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L201500150020151001動植物用成長促進剤 学校法人関西学院 分岐鎖ポリアミン又は長鎖ポリアミンを含有する、動植物用成長促進剤。

 
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L201500123320150810光分解性シランカップリング剤 学校法人 神奈川大学 光分解性保護基でアミノ基等を保護したシラン化合物、例えば一般式〔1〕(一般式〔1〕中、Xはアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、Yは光分解性保...
L201300251720131213応力センサの製造法 コーア株式会社 基板面に歪ゲージと、応力受け部材としてのポストが配され、そのポストへの応力付与が前記基板を撓ませて前記歪ゲージを刺激し、当該刺激による前記歪...
L201300251620131213応力センサ及びその製造法 コーア株式会社 基板面に複数の歪ゲージと、応力受け部材としてのポストが配され、そのポストへの応力付与が前記基板を撓ませて前記歪ゲージを刺激し、当該刺激による...
L201300231620131120LED駆動回路 コーア株式会社 多数のLEDを直列接続したLED直列接続回路と、前記LED直列接続回路の通電電流を制御する第1スイッチング素子と、前記LED直列接続回路と前...
L201300231520131120LED駆動回路 コーア株式会社 多数のLEDを直列接続したLED直列接続回路と、前記LED直列接続回路に直列に接続され、その通電電流を制御する第1スイッチング素子と、前記第...
L201300231420131120LED光源装置の製造方法 コーア株式会社 多数のLED素子を配置したLED光源装置において、前記LED素子に並列に接続された抵抗を備え、前記抵抗は、前記LED素子の発光スペクトルを一...
L201300231320131120発光部品 コーア株式会社 駆動用回路部材は、その一部または全部で定電流回路を構成し、上記発光素子に定電流を提供し、上記発光素子は、上記基板面の中央に配置され、上記駆動...
L201300231220131120発光部品の製造法 コーア株式会社 光を発する発光素子に定電流を供給する定電流回路を有する、表面実装用の発光部品の製造法であって、上記定電流回路は、発光用の抵抗素子と上記発光用...
L201300231120131120発光部品およびその製造法 コーア株式会社 光を発する発光素子に定電流を供給する定電流回路を有する発光部品であって、上記定電流回路は、抵抗素子とトランジスタを有し、上記抵抗素子は、上記...
L201300227820131217油脂含有排水の処理装置及び処理方法 コーア株式会社 第1曝気槽11は、工場等から排出される油脂を含む排水を最初に受け入れ、この排水に微生物を担持させた汚泥の一部を混合し、エアー(酸素)供給して...
L201300063620130419乾式研磨法による脆弱試料薄片の作製法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 脆弱試料を樹脂により包理固化し、直方体に成形切断した後、該試料の研磨される面と直行する4面、又はさらに研磨される一方の面と反対側の面を加えた...
L201200230620120808水中の低濃度の放射性セシウムのモニタリング方法及びモニタリング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 モニタリング現地において、プルシアンブルー型錯体化合物を担持させた不織布に水を一定速度で一定時間通水させ、該不織布上で濃縮された水中の放射性...
L201200158320120518無水条件におけるシラノールの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 下記の式(1)で示されるベンジルオキシ置換シランをシラノール前駆体とし、触媒として周期律表9族又は10族の金属或いは該金属の化合物を用い、無...
L201100617820111216整合性検査装置、整合性検査方法、及びプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 目的に対応するゴールノードと、目的を立証するための根拠に対応するエビデンスノードと、一のゴールノードを一以上のゴールノードに分解するストラテ...
L201100561220111111電界強磁性共鳴励起方法及びそれを用いた磁気機能素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層2と、磁気異方性制御層1とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層3及...
L201100560620111111太陽電池セルを設計する方法及び太陽電池セルの特性を求めるためのシミュレーションプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 理想太陽電池における電圧と電流との関係を表す曲線を、電圧が0のときの曲線の接線と電圧が開放電圧に等しいときの曲線の接線とからなる折れ線によっ...
L201100560520111111リチウムイオン二次電池用電極 国立研究開発法人産業技術総合研究所 表面にカーボン被覆膜が形成されたリン酸遷移金属リチウムに0.5〜30.0質量%の活性炭を含有させた正極活物質を用いるリチウムイオン二次電池用...
L201100539220111021電気的充電と酸化剤による化学的酸化の双方により再生可能なリチウムセミレドックスフロー電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 リチウム負極(1)/有機電解液を収容する負極側電解液室(2)/固体電解質分離膜(3)/イオン性活物質(M↑(n+)/M↑((n-1)+))を含む水溶性...
L201100497620110909不揮発性メモリ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 抵抗変化型不揮発性メモリ素子として、第一電極2の金属Ptに、欠損があり導電性を有する強誘電酸化物Bi↓(1-x)FeO↓33を整流性接合し、さら...
L201100497020110909熱電薄膜デバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本熱電薄膜デバイス1は、絶縁性基板2上に、複数のp型薄膜パターン4とn型薄膜パターン5が交互に配設され、隣同士の異種の薄膜パターンが接合され...
L201100496720110909高温高圧流体混合装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第1反応溶液である基質を含む溶液を供給する第1反応溶液流路と、該第1反応溶液路に対して側面方向から第2反応溶液である高温高圧流体を供給する第...
L201100496320110909CMOSインバータを用いたマルチプレクサ、デマルチプレクサ、ルックアップテーブルおよび集積回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 パスゲートM1、M2の出力に初段出力バッファとして低しきい値CMOSインバータINV1を接続したセレクター回路を基本構成とし、それを用いたマ...
L201100495920110909海洋プランクトン由来発光タンパク質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 海洋プランクトン由来の新規な発光タンパク質(ルシフェラーゼ)とその遺伝子群、並びにそれらより推測された発光タンパク質活性を有する祖先発光タン...
L201100495620110909蛍光体微粒子、該蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜及びELデバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の蛍光体微粒子は、下記一般式(1)で表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、一次粒径が大きくとも100nm以下で、凝...
L201100431820110826炭化ケイ素微粉末の製造方法及びその製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔14を有するとともに外周部に自己発熱材料13が、...
L201100431620110826漏洩磁束密度計測による高精度欠陥評価技術 国立研究開発法人産業技術総合研究所 FGセンサにより測定した漏洩磁束密度分布と欠陥上に存在する磁荷との幾何学的対応関係を示す応答関数を用いて逆解析を行って磁化の分布を復元させる...
L201100431220110826生体光計測装置、プログラム及び生体光計測方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の生体光計測装置は、光照射部と、光検出部と、演算処理部とを有し、前記演算処理部は、前記光から取得される前記被検体における血液中のオキシ...
L201100431120110826イリジウム錯体の製造方法ならびに製造されたイリジウム錯体からなる発光材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酢酸イリジウムとイリジウム−炭素結合を形成しうる芳香族複素環2座配位子とを反応させるシクロメタル化イリジウム錯体の製造方法である。イリジウム...
L201100431020110826光熱発電素子及び該光熱発電素子を用いた光熱発電方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光発熱体により熱電モジュールを被覆した光熱発電素子であって、前記光発熱体がカーボンナノチューブ(CNT)とポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の複...
L201100333320110715画像生成装置、画像生成方法、及びプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 画像生成装置は、基本画像にヒルベルト変換処理を行って、ヒルベルト変換後画像を生成し、さらに基本画像及びヒルベルト変換後画像にそれぞれ時間変調...
L201100332920110715−LIT型合成アルミノシリケート、−LIT型メタロシリケート及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、以下の技術的手段から構成される。(1)合成されたアルミノシリケートであって、SiO↓2/Al↓2O↓3モル比が4−7、K↓2O/A...
L201100332620110715ちらつき知覚閾値の測定装置、測定方法及び測定プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 2枚の画像200、220を、一定の周波数で交互に表示することにより、点滅刺激を提示するステップと、点滅刺激を提示した状態で、被験者が、ちらつ...
L201100332320110715標準フリッカー値の計算式の決定方法、標準フリッカー値の計算方法及びプログラム、並びにフリッカー値測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 標準フリッカー値の計算式の決定方法は、複数の被験者に関して測定したちらつき知覚閾値の周波数と自覚的疲労指標値との回帰直線の傾きを求めるステッ...
L201100332220110715熱電変換材料およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱電変換物質を主相とし、該熱電変換物質の焼結体を構成する微細構造の中心部から外縁部にむかって結晶粒径および密度のいずれか、もしくはその両方を...
L201100283820110617中低温高効率電気化学セル及びそれらから構成される電気化学反応システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体(電解質)、空気(酸素)と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造...
L201100283620110617ステレオカメラの配置方法とそのシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明におけるカメラ配置方法は、遮蔽物の第一の輪郭線を近似することで得られる直線と第一のカメラの投影中心の位置とを有する第一のエピポーラ面と...
L201100283520110617半導体の製造方法及び半導体装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 次の工程(1)〜(5)で半導体装置を製造する。
(1)シリコン結晶製の半導体支持基板の表面を洗浄し、酸化被膜を除去して、結晶面を露出させる工...
L201100282920110617ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 HfO↓2層をゲート絶縁膜とするゲート絶縁膜の形成方法において、界面にSiO↓2層が形成されない、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kのゲート...
L201100282720110617波長フィルタ、波長フィルタリング装置及び波長フィルタリング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (i)20nm以上80nm以下厚さの第一金属層、
(ii)50nm以上500nm以下厚さの誘電体層、及び
(iii)少なくとも50nm以上厚...
L201100282620110617金属成分回収剤及び金属成分の回収方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この金属成分回収剤は、周期表2族元素を含む化合物又はランタノイド元素を含む化合物を有効成分として含有するものである。周期表2族元素としては、...
L201100281720110617体性感覚運動統合評価訓練システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、台部に載せた訓練者の動作部位を固定具により固定する身体固定部と、例えば椅座した訓練者の関節を屈曲もしくは伸展させる方向に所定量...
L201100281520110617αFeSi2基及びβFeSi2基低摩擦合金、該低摩擦合金からなる摺動部材、及び、該低摩擦合金の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 αFeSi↓2単相、又は、αFeSi↓2相とFeSi相あるいはαFeSi↓2相とSi相の2相、又は、αFeSi↓2相とFeSi相と Si相の...
L201100281220110617チタン複合酸化物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ATi↓(1−x)Mo↓xO↓3(ただし、A:Ba、Sr;0.02<x<1)で表されるチタン複合酸化物を主成分とし、結晶構造が、立方晶系に属...
L201100280820110617ソースフォロア増幅器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アナログ回路をディジタル回路と同一のチップ上に作成することは、システムのコストを低減する利点がある。ところが、同一集積回路チップ上にディジタ...
L201100280720110617ソースフォロア増幅器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 同一集積回路チップ上にディジタル・アナログ両回路を集積する場合、素子寸法を縮小するのに伴い、電源電圧も低下させる必要があり、アナログ回路の入...
L201100280320110617ちらつき知覚閾値の測定装置、測定方法及び測定プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 測定方法は、一定の周波数で、コントラストを開始値A↓iから傾き↓(ci)で変化させて点滅刺激を提示するステップと、点滅刺激を提示した状態で、...
L201100279320110617蛍光体混合物の分離方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 磁化率の異なる複数種類の蛍光体からなる混合物を分散媒に分散させて作製した混合液140を、処理管100内に入れ、この混合液中に強磁性材料で形成...
L201100279220110617ステレオ画像処理装置及びステレオ画像処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第一の画像と第二の画像が入力されると、第一の画像の第一の画素データを相互に異なる位置に含む複数の第一のウィンドウの各々について、当該第一ウィ...
L201100278920110617超高温熱膨張試験装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電気炉の上下方向に棒状試験片の支持部材と接触法による計測系を配置し、電気炉の左右方向に非接触法による計測系を配置し、電気炉の前壁に前面発熱体...
L201100251720110520金属球成形用治具、これを用いた金属球の成形方法およびこの成形方法で得られる金属球 国立研究開発法人産業技術総合研究所 戴置された固体金属を溶融して液体金属2とし、その表面張力により金属球を成形する方法において使用される、固体金属の戴置部を備えた金属球成形用治...
L201100251320110520炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰...
L201100250520110520多孔質アルミナおよびこれを用いた触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 表面積が20〜150m↑2/g、細孔容積が0.1〜0.5cm↑3/gおよび平均細孔直径が10〜20nmであり、白金担持後、750℃で50時間...
L201100199320110408微粒子のアレイ化法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、1個のビーム源から放射されたレーザ光を、偏光成分が直交する第1のビームと第2のビームとに分割し、第1のビームと第2のビームとからそ...
L201100198920110408熱放射光源 国立研究開発法人産業技術総合研究所 等方性黒鉛、ガラス状炭素、炭素繊維複合材等の炭素材料からなる均質かつ厚さが均一な板の全表面に炭素のナノ構造体を構築することで表面の放射率を高...
L201100198420110408非水系二次電池用正極活物質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 添付図式:
(式中、R↑1、R↑2、R↑3、R↑4、R↑5、及びR↑6は、同一又は相異なって、それぞれ、水素原子、低級アルキル基又はハロゲン原子を示すか...
L201100198020110408X線吸収端法による元素別定量分析方法及び元素別定量分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭素系冷陰極電子源、チタンよりも原子番号の小さい導電性の軽元素からなり、冷陰極電子源から放出された電子が入射面に入射され、入射方向に対して前...
L201100196620110408エタロンフィルタ、エタロンフィルタを用いた周波数校正システム、周波数校正方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光及びテラヘルツ帯で透過性を有する2枚の基板にスペーサーを接合することで前記2枚の基板の間に空隙を設けた、エタロンフィルタ。
ダイヤモンド基...
L201100196420110408レーザー誘起背面式の透明基板微細加工で使用される流動性物質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 透明材料を通過したレーザービームをその裏面で集光させ、該集光点で該透明材料の裏面に接触する流動性物質がレーザービームを吸収し、該透明材料の融...
L201100196220110408カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 合成炉と、合成炉に連通するガス供給管およびガス排気管と、合成炉内を所定温度に加熱するための加熱手段とを備え、ガス供給管を介して供給される原料...
L201100196020110408分注装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先端と基端とを備え、先端を含む直線状の先端部2Aが所定間隔で配列された可撓性を有する複数の微細管2、複数の微細管の先端部2Aを所定の方向に方...
L201100195620110408粘度計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 強制振動体と、強制振動体とわずかな間隙を介して設置された感力板と、振動体をアクチュエータに結合させるための構造と、強制振動体を駆動するための...
L201100195520110408粘度計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 液体からの粘性応力を受ける構造体が二重渦巻き構造を有する粘度計であって、二重渦巻き構造の一方は固定され、二重渦巻き構造の他方は渦巻きの中心軸...
L201100195320110408回転軸保持機構及びこれを用いた回転粘度計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 回転する軸の回転中心から半径方向に距離hの接続点でヒンジにより軸に接続された可動辺と、互いに平行な複数の変形辺と、各変形辺の一端を可動辺に接...
L201100194320110408カーボンナノチューブ集合体、3次元形状カーボンナノチューブ集合体、それを用いたカーボンナノチューブ成形体、組成物及びカーボンナノチューブ分散... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 3次元形状カーボンナノチューブ集合体であり、
前記3次元形状カーボンナノチューブ集合体は、
第1面、第2面及び側面を備え、
前記第1面のカー...
L201100193720110408担持パラジウム触媒の調製方法及び該触媒を用いた有機ハロゲン化合物の分解方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 パラジウム(II)化合物を担体に担持させた後、アルカリ化合物を溶解した2−プロパノール溶液で処理して活性化させることを特徴とする調製方法であっ...
L201100193520110408表面温度の測定方法及び測定システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 放射率分布を持つ被測定面と、該被測定面の輝度分布を測定する放射計と、該被測定面に関して該放射計から鏡面反射位置に設置された補助熱源とを用意し...
L201100193120110408エアロゾル中の微粒子数密度測定方法及び測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 微粒子と気体とが混在するエアロゾルにおける微粒子の数密度の測定装置であって、パルスレーザー光源と測定光学系と検出装置を備え、前記パルスレーザ...
L201100192420110408ジルコニア焼結体の改質方法及びその改質方法により改質されたジルコニア焼結体並びに改質装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ジルコニア焼結体を熱処理してその表面を改質する方法であって、ジルコニア焼結体の表面又は表面近傍に、炭素又は加熱により炭素化する炭素前駆体を配...
L201100192220110408無電解白金めっき液、及び白金めっき製品の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アスコルビン酸と白金ハロゲン化塩を含有することを特徴とする無電解白金めっき液。
本発明に係る白金めっき製品の製造方法は、基材を用意する工程と...
L201100078120110218キャリブレーション用校正治具、校正治具を備えた3次元計測システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 3次元計測システムにおけるキャリブレーション用の校正治具であって、互いに平行な二つの平面を有する本体と、前記平面に形成されるキャリブレーショ...
L201100078020110218ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 化学式Ca↓(1−x)Ce↓xMnO↓3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として備...
L201100077820110218電荷中和装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 メッシュ構造、あるいは1個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源容器内のプラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、プ...
L201100077420110218多孔質成形型 国立研究開発法人産業技術総合研究所 主成分としてアルミナを含む多孔質成形型であって、最大長さが3μm〜10μmの範囲の板状アルミナ粒子を全体の50wt%以上含み、30%〜55%...
L201100077020110218スナバ回路及び電力変換回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 直列接続された主スイッチ素子と転流スイッチ素子からなるスイッチング手段を備えた電力変換回路に付加されるスナバ回路において、補助スイッチ素子、...
L201100076920110218光応答性液晶化合物およびその応用 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この液晶化合物は、一般式(1)で表される。式中、R↓1、R↓2、R↓3は、水素、アルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキ...
L201100076620110218低濃度ブタノール水溶液からのブタノールの分離濃縮方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 低濃度の均一相を有するブタノール水溶液から、浸透気化分離法によって、その濃度が80wt%以上の均一相のブタノール水溶液を得るブタノールの分離...
L201100076420110218カーボンナノチューブの分散体およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ(CNT)とポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の複合体をポリジメチルシロキサン(PDMS)中に均一に分散してなるカーボンナノチュ...
L201100076220110218画像処理方法、画像処理プログラム、これを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体、及び画像処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 異なる視点から撮像された対象物の2枚の画像を基準画像及び参照画像として取得するステップと、前記基準画像及び参照画像における各画素の輝度をそれ...
L201100030920110128[4−(メチルチオ)フェニルチオ]メタンビスホスホン酸又は薬学的に許容され得るその塩を有効成分とする骨形成促進剤 株式会社東北テクノアーチ この技術は、[(4−メチルチオ)フェニルチオ]メタンビスホスホン酸又は薬学的に許容され得るその塩を有効成分とする骨形成促進剤とする。「骨形成...
L201100008320110107環境耐性のある可視光応答性光触媒膜構造体および光触媒用助触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 導電性基板上に形成した可視光応答性光触媒を環境耐性、可視光透過性および正孔伝導性を有する酸化物半導体膜で完全に被覆し、さらに大気に露出した環...
L201100008120110107生体リズムの制御剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ハルミンなどのハルマラアルカロイド、又はその薬理学的に許容しうる塩を有効成分として含む、概日リズム周期改善剤が提供される。ハルマラアルカロイ...
L201100007920110107標識検定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 被検体となる標識を、これと組み合わせて用いられる標識検出器を用いて認識させ、その出力結果を得る。そこに含まれる検出原理上の軸対称性の低下に由...
L201100007820110107陽イオンの処理及び回収方法、これに用いられる材料及び処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プルシアンブルー型金属錯体を導電体上に配設した複合材料に所定の陽イオンを含有する溶液を接触させて所定の陽イオンをプルシアンブルー型金属錯体に...
L201100007520110107イオン性有機化合物及びその製造方法、並びにそれを用いた光応答性高分子電解質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一般式(1)で表されるイオン性有機化合物である。これらの化合物は、(A)両末端に4−(クロロメチル)ベンズアミド基を有し、置換基を有してもよい...
L201100007420110107周波数雑音測定装置及び測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 遅延自己ヘテロダイン法による周波数雑音測定装置であって、被測定レーザ光を入力するヘテロダイン干渉計と、該ヘテロダイン干渉計の出力光を受光して...
L201100007220110107表データのデータ処理方法、データ処理システムおよびそのコンピュータプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 表形式の行データを少なくとも一つの属性値に基づいて複数のノードに配分し、それぞれの前記ノードで配分された前記行データの集まりを管理するデータ...
L201100006920110107SOI基板 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、従来の絶縁層(I層)として炭素膜を用いたSOI基板の問題点と、HFCVD法でのダイヤモンド合成の問題点の両方を同時に解決し、レアメ...
L201100006720110107高圧・低圧配電系統電圧調節システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 無効電力を制御することにより分散型電源の連系点電圧を制御するパワーコンディショナが、それぞれの連系点電圧を低圧配電系統監視制御装置に伝達し、...
L201100006620110107ダイヤモンド電子素子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモ...
L201100006520110107ダイヤモンド電子素子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半絶縁性単結晶ダイヤモンド基板の一方の面に、p↑−ダイヤモンド層からなるドリフト層を成膜し、該ドリフト層の上にp↑+ダイヤモンド層からなるコ...
L201100006220110107極低温マイクロカロリーメータを用いた放射能測定方法、バイオマス度測定方法、中性子フルエンス測定方法、放射能絶対測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 放射線発生測定試料に、放射線吸収材でなる放射線吸収層を成層したり、放射線吸収材を混合して、測定試料より放出される放射線のエネルギーの一部また...
L201000633720101210金属錯体ナノ粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属原子M↓Aを中心金属とする金属シアノ錯体陰イオンを含有する水溶液と、亜鉛陽イオンを含有する水溶液とを混合し、前記金属原子M↓A及び亜鉛で...
L201000633620101210意思伝達支援装置及び方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 刺激提示用の表示画面1と、利用者の頭部に電極を装着したモバイル脳波計2と、脳波を解析する処理装置3と、メッセージを表示する画面又はアバター(...
L201000633220101210AFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明に係るAFI型アルミノリン酸塩の多孔性結晶自立膜は、緻密結晶層の少なくとも片面に柱状の結晶が成長したものである。
L201000633120101210電界効果トランジスタ及びその製造方法      国立研究開発法人産業技術総合研究所 チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの...
L201000632820101210導電性試料の比熱容量及び半球全放射率の測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 導電性試料に電流を流して急速通電自己加熱し、該試料を目標温度Tmを超えて任意の温度へ到達させ、目標温度T↓mにおける試料の加熱速度dT/dt...
L201000632520101210移動体の誘導制御システム及び誘導制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 床面等に設置されたマーカーと、該マーカーを検出して予め定められた走行軌道に沿って自律移動体を自律走行させる際、移動体の走行軌道に基づいて床面...
L201000632420101210臭素酸イオン除去剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一般式(1):[Fe↑2+↓1−xAl↑3+x(OH)↓2](A↑n−)x/↓n・yH↓2O(式中、Aはアニオンであり、nはアニオンの価数であ...
L201000632220101210低温酸化触媒とその製造方法およびその触媒を用いた酸化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化物担持白金触媒であって、特に助触媒成分として遷移金属を含有する酸化物担体上に白金超微粒子を分散させた後、水を添加し300℃以下で水素処理す...
L201000632020101210多孔性有機無機ハイブリッド膜を用いたガスセンサ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、測定する対象ガスと層状無機化合物粒子との吸着特性を利用してVOCガス検知を行う水晶振動子(QCM)ガスセンサであって、層状無機化...
L201000631920101210フラン類の水素化反応によるテトラヒドロフラン誘導体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 出発原料のフルフラール又はフルフリルアルコールを水素化して、その水素化物であるテトラヒドロフラン誘導体を製造する方法であって、水を溶媒に用い...
L201000631820101210電気抵抗の測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 通電自己加熱により急速昇温中のオーミックな導電性物質の電気抵抗を4端子法の原理により測定する方法であって、同一試料の昇温速度を変化させて行っ...
L201000631720101210意思伝達支援装置及び方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 表示画面などに視覚刺激を提示する装置と、該装置による刺激提示後の脳波を計測する脳波計からの脳波データを処理する処理装置とからなり、該処理装置...
L201000631620101210有機薄膜半導体装置及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ボトムコンタクト型であって、前記電極の側面のうち、少なくとも前記絶縁層に接する位置に、前記有機半導体層側から前記絶縁層側に向けて幅広となるテ...
L201000590420101112電気化学分子認識プローブ及びそれを用いた分子認識センサ並びにそれらを用いた電気化学的検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電気化学活性団と、電気化学活性団の電気化学活性を抑制する活性抑制団と、目的物質を特異的に分子認識するレセプターと、分子認識の結果立体構造を変...
L201000590120101112光信号再生装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光信号の位相を保持しつつ搬送波の周波数を可変に変換する光導波路のパラメトリック過程を利用する位相保持型波長変換器において、分散スロープS、分...
L201000589920101112カーボン材料の表面酸化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 過酸化水素水の存在下において、カーボン材料に紫外光を照射することにより、カーボン材料の表面に含酸素官能基を化学結合させるカーボン材料の表面酸...
L201000589820101112単結晶性有機半導体薄膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 親和性の高い有機溶媒に有機半導体を高濃度に溶解して得た第1のインクと、親和性の低い有機溶媒からなる第2のインクを用意する工程と、第1及び第2...
L201000589520101112構造体の製造方法、および構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基材と、基材上に設けられる導電膜と、導電膜上に設けられる酸化スズの微細構造体とを備える構造体の製造方法は、基材としてPET(ポリエチレンテレ...
L201000589420101112白色蛍光体薄膜及びその製造方法並びに発光装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ペロブスカイト型酸化物の白色蛍光体薄膜の製造方法は、CaTiO↓3に、Bi元素を0.1〜0.4原子%添加したペロブスカイト型酸化物をターゲッ...
L201000589320101112歩行ロボットのZMP制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 腰関節を追加して、膝が完全に伸展した場合であっても、腰関節をロール軸周りに回転させることによって右脚を下げ左脚を上げてZMPを右足部に移動さ...
L201000589020101112有機半導体薄膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機エレクトロニクスの大きな特長のひとつは、真空を要さない溶液プロセスにより電子デバイスを作製することが可能な点にある。このため、製品サイズ...
L201000588820101112薄膜トランジスタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、7個以上16個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造と...
L201000588620101112半導体発光ダイオード 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、順次積層させた第1導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第2導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、...
L201000588520101112無機酸化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ペロブスカイト型の無機酸化物蛍光体は、CaTiO↓3にBi元素を0.1原子%以上0.4原子%以下添加し、白色蛍光特性を有するこ...
L201000588420101112カーボンナノチューブの安価な分離方法と分離材並びに分離容器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、寒天粉末又はアガロース粉末で構成される分離材に半導体型カーボンナノチューブと金属型カーボンナノチューブを含むカーボンナノチュー...
L201000588020101112多極球面ステッピングモータおよび多極球面ACサーボモータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、多極球面ステッピングモータは、球体に内接する仮想正四面体の頂点にN極の永久磁石を、頂点を結ぶ辺に対応する円弧の中点にS極の永久...
L201000587920101112フォトクロミック物質及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式:Ba↓(↓a↓−↓b↓)Ca↓bMg↓cSi↓dO↓eM↓fで表される組成を有する物質であり、この物質を構成する各元素を含む原料とホウ酸...
L201000571920101015電子回路部品の真贋判定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、電子回路部品の真贋判定方法は、電子回路部品の製造時に所定条件で電子回路部品を動作させ、その動作時の消費電力または電磁波の波形を...
L201000571720101015半導体装置及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、半導体装置の製造方法は、半導体結晶基板上に高誘電率非晶質薄膜を低温で堆積する工程、高誘電率非晶質薄膜の結晶化開始温度よりも低い...
L201000571620101015ゲートスタック形成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ゲートスタック形成方法は、シリコン基板上にHfO↓2層及び酸素吸収効果のある酸素制御金属層を順に形成する工程と、HfO↓2層が...
L201000571520101015エレクトロニクステキスタイル用接点構造及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、長さ方向に配線を備えた繊維基材をよこ糸及びたて糸として織り込み、交差箇所で両者の物理的結合を行うとともに、よこ糸用繊維基材及び...
L201000571220101015光電変換セル及びアレイとその読み出し方法と回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、光電変換セルは、増幅機能を有する光電変換素子と、第1トランジスタと、からすくなくとも構成される。光電変換素子は第1電気信号出力...
L201000571020101015紫外線領域透過型透明導電膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、SnO↓2を主成分とする金属酸化物からなる透明導電膜は、Zr及びHfの少なくとも1つ以上の元素を、金属酸化物の金属元素に対して...
L201000570920101015声色変化反映歌声合成システム及び声色変化反映歌声合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ユーザ歌唱の音高及び音量の変化だけでなく、声色変化まで歌声合成歌唱に反映することができる声色変化反映歌声合成システムを提供する。スペクトル変...
L201000570620101015電気泳動用支持体およびそれを用いた生体成分の分離分析法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 試料中に含まれる生体成分と親和性を持つ物質を固定化した疎水性ポリマー膜上に親水性ポリマー層を有する電気泳動用支持体である。また、生体成分、及...
L201000570420101015配列解析装置、配列解析方法およびコンピュータプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 配列解析装置は、複数の塩基配列の中から、所定範囲内にある塩基配列のペアを探索する装置である。 配列入力部は、探索対象の複数の塩基配列を入力す...
L201000570120101015人間型歩行ロボット用脚とその足 国立研究開発法人産業技術総合研究所 能動軸43と第一支軸32aと第四支軸32dと第六支軸32fを4つの節とする第一平行リンク機構と、第二支軸32bと第三支軸32cと第五支軸32...
L201000569920101015炭化水素の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 このバイオマス原料から燃料に適した炭化水素の製造方法は、アルコール中でバイオマス原料を前処理した後、触媒による水素化分解をおこなうことからな...
L201000569820101015調光透明窓用部材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 近年、建物や乗り物の冷暖房に使われるエネルギーは、民生部門のエネルギー消費の3分の1近くに達しており、太陽光の光や熱の出入りをコントロールす...
L201000569720101015調光透明窓用部材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は調光透明窓用部材の基本的な構造を示す図である。調光透明窓用部材は、一対の平行な平面12A、12Bを持つ板状もしくはシート状のプラスチッ...
L201000569620101015第5族元素及び/又は第6族元素の溶解方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、これらの混合水酸化物、又は、水酸化物のいずれかを主成分として含むものの溶融物中において、第5...
L201000569420101015アルミニウムケイ酸塩複合体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、水ガラスとアルミニウム水溶液のSi/Al比を特定な値にすることにより、従来のアルミニウムケイ酸塩複合体(ハスクレイ)においては、合...
L201000543120100917光導波路素子、光集積回路、光ゲートスイッチ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 位相変調効果を有する光導波路素子は、光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を備え、光信号が反射構造で反射され導波路端面から出...
L201000542920100917光制御素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 強磁性金属層と非磁性金属層とを交互に積層して構成される金属磁性人工格子を一部又は全部に用いて形成され、その金属の光学的性質とその形状とに応じ...
L201000542820100917電磁波照射を用いた材料の接合方法及び接合装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 同一種類あるいは異種の材料を電磁波照射によって接合面近傍を加熱して接合する際に、接合面近傍に被接合材料よりも電磁波吸収特性の大きな自己発熱材...
L201000542720100917構成型プロモーター 国立研究開発法人産業技術総合研究所 放線菌より単離した誘導基質を必要としない構成型プロモーターを単離し、そのプロモーター遺伝子を含む組換えDNAベクター、ベクターにより形質転換...
L201000542420100917軽量で耐酸化性に優れる高熱伝導性硬質材料及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭化チタン粉末と硼化チタン粉末を、鉄とアルミニウムを含むFeAl合金あるいはFeAl金属間化合物を結合相として焼き固めて、軽量で、耐酸化性に...
L201000542220100917電子顕微鏡用試料作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 試料を集束イオンビームで針状試料に形成加工する際に、試料からマスクを形成加工することを特徴とする。 マスクは、針状試料に金微粒子を蒸着する際...
L201000542120100917フッ素化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この方法は、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンを触媒で異性化してヘキサフルオロ-2-ブチンとし、引き続き触媒水素還元を行うことによって、シス1,1,1,4,...
L201000542020100917固体電解質膜・空気極用電解液間に陽イオン交換膜を具備するリチウム−空気電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 最近のリチウム−空気電池では、リチウム金属/有機電解液/固体電解質/水溶性電解液/触媒保持した多孔質カーボンを組み合わせたものが多く使用され...
L201000541920100917周波数可変直角相ブリッジ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、周波数可変直角相ブリッジ回路として構成する。すなわち、誘導分圧器IVD1、誘導分圧器IVD2、誘導分圧器IVD3、抵抗値R↓(1...
L201000541820100917光で化合物を流動化・非流動化させる方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この可逆的流動化・非流動化方法は、一般式(1)又は(2)で表される化合物を可逆的に流動化・非流動化させる方法であって、この化合物に300nm...
L201000541720100917タンパク質リフォールディング条件設定キット 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高次構造が無秩序なため不活性であるタンパク質の高次構造を整えて活性型にするタンパク質のリフォールディング操作・工程を実施する際に、好適なリフ...
L201000541420100917水蒸気バリア性フィルム及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、PETの基材に、粘土膜が塗工されたフィルムあって、粘土膜が、粘土と添加物から構成され、粘土膜の粘土の全固体に対する重量比が60〜9...
L201000358620100625シューティングアトラクション 株式会社バンダイナムコゲームス 銃を使った射撃ゲームを行いながら、設定されたコース上を移動するライドアトラクションで、ライドにおけるプレイヤーの搭乗部が、プレイヤーの操作に...
L201000346320100604連続入力の成功判定方法 株式会社バンダイナムコゲームス 連続入力を構成する一つ一つの入力が正しく行われているかを判断し、判断した結果をそれぞれの入力を識別する形で表示し、全ての入力が正しく順番に行...
L201000330720100528プレイヤーの動きに応じたゲームにおける判定方法 株式会社バンダイナムコゲームス ゲームキャラクターが出題動作を指示し、その動作をプレイヤーが、正しく行っているかどうか、プレイヤーの動きの方向、大きさ、速さの情報の各要素か...
L201000319720100521俯瞰視点から見ることを前提とした立体視印刷物 株式会社バンダイナムコゲームス 第一、第二の視点の基準面に対応する画像に補正処理を施して、印刷物を作成する技術。遠山式立体視関連技術。
L201000319620100521俯瞰視点から見ることを前提とした立体映像生成方法 株式会社バンダイナムコゲームス 第一、第二の視点の基準面に対応する画像に補正処理を施して、映像を生成する技術。遠山式立体視関連技術。
L200700386720070810ファイバブラッググレーティングの消去方法、ファイバブラッググレーティングの調整方法、ファイバブラッググレーティングを備えた光部品の製造方法及... 国立大学法人宮崎大学 FBGは、光ファイバのコアの一部に屈折率の高い部分と屈折率の低い部分を長手方向に一定間隔で交互に配置して回折格子(グレーティング)を形成した...
L200700025320070126先端に高屈折率層を形成したレンズ付き光ファイバおよびそのレンズ付き光ファイバを用いた光結合モジュール 宇都宮大学 レンズ付き光ファイバは、コアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバの端面が光ファイバ軸に対して凸あるいは凹状に形成され、凸あるいは凹状...
L200600671320061013金属−グラファイト複合体及びそれを用いた放熱体 パナソニック株式会社 図1は、この形態の断面模式図である。図1において、1はグラファイトシートであって、炭素原子同士の結合面1aはシートの面にほぼ平行になっている...
L200600488220060901極低リンステンレス鋼とその製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 コールドクルーシブル型浮揚溶解装置において、この技術では、浮揚溶解したステンレス鋼溶湯と水冷るつぼとの間に溶融フラックスを介在させ、そのステ...