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L201500145620150911体操ができる椅子 宮西 和宏 旋回運動時に円周方向に向けた傾動に抗する弾性復元力は、第1・3支柱に内設したバネ挿入孔もしくは第2・4支柱に周設した収容部に納置する弾性部材...
L201500145520150911電子メール管理装置、電子メール管理方法、及びプログラム 株式会社 JSOL 電子メールを受信する受信部と、
上書きで更新される更新メールであることを示す情報である更新メール特徴情報が電子メールの件名または本文に含まれ...
L201500145420150911求償債権についての回収見込額算定装置,方法および回収見込額算定処理のためのプログラムを記録した媒体 株式会社 JSOL 求償債権に関連する情報を保有するテーブルを参照し,メモリ領域を利用して各債務者毎に求償債権の回収見込額を算出する。求償債権の債務者に関連する...
L201500145320150911自動書庫システム及び文書管理装置 株式会社 JSOL 自動書庫システム1は、自動書庫2に、領収書の貼付された経理処理申請書を収容する。また、経理処理申請書の画像データを文書管理装置3が記憶する。...
L201500145220150911開発管理システムおよび開発管理プログラム 株式会社 JSOL 問題点登録部10は、プログラムにおける問題点の名称情報と不具合モジュールの名称情報と修正スケジュール情報とを含む問題点情報が第1のコンピュー...
L201500145120150911開発支援システム及び開発支援用プログラム 株式会社 JSOL 製品開発プロジェクトの遂行を支援する開発支援システムにおいて、プロジェクトで実施する一群のタスクを少なくとも製品部位及びタスク内容で細分化し...
L201500145020150911開発支援システム及び開発支援プログラム 株式会社 JSOL 製品開発プロジェクトの実行中に担当者にナレッジ情報を提示する開発支援システムであって、開発対象製品の構成要素ごとに関連するキーワードを登録し...

 
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L200400728020040813微細孔を有するチューブ状アルミニウムケイ酸塩の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 無機ケイ素化合物溶液と無機アルミニウム化合物溶液を混合してアルミニウムケイ酸塩を形成させた後、脱塩処理して得られたアルミニウムケイ酸塩の分散...
L200400727920040813コレステリック液晶の物性特性の予測解析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、共通する骨格を有する一連のコレステリック液晶分子等の赤外円二色性スペク トルから有意な差異を有するバンドを抽出する装置、バンド...
L200400727820040813リソグラフィーマスク及び微細パターンを作製する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、シリコンウェハ又はガラス基板に、リソグラフィーマスクを用いて微細パター ンを作製する方法において、リソグラフィーマスクとして、...
L200400727720040813新規な金属クラスター集合体、ポリメチルメタクリレート金属クラスター複合体及びその新規な製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ポリメチルメタクリレートに対し、電子線を照射、又は電子線リソグラフィー の手法を適用して、電子線照射を行い、これに金属化合物を...
L200400727420040813ピリジン−N−オキシド類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 非水溶性のピリジン類油性溶液と過酸化水素水溶液を、周期律表第6族金属酸類触媒の存在下、不均一溶液で反応させることにより、ピリジン−N−オキシ...
L200400727320040813フッ素化反応用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における触媒は、多孔質支持体に、SbF↓nCl↓(5−n)(式中nは0〜5の数を示す)で表されるアンチモンフッ化物を担持させた構造を...
L200400727220040813金属錯体ナノワイヤー及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 両端に親水性基を有する双頭性脂質の中に金属錯体が埋め込まれた錯体化合物構造を備えていることを特徴とするナノワイヤー。尚、ナノワイヤーは、錯体...
L200400727120040813リチウム二次電池用正極材料及びその製造方法、ならびにそれを用いたリチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、化学組成式Li↓xMnO↓2(0.40<x<0.50)で表される正極材料を、出発原料であるNa↓xMnO↓2(0.40<x<0...
L200400727020040813水素製造用予備改質触媒及びそれを用いた水素の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ロジウム含有物質と、周期律表第6B族、第7B族及び又はランタノイド族金属から選ばれた少なくとも1種の金属を含む物質を、ジルコニ...
L200400726920040813パーフルオロフェニレン化合物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式T(Xはパーフルオロアルキル、ニトロ、ニトリル)で表されるパーフルオロアリール化合物と、(B)式U(R↑1〜R↑3は炭素数1〜3のア...
L200400726620040813テトラヒドロフラン環を含むアルコール由来の多分岐ポリオール 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式T(R↓1〜R↓4は水酸基、炭素数1〜30の炭化水素、a、b、c、d、は0〜10)、又は式U(R↓5〜R↓8は水酸基、炭素数1〜30...
L200400726220040813データベース及び解析サービスの操作統合システム、その方法、及びそのプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、DBシンボルとして、タンパク質、構造が、ASシンボルとして膜貫通部分予測、糖鎖結合部位予測、移送先予測、機能予測、三次元構造予...
L200400726020040813バイオセンサおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、板部材の基板部の表面には電極を含むパターンが形成されている。この電極のパターンは、図面下端側がL字状に折れ曲がり、このL字状の...
L200400725920040813試験状態の評価方法及び試験機及び試験条件の評価方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、試験評価中の被試験評価物の表面状態変化を、被試験物の同一場所において観察・画像記録を間歇的に行い、画像解析し、特徴抽出を行う方法に...
L2004007258200408131−インダノン類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(R↑1〜R↑4は、反応に関与しない1価の基)で表される芳香族炭化水素と式(U)(R↑5〜R↑7は、反応に関与しない1価の基)で表さ...
L200400725420040813ジメチルエーテル改質用触媒およびこれを用いる水素含有ガスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術におけるDME改質用触媒は、酸化ガリウム単独からなるか、或いは酸化ガリウムと金属酸化物の少なくとも1種とを配合乃至混合してなるもので...
L200400725320040813変異型耐熱性ハイグロマイシンホスホトランスフェラーゼ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 配列番号1で表されるアミノ酸配列中、少なくとも302番目までのアミノ酸配列を有するタンパク質において、Ala8Val、Asp20Gly、As...
L200400725120040813ドライエッチングによる垂直面作製方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における第1マスクパターンにおいては、マスクパターンのマスク遮光部と同様の第1中央マスク遮光部を中央に備えており、その第1中央マスク...
L200400725020040813半導体集積回路およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、シリコン基板上に、埋め込み酸化膜とシリコン結晶層をもつSOI(Silicon−On−Insulator)ウエハを用意し、熱酸化...
L200400724820040813ポリマー固定化チタン化合物、その製造方法及びそれからなるポリマー固定化ルイス酸触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)スチレン誘導体単位を含有する、ポリマー固定化α−グリコール(Aldrich,47541−6)と、(B)Ti(OR↑4)↓2X↓2(R↑...
L200400724720040813セルロースエステル、浸透気化分離膜及び浸透気化分離方法並びに浸透気化分離装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)セルロースジアセテートなどとハロゲン化ジニトロベンゾイルとを反応させて、式で表される修飾されたセルロースエステルを得る。これを(B)溶...
L200400724420040813二酸化炭素を使用した塗装方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、内部に塗装対象物を収容した高圧容器内に、塗料調整部から塗料を供給して、例えば、スプレーガンで噴霧し、塗装対照物表面に吹き付ける...
L200400724220040813熱物性測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、試料加熱電流のフィードバック制御により短時間だけ維持される温度一定状態の間に、放射温度計が測定する試料の面の裏面に対して、デー...
L200400724120040813イオン性液体を用いたグリコール酸およびそのエステルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)スルホン酸と(B)イオン性液体の存在下で、(C)ホルムアルデヒドと(D)一酸化炭素と水とを反応させて、グリコール酸及びグリコール酸エス...
L200400680420040723高温炭酸ガス吸収材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の炭酸ガス吸収材は、カルシウムシリケート系の800〜1000℃の高温域における炭酸ガスの吸収及び放出反応を利用して、高温におけるカルシ...
L200400680320040723排ガス中の炭化水素燃焼用触媒及び排ガス中の炭化水素燃焼方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の排ガス中の炭化水素燃焼用触媒は、組成式:Li↓[↓(↓4↓−↓x↓)↓/↓3↓]↓−↓yMn↓(↓2↓−↓2↓x↓)↓/↓3Fe↓x...
L200400680120040723プロトン導電性ペロブスカイト型複合酸化物焼結体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のプロトン導電性ペロブスカイト型複合酸化物焼結体は、組成式:(La↓0↓.↓8Sr↓0↓.↓2)ScO↓2↓.↓9で表されるペロブスカ...
L200400680020040723モノアザクラウン化クロメン 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のモノアザクラウン化クロメンは、図に示す一般式(式中、nは0〜5の整数を示す。)で表される。本発明のモノアザクラウン化クロメンは、文献...
L200400679920040723クロメン化カリックスアレン 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明によるクロメン化カリックスアレンは、図に示す一般式(式中、nは1〜4の整数を示す。)で表される。本発明によるイオン応答性フォトクロミッ...
L200400679720040723炭酸ガス吸収材及びその用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の炭酸ガス吸収材は、800〜1000℃の高温域において可逆的に炭酸ガスを吸収及び放出し、かつ高温におけるカルシアの焼結による炭酸ガス吸...
L200400679620040723キラルアルコキシ基を有する光学活性ポリフェニルアセチレン及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の光学活性ポリフェニルアセチレンは、図1の一般式(式中、Rは2級炭素原子を有する炭素数4以上のアルコキシ基、nは10以上の整数である。...
L200400679420040723圧電センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧電センサは、図に示すように、圧力伝達手段と、圧力伝達手段により伝達される圧力を受けて電気信号に変換する圧電素子と、を含む圧力検知手...
L200400679320040723新規微生物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の新規な微生物は、Sphingomonas属に属する微生物で、16S rRNA遺伝子(16S rDNA)の塩基配列が、配列番号1または配...
L200400678820040723非対称ジスルフィド化合物とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の非対称ジスルフィド化合物は、図に示す一般式で表される。(式中、R↑1は炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜8のシクロアルキル基、炭素...
L200400678720040723ポリアセチレン系ポリマー、その製造方法、及びそれを有する導電用材料及び感圧材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のポリアセチレン系ポリマーは、図1に示す一般式〔式中、R↑1は水素、炭化水素基、又はヘテロ原子を含む置換基、R↑2は水素、炭化水素基、...
L200400678620040723ポリフェニルアセチレン系ポリマー、その製法、及びそれを有する導電用材料及び刺激応答材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のポリフェニルアセチレン系ポリマーは、図1に示す一般式(式中、Rは炭化水素基、又はヘテロ原子を含む置換基、Z↑1、Z↑2、Z↑3、Z↑...
L200400678520040723超高温度測定装置および超高温度用ガスセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の超高温度測定装置は、図のように、超高温度雰囲気中に炭素材料試験片を配置し、試験片の両端に試験片と異なる炭素材料端子を固定する。さらに...
L200400678420040723圧力センサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧力センサーは、図1に示す式(式中、Rはアルコキシ基、Z↑1、Z↑2、Z↑3及びZ↑4はそれぞれ独立して水素、炭化水素基又はヘテロ原...
L200400678320040723可燃性ガスセンサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のガス検知方法は、触媒材として、金系貴金属合金、金と酸化物の複合体又は金系貴金属合金と酸化物複合体からなる複合触媒部材を用いる。この触...
L200400678220040723光導波路への光導入方法及びそれを用いた光導波路分光測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明では、光導波路コアへ光を導入する手段として、従来のカップリングプリズムを使用せずに液滴を使用する。図示のように、光導波路コア11に接す...
L200400677820040723賦活培養を行わずに、宿主細胞に高効率でポリヌクレオチドを導入する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、宿主細胞にポリヌクレオチドを導入する方法であって、エレクトロポレーション、リポフェクション等の方法により宿主細胞にポリヌクレオチド...
L200400677720040723視線位置計測における頭部の動きのズレを補正する方法及びシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の視線位置計測における頭部の動きのズレを補正する方法及びシステムは、被験者において、反射位置が角膜上に位置するように配置された光源によ...
L200400677620040723多孔性フッ化アルミニウム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、活性が高く、取り扱いが容易で高温でも使用できるフッ素化剤ないしは触媒となり、これを用いてヒドロフルオロカーボンなどのフルオロ化合物...
L200400677220040723アパタイト複合体の製造方法、その複合体及び環境浄化材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、基体表面にリン酸カルシウムを強固に付着させたアパタイト複合体を製造する方法であって、カルシウムイオンを含み、実質的にリン酸イオンを...
L200400677020040723骨形成を促進する水溶性タンパク質−リン酸カルシウム複合体およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明に係るタンパク質−リン酸カルシウム複合体の製造方法は、水溶性タンパク質1分子および/または水溶性タンパク質会合体からなる水溶性タンパク...
L200400676920040723含フッ素エーテルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は多孔性の金属フッ化物の存在下で不飽和エーテル化合物にフッ素ガスを反応させることによる含フッ素エーテルを製造する方法を提供するものであ...
L200400676820040723オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、ハロゲン化イリジウム化合物と有機配位子とを、反応させてオルトメタル化イリジウム錯体を製造す...
L200400676720040723オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、有機配位子の使用量を架橋ダイマーに対して化学量論的に10当量以上として、架橋ダイマーと有機配位子とを反応させてオルトメタル化イリジ...
L200400676620040723オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、ハロゲン化イリジウム化合物と有機配位子を反応させて、オルトメタル化イリジウム錯体を製造する...
L200400676520040723ダイヤモンド粉末の表面処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、ダイヤモンド粉末と下記一般式で表されるペルフルオロアゾアルカンを、溶液中に存在させて、紫外光を照射することによりダイヤモンド粉末の...
L200400676320040723動作圧可変型圧力リリーフ弁 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、内部の作動流体の圧力が所定以上の時にリリーフを行う際、リリーフした作動流体が外部に排出されることなく動作できる動作圧可変型圧力リリ...
L200400676220040723無機質膜の剥離力測定方法及び測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、荷重付加装置により基盤表面上の無機質材料膜に球状圧子を押圧する負荷と、負荷を除去する除荷を繰り返しつつ負荷を増大させ、各負荷の荷重...
L200400676020040723ベッセルビーム生成方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1に本発明の一つのベッセルビーム生成装置を示す。真空中での波長が633nmであるHe−Neレーザー(図示せず)からの光は、光学系(図示せず...
L200400675920040723アミノピリミジン系化合物を含む電解質溶液を用いた光電変換素子及びそれを用いた色素増感型太陽電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、アミノピリミジン系化合物からなる電解質溶液を用いることにより、開放電圧が高く、高い光電変換効率を発現する半導体層電極、対電極、電解...
L200400675720040723電圧標準装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の電圧標準装置は、図示の様にジョセフソン接合アレーの直列接続のジョセフソン接合を3の冪乗個の個数で区切った区間ごとに設けたバイアス電流...
L200400675620040723アクチュエータおよびセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のアクチュエータは、段差形状あるいは深溝等の凹凸を有する基板表面に、微粒子化した機能性材料の液滴を圧縮した噴霧ガスとともに塗布するスプ...
L200400675520040723結晶性層状化合物とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、ケイ素5員環構造を有するシリケート骨格で形成され、それらの並列層間にイオン半径1.0オングストローム以上の陽イオン、及び、直径3....
L200400675420040723芳香族ヒドロキシ化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、芳香族化合物と酸化剤を反応させて、芳香族化合物の環を形成する炭素とそれに結合する水素、すなわち炭素−水素結合の少なくとも一部を炭素...
L200400675320040723超微粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二個の配位原子をもつ化合物(ジアルデヒドとジアミン)からなるイミン化合物が銅イオンと錯形成することによって二本の配位子鎖が三次元的に架橋され...
L200400675120040723通電焼結における離型性に優れる型材料及びそれを用いた成形部材 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、導電性セラミックスに酸化ジルコニウムを含有させて、通電時の電気の流れにしたがう酸化ジルコニウムの酸素の移動を利用し、成形体と型との...
L200400675020040723熱放射源 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、特定の波長領域で高い放射率を有する波長選択型熱放射材料を用いた暖房加熱装置において、図に示しているように、加熱装置が動作中であるか...
L200400674920040723光ファイバひずみセンサ装置及びひずみの検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明はファイバ・ブラッグ・グレーティング(FBG)センサを用いてひずみ変化を検出するための方法に関するものであり、材料・構造体の微視損傷発...
L200400674820040723水素吸収材料の特性評価装置及び特性評価方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の、水素吸蔵材料の特性評価装置は、図にあるように、試料容器49、蓄圧器50、圧力センサー47、それらを接続する配管、バルブ52〜57、...
L200400674720040723地質構造及び水理のモデリング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明による地質構造及び水理のモデリング装置は、底板、側板、正面透明板及び背面透明板で構成される矩形土槽と、矩形土槽内の模擬地層に水平の力を...
L200400674620040723力覚型ヒューマンナビゲーションシステム、それに用いるデバイス、およびその方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示するように、誘導用の地図を見ないでも人を目的地に誘導するための装置として、目的地入力装置102、位置・方位測定装置103、地図...
L200400674520040723冗長システム、冗長システム構成システムおよび冗長システム構成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の冗長システムは、図に示しているように、計算機システムの通常のデータを処理または通信するシステム機能の第1レベルモジュールと、通常のデ...
L200400674420040723試料霧化導入装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、試料を霧化するネブライザーと、ネブライザーにより霧化された試料が導入されるスプレーチャンバーとから成る試料霧化導入装置において、試...
L200400674220040723有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明においては、図に示すように、基板10、ゲート電極20、絶縁層30、半導体層50、ソースまたはドレイン電極60、ドレインまたはソース電極...
L200400674120040723熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、温度差を信号源とするセンサ素子の構成要素である局部的な温度差を電気信号に変換する熱電変換材料部の部材としてのSiGe系の半導体薄膜...
L200400674020040723超伝導集積回路 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の超伝導集積回路では、図示するように、脈流電源のレギュレータは直流バイアス正弦交流電源に複数接合の超伝導量子干渉素子SQUID(Sup...
L200400673920040723限流器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の減流器は、図に示すように、一次巻線1と二次巻線2を経由する閉じた閉磁路を形成し得る固定鉄心11に、第1突部11aと第2突部11bとを...
L200400634220040702光パルスのタイミングジッター低減方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光パルスのタイミングジッター低減方法は、光路に光ファイバを用いたマッハ・ツェンダー型干渉計において、光路差に起因する光伝搬の遅延時間がレーザ...
L200400634020040702空中写真地図作成装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 地図情報を作成する装置は、図のように、観測船、該観測船に繋留された気球又は小型飛行船及びデータ処理装置から成り、上記気球又は小型飛行船で上記...
L200400633820040702光干渉計における外乱の測定装置および高精度光干渉計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光干渉計における外乱の測定装置は、図に示すように、物体光と参照光との間に鋸波状に変化する位相差を与え、その結果干渉光強度が正弦波的に変化する...
L200400633720040702DNA分子識別機能材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 DNA分子識別機能材料は、DNA分子形状鋳型を有するポリマーからなり、該DNA分子形状鋳型は、所定形状の二本鎖DNAを捕捉する大きさの空孔を...
L200400633620040702高抵抗測定方法および高抵抗測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高抵抗測定方法は、図のように第1、第2、第3点のそれぞれに3抵抗器の一端が接続されるようにして該3抵抗器により第1の抵抗Y回路を構成し、第4...
L200400633520040702リベット穴又はボルト穴の作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 リベット穴又はボルト穴の作製方法は、図に示すように、摩擦撹拌用工具による摩擦撹拌現象を利用して、被加工材にリベット穴又はボルト穴を作製する方...
L200400633420040702熱電変換装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱電変換装置は、図に示すように、イオン導電性の電解質媒体の一方の端部を第1の端子に接続された、酸化または還元されて電子の放出または電子との結...
L200400633320040702認証システム、光放射装置、認証装置および認証方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 認証システムは、図に示すように、認証情報が組み込まれた画像を表示出力する表示手段と、表示出力された画像の光を画素ごとに所定角度に散乱させる第...
L200400633220040702アクティブダブルジョイント式加圧機構 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アクティブダブルジョイント式加圧機構は、図のように、所定のパターンを備えたパターン部材を固定する押圧部材と、各々一端部で押圧部材の左右と回動...
L200400633120040702燃料電池用負極触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 燃料電池用負極触媒は、金微粒子からなる。特に金微粒子を導電性担体に担持させた金微粒子担持体からなる。燃料電池用負極触媒は、(1)金微粒子、並...
L200400632920040702二酸化炭素の電解還元用電極材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、黒鉛に金属塩化物がインターカレートされた黒鉛層間化合物からなる二酸化炭素の電解還元用電極材料、及び該電極材料を陰極として二酸化炭素...
L200400632720040702窒素含有酸化チタン系光触媒及びそれを用いる環境汚染ガスの浄化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の窒素含有酸化チタン系光触媒を製造するには、まず、四塩化チタン等のハロゲン化チタン、チタンアルコキシド、オキシ硫酸チタン等のチタン化合...
L200400632620040702蛋白質と複合化したアパタイトハイドロゲル、その固化体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、リン酸とカルシウムを含む過飽和な水溶液を長期間熟成させることにより微細なアパタイトハイドロゲルを製造するものであり、微細なアパタイ...
L200400632420040702マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた調光ミラーガラスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた調光ミラー材料を製造する方法であって、(1)組成がMgNi↓x(0.1<x<0.3)のマグネ...
L200400632320040702水底生態系調査用撮影装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の水底生態系調査用撮影装置は、操作船上あるいは陸上から操作されて水底を撮影可能な遠隔作業用水中ロボットを備え、遠隔作業用水中ロボットの...
L200400632120040702超軽量セラミックフォームおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の超軽量セラミックフォームは、金属アルコキシドを溶解した非水溶媒中にセラミック短繊維を加えて撹拌することにより、短繊維を分散させ、それ...
L200400632020040702表面微細構造体とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、ガラス状炭素基材表面に平均径150〜400nm、平均長300〜2000nmの柱状体が150〜400nmの間隔で形成されている表面微...
L200400631920040702複合酸化物結晶の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、(1)Sr化合物の少なくとも1種と(2)Co化合物の少なくとも1種とを含む原料混合物を、(3)Sr塩化物を含む溶融材料とともに融解...
L200400631820040702磁性粒子の脱着・回収方法およびその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の磁性粒子の脱着・回収方法は、空気のMaxcondentherm point(多成分流体の、気相と液相が共存しうる最高の温度とそこでの...
L200400554520040604半凝固金属及び微細球状化された組織を有する金属素材の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の金属組織の球状化方法は、電磁振動力や超音波振動力などの高エネルギー振動力を溶融金属に直接付与することにより、溶融金属中にキャビテーシ...
L200400554420040604新規な炭素物質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の炭素物質は、グラファイト構造を有し、常温で20GPa以上に加圧したときに金属的状態を示すことを特徴とする。この炭素物質は炭素のみから...
L200400554320040604金属酸化物、金属窒化物又は金属炭化物コート炭素微粉末及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、比表面積の大きい炭素微粉末の表面上に、金属酸化物、金属窒化物又は金属炭化物の薄膜層が均一にコーティングされた金属酸化物、金属窒化物...
L200400554220040604窒化物半導体積層体及びその成長方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の窒化物半導体積層体の成長方法は、V族面の結晶とIII族面の結晶を含む窒化物半導体の結晶成長と、V族面の結晶をIII族面の結晶へ再配列...
L200400553920040604活性酸素を包含した無機化合物及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の無機化合物は、活性酸素発現機構を有する、活性酸素を包含あるいは吸蔵した無機化合物であって、スーパーオキサイドアニオン(O↓2↑−)及...
L200400553820040604窒化炭素の合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の窒化炭素の合成方法は、炭素と窒素のみからなる光反応性前駆体を極低温凝固相の内部に含有してなる固体状マトリックス媒体に光を照射し、光反...
L200400553620040604マイクロレンズ、マイクロレンズアレーおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のマイクロレンズは、基板上に、厚み方向に組成を変化させることにより粘性と屈折率のそれぞれを任意の値に制御した透明ガラスからなり、マイク...
L200400553520040604試料駆動装置の試料冷却方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の試料駆動装置の試料冷却方法は、試料の位置や方位制御を行う駆動装置の先端の構造体を第1段目の低温維持装置により冷却を行い、駆動装置の本...
L200400553220040604シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のシャワーヘッドは、半導体基板表面に対し反応性ガスを均一な濃度で供給すると共に排気するシャワーヘッドにおいて、シャワーヘッドに反応ガス...
L200400553120040604インプリント方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のインプリント方法は、モールドに形成した凹凸形状を基材表面上に塗布されたレジスト層あるいは供給されたレジストに転写するインプリントを、...
L200400552820040604酸化コバルト担持アルミノシリケート触媒及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の酸化コバルト担持アルミノシリケート触媒は、活性酸素(スーパーオキサイド、パーオキサイド)を構造中に包含又は吸蔵するアルミノシリケート...
L200400552720040604カリウム−マンガン含有複合酸化物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の複合酸化物は、組成式:K↓xM↓yMn↓2O↓z(式中、Mは、Li、Na、Mg、Al、Ca、Sr、Bi、Pb、Ba、Y、La、Ce、...
L200400552620040604金属性セラミック粉末及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の金属性セラミック粉末は、炭化チタン(TiC)の含有量が1wt%以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド(Ti↓3SiC↓2...
L200400552520040604複合酸化物単結晶とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の複合酸化物単結晶の製造方法は、Ca化合物、Co化合物およびSr化合物のそれぞれ少なくとも一種を含む原料配合物を加熱溶融した後、冷却す...
L200400552420040604高強度チタン合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の高強度チタン合金の製造方法は、0.5〜10原子%の鉄と0.5〜15原子%のシリコンを両方含有したチタン合金を、機械的合金化法によって...
L200400552220040604水分量測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の固体水分量測定方法は、固体に含まれ、種々の存在状態にある水の個別定量法であって、(1)熱分析装置試料室に相対湿度を20〜90%に制御...
L200400552120040604イオン濃度の定量方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の特定イオン濃度の定量方法及び装置は、図に示すようにアノード室1とカソード室2の間が陰イオン交換膜3により仕切られた電解槽のアノード室...
L200400552020040604高誘電率薄膜及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の高誘電率薄膜の作製方法は、シリコン基板上に、希土類金属とシクロペンタジエン系有機物から成る有機金属を原料とし、MOCVD法により金属...
L200400551920040604酸化窒化物熱電変換材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この発明の酸化窒化物熱電変換材料は、一般式:Al↓zGa↓yIn↓xM↓uR↓vO↓sN↓t (式中、Mは遷移元素であり、Rは希土類元素であ...
L200400551820040604遮水材料及びその成型体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の遮水材料は、遮水性能とヒ素除去性能を有する遮水材料であって、まさ土及びベントナイトを含む混合土からなることを特徴とし、ベントナイト混...
L200400551620040604人間型ロボットの遠隔制御装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の人間型ロボットの遠隔制御装置は、オペレータの操作により人間型ロボットに操作に応じた動作指令を与えるロボット操縦装置を備え、人間型ロボ...
L200400551520040604歩行ロボットの歩行歩容生成装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のZMPの予見情報を利用した歩行ロボットの歩行歩容生成装置は、ZMPの目標軌道から歩行運動を作り出す歩行ロボットの歩行歩容生成装置であ...
L200400551420040604有機修飾したシリカ多孔体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の有機修飾したシリカ多孔体の製造方法及びそのシリカ多孔体は、両親媒性の有機官能基を有するシラン化合物により表面修飾されたシリカ多孔体を...
L200400551320040604蛍光ガラスおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の蛍光ガラスの製造方法は、イオン注入法により、銅元素のイオンおよびハロゲン元素のイオンを、SiO↓2を70モル%以上含むガラスからなる...
L200400551120040604回折格子およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の回折格子の製造方法は、GeO↓2、B↓2O↓3およびSiO↓2からなるガラス材料に紫外線を照射することにより、ガラス材料の屈折率を周...
L200400551020040604回折格子型光機能素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、光信号を導波する光路の途中に、当該光路に沿ってブラッグ回折格子が形成され、その格子の回折による透過ピークあるいは反射ピークを利用す...
L200400550620040604マイクロ高圧流体接触装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、少なくとも2つの流体を高圧条件下で接触させるマイクロ高圧流体接触装置であって、少なくとも2つの流体を装置内部へ流入させる少なくとも...
L200400550520040604水素製造用触媒及びそれを用いた水素の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の炭化水素の分解反応に用いる水素製造用触媒は、ジルコニア系担体に、ニッケル含有物質と周期律表第Ia族金属又はIIa族金属から選ばれた少...
L200400550420040604気体透過膜使用装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の気体透過膜使用装置は、気体透過膜で隔離された供給室と透過室とを有する気体透過膜使用装置であって、減圧弁とその下流にある抵抗体からなる...
L200400550320040604COシフト反応用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のCOシフト反応用触媒は、酸化銅、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムおよび酸化マンガンを必須成分とすることを特徴とする。好ま...
L200400550220040604マニピュレータの動作予告装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のマニピュレータの動作予告装置は、投影装置により、ロボットの動作予告を行うマニピュレータの動作予告装置であって、投影装置はロボットのマ...
L200400550120040604射出成形機 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の射出成形機は、外部の駆動装置により進退自在に配置し、内部に溶融射出材を貯留する室を備え、先端にピストン前進時に閉じ後退時に開き該室の...
L200400550020040604チタン基複合材料における潤滑システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の潤滑システムは、しゅう動部位の摩擦及び摩耗を低減させるための潤滑システムであって、セラミックスを10〜40wt%含有するチタン基複合...
L200400549720040604タンパク質情報処理装置および方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のタンパク質情報処理装置は、候補タンパク質がターゲットの1回膜貫通領域含有タンパク質であるか否かを判別するために用いられるタンパク質情...
L200400549620040604無脊椎動物電位依存性カルシウムチャネル作用薬スクリーニング材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の無脊椎動物電位依存性カルシウムチャネル作用薬をスクリーニングするための材料は、ヤリイカ電位依存性カルシウムチャネルα1サブユニット(...
L200400549520040604パスワード認証装置およびパスワード認証方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のパスワード認証装置は、利用者以外からは見ることが困難な表示手段と、利用者以外から入力操作を容易に見ることができる入力手段と、データ処...
L200400549420040604光誘起表面レリーフに基づく情報記録方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の情報記録再生方法は、アゾベンゼン部位を有するポリマー薄膜に対し、光を照射することにより形成される異方性を有するパターンを利用する情報...
L200400549320040604X線発生装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のX線発生装置は、標的物質にパルスレーザー光を集光照射して標的物質をプラズマ化し、プラズマより輻射されるX線を利用するX線発生装置であ...
L200400549220040604硝酸イオン吸着剤、その製造方法、それを用いた硝酸イオン除去方法及び硝酸イオン回収方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の硝酸イオン吸着剤は、一般式M↑I↑I↓1↓−↓xM↑I↑I↑I↓x(OH)↓2A↑n↑−↓x↓/↓n・mH↓2O(式中のM↑I↑Iは...
L200400549020040604リチウムフェライト複合酸化物とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のリチウムフェライト系複合酸化物は、層状岩塩型構造を有しており、酸素4配位4価鉄イオンを含み、組成式Li↓1↓+↓x↓−↓z(Fe↓y...
L200400548820040604ヘキサアルミネート多孔質セラミックス及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のヘキサアルミネート多孔質セラミックスの製造方法は、水硬性アルミネート粉末と、酸化アルミニウム粉末及び/又は酸化アルミニウム水和物粉末...
L200400548720040604配管内面処理監視方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の不動態化監視方法は、被処理部品内面にオゾンによる不動態化処理を施す工程における不動態化監視方法であり、部品内にオゾンを一定時間封入し...
L200400548620040604擬似噴霧液滴、その発生方法及び製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の擬似噴霧液滴は、粒子性状が一定であり、時系列変化がない固体粒子の粒子群から構成されることを特徴とする。また疑似噴霧液滴の製造方法は、...
L200400548520040604非対称ジスルフィド化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↑1は炭素数1〜8アルキル、炭素数3〜8シクロアルキル等;R↑3は炭素数1〜12ペルフルオロアルキル、炭素数1〜12アルキル等;nは...
L200400548420040604ポリエチレンイソフタレート環状二量体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 イソフタル酸ジエステル(例:イソフタル酸ジメチル)と、エチレングリコールジエステル(例:エチレングリコール二酢酸)との異種エステル間交換反応...
L200400548320040604高温高圧水有機化合物製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 環状有機化合物から、酸化剤の存在下で、超臨界、亜臨界または高温高圧(200℃及び5MPa以上)条件の水を反応媒体とする酸化反応により、環状ケ...
L200400548120040604ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 紫外線照射部を有するポリメチルメタクリレート基板に、重金属化合物の蒸気を接触させて、紫外線照射部に重金属ナノ粒子を形成させることにより、ポリ...
L200400547920040604カルボキシル末端の遺伝子を改変することにより組換え蛋白質を大量に発現させる方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 蛋白質の遺伝子を発現可能な宿主に組み込み、組換え蛋白質を発現させる際に、組換え蛋白質のカルボキシル末端領域(全アミノ酸領域のカルボキシル末端...
L200400547820040604アルキレンカーボネートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 置換または非置換アルキレンオキシド(例:プロピレンオキシド)と二酸化炭素とを、イミダゾール塩系イオン性溶媒(例:1−エチル−3−メチルイミダ...
L200400547720040604芳香族ヒドロキシ化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 芳香族化合物と酸化剤を反応させて芳香族ヒドロキシ化合物を製造する際に、芳香族化合物が超臨界及び/または亜臨界状態になる条件で反応を行う。酸化...
L200400547620040604芳香族カルボン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルキル置換芳香族化合物と酸化剤を反応媒体の存在下で反応させて芳香族カルボン酸を製造する際に、反応媒体として超臨界水及び/または亜臨界水を用...
L200400547520040604ポリカーボネートの分子量および分子量分布の制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(Ar↑1〜Ar↑3は置換基を有してもよい芳香族基)で表される有機リン化合物の存在下に、ポリカーボネートを加熱処理することにより分子...
L200400547320040604アクリル酸及び/またはピルビン酸の合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高温高圧水(350℃以上、20MPa以上)、好ましくは超臨界点(374℃以上、22.1MPa以上)の水を反応溶媒として、乳酸からアクリル酸及...
L200400547220040604スーパー螺旋共役構造を有するポリアセチレン及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[Rはo−、m−、p−フェニル−C↓xH↓2↓x↓+↓1;o−、m−、p−フェニル−OC↓xH↓2↓x↓+↓1;o−、m−、p−フェ...
L200400547120040604化学物質の選択的吸着除去剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この吸着除去剤は、ビニル基導入アミロースと、吸着除去しようとする化学物質とを、この化学物質を鋳型分子として包摂錯体を形成させた後、メチルビス...
L200400547020040604分化細胞の作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)血管内皮由来細胞を、増殖因子を含有する例えばM199等の培地中で培養し、次いで(B)培養した細胞の培地から、増殖因子を除き、または増殖...
L200400546920040604分子配向の揃った球状微粒子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式A(Xは1〜3の整数;Yは8〜20の整数;Rは水素、炭素数1〜5のアルキル)で表される化合物からなる、粒径が0.01〜100μmである球状...
L200400546720040604微生物によるゴムの分解方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ノカルディアRd−Cm等の天然ゴム分解菌を、廃タイヤ等の天然ゴム加工物を裁断して得られた直径1〜2.5mm程度のゴム細片を含む培養液中で培養...
L200400517220040514血液フィルター 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、血液フィルターとして有効なポリマー表面処理を、大気圧下で、不活性ガスとモノマーガスをポリマーの表面に連続的に又は間欠的に導入しなが...
L200400517020040514抵抗型酸素センサとそれを使った酸素センサ装置及び空燃比制御システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の抵抗型酸素センサは、酸素ガス検出部分が酸化物半導体からなり、酸化物半導体が、セリウムイオンとジルコニウムイオンを含む酸化物であり、ジ...
L200400516920040514粉体の粒径分布測定方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、凝集性粉体を超臨界流体中に懸濁させると、超臨界流体との接触によって、粉体に凝集力を与えている原因が除去され、或いは凝集性の程度が大...
L200400516820040514金属酸化物修飾したメソポーラスSiO2薄膜を用いて、SPV(表面光電圧法)NOxガスセンサーの感度と選択性の改善 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示するような構造のSPV(表面光電圧)ガスセンサーを提供するものであり、新しい金属酸化物修飾したメソポーラスSiO2薄膜を次の様...
L200400516620040514イミンまたはヒドラゾンの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、金を含む触媒と、酸又はアンモニウム塩の存在下に、アルキン化合物にアミン化合物を反応させてイミン類またはヒドラゾン類を高い触媒効率と...
L200400516520040514二酸化炭素を原料とする高級アルコールの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、反応温度で液体となる有機・無機塩から構成される非水系イオン性溶媒を用いた場合には副反応である水素化反応を制御することができ、水素化...
L200400516420040514酸化亜鉛多結晶チューブ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示するように、2価の亜鉛イオン及び3価の金属イオン混合水溶液を調製し、それに水溶性アニオン界面活性剤を混合し、沈澱形成剤を加え、...
L200400516320040514金属水素化物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、SrAl↓2、Ba↓7Al↓13の二元合金は水素と高温、加圧下で反応して、高い水素吸蔵特性を有する金属水素化物を提供し、広い用途に...
L200400516220040514酸化物半導体単結晶の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の製造方法は、CuAlO↓2を初晶として析出させ得る組成範囲内の溶液を酸化銅CuOと酸化アルミニュウムAl↓2O↓3から構成し、その融...
L200400516120040514ロボットマニピュレータによる物体操作方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、ロボットによる物体操作を容易にするために、物体に操作を行う部位の位置座標と操作方法を書き込んだタグを貼り付け、リーダからその情報を...
L200400516020040514エアロゾル粒子の発生分散方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、超臨界流体を利用して凝集性固体をエアロゾルとして一次粒子まで分散しようとするものである。図示するように、エアロゾル形成物質を超臨界...
L200400515820040514燃焼触媒用カーボン担体および燃焼触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、黒鉛結晶子の平均面間隔d002が0.346nm以下であるカーボンからなる燃焼触媒用カーボン担体及びこれに貴金属を担持させた燃焼触媒...
L200400515720040514高選択性脱リン剤及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示の一般式で表わされる複合金属水酸化物の結晶の加熱処理物を有効成分とし、かつ水に溶存しているリンの硫酸イオンに対する選択係数が5...
L200400515620040514ヘリウム3冷凍機利用磁化測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図は本発明のヘリウム3冷凍機利用磁化測定装置の構造を模式的に示すと共に、磁化測定装置用制御装置のソフト構成を示している。ヘリウム3冷凍機利用...
L200400515420040514抵抗型酸素センサとそれを使った酸素センサ装置及び空燃比制御システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、抵抗が、酸素分圧と温度に依存するガス検出部分と、温度のみに依存する温度補償部分が、例えば、図に示すように、基板に配置された抵抗型酸...
L200400515320040514光ファイバーセンサ及び応力計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の光ファイバーセンサは、光ファイバーの端部に、応力の大きさに比例して発光強度が増大する応力発光材料を有する発光部が設けられているととも...
L200400515220040514単一光子検出器評価装置、そのためのプログラムおよび記録媒体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の単一光子検出器評価装置は、アバランシェフォトダイオードを受光素子とする単一光子検出器、検出予定時刻を予め等間隔に設定し、検出予定時刻...
L200400515120040514磁気異方性合金の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、物体の自由落下などにより得ることができる微小重力環境下でSm↓2Co↓17、Sm↓2(Fe、Co)↓17などの希土類磁石である希土...
L200400515020040514共役系分子を有するブロックコポリマー及びそれを用いた薄膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のブロックコポリマーの一般式は、図1に示すものであり、式中Yは図2に示す群である。ブロックコポリマーを溶媒に溶解し、コポリマー溶液を基...
L200400514920040514ロタキサン複合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の一例であるポリロタキサンの構造は、環状分子と棒状分子が算盤の珠(環状分子に相当)と軸(棒状分子に相当)のような立体構造をしており、共...
L200400514820040514クラウンエーテルを2つ有する金属ポルフィリン錯体を連結分子とする非共有結合型高分子及び非共有結合型高分子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1に示す高分子化合物の製造に関するものである。図2に示すような化合物を、金属配位相互作用と水素相互作用を利用して非共有結合により...
L200400514720040514魚類由来の不凍タンパク質 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温帯域である日本周辺で漁獲される魚種であっても、冬季に漁獲されるものの中には、不凍タンパク質を有するものがある。本発明によれば、不凍タンパク...
L200400514620040514クラウンエーテル誘導体と二級アンモニウム塩からなるクラウンエーテル誘導体2分子を結合させた化合物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、クラウンエーテル誘導体と二級アンモニウム塩からなるクラウンエーテル誘導体2分子を結合させた化合物を非極性溶媒中に溶解すると会合して...
L200400514520040514クラウンエーテル誘導体と二級アンモニウム塩を含んだクラウンエーテル誘導体2分子を結合させた化合物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1のジベンゾ−24−クラウン−8−エーテルと保護基Pにより保護された2級アミン(図中、Rは、反応性の置換基を表し、Gは、反応性の...
L200400514420040514非共有結合型集合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1に示す非共有結合型集合体(図中、Qは、置換基を表し、Xは任意の陰イオン原子もしくは陰イオン分子を表す。この集合体は一般式(II...
L200400514320040514非共有結合型集合体及びその製造方法並びに非共有結合型集合体から直接変換することで得られる機械的結合型集合体とその直接変換方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1に示す非共有結合型集合体(図中、Rは水素原子もしくは反応性の置換基を表し、Qは置換基を表し、Xは任意の陰イオン原子もしくは陰イ...
L200400514220040514セリン−トレオニンタンパク質リン酸化酵素を認識するモノクローナル抗体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のモノクローナル抗体は、CaMKIIの132位から146位のシークエンスのうち連続した13〜15個のアミノ酸からなるペプチドとキャリア...
L200400514120040514気孔率と膜厚が同時制御されたセラミックス多孔質膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明では、セラミックスのゾル溶液調製は、金属アルコキシドを蒸留水に滴下し、加水分解して得られる沈殿を酸又はアルカリを添加して加熱して、沈殿...
L200400514020040514穿針装置及び該穿針装置の針の動作状態の検出方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明では、図に示すように、針部3と、その側面を覆う外筒部4と、針部3に作用する荷重を計測する1軸以上の針部荷重計と、外筒部4に作用する荷重...
L200400513920040514バランス訓練装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1に示す機器構成により、人体運動を検出するトルク測定機構と、図2に示す解析・制御部からなっている。具体的には、人(4)を上に乗せ...
L200400513420040514半導体超微粒子蛍光体を用いた光源 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、半導体超微粒子分散マトリックスからなる蛍光体に対し、可視および紫外発光する放電管の紫外光成分を照射して、可視光に変換することにより...
L200400513220040514水性スラリー等へのセラミック短繊維の分散方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のセラミック短繊維の分散方法は、少量の金属アルコキシドを溶解した水と混ざらない有機溶媒中に、セラミック短繊維を加えて行なう。金属アルコ...
L200400513020040514焼結チタン合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、酸素量が0.25mass%以下の純Ti粉末に、金属間化合物のFeAl↓3 粉末を1〜10mass%添加、混合して混合粉末を形成した...
L200400512920040514光触媒機能を有する水硬性複合材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、物質吸着機能、調湿機能、及び/又は光触媒機能を有する水硬性複合材料であって、カルシウムシリケート系セメント、又はリン酸カルシウム系...
L200400512820040514ポリアセチレン系ポリマー、その製造方法及びそれを有する導電用材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のポリアセチレン系ポリマーは、図に示すような(図中、R↑1、R↑2は、同一であっても異なっていてもよい、置換又は非置換の炭化水素基、或...
L200400512720040514有機リン化合物を含む難燃剤及びこれを含有する難燃性樹脂組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1,図2に示す、P−P結合を有する有機リン化合物を含む難燃剤を提供し、更には、この難燃剤を含む難燃性樹脂組成物を提供するものであ...
L200400512520040514ステロイド誘導体を主成分とする抗菌剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図の一般式(I)で示されるステロイド誘導体を有効成分とする抗菌剤を提供するものである。式中、R↑1とR↑2は、置換基を有しても良い...
L2004005124200405144−ヒドロキシチアゾール誘導体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図の式(U)で示す、比較的入手しやすいジチオカルバミン酸エステル類をシアン酸銀(AgNCO)と加熱条件下で反応させさせることにより...
L200400512320040514環状エステル化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明で得られる化合物は、図に示す式(1),(2),(3)で表される環状エステル化合物であり、R↑1とR↑2は有機基を表し、R↑3とR↑4は...
L200400512220040514カルボニル化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の過酸化水素を用いる非水溶性の脂肪族アルコールの酸化反応によるカルボニル化合物の製造方法は、酸化反応を、周期律表第8−10族の金属化合...
L200400511920040514対流の部分的抑制方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、マグネットにより形成される磁化力と重力(G)の両方の作用環境に容器を配置し、容器内の磁化力と重力の合成体積力が最大または最小となる...
L200400511820040514金コロイド溶液及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、金塩を糖類で還元された金微粒子が分散している固体を、水に溶解させた金コロイド溶液、また、金塩と糖類とを混合し、その混合溶液を加熱し...
L200400511720040514貫通孔を有する球状生分解性プラスチック及び用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の生分解性プラスチックビーズは、所定の空間に充填して集合体を構築したときに完全又は部分的連通孔多孔体を形成する機能を有するものであって...
L200400511520040514リゾチーム感受性新規微生物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、紫外線照射による突然変異で生じた、野生型株と比べて極めて低濃度のリゾチームに対して感受性を有するロドコッカス属新規微生物を用いて、...
L200400511420040514低温での組み換えタンパク質の発現に適した新規発現ベクター 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は約15℃を超える中高温条件下では発現産物が宿主細胞の増殖を阻害するタンパク質をコードする遺伝子を、低温条件下で増殖可能なRhodoc...
L200400511320040514電源分散型ユニット 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明では、図中の第1ユニットAにはバッテリ2と、モータ3、各種機器4、これらを制御する制御装置5を備える。このユニットAには制御装置5の信...
L200400511220040514超伝導体の電流・電圧特性測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の超伝導体の電流・電圧特性測定方法は、超伝導体の近傍に配置したコイルに交流電流を流し、交流電流及び交流電流によりコイルに誘起される第3...
L200400511120040514有機化合物の分離方法および装置並びに分析方法及び分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の分析対象物質を含有する試料物質から分析対象物質を取り出す方法は、分析対象物質を含有する試料物質から分析対象物質を取り出す方法であり、...
L200400511020040514内部反射型二次元イメージングエリプソメータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の内部反射型二次元イメージングエリプソメータは、図に示すようにプリズム部49と入射光学系1と射出光学系3とを含んで構成され、入射光学系...
L200400510920040514極低温放射線検出器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の極低温放射線検出器は、放射線検出素子を封入した極低温放射線検出器であり、検出器は極低温容器及び容器の一部に放射線導入のための入射窓を...
L200400510820040514熱交換器並びにそれを用いた反応器及び輻射ヒータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の自己熱交換型熱交換器は、図に示すように高温流体1と低温流体2を隔てるための隔壁型の伝熱体BFを有する熱交換器であり、伝熱体BFは蛇腹...
L200400510720040514自立型薄膜及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の自立型薄膜の製造方法は、多結晶のバルク状塩の基板上に、蒸着により膜を作製し、基板を溶解除去して薄膜を作製することを特徴とする。基板は...
L200400510620040514耐熱性マグネシウム合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の耐熱性マグネシウム合金は、アスペクト比(=結晶粒の長軸の長さ/結晶粒の短軸の長さ)が5以上の伸長な結晶粒群を有し、当該材料の組織の5...
L200400510520040514二酸化炭素からのジアルキルホルムアミドの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のジアルキルホルムアミドの製造方法は、二酸化炭素に対し、該二酸化炭素を一酸化炭素に光還元する性能を有する金属錯体とジアルキルアミンの共...
L200400510420040514塩の固化成形体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の塩の固化成形体の製造方法は、粉末状の塩を通電しながら加圧成形することによってバルク状の塩成形体を作製する方法であり、粉末状の塩に金属...
L200400510220040514機器操作用パラレル機構及びその設計方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の機器操作用パラレル機構は、複数の部材を互いに回転自在に連結した機構の一端部を基部42に回転自在に固定し、他端部を操作部44に回転自在...
L200400510120040514燃料改質ガスの水性ガスシフト反応用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の燃料改質ガスの水性ガスシフト反応用触媒は、陽イオンの電気陰性度が10〜14の範囲にある金属を含む金属酸化物と触媒の合計量に対して0....
L200400509820040514有機あるいは無機化合物合成装置および方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における有機溶媒は、プラス電極から直接的にプラス電極に上昇流となって供給されており、電子線と上昇流との衝突が極めて効率的に行われ、衝...
L200400509420040514コロイド粒子化水酸化物系樹脂配合剤およびそれを含有する樹脂組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、層状複水酸化物における中間層を構成する層間イオンとして、アミノ酸イオン及びカルボン酸イオンを含有させる手段、あるいは同中間層を...
L200400509320040514コロイド粒子化層状複水酸化物・アミノ酸複合物を含有する樹脂組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)ハイドロタルサイトと呼ばれる層状複水酸化物に(B)層間イオンとしてアミノ酸を挿入させて、アミノ酸を含有する層状複水酸化物・アミノ酸複合...
L200400509220040514蓄積リング型自由電子レーザー装置とその高輝度化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における光検出器は、光共振器から出力される光パルス(自由電子レーザーミクロパルス)を測定する。ステアリングコイルは、電子バンチ電流を...
L200400509120040514金属ナノ構造に吸着した化学種の単一分子感度での検出法およびその状態分析法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術におけるラマン散乱・弾性散乱観測用分光装置は白色光源、CCDカメラ、PC、散乱光イメージ、ラマンイメージ、ノッチフィルタ、色素を吸着...
L200400508820040514含フッ素不飽和脂質誘導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)8−ブロモオクタン−1−オールの無水エーテル溶液に3,4−ジヒドロ−2H−ピランとパラトルエンスルホン酸・1水和物を加え反応させて式T...
L200400508620040514三相電圧調節システムおよび三相電圧調節方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、三相の各配電線路の電流の値、電流の位相、線間電圧の値、線間電圧の位相の各値を検出し、検出された測定値に基づいて、三相の各配電線...
L200400508120040514画像の数値的解析方法及びシステム並びにプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、毎日同時刻(正午前後)に撮影し、撮影したカラー画像を分解する複数色(以下、RGBの3色を例として説明する)の画素毎のデジタル画...
L200400508020040514発酵エタノール分離精製システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における発酵工程は、反応器となるエタノール発酵槽に、発酵原料供給槽から供給手段である送液ポンプを介して原料物質が供給される。次に、微...
L200400507920040514発酵エタノールの膜分離方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、処理対象であるエタノール含有水溶液から高濃度のエタノール水溶液を製造する。すなわち、浸透気化膜分離方法、希薄エタノール含有発酵...
L200400507820040514含フッ素不飽和チオール誘導体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 スキームに示す合成経路により、含フッ素不飽和チオール誘導体(R↑4〜R↑8は有機基)を得る。有機基は、エチル、n−プロピル、イソプロピル、ア...
L200400507520040514キャスティングマニピュレータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、把持部材に駆動源を搭載せずに、複数の線状柔軟リンクにより把持部材の外部から把持部材の運動を制御する機構を実現した。具体的には、...
L200400507120040514手術用マニピュレータ設置機構 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術における手術台は、患者を撮像装置に搬入する患者搭載部と、このような移動はしないで患者搭載部を摺動可能に支持する支持部とから構成される...
L200400506920040514バイオセンサ連接シートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、一枚の電気絶縁性で表面が平らで長い板部材、すなわち基板の一部分で、その表面に2本一組の電極を含むパターンがY軸方向に、複数個、...
L200400506820040514温度測定方法及び温度制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、試料中の細胞又は微生物内に上記蛍光物質を存在させる方法として、試料の種類、測定対象の種類、蛍光物質の種類に応じて適宜好ましい手...
L200400506720040514マイクロリアクタ接触反応による有機化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 チューブ状マイクロリアクター中で、(A)(a)遷移金属錯体と(b)水溶性配位子とからなる遷移金属触媒の水性媒体と、(B)有機化合物原料とを接...
L200400506520040514樹脂無機複合構造体の製造法及び樹脂無機複合膜構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)樹脂材料で(B)無機材料を被覆して、(C)複合粉体としこれを(D)基材の表面に衝突させて成分C中の成分Aを瞬間的に変形又は融着させて複...
L200400506420040514新規な1,3−ベンゾチアジン化合物とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)N−スルフェニルアミノ酸エステル化合物を(B)塩基と反応させて、(C)式T(R↑1は炭素数1〜12のアルキル、アラルキル、R↑2は炭素...
L200400506320040514N−スルフェニルアミノ酸エステル化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)N−スルフェニルベンゾイミダゾール化合物と、(B)アミノ酸エステル化合物とを反応させて、(C)式(R↑1は炭素数1〜12のアルキル、ア...
L200400506220040514新規なN−スルフェニルアミノ酸エステル化合物とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)アミノ酸エステル化合物と(B)N−スルフェニルベンゾイミダゾール化合物と反応させて、(C)式(R↑1はアルキル、アラルキル、R↑2はア...
L200400506120040514透明白色蛍光ガラス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)ソーダライムガラスを基礎材料とし、これに(B)SnO換算量でSnを0.8〜2.5%含有させ、(C)Feの含有量を0.045%以下(Fe...
L200400506020040514単分子膜形成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板表面の不純物を除去し、水素終端化処理を行った基板の表面に、不飽和結 合を有する物質を塗布し、非酸素雰囲気、40〜200℃の...
L200400505920040514含リンブタジエン化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式:X↑1X↑2P(O)H、(X↑1、X↑2はアルキル、アリール、アルケニル)で表されるリン水素化合物と、(B)式:R↑1(R↑2R↑...
L200400505720040514有機リン化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式:R↑2(C≡CR↑3)↓n、(R↑2はnが1ならアルキル、アリールアルケニル、nがnならアルキレン、アリーレン、アルケニレン、R↑...
L200400505320040514高温循環流動層内粒子循環速度測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、流動粒子を冷却するときに、バルブを開放して冷熱源供給管内に冷却された窒素ガスや水を供給する。それにより冷熱源供給管等は直ちに冷...
L200400505120040514低温プラズマを用いる排ガスの浄化方法及びその浄化装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、バルブに流入した排ガスをプラズマ反応器に導入して吸着させ、酸素供給装置から導入される酸素の存在下に印加電圧によるプラズマを発生...
L200400505020040514通信線路ケーブル 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、通信線路ケーブルは、それぞれ個別の通信チャネルを有する複数の同軸線路を束ねた通信線路ケーブルにおいて、各同軸線路が絶縁被覆を有...
L200400504920040514区画アレイ型細胞外電位測定プローブ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、区画アレイ型細胞外電位測定プローブを使用して細胞外電位を測定する場合、リード部材に接続した電気配線を測定装置の参照電極端子に接...
L200400504820040514有機粘土複合体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)リザルダイトとサポナイトなどの膨潤性混合層ケイ酸塩の層間に、(B)第四級アンモニウムイオンを導入して、(C)有機粘土複合体とする。成分...
L200400504620040514メンバーズカード発行方法およびメンバーズカード発行システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、顧客が所有しているカードのIDをカードリーダにより読み取るとともに、顧客に関する情報をデータ入力装置により入力し、それらIDと...
L200400504520040514難分解性フッ素化カルボン酸の分解方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)難分解性フッ素化カルボン酸を溶液とし、(B)ペルオキソ二硫酸を添加し、成分B又は成分Bのイオンを存在させて、(C)光を照射し成分Aを分...
L200400504320040514低温型燃料電池の酸素極添加剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、低温型燃料電池の酸素極用添加剤を、芳香族性を有して窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はハロゲン原子から選ばれる金属配位能...
L200400504120040514カルボニル化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)シクロペンタノールなどのアルコールと、(B)好ましくは30%の濃度の過酸化水素とを、(C)溶媒として第4級アンモニウム塩及び第4級ホス...
L200400504020040514単一分子ラマン分光用金属ナノ三角柱構造アレイ基板の形成方法及びそれによる単一分子分析法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、基板上にナノ粒子を最密充填した単層膜を形成し、その上から金属を真空蒸着した後ナノ粒子を洗い流すことにより金属ナノ三角柱構造アレ...
L200400503920040514標準電極 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、チューブ状高分子電解質膜の内面に、白金族金属または/およびその合金を担持させて標準電極とする。白金族金属または/およびその合金...
L200400503620040514シリカライト膜の形成方法及び分離膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、シリカ種結晶を有機溶媒又は水に分散させた状態で、多孔質基板を存在させて電極間に電圧を印加して、多孔質基板表面にシリカ種結晶を付...
L200400503520040514表面プラズモン共鳴抗体アレイセンサ作製用基板及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、検出部表面上の特定領域に抗体結合性タンパク質あるいはペプチドを整列固定化して表面プラズモン共鳴抗体アレイセンサ作製用アレイ基板...
L200400503420040514薄膜トランジスタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、有機半導体化合物は、式1に示される構造若しくはその異性体の構造を備え、半導体化合物は置換していてもよく(未置換でも良い)、構造...
L200400503320040514アクチュエータ素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、空中アクチュエータ素子用導電体は金属イオンドーピングされたカーボンナノチューブと固体高分子電解質との複合体からなるものとする。...
L200400503120040514ダイヤモンドの加工方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、10−100kHzの発信周波数の超音波で生じさせた往復運動を厚さ1000μm以下の短冊状の加工用シートに伝え、加工用シートと被...
L200400503020040514精神ストレス評価方法および装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、精神ストレス評価方法は、被験者の心電図又は脈波を計測して得られる時間波形のピーク間隔を算出して補間することにより、心拍間隔また...
L200400502820040514粒子循環型吸着式ヒートポンプ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、上部に吸着剤導入孔を設けてなると共に下部に吸着剤排出口を設けてなる容器内に、液体供給管を配置すると共に、その下方に流体供給管を...
L200400502620040514プラスチックの熱分解方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)複数の種類のプラスチックを粉砕し、(B)マイクロ波発熱体と相互に接触させて、(C)マイクロ波を照射し、プラスチックを熱分解させて、プラ...
L200400502220040514k−means法を用いるクラスタ分析装置、クラスタ分析方法、クラスタ分析プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、クラスタ分析装置は、所定のパラメータに関する複数のデータをk−means法を用いてクラスタ分析するクラスタ分析装置であって、デ...
L200400502120040514リン酸化されたCaMKWを特異的に認識するモノクロナール抗体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)Ca↑(2+)/カルモジュリン依存性タンパク質リン酸化酵素W(以下、CaMKW)の184〜204のアミノ酸配列に相当しThr↑(196...
L200400502020040514複合高圧処理装置及びそれに用いる高圧バルブ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、高圧バルブを介して着脱可能に接続した複数の高圧容器内において基材に1MPa以上の高圧条件で高圧処理を行う高圧処理装置において、...
L200400501920040514運転支援システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ドライバの運転を支援する運転支援システムは、車両周辺を撮像する撮像手段を備えると共に、撮像手段からの画像の歪補正および視点変換...
L200400466320040416タイミング余裕度を求める方法およびそのためのデジタル演算処理システム、プログラム、記録媒体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、論理遅延の値を制御する制御端子を持った遅延回路を用い、デジタル演算処理回路の論理演算の正誤状態を見ながらタイミング余裕度を判断...
L200400466220040416石膏の処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸素をパージしたオートクレーブ1に、(A)石膏、(B)バイオマス、(C)水蒸気を混合して送り、所望により(D)二酸化炭素吸収剤を添加する。成...
L200400466020040416ユーザモデリング方法、ユーザモデリング装置、ユーザモデリングプログラムおよびユーザモデリングプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記憶媒... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ユーザモデリング方法の処理部が、ユーザ位置およびユーザタイプの入力部からの入力を受け付けるステップを備える。また、処理部が、入...
L200400465920040416未焼成圧電構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、導電性金属の中空体、中空体の中心部に位置する導電性金属の線状体、中空体に充填した粒度0・1〜5μmのPZT化合物粉体からなる未...
L200400465820040416細胞培養基材、及び該基材を使用した細胞分別方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)光応答性成分と、(B)ポリアルキレングリコールとを含む光応答性組成物とし、これを(C)細胞培養基材の表面に、例えば組成物の溶液をスピン...
L200400465420040416糖転移酵素 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)配列番号1のアミノ酸配列からなるポリペプチド、又は(B)それの、1以上のアミノ酸が欠失、置換、挿入又は付加されたアミノ酸配列でポリプレ...
L200400465320040416高性能マグネシウム合金及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)イットリウムの5〜12原子%と、(B)亜鉛の1〜12原子%とを配合し、(C)マグネシウムと不可避の不純物とを含有させて、鋳造法で溶解・...
L200400465220040416多相形成液体混合物及びその応用製品 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、少なくとも、パーフルオロ系化合物を含み、化学的にも物理的にも安定で、互いに混じりあわず、かつ互いに反応せず、それ自体無毒な少な...
L200400465120040416光電変換素子及びそれを用いた色素増感型太陽電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、式(I)(式中、R↑1、R↑2、R↑3、R↑4はそれぞれ独立して水素原子、低級アルキル基、ハロゲン基、アミノ基、フェニル基、フ...
L200400465020040416環化化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)二酸化炭素の存在下に、(B)ケトン類と(C)ビニルケトン類とを、環化反応又は縮環反応させて、(D)環化化合物を製造する。成分Aは、超臨...
L200400464820040416ヘリウム3冷凍機利用磁化測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ヘリウム3冷凍機利用磁化測定装置は、試料を固定した試料ロッドと、試料ロッドを装着し、試料ロッドの周囲にヘリウム3により冷却を行...
L200400464720040416多段階可変超臨界有機合成製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)二酸化炭素の存在下に、(B)反応基質を、反応圧力を2段階以上に変化させて反応させ、(C)有機化合物を合成する。成分Aは、超臨界、亜臨界...
L200400464620040416金属コア入り圧電ファイバが埋め込まれたスマートボードのアクティブ振動制御方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、金属コア入り圧電ファイバが埋め込まれたスマートボードを制御対象とし、制御対象の有限要素モデルを導出し、さらに制御系設計のための...
L200400464520040416酸化チタンナノシート構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (a)酸化チタン粉末を、(b)濃度5〜15Mに保持した水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液に加え、80〜160℃で1〜60時間アルカリ処理し...
L200400464320040416環状ウレタンの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)環状アミンと(B)二酸化炭素を、(C)触媒の存在下、(D)反応媒体をオニウム塩系溶媒などとして反応させ、環状ウレタンを製造する。成分D...
L200400464220040416多段風力選別装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、気流の流路の断面積を段階的に変化させ、断面積に対応したそれぞれの気流の平均流速で浮揚する軽量物を回収し、軽量物と重量物を選別し...
L200400464120040416プロピレンオキシドの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、プロピレンの気相酸化によるプロピレンオキシドの製造方法であって、プロピレン、酸素及び窒素酸化物含有ガスをアルカリ金属化合物及び...
L200400463920040416金属−酸素系無機ゲル前駆体を光照射により可逆的に構造変化させる方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)金属アルコキシドと(B)有機フォトクロミック化合物を、官能基を介して相互作用させて作製した、金属酸化物を調整するための無機有機ハイブリ...
L200400463620040416風力選別装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、気流の風力により軽量物と重量物を選別する装置は、気流の通路に分岐路を設 けてなり、軽量物に混入して気流で運搬する重量物を分岐路...
L200400463520040416イオン排除分離−UV吸光度増大システムによる弱酸性イオンの高感度計測方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、被検試料水中の弱酸性イオン(主に、炭酸水素イオン、フッ化物イオン及び脂肪族カルボン酸イオン)を対象とし、これらを選択的、かつ高...
L200400463420040416透明材料の微細加工装置及びこれを用いた光学素子作製法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の透明材料の微細加工装置は図示の様に透明材料11の裏面にレーザー波長に対して高い吸収率を有する流動性物質12を接触させ、正面からレーザ...
L200400463320040416カーボンナノチューブおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)式、R↓FN=NR↓F(R↓Fはペルフルオロアルキル)で表されるペルフルオロアゾアルカンを、(B)溶媒(例えば、ペルフルオロヘキサン)...
L200400463020040416光画像情報変換装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、光画像情報変換装置は、それぞれの層が一列の光ファイバー素線或いは多数の素線の集合からなるバンドルファイバーにより構成される複数...
L200400462920040416接触型情報入力装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、接触型情報入力装置は、操作入力治具を支持台に片持梁式に支持すると共に、操作入力治具の自由端部側を利用者による接触操作部とする。...
L200400462820040416量子細線電界効果トランジスタ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ソースとドレイン間のチャネルの途中部分であってゲート下に位置する部分を量子細線により構成したチャネルとし、この量子細線チャネル...
L200400462720040416光検出素子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、ソース、ドレイン電極間のチャネルまたはチャネルの少なくとも一部分をV溝基板のV溝の谷底に形成した量子細線で構成すると共に,この...
L200400462620040416微細金型及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、タングステンカーバイド(WC)を主成分とする金型材料を、集束イオンビームにより加工を施すことで、1nm以下の平均面粗さを有する...
L200400462520040416校正器、及び、校正方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、放射線を照射する放射線源と、試料を載せる試料台と、試料台を挟んで放射線源と対向する位置に配置され、試料を通過した放射線の強度を...
L200400462220040416コンポーネント化制御システム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、コンポーネント化制御システムは、制御対象となる装置のコントローラとの間で通信を行うコマンドインターフェイス、入力インターフェイ...
L200400461920040416タンパク質巻き戻し用キット 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)BEA構造のゼオライト(ゼオライトベータ)のリフォールディング剤を構成要素とし、これに(B)タンパク質変性剤及び(C)pH調整剤を基本...
L200400461820040416ガス吸着剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この技術では、マイクロ孔とメソ孔を有し、マイクロ孔が1次元チャンネル型メソ孔に連結した細孔構造を持つ繊維状シリカ多孔体からガス吸着剤を構成す...
L200400461720040416白金族金属イオンの選択回収剤及び選択回収方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)酸性溶液中に溶存する白金族金属イオン類(PGMs)を、(B)高選択的に沈殿させる作用を有する選択沈殿剤のアミノ化合物を用いて、PGMs...
L200400461620040416新規ゼオライトの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)前駆体の有機結晶化調整剤含有層状珪酸塩を、(B)分子状酸素を含有する支燃性ガスの流通下又は存在下で、脱水重縮合させて、新しい結晶構造を...
L200400461520040416フェノール類の水素化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温度20〜250℃及び圧力0.1〜50MPaの二酸化炭素を用いてロジウム及び/またはルテニウム担持触媒の存在下で、フェノール、クレゾール、ナ...
L200400461420040416ナフトール類の水素化物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温度20〜250℃及び圧力0.1〜50MPaの条件下の二酸化炭素を用いて、ロジウム、パラジウム、白金或いはルテニウムから選択された少なくとも...
L200400461220040416オレフィン系炭化水素の酸化方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (A)反応媒体に超臨界二酸化炭素、亜臨界二酸化炭素又は二酸化炭素を用い、(B)触媒に無機酸化物及び/又は貴金属を用いて、(C)オレフィン系炭...
L200400451420040326窒化物熱電変換材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式:Al↓zGa↓yIn↓xM↓uR↓vD↓wN↓s(Mは遷移元素;Rは希土類元素;DはW族、U族元素から選ばれる一種以上の元素;0≦z≦0...
L200400451320040326コンピュータ入力装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、コンピュータ或いはコンピュータ搭載機器に対するコンピュータ入力装置であって、物理的に変形可能な個々の検知要素の根本側を複数束ねるか...
L200400451220040326極微量イオン検出装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 試料10から放出された分子を、ヘリウム等のキャリヤーガスに載せ、試料室11とそれよりも極低圧のイオン計測部の間に、複数の差動排気アパチャー1...
L200400451120040326圧電振動エネルギーセンサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧電振動エネルギーセンサは、振動エネルギーを電気エネルギーに変換する電荷発生用圧電体と、発生した電荷により分極反転を繰り返す強誘電体...
L200400451020040326核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押...
L200400450920040326薄膜の厚さ測定測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の薄膜の厚さ測定方法は、図に示すように内部反射型エリプソメトリによる薄膜の厚さ測定方法であって、ガラス製プリズム2の1面に形成され、プ...
L200400450720040326メカノルミネッセンス材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式SrM↑1Al↓6O↓11(M↑1はアルカリ土類金属)、または式SrM↑2Al↓3O↓7(M↑2は希土類金属)で表されるストロンチウムおよ...
L200400450620040326カルボン酸の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(nは1〜18;R↑1〜R↑4はH、C↓(1〜4)アルキル、ヒドロキシ、ハロゲン、カルボキシル、アリール、アラルキル等)で表される、...
L200400450520040326カルボン酸の製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)(nは1〜18;R↑1〜R↑4はH、ヒドロキシ、ハロゲン、カルボキシル、C↓(1〜4)アルキル、アリール、アラルキル、アシル等)で表...
L200400450420040326層状岩塩型ニッケル酸リチウム系粉末およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 水酸化ニッケル粉末をリチウム塩水溶液中に分散させ、得られた分散液を乾燥し、得られた乾燥混合物を粉砕し、得られた粉砕乾燥混合物を酸化雰囲気中5...
L200400450320040326岩塩型結晶構造を有する二酸化マンガン結晶及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 斜方晶系の結晶構造を有する、斜方晶LiMnO↓2の単結晶等のリチウムマンガン酸化物から化学的にリチウムイオンを脱離させることによって生成させ...
L200400450220040326炭化ケイ素系耐熱多孔質構造材及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭素粉末を用いて成形した有形骨格をなす炭素粉末製多孔質構造体に、炭素源としての樹脂類及びシリコン粉末を含んだスラリーを含浸塗布して、真空或い...