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L201500148320150918計測値を収集と保存する手段を備えた送信配信総合システムと待機電流に係る省エネスイッチ方法 中村 享史 平常時における待機電流に係る省エネスイッチ手段を具備する構成は,主開閉器2に係る再投入オン手段に伴う,開放された各操作スイッチS1〜S6に係...

 
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L2014000486201403059−アザノルアダマンタンN−オキシル化合物及びその製造方法、並びに9−アザノルアダマンタンN−オキシル化合物を用いた有機分子酸化触媒及びアル... 株式会社東北テクノアーチ 式(1)
(上式中、R↑1及びR↑2は水素原子又はアルキル基を示す。ただし、R↑1及びR↑2の一方が水素の場合、もう一方はアルキル基である)...
L200800347320080704自己熱交換型熱交換器を用いた反応器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、高温流体と低温流体を隔てるための隔壁型の伝熱体を有する熱交換器を用いた反応器において、熱交換器の該伝熱体が蛇腹型形状であり、両流...
L200800347220080704特異的アルカリ金属イオン吸着剤及び高純度リチウムまたは高純度セシウムの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、特定の複合酸化物を吸着剤として用いることにより、各種の陽イオンが共存する水溶液から、ナトリウムイオン、カリウムイオン及びルビジウ...
L200800346920080704タンパク質の配向制御固定化に適したタンパク質を固定化した担体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、一般式R1−R2−R3−R4−R5で表されるアミノ酸配列[式中、配列は、アミノ末端側からカルボキシ末端側に向かう配列を示し、R1...
L200800346820080704タンパク質の配向制御固定化に適したタンパク質を設計する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、一般式R1−R2−R3−R4−R5で表されるアミノ酸配列[式中、配列は、アミノ末端側からカルボキシ末端側に向かう配列を示し、R1...
L2008003467200807043次元データからの特徴抽出方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、動画像認識において今後ますますニーズの高くなるコンピュータ・ビジョン(人工視覚)に広く使える基本的かつ汎用的な特徴抽出方式であり...
L200800346620080704磁場応答固体高分子複合体およびアクチュエータ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、固体高分子イオン交換膜の少なくとも一方の表面に強磁性体材料層を備えた磁場応答固体高分子複合体であって、強磁性体材料がコバルトであ...
L200800276720080606配向カーボンナノチューブ集合体の製造方法及び製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この配向カーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上で成長中の配向カーボンナノチューブ集合体に平行光を照射し、その影の大きさをテレセントリ...
L200800276520080606カーボンナノチューブ膜構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板とカーボンナノチューブ(CNT)層とを有するCNT膜構造体の製造方法において、CNT層の形成工程が、フィルム面内の一方向に...
L200800276120080606アルキン誘導体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 このアルキン誘導体の製造方法は、末端アルキン類とアルケン類とを触媒の存在下で反応させて対応するアルキン誘導体を製造する方法において、触媒とし...
L200800276020080606電気化学リアクターバンドル、スタック及びそれらから構成される電気化学反応システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電気化学リアクターの代表的なものとして、固体酸化物燃料電池が知られる。その実用化のため、当初、平板型のものが開発されていたが、急激な運転サイ...
L200800275720080606マニピュレータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マニピュレータは、作業を行うアーム部、アーム部の回転角を制御する回転角制御部、アーム部の変位を制御する変位制御部を備える。 回転角制御部は、...
L200800275620080606変異型タンパク質のアミノ酸配列設計方法および装置。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 目的のタンパク質の立体構造原子座標データを入力する座標入力ステップと、タンパク質のアミノ酸配列の中から変異の対象とする部位を指定する変異対象...
L200800275520080606可燃ガスを生成するためのガス化反応炉 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機資源及び石炭等の炭化水素系固体燃料の熱分解の際に蒸発したアルカリ及び/又はアルカリ土類金属を積極的にチャーに吸着させるアルカリ吸収炉、ア...
L200800275420080606可燃ガスを生成する方法及びそのためのガス化反応炉 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、反応炉を示す概要図であって、この反応炉においては、バイオマス、ごみ、下水汚泥、及び石炭等の炭化水素系固体燃料を、アルカリ吸収炉に供給...
L200800275320080606光電界効果トランジスタ,及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、光電界効果トランジスタは、基本的な構造として、フォトダイオード部のカソードを構成するカソード半導体層の上に形成され、フォトダイ...
L200800275220080606微粒子の捕獲方法、配置方法及びこれに使用するプローブ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、微粒子1個の物性計測を実現するための配置技術、及び微粒子の捕獲・配置に使用するプローブに関する。微粒子の捕獲方法及び配置方法は次...
L200800275120080606高精度レーザ加工およびレーザ・電解複合加工装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高精度レーザ加工装置は、レーザ加工装置およびワーク保持具を支持するスピンドル、レーザ加工装置とスピンドルとをXYZ方向に相対移動させる移動ス...
L200800275020080606新規チタン酸化物及びその製造方法、並びにそれを活物質として用いたリチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の新規チタン酸化物H↓2Ti↓(12)O↓(25)は、その結晶構造の特徴として、一次元のトンネル構造を有する化合物である。また、上記...
L200800274920080606タンタル(V)系酸窒化物を含有する粉体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、タンタル酸化物を出発原料として用いて、これにタンタルを窒化させるための窒化成分の供給源としての窒化アルミニウム、及び窒化反応を促...
L200800274820080606架橋構造を有する高分子でシェル部分を構成したコアシェル型金属酸化物微粒子及びその用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属酸化物の一次粒子が球状に集合した二次粒子がコア部分であり、その二次粒子表面にシェル部分となる高分子の層が存在するコアシェル型金属酸化物微...
L200800274720080606高度不飽和脂肪酸の生産蓄積性を有する形質転換微生物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、脂質合成を抑制する遺伝子を破壊した微生物に、高度不飽和脂肪酸生成酵素の遺伝子あるいはさらにトリアシルグリセロール合成系酵素遺伝子...
L200800274520080606光・電気分周クロック発生装置およびそれを用いた光信号処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光ファイバ通信システムでは、動作速度の高速化に伴い電子回路による処理が困難になり、電気信号に変換しないで光信号のまま高速処理ができる技術が要...
L200800274420080606機能性セラミックス繊維 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この繊維状セラミック材料は、Fe、Mn、Co、Niの3d遷移金属、Ca、Ba、Srのアルカリ土類金属及び希土類金属を2種類以上含む結晶性のペ...
L200800274220080606酸化物ぺロブスカイト薄膜EL素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、単結晶研磨基板からなる下部電極と、下部電極上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる電子輸送層と、電子輸送層上...
L200800274120080606抗モータリン抗体のパラトープ及びエピトープ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 モータリン2を特異的に認識し、かつ細胞内在化機能を有する抗モータリン抗体のL鎖可変領域であって、CDR1が「KSSQSLLDSDGKTYLN...
L200800273920080606空気極 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、空気極は、陰イオン交換膜と空気極用触媒層とを積層した構造を有し、陰イオン交換膜がアルカリ水溶液と接触した状態で配置されるものと...
L200800273820080606水素分離用フィルム状自立金属薄膜およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、フィルム状基板表面に触媒機能を有する金属核を含む犠牲層を形成する工程A、犠牲層の表面上に触媒機能を有する金属核を構成する金属あ...
L200800273620080606半導体光触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 少なくとも光を閉じこめる二次構造を有する半導体光触媒であって、二次構造は、半導体光触媒前駆体溶液の過酸化物の存在下での加熱酸化分解により形成...
L200800273420080606計測結果の信頼性証明を行なう方法及びコンピュータプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 計測機器から国家計量標準にまで遡源する計量標準トレーサビリティー体系において、計測機器校正にかかわる計量標準器或いは仲介標準器を含む校正器物...
L200800273320080606貴金属ナノ粒子複合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 貴金属ナノ粒子を分散させた状態でマトリックスのアパタイト粒子の表面に配置して複合化させた複合体であって、生体親和性を有し、貴金属ナノ粒子の分...
L200800273220080606高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 1気圧酸素雰囲気中で、300℃から430℃の範囲内の任意の温度にシリコン基板を加熱し、シリコン基板に222nm以下の紫外線を照射した状態で、...
L200800273120080606位相安定化光学装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、位相安定化光学装置の全体の概略図である。光源1は、可干渉距離の短いフェムト秒パルスレーザーを使用する。光源からの光の一部を第一の非線...
L200800272920080606コアシェル型酸化亜鉛微粒子又はそれを含有する分散液、それらの製造方法及び用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 コアシェル型酸化亜鉛微粒子であって、そのコア部分は酸化亜鉛の一次粒子が球状に集合した二次粒子であり、その二次粒子の形状は揃っており、その二次...
L200800272820080606コアシェル型酸化コバルト微粒子又はそれを含有する分散液、それらの製造方法及び用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 コアシェル型酸化コバルト微粒子であって、そのコア部分は酸化コバルトの一次粒子が球状に集合した二次粒子であり、その二次粒子の形状は揃っており、...
L200800272520080606高強度難燃性マグネシウム合金溶加材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の高強度難燃性マグネシウム合金溶加材は、マグネシウム合金に0.5〜5.0重量%のカルシウム(Ca)を添加した難燃性マグネシウム合金を...
L200800272420080606生物時計を調節するタンパク質及びその遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 SAF−Aタンパク質とBmal1遺伝子プロモーター下流に位置する「NMLR領域」との結合状態を調節することで概日リズムを調節する概日リズム調...
L200800272220080606三層型アクチュエータにおいて各層の伸縮を測定する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電極層(第1層)−電解質層(第2層)−電極層(第3層)から構成される三層型アクチュエータの電極層間に電圧を印加したときの電極層の伸びまたは縮...
L200800272120080606音楽音響信号と歌詞の時間的対応付けを自動で行うシステム及び方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、音楽音響信号と歌詞の時間的対応付けを自動で行うシステム1をコンピュータを用いて実現する場合に、コンピュータ内に実現される機能実現部の...
L200800271920080606高エネルギー電子ビーム発生装置及びX線装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子源、入力空洞及び出力空洞からなるマイクロ波増幅管と、マイクロ波増幅管の電子ビームの一部を加速管に供給するビーム制限用スリットと、単一ある...
L200800271820080606酵素を内包した無機マイクロカプセル、その製造方法及び使用 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この酵素内包型無機マイクロカプセルは、活性型の酵素を無機マイクロカプセルに内包してなり、無機マイクロカプセルがシリカおよびケイ酸塩からなる群...
L200800271720080606規則構造を有する単斜晶系リチウムマンガン系複合酸化物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来、リチウムイオン二次電池用の材料としては、リチウムコバルト酸化物が用いられていた。しかしリチウムコバルト酸化物は、希少金属であるコバルト...
L200800271420080606電子署名システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子署名システムは、鍵生成装置、電子著署名装置、電子署名検証装置から構成される。 鍵生成装置は、セキュリティパラメータに基づいて署名鍵、公開...
L200800271320080606近赤外分光脳機能計測用プローブホルダー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の光生体測定用プローブホルダーは、被験体表面に沿って取り付ける光生体測定用の照射プローブと受光プローブを保持するための2個以上のソケッ...
L200800271220080606マイクロ波プラズマ解析プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマ解析プログラムは、下記手順にて処理を行う。 (1)計算領域の形状情報、誘電率、電気伝導率、メッシュ情報、及び境界条件、反応...
L200800270620080606プロトイモゴライトとリン酸の複合化物からなる非晶質物質並びにそれを用いたデシカント空調用吸着剤及び結露防止剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プロトイモゴライトとリン酸の複合化物からなる非晶質物質を提供する。プロトイモゴライトは、イモゴライトの前駆体物質であり、水溶液中に分散したこ...
L200800270520080606低温廃熱を利用した吸着式ヒートポンプシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 吸着式ヒートポンプシステムは、吸着物質と、吸着物質を吸脱着する吸着剤を備えた吸着器と、蒸発器と、凝縮器とを備える。 吸着剤の吸着過程及び脱着...
L200800270320080606電力変換装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来のマルチレベル電力変換器では、スイッチング周波数を増加させてフィルタの小型化を図るため、半導体のスイッチング時に発生するスイッチング損失...
L200800270220080606燃料電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 固体高分子形燃料電池としては、メタノール、エタノール等の液体では安全性に難点があり、安全性の高いアンモニアボラン化合物等では充分な起電力が得...
L200800270120080606有機ナノチューブ製造方法および製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、有機ナノチューブの製造方法は、有機ナノチューブ原料および有機溶媒からなる有機ナノチューブ原料分散溶液を加圧してオリフィスを通過...
L200800270020080606高活性耐熱性キチナーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超好熱菌ピロコッカス・フリオサス由来のキチナーゼ遺伝子を改変し、高活性耐熱性キチナーゼをコードする遺伝子、このポリペプチドを含むキチナーゼ、...
L200800269920080606水素ガス中疲労試験方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 水素を含有しない試験片又は水素を含有する試験片の水素ガス雰囲気中における疲労試験方法は、試験片に形成されているき裂が進展する所定の応力振幅、...
L200800269420080606レーザーイオン化質量分析装置およびレーザーイオン化質量分析方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1はレーザーイオン化質量分析装置の概略構成を示す斜視図、図2は図1に示されたレーザーイオン化質量分析装置の平面鏡4、5間で反射するレーザー...
L200800269220080606ビスマス化合物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)(式中、R↑1は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を、R↑2、R↑3、R↑4及びR↑5はそれぞれ独立に水素原子...
L200800269120080606複合化高分子材料、これを含む光学材料および熱可塑性芳香族ポリマー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱可塑性芳香族ポリマーが、式I(図1)で表される(チオ)エーテル結合を有する繰り返し単位と、式II(図2)で表される(チオ)エーテル結合を有...
L200800269020080606高いヌクレアーゼ耐性と優れたRNA干渉効果を発現可能な二本鎖RNA 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、修飾型RNAは標的遺伝子中の標的配列に相補的な塩基配列からなるセンス鎖RNA、及びセンス鎖RNAに相補的な塩基配列を有するアン...
L200800268920080606ペルオキシレドキシン6(Prx6)に対するアプタマー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 配列番号1又は2に示す塩基配列を含むか、あるいは塩基配列において、1又は数個の塩基が欠失、置換若しくは付加された塩基配列を含み、かつペルオキ...
L200800268820080606フルオレン含有ポリエステルの効率的製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)(式中、R↑1は水素原子又はメチル基を示す。環上の水素原子の一部が反応に関与しない置換基で置換されていてもよい。)で表されるフル...
L200800268620080606飛行機械の自動離陸システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 自動離陸システムは、翼と本体である胴体とを、互いに直交する2軸を中心に回動可能な関節により結合し、2軸を中心に各々任意に回動する駆動装置を備...
L200800268520080606ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化亜鉛が析出する反応系で、パターン化されたシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカーパターンであって、基板表面上のシード層の上にZ...
L200800268420080606ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化亜鉛が析出する反応系でシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカー膜であって、基板表面上のシード層の上にZnOウィスカーが結晶成長...
L200800268220080606不揮発性光メモリ素子及びその動作方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 不揮発性光メモリ素子は、ドーピングにより、N型半導体領域、及びP型半導体領域の2領域の間に挟まれた半導体光検出領域、脇電極というN型半導体領...
L200800268120080606金属−トロポロン錯体を層間担持した有機無機複合体とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、金属−トロポロン錯体を層間担持して、その生理活性機能の徐放性を向上した有機無機複合材料を、無機層状化合物を主原料とし、この無機...
L200800268020080606擬微小重力培養における骨・軟骨ハイブリッド組織構築 国立研究開発法人産業技術総合研究所 骨・軟骨ハイブリッド組織の構築方法は、1)骨髄細胞および/または間葉系幹細胞を二次元培養により増殖させる、2)細胞を分散後、TGF−βおよび...
L200800267820080606粘土を主成分とするフレキシブル蛍光フィルム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 粘土膜を主成分とするフレキシブル蛍光フィルムは、半導体ナノ粒子が、透明で柔軟な粘土膜中に分散してなる。半導体ナノ粒子は粘土膜中に少なくとも濃...
L200800267720080606高分子樹脂成形体およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化チタンを表面に分散担持した炭素材料を含有する高分子樹脂成形体は、表面の電気抵抗が10↑4Ω/□以下である。高分子樹脂成形体の最表面から1...
L200800267320080606高温高圧用ベローズバルブ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ベローズ保持部材の流路に内部が連通するようにベローズの開口側端部を溶接して密封固定し、ベローズの閉鎖側端部に弁棒を固定し、弁棒の端部を弁本体...
L200800267220080606グリセロールからのD−グリセリン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グリセロールを基質とするD−グリセリン酸の製造方法は、D−グリセリン酸生産能を有するアセトバクター属またはグルコンアセトバクター属に属する微...
L200800267120080606無機物質粉末ペーストの製造方法、及び無機物質粉末ペースト 国立研究開発法人産業技術総合研究所 無機物質からなる無機物質粉末の粒子表面の一部を、表面改質剤によって被覆して、表面改質無機物質粉末を得る。得た無機物質粉末と、バインダーと、溶...
L200800267020080606グリセロールからのD−グリセリン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グリセロールを基質とするD−グリセリン酸の製造方法は、D−グリセリン酸生産能を有する酢酸菌を、アルカリ性のグリセロール含有培地中で培養する。...
L200800266920080606酵素活性の高感度測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酵素と基質を反応させることにより生じる酵素反応生成物を検出することにより酵素の活性を測定する方法は、疎水処理された表面を有する光導波路を用い...
L200800266820080606分岐構造を導入したポリアミド4共重合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 開始剤由来の2分岐以上の分岐構造を有する2−ピロリドンとε−カプロラクタムの共重合体である。2−ピロリドンの重合の際に、塩基性重合触媒および...
L2008002667200806064−トリフルオロメチルインドール−3−酢酸及びその誘導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式で表される4−トリフルオロメチルインドール−3−酢酸、又はその誘導体である。式中、Rは、水素、アルキル基、アルケニル基、又は金属塩を示す。...
L200800266620080606芳香族置換脂肪族環式ケトン化合物の合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 芳香族置換脂肪族環式化合物から芳香族置換脂肪族環式ケトン化合物を製造するに当たり、分子状酸素並びに遷移金属を担持したメソポーラスモレキュラー...
L200800266220080606環状ケトンの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この製造方法は、芳香環置換アルカン酸を、触媒の存在下、マイクロ波を照射して反応させる。芳香環置換アルカン酸は、式I:環A(H)(CH↓2)↓...
L200800266120080606高湿度領域において優れた吸着特性を有する非晶質アルミニウムケイ酸塩及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、Si/Al比が1.0〜3.0で、かつ↑(29)Si固体NMRスペクトルにおいて−93ppm付近にピークを有する非晶質アルミニウ...
L200800266020080606中湿度領域において優れた水蒸気吸放湿特性を有する非晶質アルミニウムケイ酸塩 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、非晶質アルミニウムケイ酸塩は、Si/Al比が0.7〜1で、かつ↑(29)Si固体NMRスペクトルにおいて−78ppmおよび−8...
L200800265920080606X線治療用増感剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プロトポルフィリン、プロトポルフィリンナトリウム、ヘマトポルフィリン及び5−アミノレヴリン酸から選択された化合物を有効成分として含有するX線...
L200800265720080606圧電センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧電センサ10は、基板1上に下部電極2、圧電体薄膜3および上部電極4を設ける構造において、圧電体薄膜3と上部電極4との間に空隙層6を...
L200800265620080606気体処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 少なくとも表面に処理剤を備えた複数の部材間に気体流通路を形成した処理部材と、処理部材を処理気体流と向流方向に、且つ冷却装置で冷却しながら処理...
L200800265520080606酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜は、アルミニウム元素をペロブスカイトに置換した多結晶ターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃...
L200800265420080606液封式ポンプ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 略円筒形のケーシングと、その内部に偏心して取り付けられた複数の羽根を有する羽根車と、羽根車側方に設けた、外部から気体を吸引する吸気ポート及び...
L200800265320080606液封式ポンプ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 略円筒形のケーシング20と、その内部に偏心して取り付けられた複数の羽根21aを有する羽根車21と、羽根車側方に設けられた、外部から気体を吸引...
L200800265220080606難燃性ポリプロピレン樹脂組成物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、(A)ポリプロピレン、(B)ポリフェニレンエーテル系樹脂、(C)スチレン系熱可塑性エラストマー、及び(D)金属水酸化物を含み、(...
L200800265120080606ポリプロピレン樹脂組成物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、(A)ポリプロピレン、(B)ポリフェニレンスルフィド、(C)エポキシ基含有エチレン共重合体、及び(D)金属水酸化物を含み、(A)...
L200800265020080606金属配位化合物ならびにこれを用いた発光材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)(式I中、Mはイリジウムまたは白金を表す。Nは窒素原子を表す。R↑1〜R↑1↑1は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。また...
L200800264920080606SRAMセル回路およびその駆動方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、SRAMセル回路は、入力ノードに印加された論理信号の反転信号を出力ノードに出力する第一のインバータと、入力ノードに印加された論...
L200800264820080606質量流量計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、内部に流体が流通する弾性管と、弾性管を収納し、且つ弾性管の収納状態で所定形状を維持可能とする硬質曲がり管プローブと、硬質曲がり...
L200800264720080606タンパク質機能識別装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、機能既知の複数のレセプタの立体構造と複数のリガンドの立体構造から教師データを求める。教師データは、各々のレセプタについて、各レ...
L200800264520080606多孔質炭素材料の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この多孔質炭素材料の製造方法は、金属原子、金属イオン又は金属クラスターが架橋性配位子によって連結された多孔質構造の金属配位高分子化合物を鋳型...
L200800264420080606磁気光学材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶2と、コバルト超微粒子1とを均一に混合して原料粉末3とさせる。これを、AD法により、キャリアガス中に浮遊させて...
L200800264320080606誘電体構造体、誘電体構造体の製造方法、圧着転写方法、及び保持構造 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来、誘電体膜の製造方法では、耐熱性基板上に配向性薄膜を形成する方法が殆どであり、非耐熱性基板上への転写法によるものでは、基板からの剥離が難...
L200800264220080606イオン性有機化合物及びその製法、並びに該イオン性有機化合物からなるハイドロゲル化剤及びハイドロゲル 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、(A)1,y−ビス[4−(クロロメチル)ベンズアミド]ベンゼン(yは2、3又は4である)あるいは1,z−ビス{N’−[4−(クロ...
L200800263720080606特徴抽出装置および特徴抽出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 特徴抽出装置は、3次元画像(輝度)データの場合には等輝度曲面の曲率に基づく新規な特徴データを抽出する。 まず、3次元画像の各画素において勾配...
L200800263420080606マンノシルエリスリトールリピッド誘導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この新しいマンノシルエリスリトールリピッド誘導体は、微生物生産糖脂質の一種であるマンノシルエリスリトールリピッドの、分子構造中のエリスリトー...
L200800263320080606遺伝子発現モジュール探索装置、遺伝子発現モジュール探索方法及び遺伝子発現モジュール探索プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 遺伝子発現モジュール探索装置は、遺伝子セットの発現値を有する発現プロファイルのデータベースから、遺伝子サブセットと発現プロファイルサブセット...
L200800263220080606構造部材およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 構造部材の製造方法は、まず基材の表面にその断面形状が略三角形の溝を連続して多数個形成する。その上に材質の異なる一定厚さの膜を交互に積層して多...
L200800263020080606カーボンナノチューブの簡便な分離法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、カーボンナノチューブ(CNT)含有ゲルを用いて物理的分離手段により処理することによって、半導体型CNTをゲル中に、金属型CNT...
L200800262920080606芳香族化合物の芳香環の位置選択的重水素化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 反応基質として芳香族ボロン酸を用い、重水中で、アルカリ存在下、後周期遷移金属を活性炭素に担持させた触媒を用いて加熱することにより、芳香族ボロ...
L200800262720080606リンパ管可視化トランスジェニックメダカ及び該メダカを用いたリンパ管新生阻害薬のスクリーニング法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 メダカ由来のVascular endothelial growth factor receptor 3(VEGFR−3)遺伝子のプロモーター...
L200800262620080606光導波路と光ファイバーのカップリング方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、高分子ゲル2を光ファイバー3とスラブ状光導波路1の表面の間に置き、高分子ゲル2の粘弾性を利用して、ファイバー3の端面とスラブ状光導波...
L200800262120080606パターン描画方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、インクジェット方式により、金属微粒子を含むインク、又は金属アルコキシド溶液を原料溶液として、液滴化し、液滴を基板上に着弾させて...
L200800262020080606そうか病防御用微生物製剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Eupenicillium属、Kionochaeta属、Chaetomium属、Pseudogymnoascus属、Fusarium属、Le...
L200800261920080606高次局所自己相関特徴を演算するためのデータ処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、データ処理装置の構成を示す図である。図1において、データ処理装置100は、画像データ10を入力し、HLACの特徴ベクトルを抽出する処...
L200800261820080606太陽電池モジュールの温度制御システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、太陽電池モジュールの温度制御システムの概要を示す図である。太陽電池モジュール1の温度制御システムは、変速ファン5の回転速度および/ま...
L200800261720080606生体関連物質センシングのための基板及びこれを用いたタンパク、金属イオン等の回収方法もしくは検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基板上に、アデニン、ウラシル、シトシン、グアニンから選ばれる核酸塩基モノマーの1種あるいは複数種を基板に固定化できるように修飾した核酸塩基モ...
L200800261620080606フルオレン含有ポリウレタン及びその効率的製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、環上の水素原子の一部が反応に関与しない置換基で置換されていてもよい。)で表されるフルオレ...
L200800261520080606光計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 近赤外光を生体の所定の部位に照射し、所定の部位の近傍において出射してくる光を検出し、生体に関する情報を獲得する光計測装置であって、近赤外光の...
L200800261420080606情報提示装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、情報提示デバイスとしての小型のビデオシースルーHMD(ヘッドマウントディスプレイ)と、小型カメラを単眼のみに配置した状態で示す斜視図...
L200800261320080606ポリカーボネート積層体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この積層体は、ポリカーボネート樹脂材と、ポリカーボネート樹脂材の表面上に堆積された膜厚50nm〜10μmで、表面粗さRaが20nm以下の炭素...
L200800261220080606液晶化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(図1)(式中、R↓1は炭素数1〜18の直鎖アルキル基を、R↓2は水素又は炭素数1〜3の直鎖アルキル基、R↓3は炭素数2〜18のアルキル基...
L200800260820080606n型熱電特性を有する酸化物複合体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 このn型熱電変換材料は次の酸化物複合体からなる。組成式(1):Ca↓vM↑1↓wMn↓xM↑2↓yO↓zで表されるペロブスカイト型カルシウムマンガ...
L200800140420080314欠陥を検出する方法及びそのための装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、超音波を印加していない状態と、超音波を印加した状態とにおいて被検査体内に浸透し得る波長のレーザーをポラライザーにより偏光を与え...
L200800140220080314アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、A↓xCoO↓2粉末をその融点以上の温度に加熱して溶融し、その後冷却することにより、単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくと...
L200800140120080314直接駆動モータを用いた回転粘度計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、直接駆動モータを用いた回転粘度計は、回転粘度計の回転軸の軸線と駆動用モータの駆動軸線を一致させ、回転軸を直接駆動する駆動用モー...
L200800140020080314自己組織化ポリマー膜、およびその可逆的制御方法、ポリマー固材、置換ポリアセチレン膜、置換ポリアセチレン配向膜及びその製造方法、並びに光学活性... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ポリマー分子鎖がらせん構造を有するポリマー膜に、溶媒との接触、熱、圧力、延伸、光、磁場、及び電場からなる群から選択される刺激の...
L200800139720080314人間関係データの作成方法、人間関係データの作成プログラム及び人間関係データの作成プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、人間関係データの作成方法は、処理部が、公開データ中のユーザ名と他のユーザ名との共起の強さを抽出するステップを有すると共に、抽出...
L200800139620080314酸化物半導体電極材料の除去方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、酸化物半導体電極材料の除去方法は、導電性ガラス基板の一主面の少なくとも一部に色素を吸着した酸化物半導体電極材料が形成されてなる...
L200800139520080314人工衛星に搭載した水晶発振器の時刻同期方法及びシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、地上局の時刻標準と人工衛星に搭載した水晶発振器の時刻を同期させる時刻同期方法は、地上局からは、人工衛星に到着したときに正確にそ...
L200800139320080314混成型多孔質管体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、多孔質合金溶射膜を内側としてこれと多孔質セラミック溶射膜とを積層して混成型多孔質管体を構成する。多孔質合金溶射膜は、Feよりも...
L200800139020080314多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法は、シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程を含むと共に、被膜を...
L200800138720080314アディポネクチン産生促進剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、式1から式4等によって表される化合物又はその誘導体の少なくとも1つを有効成分として含むことを特徴とする、アディポネクチン産生促...
L200800138620080314計量機器の遠隔校正システム、および方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、遠隔地にある計量機器を校正するシステムは、高精度の標準を有する標準機関側においては、計測の基準となる物理標準量もしくは化学標準...
L200800138420080314系統情報監視システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、系統情報監視システムは、複数の可制御負荷と、各可制御負荷kからある時点の消費電力P↓(nk)と将来の消費電力平均値P↓(ak)...
L200800138120080314熱物性値測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、測定対象励起用パルス光を測定対象物に照射する一方、プローブパルス光を測定対象物に照射して、励起パルス光による測定対象物の熱拡散...
L200800094520080222液晶配向表面とこの表面を具備した液晶表示セル 国立研究開発法人産業技術総合研究所 微細凹凸構造を有する液晶配向表面は、座屈表面であり、周期的な凹凸構造を有する。構造は50nm以上500μm以下の周期を有する。液晶表示セルは液晶配向...
L200800094320080222音声認識システム及び音声認識システム用プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は音声認識システムの構成を示すブロック図である。図2は図1の形態をコンピュータを用いて実現する場合に用いるソフトウェアのアルゴリズムを示...
L200800094220080222音声データ検索用WEBサイトシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、コンピュータを用いて実現する場合に必要となる機能実現手段をブロック図で示した図である。図2は、図1の形態を、実際に実現する場合に使用...
L200800094020080222X線発生装置及びX線発生方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 磁場の向きを高速で切り替えることが出来る偏向磁石を用いて、電子軌道に上下又は左右の偏向を与えることで軌道変形を行う。 この偏向を与えることで...
L200800093920080222ベンゾオキサチイン化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一般式(B)で表されるチオサリチル酸化合物と一般式(C)で表されるアリルアルコール化合物を反応させて一般式(A)で示されるベンゾオキサチイン...
L200800093820080222モールド除去方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、モールド除去方法は、計測用レーザ光の出射位置にモールド部材で覆われたICチップを設置する工程を備えると共に、モールド部材に計測...
L200800093620080222リグノセルロース系バイオマスからエタノール原料およびエタノールを製造する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 リグノセルロースを含有する原料を粗粉砕し、生成された粗粉砕物を水熱処理し、生成された水熱処理物を微粉砕し、生成された微粉砕物を脱水することに...
L200800093520080222ダイヤモンド微小電極およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 導電性ダイヤモンドP1上にハードマスク材P2を成膜し、その上にフォトレジストP3を塗布し、フォトリソグラフィーによるフォトレジストのパターニ...
L200800093420080222表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料P1の試料表面にナノダイヤモンド微粒子P2を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ド...
L200800093320080222シュウ酸類の電気化学的酸化反応用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[R↓1〜R↓1↓6は水素、アルキル、アルコキシル、ハロゲン又はスルホン酸基を示すか、或いは、R↓2とR↓3、R↓6とR↓7、R↓1...
L200800093220080222質量分析計を用いた膜性能のリアルタイムモニタリング方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 被験対象の分離膜の透過特性及び/又は分離性能を測定及び/又はモニタリングする方法であって、試験流体を分離膜に供給し、標準ガスを被験対象の分離...
L200800093120080222二次イオン質量分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二次イオン質量分析方法において、分析試料を真空雰囲気中に導入する前に、分析試料表面をイオン液体により被覆する、二次イオン質量分析であり、また...
L200800093020080222基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド微粒子の基板P1への種付け処理方法であって、ナノダイヤモンド微粒子P8を用いることにより、基板表面を酸素終端処理した基板表面のみ...
L200800092920080222神経回路再生機能の解析装置、解析方法およびスクリーニング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 パルスレーザー光を出力する光源1と、出力レーザー光を走査させる走査部2と、走査部2からの出力レーザー光を集光させる集光部3と、複数の電極を有...
L200800092720080222楽曲検索システム及び方法並びにそのプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 複数の楽曲について、それぞれの楽曲の歌声の声質特徴量と各楽曲の識別情報とを蓄積する声質特徴量蓄積手段2と、複数の識別情報と対応させて複数の楽...
L200800092620080222電気化学発光を利用した免疫測定法及び該免疫測定法に使用される電気化学発光量測定用キット 国立研究開発法人産業技術総合研究所 試料中の測定対象分子に対する抗体と、基質との反応によりチオール基を有する第4級アンモニウム化合物を生成する標識酵素とが結合した酵素標識抗体を...
L200600697420061117コンピュータ入力装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 コンピュータ或いはコンピュータ搭載機器に対するコンピュータ入力装置であって、物理的に変形可能な個々の検知要素の根本側を複数束ねて構成し、検知...
L200600580120060915ガスセンサ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリアニリンのベンゼン環に官能基を有するポリアニリン誘導体を主成分とする有機高分子を、酸化モリブデンを主成分とする層状構造を持つ無機化合物の...
L200600580020060915超音波探傷方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、表面き裂の開口縁の第1のカ所から固体表面に沿って検出点まで直接伝搬する表面波超音波である直接波を発生させて、これを検出点で検出...
L200600579820060915光導波モードセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 透明な誘電体材料(例えば、ガラス)又は透明な伝導体材料(例えば、ITO)の基板とその上に被覆した反射膜と、さらにその反射膜の上に誘電体材料又...
L200600579420060915脂肪族ポリエステルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の脂肪族ポリエステルの製造方法は、脂肪族ジオール類と脂肪族ジカルボン酸類とを触媒の存在下、マイクロ波加熱して脂肪族ポリエステルを製造す...
L200600579220060915集積回路設定システム及びその設定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、再構成可能集積回路、再構成可能集積回路上に実現する同一の機能を有するがその性能が異なる確率変数に従う複数の異なる回路設定を保持...
L200600579120060915透明電極の形成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、スパッタリング、パルスレーザ堆積法、MOCVD法、反応性プラズマ堆積法などの方法を用いて、デバイスが形成された半導体基板、セラ...
L200600579020060915光波面測定方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、光源から放出された光がファブリ・ペロ干渉計の最低次の固有空間モードと共振している状態で、4分の1波長板を回し、ファブリ・ペロ共...
L200600578920060915カルシウムチャネルを遮断するグラモストラ・スパチュラタ由来のポリペプチドおよびその遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、南米産クモであるグラモストラ・スパチュラタの毒液中に新規なT型電位依存性カルシウムチャネルを遮断するポリペプチドを見出し、さら...
L200600578820060915圧電センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の圧電センサは、内燃機関シリンダ内から発生する圧力を検知することによって、シリンダ内の異常を検出するもので、信号伝達部および圧電素子...
L200600578720060915ターゲット保持装置およびターゲット保持方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、レーザアブレーション用の標的試料となるターゲットと、ターゲットを固定する固定手段と、固定手段に接続され、ターゲットを該固定手段...
L200600578620060915誘電体構造及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、耐熱性基板上に形成された絶縁膜上に、第2の電極用金属及び誘電体膜の順に形成する工程と、パターニングによって絶縁膜上に第2の電極及...
L200600578120060915異常領域検出装置および異常領域検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、異常領域検出装置は、画像データから画素毎に高次局所自己相関によって特徴データを抽出する特徴データ抽出手段を備えると共に、所定の...
L200600578020060915異常動作検出装置および異常動作検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、異常動作検出装置は、複数の画像フレームデータからなる動画像データからフレーム間差分データを生成する差分データ生成手段を備えると...
L200600577920060915重錘形圧力天びん自動比較校正装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 圧力発生器は、標準用重錘形圧力天びん及び被校正用重錘形圧力天びんのピストンの浮上位置を調整するとともに、ピストン浮上位置測定器で測定して得ら...
L200600577820060915強誘電体膜構造体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板上に強誘電体の前駆体のゲル膜を設け、このゲル膜の乾燥後、マイクロ波により加熱処理することで強誘電体膜構造体を製造する。ゲル...
L200600577520060915エネルギー需給調整システムおよび運転スケジューリング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、エネルギー需給調整システムは、第1には、利用者がタスクの終了を希望する最も遅い時刻である終了希望最遅時刻の入力を受け付け、入力...
L200600577320060915エネルギー需給調整システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、エネルギー需給調整システムは、第1には、各時間帯に設定しているエネルギー利用価格および利用者が享受できる追加サービスのいずれか...
L200600577220060915エネルギー需給調整システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、エネルギー需給調整システムは、第1には、利用者が希望する温度希望範囲の入力を受け付け、入力した温度希望範囲を送出する利用者装置...
L200600577020060915変異型ルシフェラーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シプリディナ・ノクティルカ由来のルシフェラーゼにおいて、特定のアミノ酸残基を置換して、野生型ルシフェラーゼとは異なる発光スペクトルのルシフェ...
L200600576920060915ケージドペプチドの合成法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、式(I)(式中、R↑1はアミノ基の保護基を示す。AはGly,Pro以外のペプチドを構成するαアミノ酸の側鎖を示す。Bはαアミノ...
L200600576720060915チューブ状アルミニウムケイ酸塩なるゲル状物質及びその調製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 その水溶液又は懸濁液が、弱アルカリ領域において10000Pa・s以上の粘性を有するゲル状物質であるチューブ状アルミニウムケイ酸塩である。また...
L200600576620060915新規なフッ素化合物およびこのものを含有してなる難燃化剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)、式II(図2)、式III(図3)、式IV(図4)で示される含フッ素化合物である。式I、式II、式III、式IV中のR↑1f及び...
L200600576520060915新規なオニウム塩 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式I(図1)(式I中の[C]↑+はオニウムカチオンであり、R↓f↑1とR↓f↑2はそれぞれ同一又は互いに異なる炭素数1〜5のペルフルオロアル...
L200600576120060915炭素終端構造のダイヤモンド電子源及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、電極とダイヤモンド膜により構成された構造を持ち、電極に電圧が印加されたとき、ダイヤモンド膜から電子や電子線を放出する電子源におい...
L200600575820060915水溶性マンノシルエリスリトールリピッド及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(図1)(式中、R↑1は、炭素数6〜20の脂肪族アシル基であり、R↑2は水素又はアセチル基を表す。)で表される水溶性マンノシルエリスリトー...
L200600575720060915機能性フィルムの製法及び製品 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は機能性薄膜又は機能性微粒子を非耐熱性フィルムに形成する方法を示す。この方法では、工程(a)において、耐熱性基板1の上に、耐熱性水溶性物...
L200600575620060915糖ヌクレオチド合成酵素変異体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 配列番号2〜7のいずれかに示されるアミノ酸配列を有する、糖ヌクレオチド合成活性を有する蛋白質である。また、この蛋白質をコードするDNAである...
L200600575520060915変異BDNF遺伝子導入ノックインマウス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 非ヒトノックイン動物、該動物を製造するためのベクター、並びに薬物のスクリーニング方法において、proBDNF(Brain−derived n...
L200600575420060915廃液の処理方法及び該処理方法に用いる薬剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 種々の汚濁成分を含む廃液中にゲル状物質を生成する水溶性物質を添加し、ゲル状物質を存在させた状態で廃液を濃縮乾固させて処理する廃液の処理方法に...
L200600575320060915カメラ位置検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、カメラ位置検出方法を実施するためのシステムの構成を説明する図である。図1において、11はカメラ位置の検出対象となる第1のカメラ、12...
L200600575220060915粒状半導体の製造方法及び製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 底部にノズルを有する溶融ルツボを含み半導体材料を溶解する溶解炉と、溶融ルツボ底部から吐出した溶融半導体を落下させる落下管と、落下管を落下する...
L200600575020060915電力変換装置の統合設計方法及びシステム並びに統合設計プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、電力変換器設計において使用する、電力変換装置の設計フローチャートである。図1の電力変換装置の設計フローチャートにおける構造設計と電磁...
L200600574920060915電力変換装置の設計方法及びシステム、並びに設計プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、半導体素子損失設計法を示すフローチャートである。非線形性を有する半導体素子パラメータに蓄積される電荷によるエネルギーを理論式として表...
L200600574720060915高性能サーモクロミック素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化バナジウム(VO↓2)膜とその少なくとも一方の面に隣接する非晶質シリコン酸化物(a−SiO↓x、0≦x<2)膜と基板からなる多層構造を...
L200600574620060915バルク結晶の成長方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 不純物が添加されたバルク結晶を、昇華法によって作製する場合、成長速度の遷移領域での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバ...
L200600574520060915含硫アミノ酸残基が酸化された酸化型ポリペプチドの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 システインおよびメチオニンからなる群から選ばれる含硫アミノ酸を含むポリペプチドを酸化して、システインスルホン酸もしくはその塩およびメチオニン...
L200600464720060818遺伝子発現プロファイルを用いた漢方薬の評価法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1はエストロゲン様活性を評価するために用いられる遺伝子一覧を示す図である。DNAチップ(遺伝子名は図1に示される)を用いた漢方生薬である甘...
L200600464520060818金属酸化物微粒子粉末の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の金属酸化物微粒子粉末の製造方法は、所定の金属イオンを含むゲル状の沈殿物と超親水性カーボン又はカーボン様微粒子粉末が混合した混合物の...
L200600464320060818出力の温度依存性の無い抵抗型酸素センサ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温度補償材及びガス検出材を用い、温度補償材とその電極との界面での抵抗を温度補償材の抵抗と比べて小さくし、それにより、酸素センサの出力の温度に...
L200600464220060818レーザ加工用シリカガラス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、35度にて12mol/lのふっ酸水溶液にシリカゲルを飽和するまで溶解させる。できた飽和溶液50mlに対してホウ酸水溶液(32g...
L200600464020060818炭素膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭素膜の製造方法は、金属基材側ほど金属成分濃度が高く炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して金属基材上に設け...
L200600463820060818同軸型ビア接続構造およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子機器の高速化および高周波化に伴い、機器内の配線について、その信号伝送特性の向上が求められている。特に伝送線路機構の中でも同軸線路は、最も...
L200600463620060818非線形光デバイスとそれを用いた応用機器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は基本となる概念図である。L1とL2は、それぞれPBSからISBTまでの光路長を示し、L1=L2となるように構成する。図中の直線矢印は、...
L200600463320060818基板間の接続方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 静電容量Cを大きくするには金属線1と金属線2および3の間の静電容量を大きくする必要がある。そのためには金属線1と金属線2および、金属線1と金...
L200600463220060818デッドレコニング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1にはデッドレコニング装置の全体図が示されている。101の自蔵センサ群は、単体で独立して動作することができる外界センシング手段であり、加速...
L200600463120060818情報入出力システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、情報入出力システムのシステム構成を説明する図である。入出力操作部を中心とした概略のシステム構成を示している。図1において、1はユーザ...
L200600463020060818ネオジムガレート単結晶上に配向した希土類123型超電導膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1のように、ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリ...
L200600462920060818イットリウムアルミネート単結晶上に配向した希土類123型超電導膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に示すように、イットリウムアルミネート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向...
L200600462820060818殺菌方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光源1から出力されるレーザー光を光ファイバー2の一端に入力し、光ファイバー2を伝送した後のレーザー光Lを、空調機ダクトなどの殺菌対象物Tに照...
L200600462320060818メタン採取方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 メタンハイドレート堆積物中に水を圧入してメタンハイドレートを分解するメタン採取法において、水に代えて水溶性消泡剤の圧入を行うメタン採取方法で...
L200600462220060818板ガラスのロール成形製造方法及び装置並びにその製品 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この板ガラスの製造方法は、成形に供するガラスが粘度10↑3ポイズ以上10↑6ポイズ以下の粘度にあるガラス転移温度以上にあって、このガラスの少...
L200600462020060818新規DNA複製因子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 デオキシヌクレオチド三リン酸を酵素基質として、DNAポリメラーゼによりプライマーDNAを伸長させて、鋳型DNAと相補のDNAを合成する方法で...
L200600461920060818クロック伝送装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第1の繰り返し周波数と第1の波長を有する第1の光パルス列を発生する第1のレーザー装置1と、第2の繰り返し周波数と第2の波長を有する第2の光パ...
L200600461720060818パラジウム系複合膜、その製造方法及びそれを用いた水素分離膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 多孔質基材に担持された安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合焼結体層と、その中の粒子間隙に充填されたパラジウム金属又はパラジウム合金層か...
L200600461620060818超音波気体濃度計測方法の最適化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超音波送信素子と超音波受信素子の間に、複数の異なる気体から成る混合気体を通して超音波を伝搬させ、伝搬された超音波の大きさを超音波受信素子で測...
L200600461520060818配電系統電圧調節システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第1の手段は、配電系統を、1つの負荷時タップ切替装置付変圧器と、負荷時タップ切替装置付変圧器の2次巻線側(負荷時タップ切替装置付変圧器から見...
L200600461320060818有機半導体装置の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機半導体層を形成する工程と、有機半導体層上の一部に、電子供与性分子と電子受容性分子をそれぞれ別々に有機溶媒に溶解させて得られた二種類のイン...
L200600461120060818ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来、ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長させた膜表面は、異常成長粒子やマクロバンチング、エッチピットと言った欠陥が形成されやすいことが知ら...
L200600461020060818磁性微粒子に担持された4級アンモニウム塩とその製造方法、並びにそれからなる磁性微粒子担持相間移動触媒及びそれを用いた相間移動反応 国立研究開発法人産業技術総合研究所 磁性微粒子担持4級アンモニウム塩は、磁性微粒子上に、式1で表される4級アンモニウム塩部位を有するシロキシ基が結合しているものであって、式3で...
L200600460820060818ケージドペプチド 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ケージドペプチドは、細胞接着ペプチドのRGD(Arg−Gly−Asp)部分に紫外線照射により除去可能な光感受性基が付加されたペプチドであって...
L200600460720060818視差補間処理方法および処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 視差画像を各段階に応じて単位領域の大きさを順次増減した同じ単位処理領域数で領域毎に分割し、大きさが最小単位の領域で区分された最終分割視差画像...
L200600460620060818ダイヤモンド表面処理方法及びそのダイヤモンド薄膜を用いたデバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ダイヤモンドは、バンドギャップが大きく、絶縁破壊電圧も高く、パワーデバイス用の半導体材料として非常に有望視されているが、その表面処理の方法に...
L200600460520060818界面の構造を制御した調光ミラー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 調光ミラー材料は透明な基材に、多層薄膜を形成した薄膜素子であり、水素を含むガスにより鏡状態から透明状態に変化し、また、酸素を含むガスにより透...
L200600460220060818光検出型分子センサ及び分子検出方法並びに分析溶液塗布装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術による分子センサは、基板上に、第一の反射薄膜層と、第一の透明薄膜層と、相変化型光記録層と、第二の透明薄膜層と、第二の反射薄膜層とが、こ...
L200600445320060728リグノセルロース系バイオマス処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 リグノセルロース系バイオマスから糖類を製造する方法であって、原料を加圧熱水で処理する熱水処理工程、その熱水処理物を機械的粉砕処理する機械的粉...
L200600445120060728遷移金属含有メソポーラスシリカ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)遷移金属種を、(B)ケイ酸骨格構造中に含有させて、(C)遷移金属含有シリカメソ構造体を得る。成分Aはチタン、バナジウム、クロム、鉄、コ...
L200600444020060721光バッファメモリ装置及び光信号記録方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光バッファメモリ装置の概念図を図1(a)、(b)に示す。また、光バッファメモリ装置における波長変換器の概念図を図2に示す。この光バッファメモ...
L200600443820060721音声認識装置及び方法ならびにプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、音声認識方法及びプログラムを実行する音声認識装置をコンピュータを用いて実現する場合にコンピュータ内に実現される機能実現手段を概略的に...
L200600443720060721コンテンツ検索表示装置及び方法並びにプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1はコンテンツ検索表示方法を実施するコンテンツ検索表示装置を一般的なパーソナルコンピュータ1を利用して実現する場合のハードウエア構成を示す...
L200600443620060721ダイヤモンド半導体発光素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1はこのダイヤモンド半導体発光素子の構成例を示す図である。図において、このダイヤモンド半導体発光素子20は、基板21上に形成した高品質な平...
L200600429620060714インパルス伝送方法及び受信装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、インパルス送信装置は、送信クロックに同期したインパルスを送信データによりオンオフして得られたインパルス列で搬送波を振幅変調する...
L200600429520060714ロボットハンド 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、掌、中手、基節を備え、掌と中手の接合部に手根中手関節と、中手と基節の接合部に中手指節関節を供えたロボットハンドにおいて、手根中...
L200600429420060714多焦点撮像装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、1つの対物レンズにより導かれた被撮像体Bからの光をビームスプリッタにより複数の光路の光に分光し、ビームスプリッタにより分光され...
L200600428920060714侵襲性器具の生体内位置同定システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術にかかる侵襲性器具の生体内位置同定システムは、侵襲性器具を侵襲させる生体の核磁気共鳴画像を取得しておき、生体に侵襲性器具を侵襲させる際...
L200600428820060714リチウム二次電池電極用酸化物の単結晶粒子及びその製造方法、ならびにそれを用いたリチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、スピネル型リチウムマンガン酸化物のアルミニウム置換体の単結晶粒子の製造方法について明らかにし、その多結晶粒子を正極材料として含...
L200600428720060714ロボットの駆動機構及びロボットハンド 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第一リンクと第二リンクの接合部にある第一関節と、第二リンクと第三リンクの接合部にある第二関節の2つの関節を、1つのアクチュエータとリンクアー...
L200600428620060714データ伝送方法およびデータ送信装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 直並列変換/エンコーダ11が基点シンボル速度のN分の1となる送信シンボル速度で送信シンボルデータを入力し、プリコーダ/相関器13が基点シンボ...
L200600428320060714粒状シリコンの製造方法及び製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコン原料を溶融ルツボにおいて加熱して溶融し、所定の圧力を溶融ルツボ内のシリコン融液上面にかけながら、溶融したシリコンを溶融ルツボの底部に...
L200600428220060714質量分析用イオン化基板及び質量分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、レーザー脱離イオン化質量分析に供するための試料基板において、基板平滑表面上に物質を付着させて複数の凸状ドット構造体が分布する表面を...
L200600427920060714人間ロボット共存作業用安全装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ロボット1の侵入検知装置11、16と、作業者3、41の侵入検知装置12、17から成る侵入検知装置の組を一つ以上備え、これら侵入装置11、16...
L200600427620060714聴覚機能訓練方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 訓練用の振動信号を生成する訓練信号生成手段10と、使用者に当接させた骨導振動子を介して振動信号に基づく機械的振動を骨導音として伝達する振動伝...
L200600427420060714コアシェル型粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)好ましくはCd、Zn、Cu等の金属原子とS、Se、Te等の5B族若しくは6B族原子からなる量子ドット、好適にはCdSeからなる量子ドッ...
L200600427320060714ナノ粒子およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 前駆体を、前駆体に対する貧溶媒と良溶媒とを含む複合溶媒に溶解し、均相の前駆体溶液を調製する。前駆体溶液を噴霧し、霧状の液体粒子とする。液体粒...
L200600427020060714インプリント装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に示すようにシリコン基板33とモールド32の相対的な傾斜に対応するため、シリコン基板33を支持する支持テーブル31と、モールドを保持する...
L200600426820060714注湯トレーナーシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 鋳造は、溶けた金属を型に流し込み(注湯)、凝固させ、成型品(鋳物)を得る技術であり、作業者1によりばらつきが大きい。取鍋棒3の取鍋2付け根近...
L200600426420060714二帯域短パルス高輝度光源装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二帯域短パルス高輝度光源装置は、大電荷量の線形加速器を用いた相対論的電子ビームに大出力短パルスレーザーを衝突させるコンプトン散乱により準単色...
L200600426220060714気泡添加による超音波化学作用を利用した液処理方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 液体に超音波を照射して液体中に酸化剤を生成させる酸化剤の生成方法において、超音波照射時に液体中の溶存気体濃度低減及び/又は微細気泡(マイクロ...
L200600426120060714有機化合物及びそれを用いた半導体薄膜電極、光電変換素子、光電気化学太陽電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体薄膜電極の有機色素として有用な有機化合物に関し、一般式(1)で表される有機化合物である。(式中、Aはカルバゾール環、L↓1はチオフェン...
L200600425720060714電極用複合粉末及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電極活物質と導電材とを含有する原料混合物を、タングステンカーバイド等を含有する導電性を有する型に充填し、60MPa以上、好ましくは150MP...
L2006004256200607142価銅イオンの生成方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属銅を析出させるためのカソード、隔膜内側に導電性の多孔質素材、導電性繊維状物質又は導電性粒子から選ばれるアノードを設置したアノード室を設置...
L200600425420060714湿度センサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(PAMPS)、ポリビニルアルコール(PVA)、及び水溶性高分子を含有する架橋型樹脂組...
L200600425320060714架橋型高分子電解質膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(PAMPS)にポリマーPVAと水溶性ポリマーを加え、混合した後キャスト法などで製膜し...
L200600425120060714ステレオカメラを用いた白杖使用者検出システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ステレオカメラから得られる3次元距離情報を基に、監視場所内で検出した歩行者の周囲の、白杖が存在する可能性のある部分のカラー画像のみに対して画...
L200600425020060714ステレオカメラを用いた車椅子使用者検出システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ステレオカメラ1から得られる3次元距離情報を基に、ステレオカメラの監視範囲内で検出した物体に対して、物体の頂点から水平5方向に向かっての高さ...
L200600424820060714新規マンノシルエリスリトールリピッド及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(R↑1は炭素数6〜20脂肪族アシル;R↑2はH、アセチル;R↑3はH、炭素数6〜20脂肪族アシル)で表されるマンノシルエリスリトールリピ...
L200600424620060714目的物質の吸着方法および吸着装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 体積の算出が容易な平板状にした、(A)高分子物質、(B)無機組成物質、(C)活性炭などを用いて吸着装置を得る。成分Aは、有機シリコン系ポリマ...
L200600424520060714電極用材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 不活性雰囲気中、温度600〜1,200℃で、メラミン樹脂発泡体を炭素化して、窒素含有量2.5〜30wt%で、嵩密度を0.002〜0.006と...
L200600404120060623シリカ薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリカ骨格を形成するための原料であるケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物に、プラズマ化学気相堆積法(PECVD法)による操作をし、基板上...
L200600404020060623炭素/セラミックス複合材とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)炭素収率80%以上のピッチとノボラック型フェノール樹脂等の熱硬化型樹脂粉末を重量比率が60:40〜45:55の割合に混合し、更に、この...
L200500975120051021光学活性リン化合物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)[L−MenはL−メンチル基;R↑1、R↑2はH、(置換)炭化水素基;R↑1とR↑2は、互いに結合して環を形成してもよい;R↑3はH...
L200500974820051021ルテニウム錯体、同錯体を含む色素増感金属酸化物半導体電極、及び該半導体電極を備えた太陽電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(R↓1、R↓2、R↓3は水素原子またはCOOMであり、そのうち少なくとも一つはCOOMである。Mは水素原子または第4級アンモニウム...
L200500974720051021硫酸基含有糖化合物、それを用いるサーズウイルスまたはインフルエンザウイルスの検出 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)または式(2)[R↓1は、−OH、−NHCOCH↓3;X↓1及びX↓2は、直鎖もしくは分岐した−C↓nH↓(2n)−(nは2〜20)...
L200500974620051021シアル酸含有3糖化合物、それを用いるサーズウイルスまたはサーズスパイク蛋白質の検出 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[R↓1は、−OH、−NHCOCH↓3;R↓2及びR↓3のいずれか一方は式(2)で示されるシアル酸残基(−COOMは、−COOHまた...
L200500974520051021データ管理装置および方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術のデータ管理装置は、複数のノードがそれぞれ含む複数の記録媒体にそれぞれ記録された複数のデータファイルに、ネットワークを介してアクセスす...
L200500974320051021機械式冷凍機とジュール・トムソン膨張を用いた極低温冷凍機 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、小規模なガス循環装置と最低到達温度が6K程度の小型機械式冷凍機を使用してもジュール・トムソン膨張段と組み合わせることで、1.3K以...
L200500974220051021飛行機械 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、翼と本体を1点の動力関節と伸縮軸で接合する構造の飛行機械であって、翼の揚力中心と重心を結ぶ線上の1点のみで本体である胴体と接合する...
L200500974020051021電子ビーム描画方法及びシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の電子ビーム描画システムは、データ生成用ワークステーション(WS),コントローラ・ドライバ,電子ビーム描画装置を備え、データ生成用WS...
L200500973920051021電源用3ピンプラグの挿入を行うためのロボットアーム制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術に係わる、タスクスキル動作にインピーダンスと力のハイブリッド制御を利用したタスクスキルによる電源用3ピンプラグ挿入装置において、タスク...
L200500973820051021分泌型発光酵素を用いたレポーターアッセイ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、レポーターアッセイ方法は、分泌型発光酵素をレポータータンパク質として用いて、外来遺伝子又は外来DNA断片の発現、機能、転写活性...
L200500973720051021物品分類収納システム及びマニピュレーションシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 物品として書籍を対象とし、この書籍を書棚に収納するシステム等に好適に実施できる本技術の物品分類収納システムは、物品を搭載して所定の収納部まで...
L200500973620051021準平面導波路型ジョセフソン接合アレー構造体、それを用いたデジタル−アナログ変換器、プログラマブルジョセフソン電圧標準用接合アレー、ジョセフソ... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 準平面導波路型ジョセフソン接合の場合、電界は接地導体と下部電極の隙間に集中するので、マイクロ波電流は接地導体と下部電極のギャップの近傍を集中...
L200500973520051021電力変換装置の熱設計方法及び熱設計プログラム、並びに電力変換装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の、三相インバータなどの電力変換器の熱設計に際し、まず、工程0で作業を開始し、電力変換回路決定を行う処理1の工程で、熱設計の対象になる...
L200500973420051021新規化合物、該化合物を含むペプチド又はタンパク質の分析用試薬、及び該分析試薬を使用する分析方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、複素環とオレフィン共役系とを有する新規な蛍光化合物を合成し、その化合物がペプチド及びタンパク質濃度を高感度で効率的に且つ簡便に分...
L200500973120051021温度勾配付加型コアホルダー装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の、地圧・静水圧をコアに作用させることが可能な装置(コアホルダー装置)は、耐圧構造の温調ジャケットの内側に、弾性体スリーブを保持し、こ...
L200500972920051021亜鉛アンチモン化合物焼結体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、亜鉛、アンチモン各粉体(粒度100メッシュ以下)からなる原料粉体を、亜鉛1.333:アンチモン1.000のモル比となるように秤...
L200500972620051021一体型動的水素電極装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の一体型動的水素電極装置は、ガス拡散膜、イオン伝導性膜、酸素発生電極、水素発生電極、定電流回路および参照電極端子を備えて、動的水素電極...
L200500972520051021有機半導体装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース・ドレイン電極と、...
L200500972420051021抗体産生キャリア 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、金属ナノ微粒子をキャリアとして用い、その表面に免疫原性のないアゾベンゼン誘導体化合物を結合せしめて免疫感作用抗原として動物を免疫感...
L200500972320051021固体滞留部を設けた縦型反応装置。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、化学物質の反応に用いる縦型反応装置であって、その装置の一部に少なくとも一個のテーパ部を設けてなり、その装置に流体及び固体を導入する...
L200500972220051021高濃度に半導体ナノ粒子が分散した蛍光体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ガラスマトリックス中に発光効率15%以上の直径2〜5ナノメートルの、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛等のU−Y族の化合物半導体等の半導体ナノ...
L200500972120051021無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 発光効率25%以上の、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化カドミウム及びセレン化亜鉛から選ばれる少なくとも一種である半導体ナノ粒子[...
L200500971920051021パルスレーザーを用いた火災の消火方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、Nd:YAGレーザー(波長λ=1.06μm,532nm)CO2レーザー(λ=10.6μm)等の繰り返し発振型高出力レーザを用い...
L200500827420050819針一体型バイオセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 2枚の電気絶縁性基板に挟まれた空間に、電極及びスペーサーが設けられたバイオセンサーと、バイオセンサー内に配置された被検体の皮膚を突き刺して体...
L200500827220050819スピーカ装置又はマイクロフォン装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 携帯電話などに適用される本技術のスピーカは、振動する圧電フィルムにより形成されており、この圧電フィルムは基板を有し、この基板はスピーカ装置の...
L200500827120050819センサネットワークロボットシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、近接する同種の通信手段との間で近距離無線通信による送受信を行い情報を伝達するセンサネットワークを形成する通信手段と、周囲の状態及び...
L200500827020050819中空状複合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、粒子状生体材料の表面に金属化合物を析出又は被覆して形成した中空粒子であって、金属化合物の多孔質膜構造を有し、生体材料の外殻形状を保...
L200500826920050819放射状集合導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、複数の平角形状導体又は平角形状複合導体をそれぞれ独立の導体となるように絶縁体を介して放射状に配置し、これらの隣り合う独立した放射状...
L200500826820050819センダイウイルス温度感受性株由来のウイルスベクター 国立研究開発法人産業技術総合研究所 38℃でほとんどウイルス粒子を産生せず、32℃で複製サイクルが働きウイルス粒子を産生する、温度感受性株である、全長ゲノムcDNA及び外来遺伝...
L200500826620050819裏面加圧によるインプリント方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術に係る裏面加圧によるインプリント方法は、薄い基板の周囲を保持し、基板の下方に上下動自在に加圧用構造体を配置し、基板の上方に加圧用構造体...
L200500826520050819ダイヤモンドデバイス及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、エピタキシャル(111)ダイヤモンド表面を、酸素終端したことを特徴とするp型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドを提供するもの...
L200500826420050819単結晶の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 {100}面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、(1)単結晶の{100}基板上に結晶を成長させ、(2)成長した結晶の側面...
L200500826320050819騒音低減装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術の騒音低減装置は、気導音抑制部と、骨導音抑制部とを備える。気導音抑制部は、治療椅子の背もたれ部の上部中央に設けられた気導マイクロフォン...
L200500826120050819多孔質炭素電極を用いた水処理方法とその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 レゾルシノールとホルムアルデヒドとをゾル−ゲル法の反応の段階で、ナノメートルサイズの一次粒子のネットワーク構造にさせて、電極の形状に成型させ...
L200500825420050819セラミックス構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭化ケイ素と炭素などで構成してセラミックスの多孔材となるように、例えば射出成形などで小ユニット体をあらかじめ成形し、これを仮焼結してブロック...
L200500825320050819レーザーイオン化質量分析方法及びレーザーイオン化質量分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術により、レーザーをイオン化に用いる質量分析を実施する場合、サンプル台或いは基板上の試料の厚さや厚さ分布をレーザーの照射前に測定し、レー...
L200500825220050819新規クロスリンカー化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式:H↓2N−R↓1−NH−R↓2−NH↓2(R↓1、R↓2は炭素数2〜10のアルキル、アルコキシ、ベンジル)で表される化合物と、無水...
L200500825120050819超偏極希ガス製造装置及び超偏極希ガスを用いた核磁気共鳴分光装置並びに磁気共鳴イメージング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は、希ガスをアルカリ金属存在下で光ポンピングして超偏極希ガスを生成する超偏極希ガス生成セルと、この超偏極希ガス生成セルの下流に、内径0...
L200500825020050819超音波により生じる生体温度予測方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術において、x方向に伝搬する超音波が媒質に入射すると、媒質中で超音波吸収に伴う発熱が生じる。超音波伝搬に伴う発熱は、式(1)で与えられる...
L200500824720050819有機無機ハイブリッド薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)シリコン単結晶基板上に、(B)金属酸化物のバッファー層を介在させて、導電性の(C)有機無機ハイブリッド薄膜を形成させる。成分Bは酸化モ...
L200500824320050819嫌気性処理によるアンモニア処理方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 嫌気性消化液などのアンモニアを含む処理対象液を、微生物として鉄還元細菌を用いて、第二鉄を供給しながら、アンモニアを酸化させて処理する装置を得...
L200500824220050819微粒子発生方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の微粒子発生方法は、微粒子化すべき物質を透明な基板の上に付着させ、この基板に対して透明な波長のレーザーを基板側から照射することにより...
L200500823920050819多孔質金属又は多孔質セラミックス用粘土組成物、それを用いた多孔質金属又は多孔質セラミックスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)粘性の有る水溶性高分子を水溶液にし、これに(B)金属粉又はセラミックス粉と、(C)粒径5〜5000μmの発泡樹脂、中空樹脂、中実樹脂な...
L200500823620050819走査型プローブ励起光学測定に用いるプローブ及びそのプローブ作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、石英ファイバー製AFMプローブ(探針)基体に感光性物質としてAgClを100nm蒸着する。次に、プローブ基体をAFM(原子間力...
L200500823220050819レバーハンドルバルブ操作用ロボットハンド制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ロボットは、多関節方式であり、ロボット制御装置により位置制御で動作する。又、ハンドは、多指ハンドであり、ハンド制御装置により指...
L200500823020050819周波数標準の供給方法およびそのシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、標準機関の基準周波数発振器から出力される周波数標準信号を、従属同期通信網の主局における発振器の第1の基準信号とし、従属同期通信...
L200500822620050819歯車歯面形状測定機の評価法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、アーティファクトは、第1の平面に含まれる第1の基準部と、第1の平面と非直角の所定の角度をなす第2の平面に含まれる第2の基準部と...
L200500822420050819無機化合物薄膜ライブラリー製造装置および製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、Fe↓2O↓3溶液(0.5mol/l)を導電性ガラス基板上に2μl吐出し、チップ先端を基板につけたまま10mm移動し、余分な溶...
L200500822320050819半導体集積回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板領域上にゲート絶縁構造体とゲート導体とをこの順に有し、基板領域内にソース領域とドレイン領域とを有する、ゲート・基板領域間電...
L200500822220050819外部音知覚装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、外部音を超音波振動により知覚するための外部音知覚装置であって、外部音が入力される指向性マイクロフォンと、入力された音信号に基づい...
L200500822020050819メソポーラスシリカ厚膜及びその製造方法、吸着装置並びに吸着用膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、メソポーラスシリカ厚膜は、メソポーラスシリカにより10μm〜1mmの厚さに形成されている膜である。このメソポーラスシリカは、1...
L200500821920050819超音波伝搬の映像化方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、被検体に向けて10Hz程度の周期でパルスレーザ光を照射する。計測点は、パソコンで2軸ステージを制御し格子状に走査させながら、走...
L200500821820050819針一体型バイオセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板上にある導電体の上にカバーが置かれ、基板の右端に露出した導電体は端子となり、円形の貫通穴にはスペーサーの接着剤層が現れ、楕...
L200500821420050819管内圧力センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、流体流通管は、アクリル製の円筒状部材(外径5mm、内径3mm)とし、流体流通管の内壁にフィルム状圧電素子を貼り付ける。また、フ...
L200500821320050819体性感覚運動統合評価訓練システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、訓練者は運動感覚訓練装置部の身体固定部の足置き板に足を固定した状態で、足置き板においた足を動かして訓練者が運動課題に対する運動...
L200500821020050819光走査装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基板に捻れ梁部を形成し、捻れ梁部により支持されたミラー部を揺動させてなる光走査装置において、基板の一部に圧電体、磁歪体又は永久磁石体を固定あ...
L200500820920050819二重絶縁ゲート型電界効果トランジスタを用いたゲート回路、SRAMセル回路、多入力CMOSゲート回路、CMOS−SRAMセル回路、集積回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一方のゲートを入力端子とし、ソースを第一の電源に接続し、他方のゲートに第一の三端子絶縁ゲート電界効果トランジスタのドレインを接続し、第一の三...
L200500820320050819空間移送システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、空中吊り上げ吊り下げの装置とその実施方式の例の説明図である。図1中の1は、空間移送システムで用いる空中吊上下ロボットを示しており、2...
L200500820120050819非分極性電極の岩盤或いは地盤への設置方法と、それを用いた電気探査方法若しくは電磁探査方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 岩盤或いは地盤を対象とする電気探査或いは電磁探査に使用する非分極性電極の設置方法において、非分極性電極に使用している塩と同じ塩、或いは環境に...
L200500820020050819直接型燃料電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 化学式:R↓nNH↓3↓−↓nBH↓3 (式中、Rは一価の炭化水素基であり、nは0〜3の整数である。但し、2個又は3個のRが相互に結合して、窒...
L200500819820050819バイオセンサー検出部 国立研究開発法人産業技術総合研究所 少くとも2個の頂部を欠く中空錐体または該中空錐体を形成し得る成形体をスペーサを用いて重ねた状態で多重配置し、多重配置された中空錐体相互間に形...
L200500819720050819音高推定方法及び装置並びに音高推定用プラグラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(図1)中の1200log↓2hとexp[−(x−(F+1200log↓2h))↑2/2W↑2]を事前に計算してコンピュータのメモリに格納...
L200500710820050701応力測定システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に示す応力測定システムは、応力発光物質1から放射された光は、この応力発光物質1の発光強度を検出するために配置された撮像装置である二台の電...
L200500710420050701ヒドロキシアパタイト被覆シリカ多孔体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 長さ0.3〜50μm、幅0.1〜20μm、厚さ0.05〜1.5μm、長さと厚さのアスペクト比5〜300、平均細孔径1〜30nm、全細孔体積0...
L200500710220050701微空間集積無機膜とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 分子を収容可能なミクロ細孔が集積、保持された自立膜構造体であって、粘土鉱物類、層状ポリ珪酸、またはハイドロタルサイト類等の層状無機化合物の層...
L200500710120050701タンパク質の分析方法、装置およびプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、類似度算出手段は、マススペクトルパターン1取得手段で得られたマススペクトルパターン1と、仮想的第2質量分析手段で得られた複数の...
L200500710020050701アクチュエータ素子およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 カーボンナノファイバー、イオン性液体、ポリマーおよび溶媒からなる分散液、ならびに、イオン性液体、ポリマーおよび溶媒からなる溶液を、キャスト、...
L200500709820050701蓄熱装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は蓄熱装置の断面構造図である。また、図2に蓄熱体の断面詳細図を示す。図1において、1は例えばポリプロピレンからなる蓄熱容器であり、2は前...
L200500709320050701高品質Bi系酸化物超電導薄膜の作製法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 LaSrAlO↓4、LaSrGaO↓4、α−Al↓2O↓3またはNdAlO↓3等の基板上に、Bi↓2Sr↓2Ca↓2Cu↓3O↓(10±X)...
L200500709020050701グラファイト酸化物の層間に酸化チタンを含有してなる光触媒、及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グラファイト酸化物、好ましくは層間が予備拡張されたグラファイト酸化物の層間のピラー構造として少なくとも酸化チタンを含有する酸化物である光触媒...
L200500708920050701ホルムアルデヒド検出方法及び検出装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に装置に使用する光導波路の模式図を示す。基本的にはこの図1に示す構造を備えているだけで良い。この図1に示す通り、薄い透明基板1の上に、ホ...
L200500708820050701ダイヤフラム型圧力センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1はダイヤフラム型圧力センサを示している。ダイヤフラム型圧力センサは、底部1aを有する円筒状の箱体1を有している。箱体1は、外部からの光が...
L200500708620050701留め具およびその利用 国立研究開発法人産業技術総合研究所 留め具の一実施形態としてのワッシャ1は、図1(a)に示すように、表面全体に応力発光体2が10ミクロン程度の厚さでコーティングされている。また...
L200500708420050701ICタグ搭載型バイオセンサーおよびその包装体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、ICタグ搭載型バイオセンサーの代表例を示す。本バイオセンサー20は、図1(g)に示すように、電気絶縁性の基板1上に電極パターン4およ...
L200500708320050701ナノアパタイトファントム及びその用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術においては、ハイドロキシアパタイト(HA)として、例えば、水酸アパタイト、炭 酸アパタイト、フッ素アパタイト、及び塩素アパタイトが使...
L200500708220050701ナノ粒子の製造方法とそのマイクロリアクタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノ粒子を製造するに必要な3以上の溶液を層流で別々に供給し、層流を維持した状態で、3以上の溶液を合流させ、主に隣接する層流間の反応でナノ粒子...
L200500708120050701探針製造方法、探針製造装置及び探針 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属酸化物、炭化水素化合物、そして硫化物といった不純物の除去を可能にした探針製造方法及び探針製造装置では、まず、第1の工程として(又は加熱手...
L200500707920050701ゼオライトナノ粒子の製造方法及びゼオライトナノ粒子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)ゼオライト粒子に、(B)エネルギービームを照射して、粒子を粉砕させて、(C)ナノ粒子を得る。成分Aは、骨格構造の構成元素をSi、Al、...
L200500707820050701移動物体検出装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、移動物体検出装置の構成を示すブロック図である。例えば水晶振動子を使用し、マイクロコンピュータ20によってオン/オフ制御される発振回路...
L200500707720050701一次元配列1,2,4,5−テトラ置換ベンゼンあるいはベンゼン環が2〜5個縮環した直線的な形状の多核芳香族炭化水素分子集合体内包ゼオライトおよ... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 実質的に一次元配列している、1,2,4,5−テトラ置換ベンゼン或いはベンゼン環が2〜5個縮環した直線的な形状の多核芳香族炭化水素の分子集合体...
L200500707520050701マイクロプラズマデポジション方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロプラズマガス供給ラインの上流または途中において、同ラインとほぼ直交するように液体を供給し、この液体をマイクロプラズマにより反応、分解...
L200500707320050701変調増幅回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、変調増幅回路の構成を示すブロック図である。キャリヤ信号発振器10から出力されるキャリヤ信号(100MHz〜数GHz)は90°移相器1...
L200500707120050701自己潤滑性複合材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)イットリア安定化ジルコニア粉末と(B)アルミナ粉末の10〜20質量%と、及び(C)硫酸ストロンチウム粉末の20〜50質量%と、残部の成...
L200500707020050701丸型ハンドルバルブ操作用ロボットアーム制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、タスクスキル動作にインピーダンスと力のハイブリッド制御を利用したタスクスキルによる丸型ハンドルバルブ操作装置1の全体構成図である。タ...
L200500706920050701過酸化水素の濃度測定法、酵素活性測定法、免疫化学測定法及びこれらの装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は過酸化水素濃度測定の概念説明図である。過酸化水素の濃度測定装置の具体的なものとしては、電子伝導体基板上に形成した過酸化水素の還元電位よ...
L200500706820050701水素精製分離方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)多孔質基材と、(a)水素透過性金属又は合金を多孔質の微細孔隙に充填した(B)水素透過性中間材と(C)多孔質保護材とを成層した複合膜を水...
L200500706620050701機能性高分子フィルム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 粘性の大きな液晶相若しくは中間相を形成し得る1以上の重合性官能基を有する機能性分子を硬化したフィルムにおいて、フィルムが分子配向に基づくパタ...
L200500706420050701クラスター膜製造方法および製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ターゲット1からずらした位置に焦点11を設定し、レーザビーム2を照射させ、照射領域(照射面)12の面積を大きくさせる。ターゲット1の位置を焦...
L200500706220050701リチウムフェライト系複合酸化物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)マンガン化合物、(B)鉄化合物を含む混合水溶液をアルカリ性とし沈殿物を形成させ、これを(C)酸化剤及び(D)水溶性リチウム化合物と共に...
L200500706120050701シトラール水素化物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超臨界または亜臨界二酸化炭素中で、水素及び、白金、または白金及びルテニウムの二元系金属等の担持貴金属触媒存在下に、例えば、50〜80℃の反応...
L200500706020050701不揮発性メモリ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する金属とRa↓(1−x)Ma↓xMnO↓3(式中、Raは希土類を表し、1種又は2種以上の希...
L200500705520050701情報記録素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有する情報記録素子において、 少なくとも1層が一般式(1)で表されるポリマー材料で構...
L200500705420050701半導体不純物原子検出方法及び半導体不純物原子検出装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は個々の不純物原子の検出に用いる走査型トンネル顕微鏡(STM)像を測定する走査型トンネル顕微鏡の模式図である。図に示すように、STMは、...
L200500704920050701データ圧縮装置およびデータ圧縮方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術によるデータ圧縮装置が、データ圧縮する画像データをブロック分割処理手段で複数 のブロックに分割しブロック分類処理により分割した各ブロ...
L200500704820050701リチウムイオン二次電池用電極材料及びその製造方法並びに二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 リチウムイオン二次電池用電極材料の製造方法は、50〜400メッシュのニッケルメッシュ上に、例えば直接ニッケル水酸化物を析出させ、これを熱分解...
L200500704720050701液体用流量計校正装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は、ポンプ、配管、被試験流量計を含む試験ライン全体の実施形態の例を示している。図2は、校正装置のうちダイバータ、秤量タンク、秤量計、昇降...
L200500704420050701飛行時間質量分析計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、曲面形状の押し出し電極、中心に穴の開いた平板あるいはメッシュ構造を有する平板構造の引き出し電極の2つの電極のみで、(1)高分解能...
L200500704320050701酸化物熱電変換材料の構造 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱電変換材料としては、p型酸化物半導体及びn型酸化物半導体の両者が用いられ、p型では、例えば、ナトリウムコバルト酸化物、カルシウムコバルト酸...
L200500704120050701自動調熱色調調和遮光ガラス及び製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基材に、二酸化バナジウム系自動調熱膜と、調色膜または調色膜及び機能膜が被覆されている自動調熱色調調和遮光ガラスにする。自動調熱膜は、例えば、...
L200500703920050701難燃性マグネシウム合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 好ましくは、1〜12mass%のアルミニウム、0.2〜5.0mass%のカルシウム、更に亜鉛(Zn)、マンガン(Mn)、ジルコニウム(Zr)...