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L201500145720150914高所枝切り機 近藤 正男 高枝切り機の柄の先端部分に設けた動力変換機構、変換機構は円筒回転軸内に形成された左右回転方向回転溝付き軸に、操作柄内挿の動力伝達軸を接続、動...

 
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L200400862220041112分子加工用部材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、位置決め手段により位置決め可能に設けられる表面走査用プローブ、具体的には原子間力顕微鏡あるいは分子間力測定装置のプローブ先端に...
L200400862020041112姿勢角処理装置および姿勢角処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、磁気センサと、重力加速度センサと、現在地の絶対位置を取得する位置情報取得装置と、絶対位置とその地点における地磁気伏角の対応を記...
L200400861720041112ランドマーク抽出装置およびランドマーク抽出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、3次元形状計測装置は、主要ランドマーク位置のマーキングを施した被計測人体形状を、3次元スキャナーにより計測し、被測定人体形状の...
L200400861620041112圧電素子およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、薄膜状の下部電極は、室温(25℃)以上150℃以下の範囲にある温度にて石英ガラス基板またはステンレス基板上に、製膜する。次に、...
L200400861520041112圧電素子およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、石英ガラス基板またはステンレス基板上に、下部電極を形成する。下部電極上に、スパッタリング法を用いて、双極子配向度が55%以上と...
L200400861320041112硫黄化合物吸着剤、その製造方法、及びそれを用いた硫黄化合物除去・回収並びに吸着剤再生方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、酸化亜鉛80gを1M硫酸亜鉛水溶液2リットルに加え、30℃で1時間撹拌し、1日静置して沈殿物を生成させ、これをろ過する。このよ...
L200400861020041112インベストメント精密鋳造鋳型の脱ろう方法及びその用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、インベストメント精密鋳造鋳型のろう模型(ツリー)を炎で直接加熱してろう成分を燃焼することなく液化することによって鋳型から流出さ...
L200400860920041112被加工基板の湿式エッチング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、単結晶シリコン基板の(100)面に部分的にSiO↓2マスクを形成し、このSiO↓2マスクの形成されていない領域に選択的にFIB...
L200400860820041112ガスセンサ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板の上に金電極が設けられ、この金電極と電気的に接続して金属酸化物半導体が、更に、金属酸化物半導体の上に有機物層が各々形成され...
L200400860720041112ガスセンサ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、層状構造を持つ無機化合物として金属酸化物を用い、この層間に有機ポリマーが挿入することにより、ナノレベルで複合化した有機無機ハイ...
L200400860620041112量子相関光子対発生装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、パラメトリック下方変換器となる4個の非線形結晶と、結晶を励起するレーザと、レーザ光を等しい強度で4分割するために使用する3個の...
L200400860520041112ベンズイミダゾール系化合物を含む電解質溶液を用いた光電変換素子及びそれを用いた色素増感型太陽電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、表面に色素を有する半導体層電極、対電極、電解質溶液からなる色素増感型光電変換素子であって、電解質溶液がベンズイミダゾール系化合物...
L200400860420041112Bi層状構造強誘電体薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、Irの電極層を形成した基板上にBi↓(4−x)Pr↓xTi↓3O↓(12)(x=0.01〜1.0)の組成で表されるBi層状構造強...
L200400860320041112音声情報伝達装置及び方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、音声情報伝達装置のスイッチをONにした状態で外部から音声が入力されると、音声信号生成部は、音声を電気信号に変換して音声信号を生...
L200400860220041112振動子保持構造 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、円筒状のケースの内部には振動子を収容し、ケースの開口縁に吸盤が取り付ける。振動子は、ジンバル機構により、互いに直交する2軸の回...
L200400854820041029導電性ポリピロール薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プラズマ重合装置(例えば、誘導結合方式のプラズマ処理装置)で、複素五員環化合物であるピロールを、好ましくは10〜100Paの真空下に13.5...
L200400854520041029ランタン系ペロブスカイト化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 出発原料として、金属M、金属Mの酸化物、金属Mの炭酸塩及び金属Mを含む複合酸化物(MはAl、Cr、Mn、Fe、Ni、Ga、Co、In、V、R...
L200400854420041029マイクロリアクター及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロリアクターの基材としてシリカ系セラミックス(例えば、ガラス、石英)に、レーザなどでエッチング処理し、好ましくは幅10〜500μmのマ...
L200400854320041029超微小気泡を利用したガスハイドレートの製造方法及びこの製造方法により得られる微粒子状のガスハイドレート 国立研究開発法人産業技術総合研究所 用いるガスはメタン、エタン、プロパン等の炭化水素、炭酸ガス、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスで、このガスを超微小気泡発生装置から水...
L200400854220041029層状オルガノシリカナノ複合体およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)有機陽イオン性官能基を有するオルガノシラン化合物(例えば、3−アミノプロピルトリメトキシシラン)と、(B)陰イオン性界面活性剤(例えば...
L200400854120041029固相反応系におけるペルフルオロ化合物からなる固体物質の分散媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 結晶性又は非結晶性の無機及び/又は有機粉末状固体物質を固相反応系において、均一に分散させる分散媒として、ペルフオロ化合物を構成成分として添加...
L200400854020041029パーフルオロアリール置換高度分枝状パーフルオロオレフィン及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式[(CF↓3)↓2CF]↓2C=C(CF↓3)Ar[Arは式(1)(nは1〜15)で表されるパーフルオロアリール]で表される、パーフルオロ...
L200400853920041029環状化合物にサレン金属錯体を有するロタキサン化合物及びその製造方法、並びにその中間体及びその製造方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)[Rは式(XU)(R↓1、R↓2はH、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素)等;Y↓1〜Y↓6はH、脂肪族炭化水素、芳香族...
L200400853820041029結晶性層状シリケートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化ケイ素(SiO↓2)及び/または下記行程中にそれを生ずる成分と、アミン成分と、環状構造を有する水溶性有機溶媒とを含んでなるアルカリ性の...
L200400853720041029カテプシンC様酵素及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 至適反応温度:75〜85℃;至適反応pH:7〜8;活性発現に塩素イオンを要求しない、特性を有するカテプシンC様酵素。尚、前記酵素の分子量は1...
L200400853620041029好熱菌由来オリゴペプチダーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 作用:Pz−PLGPRをPz−PLとGPRに分解し、ブラジキニンをRPPGFとSPFRに分解する;基質特異性:FALGPA、Pz−PLGPR...
L200400853520041029新規なキシログルカン分解酵素、それをコードする遺伝子、ならびに該酵素の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ゲオトリカム属に属する微生物由来の酵素であって、主鎖中にキシロース側鎖を有しないグルコース残基を有すると共に、該グルコース残基の還元末端側に...
L200400853320041029アンヒドロ糖由来の多分岐ポリマー鎖およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[RはH、C↓(1〜30)炭化水素基;nは1〜10の整数;但し、n個のRのうちその少なくとも1つはH]で表されるジアンヒドロ糖アルコ...
L200400853220041029シンジオタクチックポリスチレン/ポリフェニレンオキシドブレンドフィルム及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シンジオタクチックポリスチレン(結晶化度は、好ましくは2%以下)及びポリフェニレンオキシドを含む樹脂組成物を一軸延伸したフィルムにおいて、シ...
L200400853120041029アリルアセテート重合体及びアリルアルコール重合体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アリルアセテートを、亜鉛塩または無機酸の存在下において、水溶性重合開始剤を用いてラジカル重合することによりアリルアセテート重合体を製造する。...
L200400853020041029活性塩素を有する複素環化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(R↑1〜R↑3はH、芳香族等;R↓4はH、脂肪族等)、式(2)及び式(3)(Crownはクラウンエーテル残基)等で表される複素環化...
L200400852920041029アルドール化合物の効率的な製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(R↑1〜R↑3はH、アルキル等;R↑4〜R↑6はアルキル、アリール)で表されるシリルエノールエーテル(例:α−(トリフェニルシリル...
L200400852820041029オレフィンオリゴマーの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式:[H(OCH↓2CH↓3)↓2]↑+A↑−(A↑−は非配位性アニオン種)で表される非配位性アニオンを含有するブレンステッド酸触媒の存在下...
L200400852620041029フォスフォン酸塩メソ構造体とメソ多孔体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 界面活性剤が含まれる溶液にフォスフォン酸及び無機原料もしくはフォスフォン酸、リン酸及び無機原料を加えることにより生成された有機官能基を導入し...
L200400852420041029芳香族ポリカーボネートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T[R↑1、R↑2はハロゲン、炭素数1〜5アルキル等;l、mは0〜2;nは2〜20;Xは式U(R↑3、R↑4はR↑1、R↑2に同じ;R↑5...
L200400852320041029ナイロン−11/ポリフッ化ビニリデンブレンドフィルムおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナイロン−11とPVdFからなるブレンドフィルムであって、ナイロン−11の分子鎖方向の結晶軸(c軸)とPVdFの分子鎖と垂直方向の結晶軸(a...
L200400852220041029六員環ラクトン類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭化水素基で置換されてもよいアレン類と二酸化炭素とを、パラジウム化合物とホスフィン類の組合せからなる触媒の存在下で反応させて六員環ラクトン類...
L200400852120041029アルキレンカーボネートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 置換型ヘテロポリ酸塩からなる触媒の存在下、アルキレンオキシド(例:プロピレンオキシド)と二酸化炭素を反応させて、アルキレンカーボネート(例:...
L200400852020041029β−FeSi↓2結晶粒子を含む薄膜及びこれを用いた発光材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 FeSi↓2アモルファスを含む相を海とし、β−FeSi↓2結晶粒子を島とする海島構造からなる薄膜にする。β−FeSi↓2結晶粒子は、平均直径...
L200400851920041029アルミナ多孔質セラミックス及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 水硬化アルミナ粉末と、酸化アルミニウム粉末及び/または酸化アルミニウム水和物粉末からなる混合粉末を、水と混練して成形、乾燥、焼成して、開気孔...
L200400851820041029SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 真空雰囲気内でSiCのターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットを蒸発させ、それを加熱した単結晶または結晶性基板の上に堆積させることによ...
L200400851720041029炭素質被膜で被覆した耐水性窒化アルミニウム粉末の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)窒化アルミニウム粉末と、例えばメタン、エチレン、ベンゼン等の有機化合物とを、または、(B)窒化アルミニウム粉末と、前記の有機化合物と、...
L200400851620041029耐水性窒化アルミニウム粉末の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 窒化アルミニウム粉末と、例えばアモルファスカーボン、グラファイト、カーボンナノチューブ等の炭素単体とを、アルゴン、キセノン等の不活性雰囲気中...
L200400851520041029耐熱性DNAリガーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 100℃で1時間の熱処理により実質的に活性が低下しないDNAリガーゼであって、至適温度が70℃以上、コファクターとしてATPまたはADPを利...
L200400851420041029天然高分子粉末 国立研究開発法人産業技術総合研究所 水系媒体に常温で不溶の水親和性天然高分子の粉末中に貴金属ナノ粒子が分散している貴金属ナノ粒子含有天然高分子粉末にする。天然高分子は、デンプン...
L200400851320041029スフィンゴ脂質誘導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↑1は有機基;R↑2〜R↑7はH、有機基)で表されるスフィンゴ誘導体とする。R↑1の有機基は、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が含まれ...
L200400851220041029新規なN−スルフィニル複素環化合物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(A)(R↑1は芳香族;R↑2はハロゲン、炭素数1〜6アルキル等;nは0〜4)で表される2−スルフィニル−1,2−ベンゾイソチアゾリン−3...
L200400851120041029N−スルフェニル複素環化合物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(A)(R↑1は炭素数1〜6アルキル、脂環式炭化水素;R↑2、R↑3ははハロゲン、炭素数1〜6アルキル等;nは0〜4)で表される2−スルフ...
L2004008510200410291,2−ベンゾイソチアゾリン−3−オン−1−オキシド化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↑1は炭素数1〜8アルキル、炭素数3〜8シクロアルキル等;R↑2は炭素数1〜8アルキル、炭素数1〜8アルコキシル等;mは0〜4;nは...
L200400850920041029スルフェンアミド化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↑1は炭素数1〜8アルキル、炭素数3〜8シクロアルキル等;R↑3は炭素数1〜12アルキル、炭素数3〜12シクロアルキル等;R↑4は炭...
L200400850820041029高臨界電流密度を有する超伝導酸化物薄膜の作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基材上に格子整合と拡散防止のためのバッファ層を作製し、その上に超伝導薄膜を作製するに際し、基材上にバッファ層を成膜した後で、その成膜温度より...
L200400850720041029新規ラクトナーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 L−α−ヒドロキシグルタン酸γ−ラクトナーゼであって、以下特性を有する。作用:(S)−5−オキソ−2−テトラヒドロフランカルボン酸をL−α−...
L200400839320041022金属イオン輸送剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一般式(T)(Qはアルキレン、アリーレン;R↑1は炭素原子数1〜18アルキル;R↑2は炭素原子数1〜6アルキレン;R↑3は炭素原子数1〜6ア...
L200400838920041022生分解性樹脂組成物、その成形物及び生分解方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)好ましくは5000〜2,000,000の分子量を有するL−乳酸の重合体または共重合体を主として、(B)プロテネースK、ズブチリシン、α...
L200400838720041022接着剤層内部の応力分布の測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、被接着体である第1材料と第2材料を接着剤によって接着させ、外部から機械的な応力を加えて、接着剤で作る接着剤層の応力分布を測定する...
L200400838620041022異方性の応力発光体を含有する応力発光組成物、及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 応力発光体は、アルミン酸塩及び/またはケイ酸塩で、異方性のアスペクト比を有する。好ましくは角の張った形状、板状、針状及び棒状の1種以上の外形...
L200400838220041022入力操作装置およびそれを使用する印鑑彫刻システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、彫刻加工機は、エンドミル工具を回転させる主軸と、その工具と被削材料との間に相対的な運動を発生させる機構を有する。又、手動制御信...
L2004008378200410223次元図形の曲面再構成方法および3次元図形の曲面再構成プログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、3次元図形の曲面再構成方法は、3次元空間において、ベクトルpで表される所定のサンプル点から方向つき曲面である形状表面への符号付...
L200400837520041022生体親和性インプラント材及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、生体インプラント材は、生体インプラント用基材の表面にチタン又はチタン合金、及びチタンの酸化物を主成分とする被覆層を有する。また...
L200400837320041022高活性耐熱性キチナーゼ及びそれをコードする遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Pyrococcus furiosuのキチナーゼの塩基配列にコードされている触媒活性ドメインのAD1及びAD2の内、3’末端側にコードされて...
L200400837120041022難分解性有機物を含有する排水の処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 難分解性有機物を含む排水(処理原水)を連続して、オゾン接触槽Aとオゾン自己分解槽Bと残留オゾン除去槽Cを順次通過させる。各槽の間を可動壁で仕...
L200400837020041022コアセルベートを活用したリポソームの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は従来技術の欠点を克服し、リポソームに薬物、生理活性物質、遺伝子などの物質を効率良く封入でき、かつ室温において水溶液状態で長時間安定...
L200400836920041022テンプレート法によるセラミックスナノ粒子の成形方法及びその焼結体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)セラミックスナノ粒子の分散液を調整し、これを(B)サブミクロンサイズの径の有機樹脂球を含む水溶液に導入し、成分Bの表面に、成分Aを吸着...
L200400836620041022高性能自動調光遮熱ガラス調光層膜厚の決定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、透明基板表面に酸化バナジウム系調光膜を被膜した自動調光遮熱ガラスの調光膜の膜厚を決定する方法であって、その膜厚を、(a)自動調光...
L200400836320041022含酸素有機化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)チタン含有珪酸塩に金を固定化させた炭化水素部分酸化用触媒を、(B)塩基性ガスの存在下に前処理又は再生処理をし、次いで成分Bの存在下で(...
L200400836220041022応力発光材料を含むシート状応力発光構造物およびその利用 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術によるシート状応力発光構造物は、応力発光材料からなる微粒子を分散させた接合剤と、接合剤より大きな弾性率を有する微細構造物の複合構造物で...
L200400836020041022光電場波形制御方法および制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 レーザーパルスを入力段のハーフミラーにより2光路に分離し、一方の光路をパルス整形器を介してプローブ光を出力する光路とし、他方の光路をリファレ...
L200400835820041022アンモニウムイオン吸収剤及びアンモニウムイオンの除去方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)ルビジウムを含有する化合物、(B)チタン、ジルコニウム、スズなどの元素のいずれかを含有する化合物、(C)ニオブを含有する化合物を混合し...
L200400835720041022カルバミン酸エステルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式:R↑1R↑2NHで表されるアミンと(B)式:R↑3OHで表されるアルコール及び二酸化炭素とを、(C)(a)金属化合物と(b)式で示...
L200400835420041022タンパク質巻き戻し材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高次構造が無秩序なため不活性であるタンパク質の、高次構造を整え、活性にするタンパク質巻き戻し機能を有し、BEA構造のゼオライト(ゼオライトベ...
L200400835220041022二光子吸収材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式T(Z↓1はハロゲン)で表される化合物と、(B)式:R↓9−CHOで表される芳香族アルデヒド化合物とを、(a)例えばWittig反応...
L200400835120041022ろ過膜及びそれを用いた鉛イオンの簡易定量方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、鉛イオン選択捕捉能を有する繊維状リン酸セリウム単独或いは該繊維状リン酸セリウムと天然繊維及び/又は合成繊維との複合体からなるろ...
L200400835020041022情報処理装置、情報処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、収束計算を行う際に未観測ノードに設定する初期値を記憶するための初期値記 憶手段を備えると共に未観測ノードに設定する初期値として...
L200400834920041022光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、強磁性金属が、高速メモリ素子として作用する光導波路に組み込まれる。強磁性金属は、片側は導体、もう片側は後に導体が続くトンネル障...
L200400834420041022ロボットシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ロボットシステムにおいて、計算機にかかる負荷を軽減し、また特定自由度への外乱の影響を協調的に調整することを可能とし、全体としての移動運動など...
L200400834320041022切削屑からの高耐食性マグネシウム合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、マグネシウム合金切削屑から、再生材としての耐食性マグネシウム合金を製造する方法であって、マグネシウム合金切削屑を圧密体とし、それ...
L200400819420040917太陽電池の性能評価装置および性能評価方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の太陽電池の性能評価装置は、スポット光照射手段と、スポット光照射手段を囲み先端部が太陽電池の光照射面と接触する第1電極部とを有する第1...
L200400819320040917熱流速を制御した良熱伝導体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、熱流速を制御した良熱伝導体を製造する方法である。金属繊維を120℃より低温域に融点を有する低融点の金属あるいは合金のマトリックスで...
L200400819220040917オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、ハロゲン配位子で架橋されたイリジウムダイマーと有機配位子の反応を塩基性物質の共存下で行う。...
L200400819120040917スルフェンアミド化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に示す一般式で表される本発明のN−置換スルフェンアミド化合物の製造方法は、図2に示す一般式で表されるN−アシルスルフェンアミド化合物と、...
L200400819020040917含フッ素エーテル化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のROCHF↓2(式中、Rはハロゲン置換アルキル基)で表される含フッ素エーテル化合物の製造方法は、ROH(式中、Rはハロゲン置換アルキ...
L200400818920040917形状記憶合金を用いた損傷制御機能性複合材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の機能性複合材料は、室温以下の相変態温度を有し、相変態温度を介してオーステナイト相とマルテンサイト相が現れる形状記憶合金を用いて、室温...
L200400818820040917燃料油の酸化脱硫方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の燃料油の酸化脱硫方法は、硫黄化合物を含有する燃料油を、酸触媒の存在下、過酸化水素と酢酸で処理した後に、硫黄酸化物を分離することを特徴...
L200400818620040917微粒子の標識化装置及び標識化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の微粒子の標識化装置は、図に示すように、捕捉用ビームを出力する捕捉用ビーム出力部7と、加工用ビームを出力する加工用ビーム出力部17と、...
L200400818520040917微小物の姿勢制御装置及び姿勢制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の微小物の姿勢制御装置は、少なくとも3個の微粒子が表面に取り付けられた微小物の3次元空間内での姿勢及び位置を変化させる。図のように、複...
L200400818320040917情報支援システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図のように、無電源端末への音声情報送信装置、無電源端末の位置検出装置、および無電源端末のID検出装置を備える。無電源端末は、情報送信装置によ...
L200400817920040917モノアシルトリグリコシルジアシルグリセロール誘導体及び該誘導体からなる界面活性剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の誘導体化合物は、図の一般式で示されるモノアシルトリグリコシルジアシルグリセロール誘導体であり、これらの化合物は界面活性剤として有用で...
L200400817820040917二酸化炭素と水素から蟻酸を製造する方法及び二酸化炭素の固定化方法および光を照射させることによってこれらを促進させる方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は二酸化炭素と水素を反応させるに際して、水と図に示す一般式(I)〜(IV)で表されるいずれかの化合物の存在下で、二酸化炭素と水素を反応...
L200400817720040917単結晶成長装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明による単結晶成長装置は、容器内に成長単結晶5の原料4を収容し、原料4に対向する容器内壁面の一部を原料側に突出させて種結晶3を支持する台...
L200400817620040917湿式粉砕法により得られるリン酸カルシウム前駆体からのリン酸カルシウム微粉末の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は湿式粉砕法により得られるリン酸カルシウム前駆体を焼成して前駆体から微細化されたリン酸カルシウム微粉末を製造する方法であり、湿式粉砕法...
L200400817520040917紫外線照射による光感応性添加物を用いて作製した高結晶性・表面平滑なセラミック薄膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の高結晶性セラミック薄膜の製造方法は、金属アルコキシドに光感応性有機物を添加し、加水分解をして調製した前駆体溶液を、Si(100)基板...
L200400817420040917有機官能基で表面修飾したケイ酸塩チューブの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の有機官能基で表面修飾したケイ酸塩チューブの製造方法は、有機官能基で表面修飾したケイ酸塩チューブを製造する方法であって、チューブ状のア...
L200400817320040917有機官能基で表面修飾した中空球状ケイ酸塩クラスターの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の有機官能基で表面修飾した中空球状ケイ酸塩クラスターの製造方法は、有機官能基で表面修飾した中空球状ケイ酸塩クラスターを製造する方法であ...
L200400817220040917巻回型カーボンナノチューブとその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の一層のグラフェンが巻回したカーボンナノチューブの製造方法は、黒鉛材料由来の一層のグラフェンが巻回した構造を有する巻回型カーボンナノチ...
L200400817020040917カーボンナノチューブからなるLB膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の基板上に設けられたカーボンナノチューブからなるLB膜は、一般式−CONHR(式中、Rは炭素数14〜20の脂肪族基を示す。)で表される...
L200400816920040917金属ナノワイヤ製造法及び金属ナノワイヤ製造用前駆体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の金属ナノワイヤの製造方法は、金属ナノワイヤ製造用前駆体1に対し、前駆体表面にプローブ2の先端部から印加電圧又は電流を作用させプローブ...
L200400816820040917スピニング加工方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のスピニング加工方法は、成形型3の側面の接線方向に関しては位置制御あるいは速度制御により加工ローラ5の位置あるいは送り速度を制御し、成...
L200400816720040917磁場応答固体高分子複合体、その製造方法およびアクチュエータ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、固体高分子イオン交換膜の少なくとも一方の表面に強磁性体材料層を備えた磁場応答固体高分子複合体;固体高分子イオン交換膜の少なくとも一...
L200400816520040917タンパク質立体構造予測システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のタンパク質の立体構造予測システムは、タンパク質プロファイル行列間の類似性を評価するシステムであって、プロファイル行列は、関連する複数...
L200400816420040917小型携帯端末 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の小型携帯端末11は、カメラ302とレーザ光源301が一体となったヘッド部201、及びヘッド部201を回転させる回転部202、回転部2...
L200400816320040917位置情報処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の位置情報処理装置は、センシング装置により観測される観測結果の確からしさの分布を考慮に入れ、観測結果に基づいて算出される絶対位置の推定...
L200400816120040917布帛の漂白方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の布帛の漂白方法は、酸化剤又は還元剤の存在下、紫外光及び/又は可視光を照射することによる布帛の漂白方法であり、照射する紫外光及び/又は...
L200400816020040917非晶質窒化炭素膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、A)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、表層にイオン注入層を形成する、B)炭化水素と窒素...
L200400815920040917炭素薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、A)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、基材表層にイオン注入層を形成する、B)炭化水素を...
L200400815820040917水性ゲル構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、側鎖を有する水溶性セルロース骨格糖鎖が互いに環の面に平行に層状に積層し、芳香環を構成単位とする、発色もしくは蛍光低分子化合物が、前...
L200400815720040917新規化合物、それを用いた触媒、それを用いた二酸化炭素と水素から蟻酸を製造する方法及び二酸化炭素の固定化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、特定の有機窒素化合物配位子を有する新規の金属錯体を用いて、水媒体中二酸化炭素の水素化反応において触媒効率の著しい向上が達成し、二酸...
L200400815620040917有機基置換リン酸塩及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の有機基置換リン酸塩は、層状構造を有する有機基置換リン酸塩であって、リン酸塩部分に2nm以下のミクロ細孔を有しており、既存の有機基置換...
L200400815320040917パルスレーザ蒸着によるダイアモンドの結晶薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、SiCターゲットと、1000℃領域まで加熱できる基板加熱機構と、サブナノ秒より短いパルス幅で行なうパルスレーザアブレーションデポジ...
L200400815220040917プロピレンオキシド合成用触媒及びそれを用いたプロピレンオキシドの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、固体酸化物とパラジウム系物質を含有してなる、プロピレンを直接酸化してプロピレンオキシドを合成する際に用いられるプロピレンオキシド合...
L200400815120040917エポキシ化合物合成用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明に用いられるオレフィン類の酸化触媒は、チタン,アルミニウム及び珪素を含む金属酸化物焼結多孔体である。チタンを含む酸化物は酸化触媒の機能...
L200400802720040911排ガス浄化フィルター及び粒状物質の捕集方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ケーシング内に、セラミックスフィルターを配して、支持固定部材、例えば、ヒル石(バーミキュライト)により固定する。この排ガス浄化...
L200400802520040911人間型ロボットの制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 人間型ロボットが実環境で作業を行う場合、手先で対象物に力を加える状態でロボットが安定して歩行を継続し、また、対象物の物理パラメータが未知の場...
L200400801320040911リン酸カルシウムナノ粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 有機マトリックス内部に分散する水系溶媒よりなる結晶成長場で、無機結晶の核形成誘導及び結晶成長場への反応物質の供給制御により、リン酸カルシウム...
L200400801120040911伝熱装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、容器は、耐放射線特性に優れたポリイミド薄膜又は熱伝導性に優れた金属薄膜等の可撓性の材料からパイプ状に形成される。容器の内部には...
L200400800820040911藻類増殖方法及びその方法により得られる藻類培養体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 オゴノリ(Gracilaria verrucosa)、ツルシラモ(Gracilaria chorda)等のオゴノリ属紅藻類である藻類の人工培...
L200400800520040911燃焼触媒機能付与した高温高耐食性被膜及びセラミックスヒータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 セラミックスヒータ基材を被覆している高温耐腐食性被膜において、この技術では、燃焼触媒機能を付与することにより、燃料の安定燃焼温度を、例えば1...
L200400800120040911新規な含窒素ペルフルオロアルカンスルホン酸塩 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(R↑1f、R↑2fはペルフルオロアルキル;R↑3fはペルフルオロアルキレン;Yは−OMで表される金属アルコキシド、−NHM、=NM...
L200400799920040911耐水性窒化アルミニウム粉末及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)窒化アルミニウム粉末を(B)水蒸気などの雰囲気中で熱処理し、表面に酸化被膜を形 成させて、耐水性窒化アルミニウム粉末を得る。成分Aは、...
L200400799720040911ダイヤモンドの微細加工方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ダイヤモンド基板上に形成された柱状体を、等方性エッチングと異方性エッチ ングを組合せてエッチングする。即ち、ダイヤモンド基板上...
L200400799420040911非接触型負荷感応自動変速機 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第1ヨーク12と第2ヨーク13の間に第1永久磁石10と極性を逆方向にした第2永久磁石 25と、間隙を有して配置した第3ヨーク20とからなる磁...
L200400799220040911非酸化物系粒子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、原料を還元、窒化又は炭化反応させることにより窒化物、酸窒化物又は炭化物を製造するプロセスにおいて、還元、窒化又は炭化反応の自由...
L200400799120040911有機性汚泥の処理方法、その処理装置及び新菌株 国立研究開発法人産業技術総合研究所 処理対象の有機性汚泥を、貯留タンク1から配管2を通して、好気性分解促進槽3に送り、こ こで好気性汚泥分解菌のジオバチルスAT1株によって汚泥...
L200400799020040911選択的スイッチング方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、真空容器内に複数の陰極と一つの陽極が設け、真空容器内の圧力を1〜100 0Pa程度として、ガスは、空気を用いる。レーザは、YA...
L200400798720040911タンパク質の結晶形成制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)タンパク質を(B)溶解溶媒に溶解し、この溶液に(C)ケイ酸塩化合物を含有するタ ンパク質結晶形成制御剤を添加して成分Aの結晶形成を制御...
L200400798620040911タンパク質結晶形成制御剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)タンパク質を(B)溶解溶媒に溶解し、この溶液に添加して成分Aの結晶形成を制御す る能力を有する(C)ケイ酸塩化合物を含有したタンパク質...
L200400798320040911骨導マイクロフォン保持構造 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、円筒状のケースの内部には骨導マイクロフォンを収容し、ケースの開口縁に吸 盤を取り付ける。骨導マイクロフォンは、ジンバル機構によ...
L200400798120040911分子配列型ナノフォトニック結晶デバイスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、石英ガラス基板に複数の細長い溝を、210nmの幅、400nmの深さ、4 20nm間隔で空間的に規則性を持たせて形成し、回折格子...
L200400798020040911構造体の微細加工方法及び同用マスキング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板上にマスキングを施し、エッチングにより尖鋭性のある構造体を作製する に際して、マスキングを複層構造とし、上層のマスキングに...
L200400797620040911チオール基又はスルフィド基含有化合物の検出、濃度測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、電極を生体等から採取した試料の溶液中(緩衝液、エタノール溶液等)に一定 時間(5〜60分程度)を浸せきし、試料溶液中のチオール...
L200400797320040911固体導入によるキャビテーション気泡増加方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、超音波照射下の液中に固体物質を存在させることによりキャビテーション気泡を増加させる。また、このキャビテーションの増加によりOH...
L200400797020040911交差点における停止車両の発進状態計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、交差点の停止線までの区間に停止状態にある車両群の青信号点灯により発進状 態に移行する車両を計測し、その通過交通流が対象道路の定...
L200400796920040911配向分子質量分析方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、分子を配向させて分解し、その分解生成物の飛び散り方(空間分布)から、分 子の構造を推定しようというものであり、質量だけでなく分...
L200400790720040827高パワー型二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、貴金属及び/又は遷移金属からなる分子量800−10000のヘテロポリ酸の部分塩である固体ヘテロポリ酸及び/または固体ヘテロポリ酸の...
L200400790620040827電子機器の装着具 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すように、本発明による電子機器の装着具は、表示装置部が折り畳み可能で開閉自在な電子機器4の本体部を上下逆にして固定して着脱自在に保持す...
L200400790520040827凸レンズ、凸レンズアレーおよびそれらの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図に示すように、基板上に低軟化点ガラス層を形成する工程、低軟化点ガラス層表面に凸レンズ形成部を被覆するマスクパターンを形成する工程...
L200400790320040827三次非線形光学特性の測定装置及び測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の三次非線形光学特性の測定装置は、図示のように、正チャープパルス(L3)を試料(6)に照射する正チャープ照射手段(3)と、負チャープパ...
L200400790120040827アルドール化合物又はその脱水不飽和物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のアルドール化合物又はその脱水不飽和物の製造方法は、液体二酸化炭素、超臨界二酸化炭素、亜臨界二酸化炭素又は気体状態の二酸化炭素中、無機...
L200400790020040827脚式移動ロボット及び制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、脚式移動ロボットの脚と腕が協調する作業において、まず、2種類の床反力中心点(ZMP)を床面上で定義する。この床反力中心点を用いるこ...
L200400789820040827凹レンズ、凹レンズアレーおよびそれらの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の凹型マイクロレンズを製造方法は、図の様に、基板上に低軟化点ガラス層および高軟化点ガラス層を形成する工程、高軟化点ガラス層表面に凹レン...
L200400789720040827電界検出用プローブ及び該プローブを使用した三次元電界計測方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の電界検出プローブは、同軸ケーブルの内部導体、外部導体の先端部を中心軸に対して傾斜した先端面から露出させて配置する。又、これらの先端部...
L200400789620040827バルブ付きマイクロ流路チップ用ソケット 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のバルブ付きマイクロ流路チップ用ソケットの使用例を図にて示す。内部にマイクロ流路からなる反応室17を形成したマイクロ流路チップ4は、チ...
L200400789520040827エネルギー変換装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明によるエネルギー変換装置は、アデノシン三リン酸のような化学エネルギーを有する分子を、触媒作用で加水分解によって生じるアデノシン二リン酸...
L200400789420040827水素吸蔵材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、マグネシウム又はマグネシウム基合金粉末を主成分として、ニッケル、チタン、パラジウム、バナジウム、白金などの水素分子解離触媒能を有す...
L200400789320040827ヘキサアルミネート多孔質セラミックス及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明によるヘキサアルミネート多孔質セラミックスの製造方法は、水硬性アルミナ粉末とアルカリ土類元素の炭酸塩粉末からなる混合粉末、又は、水硬性...
L200400789220040827抵抗型酸素センサの酸素分圧検出部分の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の抵抗型酸素センサの酸素分圧検出部分は図示するように、酸化セリウムを含む酸化物の微粒子の粉末を原料として、その酸化物を含むペーストを作...
L200400789120040827高耐熱・高強度アルミナ多孔体の製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の高耐熱・高強度アルミナ多孔体の製造法は0.05から0.23ミクロン径の高純度アルミナ粉末と10〜20ナノメートルのカーボン粉末を十分...
L200400789020040827熱分解籾殻のパルス通電焼結によるシリコンカーバイド多孔体バルクの製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の熱分解籾殻のパルス通電焼結によるシリコンカーバイド多孔体バルクの製造法は、籾殻を洗浄、乾燥させた後、800−1000℃で熱分解を行い...
L200400788820040827プリント基板から金属を回収する方法及び回収装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明はプリント基板中のプラスチックスに接着された金属を切削して回収する方法であって、図に示すように、プリント基板1を、搬送装置装置3によっ...
L200400788420040827球状多孔質シリカ粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の有機官能基で修飾された球状多孔質シリカ粒子は、平均粒径が50乃至500μmの範囲にあり、回折角1乃至5度(CuKα)にX線回折ピーク...
L200400788320040827燃料油の酸化脱硫方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の燃料油の酸化脱硫方法は、硫黄化合物を含有する燃料油を、遷移金属触媒、相間移動触媒及びブレンステッド酸から選ばれる助触媒の存在下、酸化...
L200400788120040827弾性体及びそれを用いた動力伝達装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の弾性体は、力が加えられると発光する発光物質及びゴムを含んでなることを特徴とする。ゴムが、シリコーンゴム、アクリルゴム、あるいはフッ素...
L200400788020040827新規なN−スルフェニルピロール化合物およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のN−スルフェニルピロール化合物は、図1の式で表される。式中、R↑1は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R↑2〜R↑5は水素原子、炭素数...
L200400787920040827非対称ジスルフィド化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1の式で表される非対称ジスルフィド化合物を製造する方法である。式中、R↑1は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基...
L200400787820040827N−アシルスルフェンアミド化合物の製造方法およびN−アシルスルフェンアミド化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の図1の式で表されるN-アシルスルフェンアミド化合物の製造方法は、図2の式で表されるN-スルフェニルベンゾイミダゾール化合物と図3の式で...
L200400787720040827N−スルフェニルイミド酸エステル化合物の製造方法および新規なN−スルフェニルイミド酸エステル化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の図1の式で表されるN-スルフェニルイミド酸エステル化合物の製造方法は、図2の式で表されるN-スルフェニルベンゾイミダゾール化合物と図3...
L200400787620040827環状アミド化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の環状アミド化合物は、図1に示す一般式で表される。式中、R↑1〜R↑4は、同一でも異なっていてもよい2価の炭化水素を表し、R↑5とR↑...
L200400787520040827カルボン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のカルボン酸の製造法は、アルデヒド油性溶液と過酸化水素水溶液とを、側鎖にスルホン酸基を有する高分子化合物を含む触媒の存在下、不均一溶液...
L200400787320040827単結晶ホウ素ナノベルトの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の単結晶ホウ素ナノベルトの製造方法は、純度98重量%以上のホウ素粉末を焼結あるいは溶解凝固させて形成したホウ素焼結物をターゲットとして...
L200400787220040827水素製造方法及びそれに用いる触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の水素製造方法は、非酸化雰囲気中、金属鉄触媒の存在下で、水と二酸化炭素とを反応させることを特徴とする。10〜300℃の温度で反応させる...
L200400787120040827多元系遷移金属複合酸化物の単結晶及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の多元系遷移金属複合酸化物の単結晶は、下記化学式で示される。Li↓lM↓mMn↓nO↓4式中、MはCr,Fe,Co,Ni,Cu及びMg...
L200400786920040827遷移金属複合酸化物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の化合物は、一般式Na↓2↓+↓xFe↓xTi↓4↓-↓xO↓9(0<x<1)で表わされることを特徴とする。結晶構造として単斜晶系に属し...
L200400786820040827微粒子のハンドリング方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の微粒子のハンドリング方法は、図のように、溶液と混合された微粒子を基板上に展開し、これに超音波を印加し、微粒子と溶液を搬送、混合、凝集...
L200400786320040827カルバミン酸エステルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のカルバミン酸エステルの製造方は、一般式R↑1R↑2NHで表されるアミンと一般式R↑3OHで表されるアルコール及び二酸化炭素とを、(1...
L200400786220040827反応性有機基を有する金粒子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の反応性有機基を有する金粒子は、(1)金粒子、(2)金を含む合金粒子又は(3)金化合物粒子に図の一般式で表される反応性基を結合させてな...
L200400786020040827環状ケトン類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図の一般式(1)で表されるカルボン酸を、一般式MXmLnで表されるルイス酸の触媒量の存在下に環化反応させることにより一般式(2)で...
L200400785720040827金属超微粒子を分散させた多孔質材料及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の金属超微粒子・ゲル複合体の作製方法は、保護分子で表面を保護した金属超微粒子を有機溶媒に溶解させた後、その溶液にウエットゲルを浸漬させ...
L200400785620040827無容器結晶成長法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、富化(enrich)あるいは局在されるべき反磁性物質及び/又は常磁性物質を容器中の媒体に溶解、分散ないし懸濁させる工程、容器を磁石...
L200400785520040827アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のバルク状単結晶は、化学式A↓xCoO↓2(0<x≦1,A=Li又はNa)で示される化合物である。A↓xCoO↓2粉末を筒状の容器中に...
L200400785320040827一酸化炭素除去用触媒複合体及びそれを用いた一酸化炭素除去方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、平均粒子径が25nm以下の金粒子が金属酸化物に担持された金ナノ粒子触媒とアルカリ性多孔質体とを含有する一酸化炭素除去用触媒複合体、...
L200400785220040827アマモ播種用材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、海水よりも大きい比重をもつ非水溶性固体片からなる基材に、底生生物の周辺物質に対する付着又は捕捉機能を利用してアマモ種子を結合担持さ...
L200400784920040827薄膜型圧電センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の薄膜型圧電センサは、基板表面に、第1の電極層、圧電層、および第2の電極層をこの順に積層して形成された薄膜型圧電センサであって、圧電層...
L200400784820040827調湿材料の性能の評価方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の調湿材料の性能評価方法は、居住環境の快適性に寄与する目的で使用する調湿材料の性能を客観的に評価する方法であって、(1)評価する調湿材...
L200400784720040827生体高分子光切断装置および生体高分子光切断方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の生体高分子光切断装置は、常圧下において生体高分子試料を支持する支持手段と、赤外線レーザーを生体高分子試料に照射する赤外線レーザー照射...
L200400784620040827工作機械剛性簡易評価方法及び該方法に使用するテストピース 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明による工作機械剛性簡易評価方法は、工具を用いてテストピースを切削したときの削り残し量を測定し、測定された削り残し量の値より機械剛性を評...
L200400784520040827微小構造物形成方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の微小構造物形成方法は、加工表面に載置されたミニスカス形成材料と先鋭プローブとの間に電磁相互作用を発生させて加工表面と先鋭プローブとの...
L200400750120040813小型デシカント空調装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、除湿装置では再生した吸着剤粒子を貯留する粒子溜からの吸着剤粒子を導入し て室内空気を除湿する。再生装置では除湿装置からの水分を...
L200400749920040813水素貯蔵材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、安全性が高く入手の容易な物質であるNa↓2Oは、一定の条件下において水 素を吸収して水酸化ナトリウムと水素化ナトリウムに変化し...
L2004007494200408133次元フォトニック結晶構造及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、第1の基板上にフォトニック結晶形成層と選択エッチング層を持った第1のウ エハを形成し、第2の基板上にフォトニック結晶を積層した...
L200400749220040813接触分解ガソリンの水素化処理触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、周期律表第8族金属、モリブデン(Mo)、リンおよび硫黄を含有する水素化処 理触媒であって、モリブデン原子周りのモリブデン原子の平...
L200400749020040813画像処理方法およびシステム、並びにプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術による画像処理方法及びシステム、並びにプログラムは、各画素が多値画像データを 有する対象画像に対して、閾値よりも大きく変動する不連続...
L200400748920040813小型デシカント空調装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、吸着剤粒子を収容した第1吸着剤収容塔及び第2吸着剤収容塔と、エンジンか らの廃熱によって外気を加熱する熱交換器と、外気を直接導...
L200400748120040813有機無機ハイブリッド薄膜センサの高感度化 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、導電性有機無機ハイブリッド薄膜は、ナノサイズの結晶粒子からなり、多孔質 構造を有する金属酸化物の高配向薄膜に、導電性ポリマーあ...
L200400748020040813有機無機ハイブリッドガスセンサ材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、層状構造を持つ無機化合物の層間に電荷を持つ低分子有機化合物を挿入した有 機無機ハイブリッド材料からなるガスセンサ材料であって、...
L200400747920040813デュアルパス蒸気システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、高圧タービンと低圧タービンとの間に、高圧タービン出口から熱回収蒸気発生 器、中圧タービン及び低圧タービン入口と続く第一の経路と...
L200400747720040813DLC膜の表面処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、DLC膜と一般式で表されるペルフルオロアゾアルカンを、溶液中に存在させ て、紫外光を照射することによりDLC膜の表面に前記ペル...
L200400747420040813荷電粒子ビームチョッピング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、中間電極の外径を入口電極及び出口電極の外径よりも小さくして、入口電極及び 出口電極と中間電極間の静電容量を少なくするものである。...
L200400747320040813液晶配向膜、液晶表示装置及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、シグマ共役系高分子およびパイ共役系高分子からなる群から選ばれる少なくとも1種の共役系高分子の配向薄膜から液晶配向膜を構成する。...
L200400747220040813結晶化ガラス蛍光体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)SiO↓2:20〜99モル%、(B)B↓2O↓3:0〜50モル%、(C)P↓2O↓5:0〜70モル%、(D)周期律表の1族、2族、4族...
L200400746820040813有機電界発光素子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、表示層となる表面層組成物として、光、電子線、もしくは放射線に感光する樹 脂を用いて、露光することで100ナノメートルから100...
L200400746620040813熱物性測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、試料ホルダに試料を直接接触させて支持し、試料ホルダに熱を供給して試料ホ ルダから試料への熱伝導により試料を所定温度に維持し、試...
L200400746420040813アゾベンゼン化合物及びそれよりなるゲル化剤とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(mは1〜7;nは1〜4)で表されるアゾベンゼン化合物であって、例えば式Uの化合物が挙げられる。この化合物は、式V(Xはハロゲン)で表さ...
L200400746320040813光子検出装置および光子検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、光子検出装置を、アバランシェフォトダイオードを受光素子とする光子検出手 段と、アバランシェフォトダイオードに電圧を印加するバイ...
L200400746220040813キャパシタンス温度センサ及び温度測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、酸素16のうち重量30%以下を同位体酸素18で置換したチタン酸ストロン チウ単結晶からなる誘電体を有する平行平板コンデンサのキ...
L200400746120040813温度定点セル、温度定点装置および温度計校正方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、炭素を成分とするるつぼと、このるつぼ内に封入される定点物質とを含む温度 定点セルであって、定点物質は、金属または金属炭化物と炭...
L200400746020040813導波路型偏光回転子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、磁気光学コア層とクラッド層を有し、非常に高いTM−TE転換比を備える導波 路型偏光回転子の製造方法を提供する。傾斜屈折率層は、コ...
L200400745620040813抗テロメア配列結合蛋白質TRFl抗体および本抗体を産生するハイブリドーマ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 抗原であるヒトテロメア配列結合蛋白質TRFlをリン酸バッファー中で50度30分の温和な条件で熱処理を施し、軽度に変性させたヒトテロメア配列結...
L200400744820040813抗インターロイキン21受容体(IL−21R)抗体および本抗体を産生するハイブリドーマ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ヒトインターロイキン21受容体(IL-21R)を抗原として、マウス脾細胞を免疫感作して得られた細胞とミエローマ細胞とを融合してヒトインターロ...
L200400744120040813コリオリ流量計 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に、本発明のコリオリ流量計を示す。U字型11の直管部12、13は2枚の平行な補強板14、15からなるコリオリ振動フレーム16で支持されてお...
L200400744020040813活性酸素吸蔵物質及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、酸素雰囲気で加熱することにより、A↓2B↓2O↓5(A:アルカリ又はアル カリ土類元素、B:遷移元素)で表記される組成式を有する...
L200400743920040813流動層型デシカント空調システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、吸湿した多孔質粒子を加熱空気により乾燥させる再生器と、再生器で乾燥した多孔質粒子を用いて室内の高湿空気を除湿する処理器とを別個...
L200400743620040813マイクロ液流制御方法及び制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、第2マイクロ流路における気泡発生により、第1マイクロ流路内の物質を第2マ イクロ流路内に移動させ得る、マイクロチップである。気泡...
L200400743220040813硝酸イオン吸着剤、その製造方法、それを用いた硝酸イオン除去方法および硝酸イオン回収方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、M↑(2+)↓(1−x)M↑(3+)↓x(OH)↓2[A↑(n−)]↓( x/n)・mH↓2O(式中、M↑(2+)はMgイオンお...
L200400743020040813光電変換素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の光電変換素子構造では、光化学系蛋白複合体と金ナノ微粒子を堆積させた電極とが複合化されて電子伝達経路を構成していることが特徴である。...
L200400742820040813重量移動式自立杖 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術において、通常の杖の使用状態から、杖上端部の把手の近傍に設けられている重錘用ラッチの操作レバーを利用者が指で押し込むだけで、杖本体内...
L200400742620040813二重ゲートMOSトランジスタおよび二重ゲートCMOSトランジスタ、その製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、基板上に絶縁物を介して用意された所定の高さの半導体結晶層に設けられた深さ が絶縁物に少なくとも達しかつ所定の開口面積を有する溝内...
L200400742520040813アンタゴニストポリペプチド 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アミノ酸配列中に、Leu−Tyr−Ala−Argなる配列を有し、かつ繊維芽細胞成長因子5(FGF−5)阻害活性を有するポリペプチドまたはその...
L200400742420040813セラミックス構造体の製造方法及びセラミックス構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 セラミックス原料粉末と水とを混練することによってセラミックス構造体用練土を調製し、調製されたセラミックス構造体用練土を所定形状に成形してセラ...
L200400742320040813セラミックス構造体用練土及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 セラミックス原料粉末100質量部と水5〜200質量部とを混練することによって製造される、セラミックス構造体の作製に用いられるセラミックス構造...
L200400742020040813サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 サファイア単結晶のR面(1102)またはA面(1120)から意図的に数度ずらしてカット・研磨したオフカット基板、バッファ層、(RE)Ba↓2...
L200400741920040813ユビキチン結合酵素固定化プロテインチップ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ユビキチン化経路を調節可能な調節物質をスクリーニングすべく、異なる複数のユビキチン結合酵素E2を、ハイドロゲルN−Hydroxysuccin...
L200400741520040813発泡焼結体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 貴金属、貴金属合金、銅、ニッケル、チタン等の金属粉または、シリカ、シリカアルミナ、カオリン、シリカチタニア等のセラミックス粉、粘稠性を有する...
L200400741420040813高気孔率発泡焼結体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、所定気孔形成用支持材を用い、これを所定粉と所定バインダーとのスラリーに混 合、攪拌するスラリー調製の前処理法が、課題解決に資する...
L200400741320040813ヘパラン硫酸糖鎖を付加したヘパリン結合性タンパク質、その製造方法及びそれを含有する医薬組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 組成の90%以上がヘパラン硫酸糖鎖である硫酸化グリコサミノグリカン糖鎖を共有結合させたヘパリン結合性タンパク質。尚、ヘパリン結合性タンパク質...
L200400741120040813自己免疫増強剤、その製造方法及びそれを用いた化粧料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 オゴノリ、ツルシラモ等のオゴノリ属紅藻から、リン酸塩緩衝液またはこれに塩化ナトリウムを添加した等の塩類水溶液による液体抽出物を有効成分とする...
L200400741020040813ニトロフェノール類化合物分解酵素遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (a)配列番号2に示されるアミノ酸配列を含むタンパク質、または(b)配列番号2に示されるアミノ酸配列において、1もしくは数個のアミノ酸が欠失...
L200400740920040813高圧装置の効率的な断熱方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、内部断熱構造を有する高温高圧装置において、セラミックス粒を加圧成形するこ とにより製造した、多孔質セラミックス体を断熱材とする高...
L200400740620040813ゼオライト膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルミナ、ムライト、ジルコニア及びSUSに代表される金属多孔質基板及び/または金属酸化物である多孔質基板上に、製膜したゼオライト膜であって、...
L200400740420040813分散乳化方法及び分散乳化装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、流量の大きい脱気した溶媒の流れに対して、通常、その溶媒に溶解しにくい液体 の小流量の流れを衝突させることによって、溶媒に液体を溶...
L200400740320040813超臨界二酸化炭素中でのマイクロエマルジョンを利用した金属ナノ微粒子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、亜臨界ないし超臨界の二酸化炭素を反応媒体として、水/二酸化炭素からなる逆 ミクロエマルジョンを形成し、ミセル中に含まれる金属イオ...
L200400740220040813成形材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、これまで140℃以下の熱水で抽出していたのを、160℃以上の加圧された液 体状態の熱水で抽出することにより、抽出物収率が大幅に向...
L200400740120040813耐熱性α−L−アラビノフラノシダーゼおよびその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)作用:p−ニトロフェニル−α−L−アラビノフラノシドを基質として作用させた場合、p−ニトロフェノールを遊離する、(2)至適温度:p−ニ...
L200400740020040813低次元シリケート及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化ケイ素(SiO↓4)4面体を最小構成要素とし、それらが層状またはひも状の低次元骨格構造を形成し、その骨格構造の空隙にアルカリ及びアルカ...
L200400739920040813超臨界二酸化炭素中での水素化反応によるシトラールからの不飽和アルコールの合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 水素及び触媒の存在下に、シトラールを水素化することにより、不飽和アルコールを製造する方法であって、亜臨界ないし超臨界状態の二酸化炭素を反応媒...
L200400739720040813液液多段抽出装置及び液液多段抽出法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の液液多段抽出装置においては、直立分離管を管壁に垂直な複数の隔壁により仕切る ことにより、複数のセルが直列連結されるようにする。各隔...
L200400739620040813応力発光材料を含む発光構造体、その発光構造体を用いた振動センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術にかかる発光構造体は、外力の強度に比例して発光強度を変化させる応力発光材料を 含んでなる発光構造体であって、応力発光材料を含む発光部...
L200400739520040813音と光を同時に発する無電源型発光装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、中空形状の音発生部に外力を受けてハンマー部がぶつかることで音発生部におい て音を発生させる。そしてハンマー部には、受容した外力を...
L200400739420040813微粒子分級方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の微粒子分級方法及び装置は、図示するように、遠心ローター内分離流路にて、分離対象とする微粒子試料を液相中において沈降速度法により分離す...
L200400739320040813多孔質フィルム及び多孔質フィルム製造方法に関するものである。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 直径5nm以上80nm以下の孔が多孔で単層で構成され、厚さが100nm以下で高分子化合物により形成されているフィルムシート。尚、高分子化合物...
L200400739020040813電磁場特性評価システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術において、パラメータ設定処理モジュールは、演算処理モジュールに対してパラメー タを設定する処理において、時間領域差分法を用いてマクス...
L200400738920040813音声情報伝達装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術において、音声情報伝達装置のスイッチをONにした状態で外部から音声がマイクロ フォンに入力されると、この音声信号が音声増幅部において...
L200400738720040813フェノール硬化物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 4−ヒドロキシ−3−メトキシ桂皮酸等のp−ヒドロキシ桂皮酸及び/またはp−ヒドロキシ桂皮アルコール残基を2つ以上分子内に有する誘導体及び/ま...
L200400738620040813内部に多孔構造を有する球状生体内分解性高分子/セラミックス複合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、揮発性溶媒に溶解させた生体内分解性高分子を水中に入れた後に撹拌し、その後 カルシウムイオンを含む溶液を加え、更に、リン酸イオンを...
L200400738420040813タンパク質巻き戻し成形体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高次構造が無秩序なため不活性である、大腸菌の発現系で生産されたタンパク質、熱履歴の原因で失活したタンパク質等のタンパク質の高次構造を整え活性...
L200400738320040813テルペン炭化水素合成反応法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温度100〜400℃、圧力0.1〜35MPaの、亜臨界または超臨界流体(例;水、アルコール類等)を反応溶媒として、触媒を用いることなく、プレ...
L200400738120040813有機ヨウ素化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)ヨウ素イオンを含む水性媒質中において、有機化合物に対して、Roseovarius 2S5−2(FERM P−19462)等のヨウ素酸化...
L200400738020040813音と光を同時に発する演奏装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、機械的な力(機械的エネルギー)を加えることによって発光する応力発光材料に 着目した。そして、この応力発光材料を微粒子状にして透明...
L200400737820040813ジアリルエーテル化合物の合成反応法とその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高温高圧状態の、亜臨界ないし超臨界流体(例;水、アルコール類等)を反応溶媒として、触媒を用いることなく、アリルアルコール化合物からジアリルエ...
L200400737620040813ナノ構造を有する固体表面の触媒機能により窒素化合物を合成する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノメートルスケールの凹凸を生じさせることで特異な触媒機能を発現させた、遷移金属元素の1種以上または遷移金属を含む酸化物もしくは硫化物である...
L200400737520040813向流クロマトグラフィー法及び向流クロマトグラフィー装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における液滴向流クロマトグラフィーにおいては、直立分離管を管壁に垂直な複数の 隔壁により仕切ることにより、複数(通常の長さの直立管で...
L200400737420040813音声情報伝達装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術において、搬送波抑圧変調部は、音声信号を搬送波により搬送波抑圧変調し、搬送波 抑圧信号を生成する。すなわち、生成された搬送波抑圧信号...
L200400737320040813改良耐熱性エンドグルカネース及びその遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 天然型耐熱性エンドグルカネースの全領域または耐熱性エンドグルカネース活性を示す一部の活性領域のシステイン残基の1または2以上が他の、アラニン...
L200400737120040813高耐熱導電性薄膜の製造方法、該製造方法によって得られる高耐熱導電性薄膜、および積層膜、並びに該積層膜を備えるデバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Ru、Rh、Pd、Ir及びPtからなる群より選択される白金族元素の少なくとも1種類の薄膜を形成し、この薄膜上にさらに、Y、Ti、W、Zr、N...
L200400736920040813インピーダンス整合振動抑制法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、質量要素とばね要素とから成る固定境界を持つ有限自由度振動系のインピーダン ス整合振動抑制法であって、制御器内に構成するインピーダ...
L200400736820040813感圧材料を用いたセンサ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、感圧色素を含有する材料を最大外形寸法が1〜500μmの微細な自立薄片又は 膜状若しくは梁状構造体、又は直径1〜500μmの微細な...
L200400736620040813新規生体試料標識用蛍光プローブとその調製法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術において、量子ドットは、2以上のカルボキシル基と量子ドットの結合可能な官能基 (例えばSH基)を有する化合物(即ちポリカルボン酸化合...
L200400736420040813粘土成形物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (@)カルボキシ含有糖化合物A及び/またはカルボキシル基含有リグニン物質、(A)脂肪族系エポキシ化合物等の多価エポキシ化合物、(B)多価アル...
L200400736320040813デュエルターゲット同時パルスレーザ蒸着手法による炭化ケイ素のn及びp型半導体の結晶薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、パルスレーザをターゲット物質に照射し、瞬間・パルス的にイオン、原子やクラ スター等の微粒子に分解・剥離(アブレーション)させて、...
L200400735920040813半導体ナノ粒子を分散した蛍光性ガラスとその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 疎水性の、イソオクタン(2,2,4−トリメチルペンタン)等の有機溶媒に、ビス(2−エチルヘキシル)スルホこはく酸ナトリウム(エーロゾルOT)...
L200400735820040813色彩コンフォートメータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術による色彩コンフォートメータは、評価対象の画像の色データを撮像装置にて取込み 、撮像装置により取り込んだ色データから撮像装置の色彩特...
L200400735520040813炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、SiC基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガスを添加することを特徴 とする。そして、この技術により得られたSiC平滑化基板...
L200400735320040813薄膜製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における、薄膜製造装置は、基板を保持する基板ステージと、複数のカバー手段と、 各カバー手段直下に基板ステージを位置させる手段とを有し...
L200400735120040813カルボラン誘導体新規化合物及びそれからなる自己組織化膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1):R↓1−A−R−S−H、または式(2):[R↓1−A−R−S]↓2[Aはパラカルボラン化合物;カルボラン化合物の12位にある置換基...
L200400735020040813インジゴ還元微生物及び当該インジゴ還元微生物を用いたインジゴの還元方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 生育pHがpH10〜12で、インジゴ還元能を有するアルカリバクテリウム属に属する微生物。尚、この微生物は、インジゴ還元能を有する、アルカリバ...
L200400734920040813透明材料の微細加工方法および微細構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 透明基板上にレーザー光を照射して、透明基板の表面にパターン化された有機薄膜とエッチング表面を形成する微細加工方法において、本発明では、透明基...
L200400734820040813マンガン酸リチウム系正極活物質及び全固体リチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 立方晶スピネル型構造を有するマンガン酸リチウムの化学組成及び粒度分布を精密に制御する ことにより、優れた電池特性を有する全固体リチウム二次電...
L200400734720040813アルミニウム焼結材の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 平均粒径が1〜10μmのアルミニウムを主成分とする粉末に、有機バイイダーを体積比で30〜50%の量で添加して混合することにより混練物を形成し...
L200400734620040813低弾性率アモルファス炭素繊維強化アルミニウム複合材料の製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 低弾性率の炭素繊維の長繊維及び短繊維並びに炭素粒子のうちの一種以上の炭素成分を強化材料とし、純アルミニウム及び/またはアルミニウム合金のアル...
L200400734420040813神経回路網電気活動調整装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 神経回路網に電気刺激を与えて該神経回路網の活動を調整する神経回路網電気活動調整装置であって、複数の電極を備えたプローブ1と、各々の電極によっ...
L200400734220040813有機半導体薄膜トランジスタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術においては、活性層が有機半導体材料により構成される薄膜トランジスタにあって、 活性層を構成する有機半導体材料中に金属又は半導体の微粒...
L200400734020040813化学物質測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は測定対象の化学物質とそれ以外の化学物質の酸化還元反応に伴う酸化還元電位の違 いに着目し、測定対象の化学物質を測定する電極の他に、測...
L200400733920040813ガス置換式吸蔵放電NOx処理方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、NOx吸着剤充填容器にNOx汚染ガスを流通させることによりNOx吸着剤に NOxを吸着させ、吸着動作終了時に、炭酸ガスをNOx吸...
L200400733820040813広帯域モード同期レーザー発振器及び発振方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、急峻な蛍光ピークを持つレーザー媒質において広帯域なモード同期発振を行うた めに、共振器鏡の反射率を制御して利得を平均化する事を最...
L200400733720040813有機薄膜トランジスタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、第1半導体層、ソース又はドレイン電極、 絶縁層、第2半導体層及びドレイン又はソース電極を有する...
L200400733620040813半導体装置及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、炭化珪素基板に厚い絶縁膜を形成しこれに窓開けし、通常のRCA洗浄をした 後、犠牲酸化膜を形成しフッ酸で除去した。次いで、100...
L200400733320040813水雰囲気レーザーアブレーション法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ターゲットを冷却して固化した後周囲環境を排気して真空にし、ターゲットに対向して配置した基板表面及びその周囲に水分子を供給し、固化したターゲッ...
L200400733020040813金属イオン検出フィルム、その製造方法、及びそれを用いた金属イオン定量方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における検出フィルムは、非水溶性又は難水溶性で、親水性溶媒に可溶性である金属 イオン検出試薬を、親水性溶媒に溶解し、これを水と混合攪...
L200400732920040813表面にナノ構造を有する窒素分子活性化材料及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、固体表面にナノ構造を導入し、それによって発現した触媒機能により窒素分子 を活性化することを可能とする、表面にナノ構造を有する窒...
L200400732820040813アルミナ基多孔質セラミックス及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、水硬性アルミナ粉末を主成分とするアルミナ基セラミックス原料粉末を、水と混練して成形、乾燥、焼成して、開気孔率が5%以上で、0.01...
L200400732720040813紫外線発光体用酸化亜鉛ナノ微粒子及び該ナノ微粒子が分散した溶液並びに同酸化亜鉛ナノ微粒子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化亜鉛ナノ微粒子が2nm〜100nm、好ましくは2nm〜15nmの平均粒径を有していることを特徴とする紫外線発光体用酸化亜鉛ナノ微粒子及び...
L200400732520040813マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマCVD装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部7aを基板支持体の外周縁部7bから隔離した位置に...
L200400732420040813セラミックスナノ粒子の水系湿式成形と高制御多孔質セラミックスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 セラミックス前駆体を加水分解してセラミックスナノ粒子を製造する方法であって、加水分解速度の速いセラミックス前駆体を用いて、その加水分解速度を...
L200400732320040813リチウム二次電池用正極材料及びその製造方法、ならびにそれを用いたリチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は出発物質、合成条件等を検討した結果、900℃〜1400℃での焼成によって、 高い結晶性の原料結晶材料が合成可能であり、かつ、高温で...
L200400732220040813アルカリ遷移金属酸化物結晶材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 化学組成式としてNa↓xMn↓(1−y)Ti↓yO↓2(0.40<x<0.50、0<y<0.56)で表記され、結晶構造として斜方晶系に属し、...
L200400732020040813キトサンを有効成分とする亜硝酸系化合物のスカベンジャー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、キトサンが亜硝酸及びその塩から選択される少なくとも1種の亜硝酸系化合物に 作用して、窒素ガスと水に分解し、その作用が、アミノ酸の...
L200400731920040813微小なドット又はラインを備えた低融点基板、マイクロプラズマによる堆積方法及び同装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、マイクロプラズマにより堆積する材料である金属等のワイヤーを、マイクロプラ ズマ発生用キャピラリー内に予め挿入しておき、誘導コイル...
L200400731820040813アルコール類の製造用触媒、その製造方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 低級飽和炭化水素及び低級不飽和炭化水素から選ばれる1種以上である炭化水素及び分子状酸素を、チタン酸化物等のチタン化合物を含む無機複合体触媒と...
L200400731420040813特異的アルカリ金属イオン吸着剤及び高純度リチウムまたは高純度セシウムの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、〔M↑1↓(8+x)M↑2↓xM↑3↓(22−x)O↓(59)・nH↓2 O〕(式中、M↑1は、水素元素及びアルカリ金属元素から...
L200400731120040813X線CT装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、測定物の移動方向に対して、微小距離だけ離して配置された2系統の高感度X線 検出器を備えたX線CT装置であって、2系統の高感度X線...
L200400731020040813金属又はセラミックス含有発泡焼結体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)金属又は(B)セラミックス粉末と、(C)ゲル化能を有する水溶性高分子と(D)発泡剤を含む混合物をゲル化させる。ゲル化させた混合物の形状...
L200400730920040813配電系統情報監視システムおよび系統情報監視システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術の配電系統情報監視システムは、各機器と配電系統情報監視所との間、および配電系 統情報監視所と中央給電指令所との間で情報交換を行うため...
L200400730720040813半導体薄膜作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、ターゲット上に、高周波コイルを設置し、これに高周波電流を流し、良質のプラ ズマを発生させることにより、半導体特性が優れたSiGe...
L200400730520040813多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術は、フッ化水素水溶液に依らないエッチングプロセスの確立を目指し、種々の処理液 を試行した結果、プロセスの脱フッ化水素化に成功したばか...
L200400730420040813拡散性の反射面を持つ反射型調光素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ガラスやプラスティック等の透明基板上に50−100nm程度の表面凸凹を 有する透明薄膜をつけ、その上に、Pd/Mg↓6Ni等の...
L200400730220040813屈折率分布領域を有するガラス材料の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 OH基を100ppm(重量)以上含有するガラス基材に、波長が2.1〜3.1μmのレーザー光を照射してガラス基材に屈折率分布領域を形成すること...
L200400730120040813光子検出器及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、金属基板上に絶縁層を形成する。絶縁層上に、表面を絶縁膜で被覆された金属 微粒子を、それ同士が密着せず散在するように、固定化する...
L200400730020040813蓄熱体、蓄熱装置及びその熱管理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、蓄熱体に充填されている潜熱蓄熱材の過冷却度を制御するために、蓄熱体の容 器の内側に対する潜熱蓄熱材の濡れ角を意図的に設定する。...
L200400729920040813蓄熱体、蓄熱装置およびその熱管理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、蓄熱体の潜熱蓄熱材が過冷却状態にある場合、その過冷却を解除するために蓄 熱体の断面積の小さい方の部分を再結晶化温度以下に冷却す...
L200400729720040813粒子位置制御システム、及び、粒子位置制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における粒子位置制御部は、トラップ照射位置に対して、トラップ位置で粒子を捕捉 するために必要な光量により、1本のレーザビームを照射し...
L200400729620040813脂肪族飽和カルボン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 反応基質の、炭素鎖中に1ヵ所以上の不飽和結合を有する炭素鎖が6〜30の脂肪族不飽和カルボン酸または脂肪族オレフィン系炭化水素を、分子状酸素含...
L200400729520040813プラズマ反応を利用した検体検査方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 容器に雰囲気ガスを封入し、この容器内に配設されたAFMチップのような先端が先鋭な金属構造物とプラス側の電極との間にギャップを形成して電位差を...
L200400729420040813量子サイズ効果を有する酸化亜鉛超微粒子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)溶媒中で還流させて溶解した(B)金属塩の溶液に、同じ溶媒中に溶解した(C)触媒の溶液を混合して成分Bを加水分解させ、金属酸化物の1〜5...
L200400729220040813低温プラズマを用いるガス中の総有機炭素のガス分析方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、有機炭素物質を含む分析ガス中の総有機炭素(TOC)量を計測する際に、全 ての有機炭素のCO↓2への転換を室温、常圧下において1...
L200400728820040813新規な無機化合物、それを用いた超硬材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ニオブ28%、炭素61%及び酸素11%の原子割合を有する立方晶ニオブオキシカーバイド。尚、基体表面に立方晶ニオブオキシカーバイド被覆層を形成...
L200400728720040813ラリアート型大環状化合物と金属錯体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(R↑1、R↑2はH、低級アルキル、分枝状低級アルキル、ハロゲン)で表される一級アミンを持つラリアート型大環状化合物。尚、式(U)(...
L200400728620040813光重合性脂質膜による膜内分子の水平拡散制御 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、無ないし低度重合脂質から構成され生体高分子が移動可能な少なくとも2つの易移動性区画及び高度重合脂質から構成され生体高分子の移動が制...
L200400728520040813二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたCMOS回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術におけるP形の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタの二つのゲート電極は、 電気的に接続され、更にN形の四端子二重絶縁ゲート電界効...
L200400728420040813バックライト装置及びマイクロミラーの作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術におけるマイクロミラーは、基板上に載置された薄板の一側端部を基板に接合した後 、薄板をレーザフォーミングして形成されている。また、マ...
L200400728320040813酸化ジルコニウム結晶粒子とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 平均粒子径が10nm以下で、結晶構造が制御された、単結晶粒子からなる酸化ジルコニウム結晶粒子を製造する方法であって、ジルコニウム化合物を、亜...
L200400728220040813ニオブ酸カリウム微結晶、その製造方法及びその応用製品 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基本構造が、一般式Nb↓2O↓5・xK↓2O(式中、xは、0.75〜1 .1の数である)で表される、緑色発光を示す2次の非線形...
L200400728120040813含リン有機ポリマーとその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)、式(2)または式(3)(nは2〜2500;R↑1、R↑3はアルキル、シクロアルキル、アリール;R↑4、R↑6はH、アルキル、アリー...