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L201500153520151007手指動作検出装置、手指動作検出方法、手指動作検出プログラム、及び仮想物体処理システム 国立大学法人筑波大学 手指の形状及び高さの情報を有する画像を取得する画像取得部と、
前記画像取得部によって取得された前記画像から、前記手指の所定動作に対応する前記...
L201500153420151007脈絡膜の血管網を選択的に可視化し解析する光干渉断層計装置及びその画像処理プログラム 国立大学法人筑波大学 光干渉断層計と、該光干渉断層計で取得したＯＣＴ計測データに基づき三次元のＯＣＴ断層画像を得て、該三次元のＯＣＴ断層画像の画像処理を行うコンピ...
L201500153320151007ヒドロキシチロゾール又はその塩を含む組成物 国立大学法人筑波大学 ヒドロキシチロゾール又はその塩を含む、医薬組成物。
L201500153220151007洗浄および分級システムならびに分級装置 国立大学法人筑波大学 互いに並列配置された分級装置および沈降装置を有し、
上記分級装置は、
第１の容器と、
上記第１の容器内に設けられた、粒径分布を有する混合粒子...
L201500153120151007多剤感受性酵母 国立大学法人筑波大学 (i)少なくともPDR3遺伝子、PDR8遺伝子、PDR1遺伝子、YRR1遺伝子、SNQ2遺伝子、PDR5遺伝子、PDR10遺伝子、YOR1遺伝子、PDR15遺伝子、PDR11遺伝子、PDR1...
L201500153020151007高濃度γグロブリン製剤の粘度低下方法 国立大学法人筑波大学 γグロブリン濃度が１５０ｍｇ／ｍＬを超える液状製剤に対し、アルギニン、グアニジン、これらの薬学的に許容される塩から選択される少なくとも１つを...
L201500152920151007ポリフッ化ビニリデン粒子の製造方法 国立大学法人筑波大学 主にα相で構成されたα相ポリフッ化ビニリデン粒子の表面をイオン液体で被覆する工程と、
前記イオン液体で被覆されたα相ポリフッ化ビニリデン粒子...
L201500152820151007プログラム、及び情報処理装置 国立大学法人筑波大学 プロセッサが周辺バスを介してデータとともに記憶装置に設定し、当該記憶装置に接続されたアクセラレータによって実行されるプログラムであって、
前...
L201500152720151007半導体装置およびその製造方法 国立大学法人筑波大学 基板上に形成された第１下地膜と、
前記基板上の前記第１下地膜と異なる領域に形成され前記第１下地膜と異なる材料を主に含む第２下地膜と、
前記第...
L201500152620151007多官能基を末端基とするポリエチレングリコール 国立大学法人筑波大学 一末端がジホルミル基を末端基とし、他の末端がホルミル基と異なる官能基を末端基とするポリエチレングリコールが提供される。
L201500152520151007導電性高分子の製造方法および導電性高分子 国立大学法人筑波大学 コレステリック液晶電解質溶液を結晶相及び液晶相それぞれに相転移させ、その結晶相中及び液晶相中それぞれにおいて共役芳香族モノマーを電解重合して...
L201500152420151007バーチャルキーボードの入力方法、プログラム、記憶媒体、及びバーチャルキーボードシステム 国立大学法人筑波大学 左右の手の画像を撮像可能に設置された少なくとも１台のカメラと、前記カメラから入力する左右の手の画像から入力キーを推定する情報処理装置とを含む...
L201500152320151007光散乱体の光学的測定方法、光学的測定装置及び光学的記録媒体 国立大学法人筑波大学 入射光の光軸から０．０５ラジアン（rad）以上はずれた散乱光の強度分布と、周期的な構造に関する光学的計算手法を周期の１／３よりも長径が短い孤立...
L201500152220151007マイクロ流路装置及びこれに関する方法 国立大学法人筑波大学 本発明に係るマイクロ流路装置１は、上流液体プラグ及び気体を流すための上流流路部（１０）と、下流液体プラグ及び気体を流すための下流流路部（２０...
L201500152120151007姿勢可変立位式移動装置及びその制御方法 国立大学法人筑波大学 車輪を有する移動ベースと、
前記車輪を回転駆動する車輪駆動手段と、
前記移動ベースに搭乗者の足を固定する足固定部と、
前記搭乗者の上体の前方...
L201500152020151007ブロック組み合わせシステム及びブロック組み合わせシステムの制御方法 国立大学法人筑波大学 複数のブロックを結合することにより任意の機能を持たせるブロック組み合わせシステムであって、
前記複数のブロックの組み合わせを創作する創作者の...
L201500151920151007免疫疾患に対する医薬組成物 国立大学法人筑波大学 生体内でTh1型免疫応答を正に制御し、その結果としてTh2型免疫応答を負に制御し、Th1型免疫疾患の増悪及びTh2型免疫疾患の抑制に関与しているCD155と...
L201500151820151007フェニルアルコキシ二置換アセチレン系重合体 国立大学法人筑波大学 ２個のフェニルアルコキシ基をもつ二置換アセチレンを触媒を用いて溶媒の存在下で重合して、フェニルアルコキシ基をもつ二置換アセチレン系重合体とす...
L201500151720151007爪画像合成装置、爪画像合成方法および爪画像合成プログラム 国立大学法人筑波大学 手指画像から指先と爪領域を検出し、爪領域の重心位置と指先位置とに基づいて指の回旋を検出する。そして、その検出した回旋状態に対応してネイルチッ...
L201500151620151007ハードウェア設計装置，及びハードウェア設計用プログラム 国立大学法人筑波大学 ストリームデータを処理するためのパイプライン処理に使用可能な複数のハードウェアコンポーネントの定義を含むコンポーネント情報と、前記パイプライ...
L201500151520151007アクセラレータ処理実行装置、及びアクセラレータ処理実行プログラム 国立大学法人筑波大学 アクセラレータ処理実行装置１は、ＣＰＵ１０と、記憶部２０と、アクセラレータプログラムを実行するアクセラレータ３０と、を備え、ＣＰＵ１０は、ア...
L201500151420151007磁気トンネル接合素子および磁気メモリ 国立大学法人筑波大学 強磁性体を有する固定層１４と、強磁性体を有する自由層１８と、前記固定層１４と前記自由層１８との間に設けられたトンネル絶縁膜１６と、前記自由層...
L201500151320151007微生物によるフマル酸生産 国立大学法人筑波大学 フマル酸生産能を有するリゾプスオリーゼに属する菌株、またはフマル酸生産能を有するその変異株。
L201500151220151007放射性物質吸着材とその製造方法、および、放射性物質吸着シートとその製造方法。 国立大学法人筑波大学 以下の工程：（１）アニリン類モノマーを含む溶液に、少なくとも繊維材、界面活性剤およびプロトン酸を添加、混合して混合液を得る工程；（２）前記混...
L201500151120151007磁性材料、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁性材料の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法 国立大学法人筑波大学 第１シード層１２１は、Ｃｏ↓ＸＦｅ↓（３－Ｘ）Ｏ↓４の格子定数よりわずかに大きい格子定数を有するスピネル型酸化物のＭｇ↓（１＋Ｙ）Ｔｉ↓（２...
L201500151020151007高分子化ホウ素化合物及びその使用 国立大学法人筑波大学 ホウ素化合物として、ポリエチレングリコール－ｂ－ポリクロロメチレンスチレン（ＰＥＧ－ｂ－ＰＣＭＡ）ブロック共重合体のクロロメチレン基を介して...
L201500150920151007マーカ、マーカの評価方法、情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム 国立大学法人筑波大学 視点から物体までの距離に応じた画素値を画素ごとに有する距離画像に基づいて位置及び姿勢が計測されるマーカ１が有する形状を、特定の姿勢のマーカ１...
L201500150820151007磁気装置 国立大学法人筑波大学 第１方向に延伸し、第１磁化方向２２に磁化した第１部分１２と、前記第１方向と交差する第２方向に延伸し、第１磁化方向と異なる第２磁化方向２４に磁...
L201500150720151007高分子化環状ニトロキシドラジカル化合物を有効成分とする経口投与型酸化ストレス疾患の処置剤 国立大学法人筑波大学 ｐＨに応答性を示さない高分子化環状ニトロキシドラジカル化合物を経口投与するための有効成分とする酸化ストレスに媒介される循環器疾患の処置用製剤...
L201500150620151007白色干渉計装置による表面形状の測定方法 国立大学法人筑波大学 白色干渉計装置１で被測定物１２を測定するサンプリング間隔を設定し、被測定物１２における測定対象表面の特定箇所を、設定したサンプリング間隔で複...
L201500150520151007チタン合金および人工骨 国立大学法人筑波大学 １ａｔ％以上１５ａｔ％以下のニオブと、
２ａｔ％以上５ａｔ％以下の鉄と、
２ａｔ％以上１２ａｔ％以下のアルミニウムと、
残部のチタンと、
不...
L201500150420151007漆塗膜の加工方法及び該加工方法で加工された塗膜を備えた製品 国立大学法人筑波大学 漆塗膜１２の表面に紫外線レーザーを照射することにより、従来のレーザー加工のように熱で分解するのではなく化学反応で、漆の主成分であるウルシオー...
L201500150320151007手指動作検出装置、手指動作検出方法、手指動作検出プログラム、及び仮想物体処理システム 国立大学法人筑波大学 本発明の手指動作検出装置は、手指の形状及び高さの情報を有する画像を取得する画像取得部４１と、画像から手指の所定動作に対応する手指の第１の形状...

　
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L201100261420110610回生制動に勝る省エネルギー・低排出ガス減速走行方法 渡邉　雅弘 車両走行中周期的に惰性走行減速度の計測・算出、を継続的に行い、前記計測・算出した最新の惰性走行減速度を用いて惰性走行可能距離を算出し、目標停...
L201100066520110210有機無機複合体 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術の機無機複合体は、層状無機物に有機物を共有結合又は配位結合した結合複合体の層間に第二の有機物を挿入したことを特徴とする。上記の有機無...
L201100066420110210層状水酸化物と単層ナノシート及びそれらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、水酸化コバルト層状結晶からなる層状水酸化物であって、その層状結晶が水酸化コバルト（ＩＩ）とコバルト（ＩＩＩ）からなり、アニオンが...
L201100066220110210二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）単結晶とその育成法並びに半導体形成用基板 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、新しいフラックスの探索として、ＺｒＢ↓２と共融する物質を対象に浮遊帯域溶融法において使用可能な物質を探索した結果、ホウ素と炭素を...
L201100066120110210酸化物超伝導体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の酸化物超伝導体は、［Ｒ（Ｍ）］↓２Ｃｕ↓１Ｏ↓４結晶構造（ただし、Ｒ：希土類元素、Ｍ：アルカリ土類金属またはＣｅとする）を有し、その...
L201100065920110210塑性加工性に優れた鋼細線又は薄帯鋼板 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術の塑性加工性に優れた鋼細線は、降伏強さが０．６ＧＰａ以上で且つ破断強さ／引張強さが２．０以上を有するフェライト炭素鋼又はフェライト系...
L201100065720110210層状希土類水酸化物を製造する方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術の層状希土類水酸化物を製造する方法は、希土類元素の塩と、ヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴ）または尿素と、水を含有する溶媒とからなる混...
L201100065620110210層状希土類水酸化物、それを用いたアニオン交換材料および蛍光材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術による層状希土類水酸化物は、組成式ＲＥ（ＯＨ）↓（２．５）Ｚ↓（０．５）・０．１２５ＸＨ↓２Ｏ（６＜Ｘ＜８）で表され、ＲＥは希土類元素...
L201100065520110210磁性人工超格子とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ格子位置に磁性元素が置換した層状チタン酸化物を剥離して得られる磁性体薄片粒子（以下、...
L201100065420110210蛍光体とその製造方法および発光器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、ＡｌＮ結晶またはＡｌＮ固溶体結晶に、少なくともＥｕを固溶させた窒化物あるいは酸窒化物について鋭意研究を重ねた結果、特定の組成範囲...
L201100065320110210温間加工用鋼、その鋼を用いた温間加工方法、およびそれにより得られる鋼材ならびに鋼部品 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、温間加工により基地内に粒子分散型繊維組織が生成される鋼であって、３５０℃以上Ａｃ１点以下の所定の温度域において下記式（１）で表さ...
L201100065220110210マグネシウム系生分解性金属材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、不可避的不純物濃度が０．０５原子％以下のＭｇであって、析出物・金属間化合物を含まず、平均結晶粒径が平均結晶粒径が部材の最小部位の...
L201100065120110210ＭｇＢ２超伝導線材の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、ＭｇＢ↓２超伝導体の粉体を管に充填して線材加工するｅｘ－ｓｉｔｕプロセス用のＭｇＢ↓２超伝導体の粉体として、粒界結合性に優れ、か...
L201100065020110210有機無機複合体の製造方法及び有機無機複合体並びに高分子複合材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、かかる課題について鋭意研究を重ねた結果、非膨潤性層状珪酸塩を加熱処理して脱水化することによって正電荷有機化合物を容易に層間にインタ...
L201100064920110210多孔質基盤体とその製造方法並びに多孔質基盤体の使用方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、細胞の播種用孔を有する多孔質基盤体であって、細胞の播種用孔を有する多孔質な主体の外周面に細胞よりも小さい孔からなる多孔質膜を配設...
L201100064820110210混合層珪酸塩及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術において、タルクやパイロフィライトに代表される層電荷が０である非膨潤性２：１型層状珪酸塩層又はマイカ、イライト、バーミキュライトに代...
L201100064720110210アルミナ膜基板及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術において、これまでアルミニウムを含む銅単結晶の表面に形成される酸化アルミニウム薄膜についての研究を鋭意行ってきた。そしてこれらの研究...
L201100064620110210酸化亜鉛発光体と発光素子 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、酸化亜鉛又は式Ｚｎ↓（１－Ｘ）Ｍｇ↓ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦０．１５）で示される酸化亜鉛固溶体からなる発光体であって、ドナーとしての...
L201100064520110210冷間加工性に優れた高強度ステンレス鋼線及びその成形品 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、Ｃ：０．０８質量％以下、Ｓｉ：０．０５～１．０質量％以下、Ｍｎ：０．２０～２．０質量％以下、Ｐ：０．０４５質量％以下、Ｓ：０．０...
L201100064420110210ダイヤモンド紫外光センサー 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、受光部材料の電気抵抗の変化又は光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する、２端子電極を持つ光伝導型又はショットキー型...
L201100064320110210薬物吸入デバイス 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、ナノ繊維よりなるマトリックスの表面に対して薬物含有溶液をスプレードライすることで、ナノ繊維の表面に、ナノ乃至ミクロン径の薬物粒子が...
L201100064220110210全固体リチウム電池 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、硫化物系固体電解質の電気化学的安定性について再検討したところ、これら硫化物系固体電解質は、高電位を印加した場合に継続的な分解反応を...
L201100064120110210蛍光体とその製造方法および照明器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、少なくともＬｉと、Ａ元素（ただし、Ａは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる１種または２...
L201100064020110210蛍光体とその製造方法および照明器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、少なくともＡ元素（ただし、Ａは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる１種または２種以上の...
L201100063920110210溶接ワイヤと溶接方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の溶接ワイヤは、フラックスを一切含まないソリッドワイヤ、またはフラックスを全く含まない金属粉のみのコアードワイヤに属し、従来にはない新...
L201100063820110210無機結晶の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、Ｍ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏの元素（ただし、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる１種または２種以上の元素）を少なくとも含み、必要に応...
L201100063720110210蛍光体とその製造方法および発光器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、β型Ｓｉ↓３Ｎ↓４結晶構造、ＡｌＮ結晶構造、若しくはＡｌＮポリタイプ構造を持つＣｅが固溶した窒化物又は酸窒化物の結晶を含み、励...
L201100063620110210蛍光体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、組成式Ｅｕ↓ａＳｉ↓ｂＡｌ↓ｃＯ↓ｄＮ↓ｅ（式中、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１とする）で表され、式中のパラメータａ、ｃ、ｄが、０．０...
L201100063520110210超微細粒組織鋼からなる高強度成形品及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、超微細粒組織鋼からなる高強度成形品の一部領域には等軸状組織が形成され、この等軸状組織の形成領域の平均粒径は２００ｎｍ以下であり...
L201100063420110210電磁波共振器とその製造方法、および電磁波の共振方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、第１負誘電体表面と、第２負誘電体表面と、第１負誘電体表面と第２負誘電体表面との間に配置された正誘電体薄膜と、を備え、正誘電体薄...
L201100063320110210光学分析用チップとその製造方法、光学分析用装置、および光学分析方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、負誘電体と、負誘電体の表面に形成された少なくとも１つの溝の内部に配置された、固体状態にある正誘電体と、を備えた光学分析用チップ...
L201100063220110210ダイヤモンド半導体整流素子 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、整流性電極を有するダイヤモンド半導体整流素子であって、ダイヤモンド半導体上の酸化処理表面に、高融点金属元素のカーバイド化合物で...
L201100063120110210薄片状珪酸塩粉末の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、層間にＫイオンを有し、一次粒子径が２μｍより大きい非膨潤性層状珪酸塩の層間に正電荷有機化合物がインターカレーションしてなる複合...
L201100063020110210ナノサイズ粉体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ナノサイズ粉体の製造方法は、粉体の原料を溶かした媒体から、単一又は多成分からなる前駆体集塊物を化学的に沈殿させる際に、前駆体集...
L201100062920110210熱膨張係数測定方法とその装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、温度差により生じる試料の歪みに基づく熱膨張係数測定方法は、試料本体に対して粒子線やエネルギー線が照射された時の二次電子発生量や...
L201100062620110210エリスロポエチン徐放製剤とその作製方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、エリスロポエチンまたはエリスロポエチンの誘導体様の生理活性を持つアミノ酸組成の異なる生理活性物質である薬剤成分が金属イオン含有...
L201100062520110210コラーゲンスポンジ及び製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、コラーゲンを基材とし、粒子状空隙部と針状空隙部とからなり、粒子状空隙部が多数の針状空隙部により相互に連通されてなる多孔質構造を...
L201100062420110210太陽電池 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、太陽電池は、光電変換素子層の電解液側面の一部が、光電変換素子層からの電子を吸蔵し、外部回路に電子を放出できる固体蓄電層に覆われ...
L201100062320110210蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、励起源からの励起エネルギーにより蛍光を発するＡＡｌＳｉＯＮ↓２結晶（ただし、Ａは、Ｌｉ、ＮａおよびＫからなる群から少なくとも１...
L201100062120110210ヨウ素吸蔵体 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ヨウ素吸蔵体は、結晶内部にＡｇ↑＋イオンを、辺縁部にカルシウムイオンを偏在させてなるものとする。例えば、Ｎａ型合成フォージャサ...
L201100062020110210非調質フェライト・パーライト鋼材 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、化学成分組成が、Ｃ：０．３０～０．６５質量％、Ｓｉ：０．１０～０．５０質量％、Ｍｎ：０．５０～１．５０質量％、Ｓ：０．００３～...
L201100061920110210アクリル系粘着剤組成物およびそれを用いた感圧性粘着シート 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、アクリル系粘着剤組成物は、（Ａ）成分とともに、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分を含有する。ここで、（Ａ）成分は、アルキル基の炭素数が...
L201100061820110210多孔質足場材 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、多孔質足場材は、多孔質体からなる中空外郭の内部に外郭よりも気孔率が大きい多孔質体が充填されてなるものとする。この多孔質足場材の...
L201100061720110210ハイブリッド炭素繊維強化複合材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、異なる性質の炭素繊維からなるハイブリッド炭素繊維強化複合材料は、高弾性炭素繊維と高強度炭素繊維からなり、少なくとも両繊維の各一...
L201100061620110210繊維強化複合体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、繊維強化複合体の製造方法は、所望の形状に型付けした繊維体にＶａＲＴＭ（真空含浸）工法にて樹脂溶液を含浸し、引き続き、真空引き状...
L201100061520110210蛍光体、およびそれを用いた発光器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、蛍光体は、励起源からの励起エネルギーにより蛍光を発するＡｌＯＮ結晶またはＡｌＯＮの固溶体結晶からなる蛍光体であって、ＡｌＯＮ結...
L201100061420110210再生用多孔質足場材およびその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、再生用多孔質足場材は、脱細胞化した細胞のマトリックスにより骨格が形成されてなるものとする。このような再生用多孔質足場材の製造方...
L201100061320110210蛍光体と発光器具 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、蛍光体は、励起源からの励起エネルギーにより蛍光を発する無機結晶からなる蛍光体であって、無機結晶が、ＲＭＳｉ↓４Ｎ↓７結晶（ただ...
L201100061120110210ケージ型メソポーラスシリカ（ＳＮＣ－１）およびその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ケージ型メソポーラスシリカは、空間群がＦｍ３ｍ、比表面積が２．２×１０↑２ｍ↑２／ｇ～８．０×１０↑２ｍ↑２／ｇ、比孔容量が２...
L201100060920110210結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、結晶成長用基板は、表面にバッファ層が形成されてなる結晶成長用基板であって、バッファ層が二次元結晶からなるナノシート単層膜からな...
L201100060820110210錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β－Ｇａ２Ｏ３チューブ 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、部分的に又は完全に錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β－Ｇａ↓２Ｏ↓３チューブを提供する。また、錫ナノワイ...
L200900228420090327ナノ粒子用デバイス 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、エレクトロスピニングで繊維の原料である高分子溶液をノズルから噴射させナノ繊維シートを作成し、ナノ繊維シート上にスプレードライ法...
L200900228320090327高強力Ｔｉ－Ｎｉ－Ｃｕ形状記憶合金とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、３３．１原子％Ｎｉ－１５．４原子％Ｃｕ－５１．５原子％Ｔｉ；２５．２原子％Ｎｉ－２３．４原子％Ｃｕ－５１．４原子％Ｔｉ；２１．...
L200900228220090327固体高分子型形燃料電池のセパレータとそれに用いるステンレス鋼の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ニッケルを実質的に含有させず、窒素の高濃度添加によりオーステナイト系ステンレス鋼とすることにより、耐食性の大幅な向上をはかり、...
L200900228120090327色変換器、これを用いた植物育成装置及び植物育成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の色変換器は、表面または内部に蛍光体を有する透光体を備える。色変換器は、投入光を受光し、変換光に変換する。色変換器は、投入光における短...
L200900228020090327ナノ精度のポリピロール超薄膜で均一に被覆されているカーボンナノチューブ 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、前駆体（モノマー）としてピロールを用いてカーボンナノチューブを被覆することを試みた。幅広い濃度のピロールと幾つかの機能化カーボ...
L200900227920090327環状フェニルアゾメチンの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の環状フェニルアゾメチン化合物の製造方法は、式（１）で表されるフェニレンジアミン化合物と、式（２）で表わされるジベンゾイルベンゼン化合...
L200900227820090327ビス（ターピリジン）化合物の合成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、反応の原料化合物であるターピリジン化合物は、一般的には式（１）により表わすことができる。式（１）において、ピリジン環は、許容さ...
L200900227720090327スペーサー導入型ビス（ターピリジン）化合物の合成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術では、反応の原料化合物であるターピリジン化合物は、一般的には式（１）により表わすことができる。式（１）において、ピリジン環は、許容され...
L200900227620090327非対称型ビス（ターピリジン）化合物の合成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、異なる２種類の原料化合物であるターピリジン化合物を用いて非対称型のビス（ターピリジン）化合物を合成するものであり、このようなタ...
L200900227520090327アルミン酸ストロンチウムよりなる結晶性ナノ構造物とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、硝酸アルミニウム九水和物、硝酸ストロンチウム、尿素、ｎ－ブタノールおよび臭化セチルトリメチルアンモニウムの混合物の水溶液を圧力...
L200900227420090327ウォームスプレー法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、基材が合成樹脂であり、粒子の加熱温度（Ｔ）が４×１０↑２℃以上であって式Ｋ＝Ｖ×Ｔ／Ｌ、Ｖ：粒子の噴射速度（×１００ｍ／ｓ）、...
L200900227320090327ホイスラー合金とそれを用いたＴＭＲ素子又はＧＭＲ素子 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、第４元素としてＣｒを添加することにより、Ｌ２↓１規則度が比較的低い状態であっても高いスピン分極率を示すＣｏ基ホイスラー合金を見...
L200900227220090327イオンビーム発生方法とそれを実施する為のイオンビーム発生装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、光ファイバーレーザーの波長１０８３ｎｍ出力光を、光ファイバー経由で光ファイバー増幅器に入力した。この入力光を、光ファイバー増幅...
L200900227120090327偏極イオンビーム発生方法とその実施に使用する偏極イオンビーム発生装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、光ファイバーレーザーの波長１０８３ｎｍ出力光を、光ファイバー経由で光ファイバー増幅器に入力し、光ファイバー増幅器で増強し、光フ...
L200900226920090327材料試験装置と材料試験片 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、試験片の内部に両端または一端のみが開放された微細な空隙を設けて、微細な空隙の開放された側からジョイント部を経由して高圧、低圧あ...
L200900226420090327幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物とその製造方法。 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術は、幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物であって、枝状部が硫化亜鉛ナノワイヤーであって、幹部がリン化亜鉛ナノリボンである。こ...
L200900226320090327フラーレン細線の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、３０２ｎｍの紫外光の代わりに、２４時間青色光（４００－５００ｎｍ）照射したＣ↓（６０）飽和ピリジンを用い、照射によって、Ｃ↓（...
L200900226020090327電圧印加下における電子分光測定装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、非オーミックコンタクトを持つ界面構造を有する試料の上部に電極、下部に電極をつけ、電線を通して真空容器外に電極端子を取り出す。そ...
L200900225920090327コア・シェル構造体、中空シェル構造体、および、それらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術のコア・シェル構造体は、球状コアと、球状コア上に交互に積層された複水酸化物ナノシートとアニオン性高分子層とを含むシェルであって、複水酸...
L200900225820090327炭化ケイ素ナノ構造物とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術で用いた加熱装置は、カーボン繊維の断熱材で覆われたグラファイト誘導加熱円筒管を内側に有する石英管製の縦型高周波誘導加熱炉で、その上部...
L200900225620090327ディスプロジウムホウ炭化窒化物とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術のディスプロジウムホウ炭化窒化物は、一般式がＤｙＢ↓（２７＋Ｘ）Ｃ↓（６＋Ｙ）Ｎ↓（２＋Ｚ）（－７＜Ｘ＜７，－４＜Ｙ＜４，－２＜Ｚ＜２...
L200900225420090327電子線発生装置とレーザー光の陰極先端部への照射方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の電子線発生装置は、陰極先端部に対向する位置に反射鏡を配置し、反射鏡に、陰極先端部から発生した電子線を通過させる穿孔が形成してあるとと...
L200900225320090327真空蒸着装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の蒸着装置の真空チャンバーには、内部にターゲットを保持する、ターゲット保持具が設けてあり、保持具に向かうようにして、２本の接合管が貫通...
L200900225220090327金属イオン含有合成層状珪酸塩の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、目的とする層状珪酸塩を形成するために必要な所定の金属イオン含有混合液の濃度制御およびｐＨ制御を行うことにより、沸点以下での反応...
L200900225020090327フラーレン細線の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術のフラーレン分子からなるフラーレン細線の第１製造方法は、乾燥雰囲気下で、フラーレン分子を第１溶媒に溶解したフラーレン溶液に、第１溶媒よ...
L200900224820090327サーメット皮膜形成方法とそれにより得られたサーメット被覆部材 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、サーメット粉末粒子の温度をその結合相を構成する金属成分の再結晶温度以上かつ融点未満に保持し、マッハ１以上にて基材へ衝突させ成膜...
L200900224420090327ポリ乳酸複合材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、多官能エポキシ化合物と正電荷有機化合物で有機修飾された層状珪酸塩との双方をポリ乳酸に添加した場合に、正電荷有機化合物で有機修飾...
L200900224320090327耐震合金 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の耐震合金は、アルミニューム（Ａｌ）を１から３質量％含有している。即ち、高周波真空誘導炉を用い、Ａｌを１質量％、Ａｌを２質量％および３...
L200900224220090327金属酸化物触媒 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術による複合金属酸化物ＹＶＯ↓４の結晶構造の属する空間群はＩ４１／ａｍｄであり、結晶構造中、Ｙ↑（３＋）は８個の酸素に囲まれ（Ｖ↑（５...
L200900224120090327窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で...
L200900223920090327ＳＱＵＩＤ顕微鏡 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ＳＱＵＩＤ顕微鏡部のプローブの先端と被測定試料との間隔をその間に生じるトンネル電流の変動にて測定し、この電流値が所望の値となる...
L200900223820090327高密度のＡｌＮ－ＳｉＣ－ＭｅＢ複合焼結体を製造する方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の高密度のＡｌＮ－ＳｉＣ－ＭｅＢ複合焼結体を製造する方法は、焼結助剤として、ホウ素（Ｂ）単独またはこれとアルミニウム（Ａｌ）又は／及び...
L200900223620090327蛍光体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、Ａｌと、Ｏと、Ｒの元素とを含み、必要に応じてＮの元素を含む前駆体化合物に対して、還元窒化雰囲気中で加熱処理を施し、前駆体中の酸...
L200900223520090327高温耐久性に優れた耐熱部材 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、タービン動翼やタービン静翼の耐熱部材に用いられるＲｈ含有のＮｉ基超合金として、その成分が重量比で、Ａｌ：１．０重量％以上１０．...
L200900223320090327人工角膜 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ＰＶＡファイバー不織布を高温脱気乾燥ののち、窒素雰囲気化で表面修飾反応を行った。ＰＶＡの表面ＯＨを化学等量に比して大過剰のヘキ...
L200900223120090327半導体製造装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の小型反応管は、外径３５ｍｍφのサファイアチューブを用いている。このような小型のチューブ形状であれば、サファイアのインゴットからチュー...
L200900222920090327素子基板とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術の素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなる。即ち、...
L200900222520090327ガラスプレス用モールドの作製方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、まず、シリコンモールドを用意する。シリコンモールドは、単結晶シリコン等の表面に所望の表面形状を作製することにより得ることができ...
L200900222420090327六方晶窒化ホウ素結晶体を製造する方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、窒化ホウ素原料として脱酸素処理を施した六方晶窒化ホウ素粉末を用いた。脱酸素処理は、真空中で１５００℃１時間、次いで、窒素気流中...
L200900222320090327神経線維の伸展用薬剤の位置を制御する方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術のナノワイヤは、直径３００ｎｍ以下、長さ３００μｍ以下のナノワイヤの表面に抗体又は薬剤が結合されている。そして、このナノワイヤは鉄を主...
L200900222220090327可視光応答性光触媒 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、一般式；Ａｇ↓ｘＭ↓（１－ｘ）Ｔｉ↓（１－ｘ）Ｎｂ↓ｘＯ↓３（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの１種類以上の２価の金属からなる...
L200900222120090327光ナノスイッチ 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、導波路に注入された光は、導波路の先端部において近接場光を生成する。導波路の先端の開口部を光の半波長よりも小さくすることで、近接...
L200900222020090327個体のキャリア移動度測定方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、従来法のように周波数領域でプラズモン又はプラズモンライクなＬＯフォノン－プラズモン結合モードの減衰定数γを求めるのではなく、時間領...
L200900221920090327半導体ナノ細線を用いたプローブ及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、基体に底面を介して固定された半導体から成る円錐又は多角錐の構造体の頂点から成長した、先端に金属ナノドットを有する半導体ナノ細線...
L200900221620090327光による分子の注入方法及び光による材料加工方法並びにそれらの装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の光による分子の注入装置は、基板と、分子を含む分子注入源と、基板及び分子注入源の間に配置した液体と、基板及び分子注入源を外側から挟持す...
L200900221520090327微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法は、微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射...
L200900221420090327炭酸カルシウム・ゼオライト系化合物複合体とその製造方法およびそれを用いた物品 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、ｐＨ７．５以下に調製した炭酸水素カルシウム水溶液に、陽イオンを構成成分とするゼオライト系化合物を浸漬し、イオン交換プロセスによ...
L200900221320090327多層薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術の多層薄膜は、乾燥泡膜により塞がれた微細孔を有する自立性薄膜に、少なくとも１回以上、蒸着膜を積み重ねることで製造される。乾燥泡膜は、表...
L200900220620090327酸化セリウムナノチューブ及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 この技術では、先ず、化学式Ｃｅ（ＯＨ）↓３で表される水酸化セリウム（ＩＩＩ）ナノチューブをグラファイト製容器に入れ、この容器を石英管を有する...
L200900220420090327酸化タンタルナノメッシュとその合成方法並びにその用途 国立研究開発法人物質・材料研究機構 本技術は、まず出発物質としてホスト層にオープンチャンネルが規則的に配列した構造を有する層状タンタル酸化物が用いられる。このような物質としては...
L200600532220060908自己再生型カーボンナノチューブ・グラファイト混合膜の形成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 炭素を固溶させたニッケル－炭素合金を１×１０↑－↑６Ｔｏｒｒ未満の真空減圧下で炭素固溶限温度以上に加熱した後に０．１Ｋ／分～１００Ｋ／分の冷...
L200600532120060908酸化マグネシウムナノワイヤーおよび酸化マグネシウムナノロッドの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 アルミナに保持した酸化鉄、酸化ホウ素およびインジウム化合物からなる混合物を触媒として用い、金属マグネシウムと金属インジウムとを、７００℃から...
L200600532020060908塗膜の耐食性評価方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 塗膜の表面電位を測定することによって、電位変化の挙動を検知し、新しい塗膜傷及び塗膜下の腐食損傷をモニターする塗膜の耐食性評価方法である。また...
L200600531920060908光透過性カーボン系薄膜とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 シリコン基板上にカーボン薄膜を成膜すると同時にカーボン薄膜に窒素を添加して窒素を含有するカーボン系薄膜を形成し、その後熱処理を行うことで窒素...
L200600531820060908アパタイト系化合物で被覆されたゼオライト系化合物の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 カルシウムで置換されたゼオライト系化合物をリン酸またはリン酸塩を主成分とする溶液に浸漬してゼオライト系化合物のカルシウムとリン酸またはリン酸...
L200600531720060908海塩粒子付着量測定方法および測定装置 国立研究開発法人物質・材料研究機構 銀コートされた水晶振動子を用い、海塩粒子との反応を利用して湿度の増加における水晶振動子の振動周波数の減少量から飛来海塩粒子を測定する工程を含...
L200600531620060908溶接疲労強度を向上させる溶接方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 溶接時に溶接熱の影響を受ける距離に低変態温度溶接材料を用いて複数箇所溶接するに際し、複数箇所を同時に溶接する溶接方法を提供し、また、複数箇所...
L200600531520060908ひずみ検出器の取付方法と取付構造 国立研究開発法人物質・材料研究機構 剪断力を介してひずみを伝えるひずみ検出器を、被測定構造物本体に低変態温度の溶接材料を介しての溶接接合により取り付けるひずみ検出器の取付方法で...
L200600531420060908溶接疲労強度を向上させる溶接方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 図１は、円周溶接する溶接方法の実施に当たって、円管溶接準備状態を示す概要図である。円管１は、その内側にセラミックスの帯２ａ及びアルミニウム板...
L200600531320060908単結晶のチューブ状酸化亜鉛ウィスカーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 硫化亜鉛粉末と活性炭粉末とをアルゴン気流中、１１００～１２００℃に、２～４時間加熱して、一旦亜鉛を生成させた後、引き続き、アルゴンを酸素に切...
L200600531120060908低反射材料の作製方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 銅から形成された材料または銅を表面に被覆した材料を水酸化ナトリウム水溶液中で陽極酸化し、二価の酸化銅の皮膜を成膜する、低反射材料の作製方法で...
L200600530920060908シリコンナノワイヤーの製造法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 キャリアーガスの流通下において、シリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム合金をその融点よりも低い温度で蒸発させ、キャリアーガスの流通下流域の均...
L200600530820060908ＳＱＵＩＤ磁気センサーおよびＳＱＵＩＤ磁気センサーの作製方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 一対の高温超伝導体の単結晶が基板上に交差角度０°－９０°の範囲で交差されて結合されている単一の高温超伝導ジョセフソントンネル接合を用いたＳＱ...
L200600530720060908炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 式：Ｒ↓ｎＳｉＣｌ↓４↓－↓ｎ（Ｒは炭化水素基を示し、ｎは１～３の整数を示す）で示されるクロロシランを１～１００Ｔｏｒｒの範囲の減圧雰囲気下...
L200600530520060908ＭｇＢ２超伝導線材の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｍｇ粉末とＢ粉末の混合体又はＭｇＨ↓２粉末とＢ粉末の混合体を金属管に充填し、冷間加工によりテープ若しくはワイヤー状にした後、熱処理してＭｇＢ...
L200600530420060908上・下降伏現象を示さない超微細粒鋼 国立研究開発法人物質・材料研究機構 フェライト粒径が３μｍ以下である超微細粒鋼において、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）、Ｍｏ（モリブデン）の内から選択される少...
L200600530320060908β－アルミナまたはβ″－アルミナ配向焼結体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 図１は製造プロセスの概要を示した工程図である。まず、アルミナ粒子のスラリーとしてのサスペンションの調整を行う（１）。たとえば高純度のα－アル...
L200600530120060908インジウム系複合酸化物可視光応答性光触媒とそれを用いた有害化学物質分解除去方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 複合酸化物ＭＩｎ↓２Ｏ↓４で表される複合酸化物半導体からなる光触媒は、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｂａを１種又は２種以上含むものであり、具体的には例えば...
L200600530020060908ペロブスカイト型複合酸化物可視光応答性光触媒とそれを用いた水素の製造方法及び有害化学物質分解方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ＡＢＯ↓３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物半導体からなる光触媒である。この酸化物ＡＢＯ↓３において、式中、ＡはＣａ、Ｓｒ...
L200600529920060908安定した超伝導特性を有するＮｂ３Ａｌ超伝導線材およびその変態熱処理方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 変態熱処理前に断面収縮率が２０％を超える塑性変形を施した後に昇温速度を２００℃／ｈより遅く変態熱処理温度領域まで昇温する変態熱処理方法を提供...
L200600529820060908Ｎｂ３Ａｌ超伝導線材およびその変態熱処理方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 変態熱処理前の塑性変形量としてＲ．Ａ．が０％の時に４００℃／ｈ以上、Ｒ．Ａ．が０％を超えて１０％以下の時に２９０℃／ｈ以上、Ｒ．Ａ．が１０％...
L200600529720060908二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 １００～２００ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合している二硫化モリブデンナノフラワーである。また、酸化モリブデ...
L200600529420060908散乱体がランダムに分布した光学材料とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 特定の波長帯の光を遮断する光学材料であって、屈折率がｎ↓１である固体、液体、気体または真空からなり光進行方向の最大長が光の波長の１／１０以上...
L200600529320060908ＭｇＢ２超伝導体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｍｇの融点より低い融点の合金を形成する元素：Ｘとの合金であるＭｇ－Ｘ合金をＢと８００℃以下の温度において拡散反応させ、ＭｇＢ↓２を主成分とす...
L200600529220060908銅ナノロッド若しくはナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 金属銅と、炭素薄膜のコーティングされたモリブデン基板とを、真空中で８００～８５０℃の温度範囲に加熱し、銅ナノロッド若しくはナノワイヤーを生成...
L200600529120060908天然Ⅱ型ダイヤモンドの熱処理の有無の鑑別方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 天然ダイヤモンドの２３０ｎｍから２７５ｎｍの波長範囲のカソードルミネッセンススペクトルを測定し、自由励起子発光ピーク（Ｂ１＝２３５ｎｍ、Ｂ２...
L200600529020060908高品位チタニアナノシート超薄膜とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 層状チタン酸化物単結晶を剥離して得られる薄片粒子（ナノシート）を基板表面上に隙間なく被覆し、且つ、薄片粒子同士の重複を除去、低減してなる、チ...
L200600528920060908酸化物材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ３つの材料群の元素および酸素を含んだ複数の元素で構成される非晶質な酸化物材料であって、３つの材料群のうち、第１の材料群の元素Ａ１としてＨｆ、...
L200600528820060908高純度超微粒子透光性立方晶窒化ホウ素焼結体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 低圧相窒化ホウ素を原料として、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）が熱力学的に安定な９．５万気圧以上、１７００℃以上１９００℃以下の圧力、温度で立方晶...
L200600528720060908フタロシアニン系近赤外色素および薄膜とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 式（図１）（式中のＲは、各々のベンゼン環に結合する１以上の置換基であって、同一または別異であってよく、炭化水素基および異種原子を有する置換炭...
L200600528620060908中空状のホウ酸アルミニウムの単結晶ウイスカーとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ＮａＢＨ↓４を溶かしたメタノール液をＡｌ↓２Ｏ↓３粉末に含浸させる工程と、粉末を室温で乾燥させた後に、この粉末にＮｉＣｌ↓２水溶液とＮａＢＨ...
L200600528520060908局所ポテンシャル障壁高さのパラメータ依存性測定方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 トンネル電流（Ｉ）、バイアス電圧（Ｖ）、探針－試料間距離（ｓ）の３つのパラメータへの局所ポテンシャル障壁高さの依存性を測定する方法である。図...
L200600528320060908二酸化スズナノリボンとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 長さ数十μｍの主軸に対し、直角に枝分かれする形状を有する二酸化スズナノリボンを提供する。また、スズ粉と硝酸第二鉄の混合物をアルゴン気流中で１...
L200600528220060908水和ナトリウムコバルト酸化物 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ＣｏＯ↓６八面体が稜共有することで形成されるＣｏＯ↓２層と、ＣｏＯ↓２層間に２層の水分子層と１層のナトリウムイオン層を有する水和ナトリウムコ...
L200600528120060908単結晶ホウ酸マグネシウムのナノチューブとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 非晶質のホウ素粉末（純度９９．９％、粒子径約５０ｎｍ）をアセトン中に超音波分散させた分散液を、鏡面研磨した直径２５．４ｍｍのシリコンウエハー...
L200600528020060908冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源への高量子効率物質の被覆方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 図１に示しているように、冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源では、冷却式フォトカソード電子線源本体を有する真空装置１と、雰囲気が超高純度...
L200600527820060908イリジウム基超合金とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 イリジウムにタングステンを添加して合金を溶製した後に１４００℃～２２００℃の温度範囲で熱処理するイリジウム基超合金の製造方法である。例えば、...
L200600527620060908単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、その配向を保持した状態でサスペンションに電場...
L200600527520060908カルシウム化合物とグリコサミノグリカンの複合粒子とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 グリコサミノグリカンの水分散液にカルシウム化合物もしくはさらに他の金属を含有する水溶液を混合し、１３０～２００℃の温度範囲に保ちながら噴霧す...
L200600527320060908非反応性溶射膜を有する炭化珪素質焼結部材及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 相対密度８０％以上の常圧焼結炭化珪素又は反応焼結炭化珪素又はＳｉ含浸炭化珪素を空気中１０００℃ないし１５００℃の温度に維持した加熱炉に投入し...
L200600527220060908溶存酸素濃度の制御方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ｐＨ４～８の液中に二酸化チタンを分散させ、光照射により溶存酸素濃度を減少させ、光照射を止めることで溶存酸素濃度を安定させる溶存酸素濃度の制御...
L200600527120060908窒化硅素（Ｓｉ３Ｎ４）ナノロッドとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 直径が２０～８０ｎｍで長さが１～１０ミクロンである窒化硅素（Ｓｉ↓３Ｎ↓４）ナノロッドである。例えば、長さが５０ｃｍ、直径１２ｃｍ、肉厚０．...
L200600527020060908窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法は、アルミナに担持されたニッケル硼化物を触媒とし、ホウ素を窒素ガスおよびアンモニアガスの少くともいずれかの反...
L200600526920060908窒化ホウ素ナノチューブとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 円錐形状が連なったらせん構造を有するとともに、節のない貫通孔を備え、柔軟性及び延性を示す窒化ホウ素ナノチューブを提供する。また、カーボンナノ...
L200600526820060908ホウ化マグネシウムナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 マグネシウム粉末と非晶質ホウ素粉末の混合物をアルゴン雰囲気中で７００～８３０℃に加熱し、ホウ化マグネシウムナノ粒子前駆物質を作製した後、この...
L200600526620060908Ｎｂ３Ｓｎ線材の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 マトリックス材であるＣｕ中にＮｂおよび５ａｔ％以下のＢｉを含有するＳｎ－Ｂｉ合金からなるＮｂ／Ｓｎ－Ｂｉマイクロ複合フィラメントを内包した極...
L200600526520060908Ｎｂ３Ｓｎ線材の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｎｂ↓３Ｓｎ線材の製造方法においては、Ｃｕをマトリックス材とし、その中にＮｂと５ａｔ％以下のＢｉを含有するＳｎ－Ｂｉ合金から構成されるＮｂ／...
L200600526420060908ナノファイバー状ホウ酸とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 直径が数ｎｍ～数十ｎｍの範囲にあるファイバー状の正ホウ酸（Ｂ（ＯＨ）↓３）であるナノファイバー状ホウ酸である。例えば、ホウ素酸化物（Ｂ↓２Ｏ...
L200600526320060908窒化ホウ素ナノ複合構造物とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸素含有のホウ素窒素化合物を１７００℃以上に加熱し、発生したガスをポリアクリルニトリル系炭素繊維と接触させて加熱を継続する窒化ホウ素ナノ複合...
L200600526220060908高周波熱プラズマ流の均質化方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 高周波熱プラズマ流の均質化方法では、図１に示すように、シースガス１、セントラルガス２及び原料搬送ガス３の３系統のガスを供給し、圧力１００Ｔｏ...
L200600526120060908酸化タングステンナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸化タングステンナノワイヤーの製造方法は、酸化ホウ素で覆われたタングステン線を不活性ガス雰囲気中において１５００℃以上１７００℃以下の高温で...
L200600526020060908窒化ホウ素で被覆された炭化珪素ナノワイヤーおよび窒化珪素ナノワイヤー並びにそれらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ニッケルのナノ粒子を担持したグラファイト基板を触媒とし、ホウ素と二酸化ケイ素の混合物を窒素ガス気流中または窒素ガスと希ガス気流中において高温...
L200600525920060908三酸化モリブデンナノベルトとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 三酸化モリブデンナノベルトは、三酸化モリブデンからなり、断面が幅３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、厚さ５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の長方形状であり、全体...
L200600525820060908酸化タングステンナノ構造物とその複合体ならびにそれらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 酸化タングステン単結晶のナノメートルサイズのロッド状物若しくはベルト状物であり、長さが２μｍ以下で、ロッド状物は、幅が２０ｎｍ～１００ｎｍの...
L200600525720060908ＮｂＣ添加Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ系形状記憶合金の加工熱処理法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｎｂ、Ｃを添加してなるＦｅ－Ｍｎ－Ｓｉ系形状記憶合金を室温で５～４０％加工し、次いで加熱時効処理してＮｂＣ炭化物を析出させる、ＮｂＣ添加Ｆｅ...
L200600525620060908酸化物近赤外線発光素子とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 近赤外領域で発光し、ＴｉＯ↓２に遷移金属が１０ｍｏｌ％以下の範囲で固溶されている酸化物近赤外線発光素子である。例えば、冷却機構を備えた容器に...
L200600525520060908高純度超微粒子立方晶窒化ホウ素焼結体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 粒径幅０～０．１μｍの立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）粉末をｃＢＮが熱力学的に安定な５ＧＰａ、１６００℃以上の高圧高温条件で焼結した、ｃＢＮ含有量...
L200600525420060908水素吸蔵用材料としての窒化ホウ素（ＢＮ）ナノチューブとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 水素吸蔵量が、１０ＭＰａ、室温で、１．５重量％以上であり、直径が５～５０ｎｍ、長さが１～２０μｍの多層壁窒化ホウ素ナノチューブである。例えば...
L200600525320060908ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ニッケル基板と、ホウ素および酸化マグネシウムの混合物を不活性ガス気流中においてニッケル基板の加熱温度が混合物の加熱温度よりも低くなるように加...
L200600525220060908サブミクロンサイズの窒化ホウ素球状粒子の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 アルゴンガス及びアンモニアガス気流中でホウ酸トリメチルとアンモニアとを７００℃で反応させた後、引き続いてアンモニアガス気流中で１０００℃～１...
L200600525120060908金属蒸気吸収材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 金属蒸気吸収材料は、酸化ガリウム（Ｇａ↓２Ｏ↓３）と非晶質活性炭素（ＡＡＣ）とを重量比が７：１から８：１となるように混合した混合物粉末を反応...
L200600525020060908酸化ガリウムナノワイヤーとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 直径が１５～１００ｎｍの範囲にある酸化ガリウムナノワイヤーである。表面が窒化ホウ素からなる被覆層により被覆されている。窒化ホウ素からなる被覆...
L200600524920060908β－Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 β－Ｇａ↓２Ｏ↓３ナノウィスカーは、Ｇａ↓２Ｏ↓３粉末を高純度非晶質活性炭素粉末（ＡＡＣ）と混合して、それらの混合体を不活性ガスの雰囲気また...
L200600524820060908温度感知素子とその製造方法ならびにナノ温度計 国立研究開発法人物質・材料研究機構 連続した柱状のインジウムが内包されたカーボンナノチューブからなり、環境温度の変化に伴ってカーボンナノチューブ内の柱状のインジウムの軸方向の長...
L200600524720060908酸化亜鉛抵抗体及びその製造法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 対向するコバルト及びマンガンを固溶した酸化亜鉛単結晶の間にビスマスと硼素を主たる成分として含む酸化物を界面層として介在させた、（酸化亜鉛単結...
L200600524620060908ｎ型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 真空槽に、直流プラズマ放電を可能とするためのアノード電極とアノード電極に対向して配置したカソード電極と、インジウム金属の真空加熱蒸着を実現す...
L200600524520060908酸化マグネシウムナノベルトとその複合体ならびにそれらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 マグネシウム粉末とアルミニウム粉末が重量比で１：１に混合され、プレス成形された金属円板をターゲット材とし、反応炉内で金属円板を、孔があけられ...
L200600524420060908ポリリンゴ酸の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 リンゴ酸のオリゴマーもしくはリンゴ酸とこれらオリゴマーとを直接に脱水縮合反応させ、重量平均分子量が７０００以上のポリリンゴ酸を生成させる。無...
L200600524320060908巨大磁気抵抗効果を有する擬３元系金属間化合物とこの化合物を使用した磁気センサー 国立研究開発法人物質・材料研究機構 六方晶ＺｒＮｉＡｌ型結晶構造を有し、且つ巨大磁気抵抗効果を有してなる、一般式；ＲＸＺで表される組成を有する擬３元系金属間化合物である。式中、...
L200600524220060908酸化モリブデンナノチューブとその複合体ならびにそれらの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 化学気相成長法により、ターゲット材としてのモリブデン箔片を基板としてのタンタルウエハーの上に一定の間隙をあけて配置し、反応炉のチャンバーを５...
L200600524120060908水素吸蔵用窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 化学的気相成長法により合成した窒化ホウ素ナノチューブを２枚の金属板間に保持し、不活性気流中において、高温で加熱処理することにより水素吸蔵用窒...
L200600524020060908配向性多層ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 配向性多層ナノチューブの製造方法は、高温下において、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン、および、窒素を、カーボンナノチューブに反応させること...
L200600523920060908ホウ素・炭素・窒素ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 構成元素がホウ素、炭素及び窒素であるナノチューブであり、ナノチューブの長さ方向に構成元素比率が異なっているホウ素・炭素・窒素ナノチューブの製...
L200600523820060908酸化亜鉛ナノベルトとその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 断面形状が六角形である単結晶からなる酸化亜鉛ナノベルトの製造方法は、高真空赤外線照射加熱炉内に設置されたタンタル製容器内部に、鏡面仕上げされ...
L200600523620060908炭化ホウ素ナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ホウ素、酸化ホウ素及び炭素にＢ↓４Ｎ↓３Ｏ↓２Ｈを添加し、窒素雰囲気中で１０００℃～２１００℃の高温下に反応させ、炭化ホウ素ナノワイヤーの表...
L200600523520060908窒化ホウ素前駆物質の形成方法と窒化ホウ素前駆物質を利用した窒化ホウ素ナノチューブの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ホウ素と酸化マグネシウムを１０００℃～２１００℃の温度域で反応させ、窒化ホウ素前駆物質である酸化ホウ素（Ｂ↓２Ｏ↓２）を形成させる窒化ホウ素...
L200600523420060908ＭＯｘ－ＺｎＯ複合酸化亜鉛系光触媒とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 フランス法による乾式法で製造された、一次粒子の形状が四角又は六角プリズム状であり、その平均粒径が０．１～０．５μｍの酸化亜鉛粉末の表面上に含...
L200600523320060908耐酸化性高Ｃｒフェライト系耐熱鋼の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Ｃｒの含有量が１５ｍａｓｓ％以下のフェライト系耐熱鋼で、少なくとも表面深さで１０μｍの領域が、伸長したフェライト粒からなる加工組織であるか、...
L200600523220060908電子セラミックスデバイス 国立研究開発法人物質・材料研究機構 表面に島状に分布する複数の金属電極を備えた電子セラミックス粒子からなる電子セラミックスデバイスである。電子セラミックス粒子に対して濡れ性が低...
L200600523120060908高密度リチウムアルミニウム酸化物とその合成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 化学式ＬｉＡｌＯ↓２で示される低圧相リチウムアルミニウム酸化物粉末を銅粉と混合し、加圧成形し、得られた成形体に５ＧＰａ以上、加圧時間５マイク...
L200600522920060908水素吸蔵用材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 窒素雰囲気中、１０００Ｋ～２５００Ｋの高温下で、窒化ホウ素、酸化ホウ素、および、ホウ素を加熱することにより窒化ホウ素ナノ繊維を生成する製造方...
L200600522820060908フラーレンウィスカーの加圧焼結体及びその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 フラーレンウィスカーの集合体を圧力：０．１ＭＰａ～１０Ｇｐａ、保持時間：５分～７２時間、温度：５０～７００℃で加圧焼結するフラーレンウィスカ...
L200600522720060908金属ホウ酸塩ナノワイヤーの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 金属ホウ酸塩ナノワイヤーの製造法は、金属酸化物粉末と酸化ホウ素粉末との混合粉末にホウ素粉末を加え、大気もしくは酸素含有雰囲気下に気化温度以上...
L200600522620060908窒化層を有する超微細粒鋼 国立研究開発法人物質・材料研究機構 平均粒径が３μｍ以下のフェライト粒組織を有し、表面に窒化層が形成されている超微細粒鋼である。炭化物の析出若しくは固溶元素の添加のいずれか又は...
L200600522520060908ネジまたはタッピングネジ 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ネジまたはタッピングネジの製造方法は、平均粒径が３μｍ以下のフェライト粒の超微細組織を有するネジまたはタッピングネジ用成形体に、４８０℃～５...
L200600522420060908真空容器内壁表面の改質方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 真空容器内壁表面の改質方法は、銅と窒化ホウ素の混合体をターゲットとし、真空容器の内壁表面に銅と窒化ホウ素を同時にスパッタ蒸着して銅と窒化ホウ...
L200600522320060908ナノスケール周期構造テンプレート 国立研究開発法人物質・材料研究機構 周期的に配列する複数の単位胞からなり、かつ、単位胞が異なる化学反応性をそれぞれ有する少なくとも２種類以上のサブユニットからなる基板表面におい...
L200600522220060908ＺｎＯ単結晶の育成炉と単結晶育成法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 炉内の低酸素分圧部分において酸化亜鉛原料を加熱・蒸発させ、気化した酸化亜鉛成分を気流にのせて炉内の結晶析出部位まで輸送し、再析出、結晶化させ...
L200600522120060908ナノ構造の選択的形成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ２種の半導体へテロ系のヘテロ構造上にナノ構造の液滴を成長させるナノ構造の選択的形成方法であって、ヘテロ界面に形成されるミスフィット転位を制御...
L200600521820060908易焼結性ナノ球状セリア系化合物粉末の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ２価または３価の金属（Ｍ）硝酸塩とセリウムの硝酸塩をＭｘＣｅ↓１↓－↓ｘＯ↓２↓―↓δ（ただし、０．０５≦ｘ≦０．３、δはカチオンとアニオン...
L200600521720060908ホーランダイト型化合物繊維とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ホーランダイト化合物の成分であるＡ、Ｍ、Ｎ（但し、Ａは、Ｋ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃａより成る１種または２種以上の金属、Ｍは、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｉｎ、...
L200600521620060908高温超伝導ジョセフソントンネル接合 国立研究開発法人物質・材料研究機構 高温超伝導体の２本の単結晶を基板上に、交差角度０度－９０度の範囲で交差させて結合し、その結合部に単一の高温超伝導ジョセフソントンネル接合が形...
L200600521520060908ジルコニア系超塑性セラミックス 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ジルコニア母相中に、一般式ＭｇＡｌ↓２Ｏ↓４、ＭｎＡｌ↓２Ｏ↓４またはＴｉＭｎ↓２Ｏ↓４で表される１種または２種以上のスピネル相が均一に分散...
L200600521420060908ＭｇＢ２超伝導線材とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ＭｇＢ↓２超伝導粉末がステンレス製の金属管内に充填され、圧延加工されて作製されたＭｇＢ↓２超伝導線材は、ＭｇＢ↓２超伝導粉末とともに銅、アル...
L200600521320060908ゼオライト自立膜の合成方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 珪酸ナトリウム溶液中にアルミニウム板を浸漬してアルミニウムと溶液中の元素とを水熱反応させることによりアルミニウム板表面において合成されたゼオ...
L200600521220060908酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の...
L200600521020060908リソグラフィ用基板材料 国立研究開発法人物質・材料研究機構 リソグラフィ用基板材料は、５００ｎｍ以上２０μｍ以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの...
L200600520720060908セラミックス多孔体の製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 所定のｐＨのスラリー中で球状のポリマー粒子の表面にセラミックス微粒子をヘテロ凝集により均一に修飾し、その後、スラリーを成形、焼成し、焼成時に...
L200600520620060908ナノサイズドメイン含有高性能セリア系固体電解質 国立研究開発法人物質・材料研究機構 組成式（Ｍ↑３↑＋↓ｘＮ↑２↑＋↓１↓－↓ｘ）↓ｙＣｅ↓１↓－↓ｙＯ↓２↓－↓ｄ（式中Ｍ↑３↑＋は、Ｙ、Ｙｂ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｌａから選ばれた１...
L200600520420060908ダイヤモンド－チタンカーバイド複合焼結体とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ダイヤモンド粉末とチタンカーバイド粉末とを出発混合原料とするダイヤモンド－チタンカーバイド複合焼結体において、チタンカーバイド粉末としてＣ／...