Zr、W、Cr、Mo、Hf、V及...
L200501082020051118デンドリマー分子ワイヤー、その合成方法およびそれよりなる蛍光剤 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1)[Gnは式(2)で表されるデンドロン残基(Apoは芳香環;Xは親水性置換基;nは1〜6);mは重合度を示す自然数]で表されるデンドロ...
L200501081920051118芳香族性置換基を導入した修飾4−N−カルバモイルシチジン 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(T)(Zは芳香族性置換基;YはH、ハロゲン等)で表される修飾4−N−カルバモイルシチジンであって、Zがフェニル基、ナフチル基、ピレニル基...
L200501081220051118ナノ空隙制御による微粒子のサイズ分離分析法およびその装置 国立研究開発法人科学技術振興機構 図1は、レンズとガラス平板間のナノ空隙制御による微粒子のサイズ分離分析装置の全体像の例を示す概略図である。図1の上側はCCDカメラが設置され...
L200501080920051118アセナフチレン誘導体及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1)(R↑1、R↑2、A↑1〜A↑6はH、炭素数1〜20炭化水素等)で表されるアセナフチレン誘導体であって、1,2−ジプロピルアセナフチ...
L200501080820051118ホスファフェロセン誘導体及びその製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 式(1a)(R↑1〜R↑6はH、ハロゲン、炭素数1〜20炭化水素等)で表されるホスファフェロセン誘導体であって、式(1)が例示される。この誘...
L200500999520051021タンパク質生産用形質転換体の生産方法、および当該生産方法によって得られたタンパク質生産用形質転換体、並びにその利用 国立研究開発法人科学技術振興機構 (A)ホルモンによって活性化される性質を有する転写因子をコードする遺伝子と、転写因子発現用プロモーターとが連結された転写因子発現用DNA断片...
L200500998820051021インデン誘導体の製造方法 国立研究開発法人科学技術振興機構 (A)式(2)(A↑1、A↑2はH、ハロゲン等;Mは遷移金属;Lはアニオン配位子;X↑1、X↑2は脱離基)で示される有機金属化合物に、リチウ...
L200500998720051021核酸固相合成用シリルリンカー 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:H−(R1)Si(R2)−(C↓6H↓4)−CONH−(A)−COOH[R1、R2はアルキル、アリール;(A)はスペーサー部位]で示され...
L200500998620051021ホスホロアミダイトを含む3’末端ヌクレオシドユニット 国立研究開発法人科学技術振興機構 式:(N)−O−(R1)Si(R2)−(C↓6H↓4)−(CH↓2)↓n−O−P(OR3)N(R4)(R5)[(N)はヌクレオシド、その誘導...