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L201500140420150903無線LANアクセスポイント、これを用いたIPアドレスの管理方法並びに管理プログラム 株式会社タムラ製作所 無線端末と通信するための無線通信部と、
有線接続ポートと、
サービスのために、無線通信におけるサービス識別子と、対応するVLAN識別子と、I...
L201500140320150903放射性核種標識オクトレオチド誘導体 国立大学法人千葉大学 EDTA、DTPA、シクロへキシルDTPA、DOTA及びNOTAの骨格炭素にp−ベンジルカルボン酸誘導体を導入することにより、オクトレオチド誘導体に固相合成法で...
L201500140220150903学習実験用分光器 国立大学法人千葉大学 電池で点灯する豆電球3先端に光ファイバ5,6の入射側端部を取付け、光ファイバの伝達する光を出射側端部5b,6bからプラスチック製回折格子19...
L201500140120150903キャパシタ及びその製造方法 国立大学法人千葉大学 本発明の一観点にかかる電気化学キャパシタは、対向する一対の電極と、前記一対の電極の少なくとも一方に形成される銀ナノ構造物と、前記一対の電極の...
L201500140020150903中枢神経系自己免疫疾患治療用のアンジオテンシン変換酵素阻害剤 国立大学法人千葉大学 ACE阻害薬であるエナラプリルの低用量投与は血清ブラジキニン濃度を上昇させ、中枢神経系へのインターロイキン−17陽性細胞の浸潤を低下させると...
L201500139920150903表示装置 国立大学法人千葉大学 上記課題を解決する本発明に合係る表示装置は、電極が形成され、互いに対向して配置される一対の基板と、一対の基板の間に挟持された材料層を有する表...
L201500139820150903立体像表示素子及びこれを用いた立体像表示装置 国立大学法人千葉大学 入射される光を回折させる空間光変調素子と、
前記空間光変調素子によって回折された前記光を拡散する回折光学素子と、を備える立体像表示素子。
L201500139720150903不随意運動の予防及び/又は治療組成物 国立大学法人千葉大学 ドパミンD2/D3受容体アゴニストであるプラミペキソール塩酸塩水和物を、不随意運動を生じる遅発性ジストニア発症患者に投与することにより、遅発性ジ...
L201500139620150903笑い促進プログラム及び笑い促進装置 国立大学法人千葉大学 コンピュータに、
顔画像データに基づき笑顔度データを算出し、
前記笑顔度データに基づき笑い声データの再生の可否の判断を行い、
前記笑い声デー...
L201500139520150903ナノ結晶性セラミックス合成方法 国立大学法人千葉大学 結晶セラミックスの合成方法であって、合成反応を10 m↑2 g↑(-1)以上の表面積を有する固体又は細孔体の存在下で行なうことを特徴とする、前記方...
L201500139420150903内視鏡用の穿刺針 国立大学法人千葉大学 少なくともチューブ状に形成された鞘部材と、
当該鞘部材の中を進退自在に挿通された針部材とを有する穿刺針であって、
当該針部材の先端側には、当...

 
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L200300597920030808生体信号を利用した人工発声装置及び方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示する生体信号(EMG信号)の入力部と、選択された生体信号1から特徴パターンを抽出する特徴抽出処理部と、抽出した特徴パターン2か...
L200300597520030808形状記憶合金の損傷位置検出方法、自己感知型加熱制御法及び自己修復方法並びに複合材料製パネル及び絶縁皮膜で覆った形状記憶合金 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図に示すように、絶縁皮膜で覆った形状記憶合金(以下、SMA)を複合材料内に格子状に埋設したパネルにおいて、パネルの損傷位置を、SM...
L200300597420030808高速低消費電力論理装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図示するように、基本論理セル回路10は、フリップフロップ、インバータ、アンドゲート、オアゲート、ルックアップテーブルなど基本的な論理ゲートを...
L200300597320030808薄膜熱物性測定方法及び測定装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の薄膜熱物性測定装置は、基板上に形成された薄膜において、薄膜の単位面積あたりの熱容量と基板の熱浸透率の比を測定し、基板の熱浸透率を既知...
L200300597220030808ポリアミド4誘導体、ポリアミド4を含むブロック共重合体及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(R↑1、R↑2はH、低級アルキル;Y↑1、Y↑2は低級アルキレン;m、nは2以上の整数)で表されるポリアミド4誘導体、及び式(U)...
L200300597020030808循環流動層 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明による循環流動層は、図1に示すように、気体によって上方へ搬送されるライザー部1と、ライザー部から搬送された粒子を捕集するサイクロン等の...
L200300596720030808有機半導体デバイス 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明では、図示するようなn導電型の有機半導体層2を有する半導体デバイスにおいて、n導電型の有機半導体層にはMgがドーパントとして含まれてお...
L200300595120030801クリーニング剤及びクリーニング方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のクリーニング剤は、TiOx (1.5<x<2)、TiOx N↓2↓−↓x (1<x<2)、ダイヤモンド様炭素、及びチタニアシリカ複合体...
L200300594920030801気相反応触媒の迅速探索方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の気相反応触媒の迅速探索方法は、上端が開口された複数の収納器に、それぞれ相異なる複数種の触媒を導入し、その複数の収納器の全てを反応容器...
L200300594520030801テグス結び構造体高分子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1で示されるテグス結び構造体を直接重合もしくは任意の連結基を用いて重合することによって、新規な図2で表されるテグス結び構造体高分子を得るこ...
L200300594420030801アリールスルホンの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、一般式RCH↓2OHで表されるアルコールに三価のリン化合物の存在下でハロゲン化剤を作用させ、ついで、ヨウ素化合物の存在下、一般式A...
L200300594320030801液滴採取用サンプリングプローブ、並びに噴霧液滴の粒径分布測定方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の噴霧液滴の粒径分布を測定する装置は、不揮発性成分を混入した既知濃度の液体を噴霧することにより生成する液滴を採取して乾燥するサンプリン...
L200300594120030801パラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、パラジウム化合物を多孔質体に蒸着した後、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させるか、または図に示すように...
L200300593920030801細胞に、酵素及び該酵素で認識される配列を有するポリヌクレオチドを、カチオン界面活性剤の共存下に、導入する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、細胞に、酵素及び酵素で認識される配列を有するポリヌクレオチドを導入する方法であって、この方法をカチオン界面活性剤の共存下に行うこと...
L200300593720030801テグス結び構造体前駆体であるクラウンエーテル誘導体及びその製造方法、並びにテグス結び構造体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1の一般式で示されるジベンゾ−24−クラウン−8−エーテル誘導体と図2の一般式で表されるベンジルアミン誘導体を反応させ、次に水素還元するこ...
L200300593420030801多孔性リン酸スズおよびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の多孔性リン酸スズは、細孔配置がヘキサゴナル状で細孔径が2〜6nmのメソ細孔を有し、 リン酸スズとアルキル第4級アンモニウム塩等のカチ...
L200300593120030801二重らせん型複核錯体およびその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は2個の配位原子をもつ化合物(ジアルデヒド)2分子と2個の配位原子をもつ化合物(ジアミン)2分子とを縮合させてできる大環状配位子に関す...
L200300592820030801金属超微粒子を担持した多孔質材料の作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、金属超微粒子を担持した多孔質材料を作製する方法であって、以下の工程;(1)金属イオンをドデカンチオールに代表される分子の存在下で還...
L200300592620030801高融点導電性ペースト 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の高融点導電性ペーストは、ルテニウム、イリジウム、ロジウム、レニウムからなる群より選ばれる一種の元素を必須成分とする酸化物粒子、バイン...
L200300592320030801導電性酸化ジルコニウム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の導電性酸化ジルコニウムは、室温においても電気伝導性を有し、酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックス粉末を真空雰囲気あるいは還元雰囲...
L200300592220030801アクチュエータ素子の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のアクチュエータ素子の製造方法は、アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、金属電極上に、電解重合法に...
L200300592120030801水素透過膜利用装置の保護方法および保護装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、水素透過能を発現する金属又は合金からなる水素透過膜2を用い、水素透過膜2に連通する空間内に、気体吸着媒体からなる水素吸蔵体18を設...
L200300592020030801メカノルミネッセンス材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のメカノルミネッセンス材料は、(A)一般式xM↑1O・yAl↓2O↓3・zSiO↓2で示されるアルミノケイ酸塩、(B)一般式xM↑2O...
L200300591920030801乱数発生器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の乱数発生器は、2本の偏波保存光ファイバを偏波保存光ファイバカップラにより必要数直列に連結して光路長がすべての経路で異なるように設定し...
L200300591820030801把持装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の把持装置は、支持フレームと互いに接離可能に連動して支持フレームの同一直線上又は互いに平行な直線上を移動可能に取り付けられた複数対の把...
L200300591520030801統合された形状モデル生成方法及びコンピュータプログラム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、3次元空間に曲面がある場合、適当な3次元点からその曲面へ最も近い点はほとんどすべての場合一意に決定できる、という原理に基づき、複数...
L200300591320030801スメクタイト−チタン酸化物多孔体及びその合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のスメクタイト−チタン酸化物多孔体は、スメクタイトゲルと酸化チタンの水分散液を混合してこれらのゲル分散液を調整し、水熱処理してスメクタ...
L200300591220030801空間マーキング装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の空間マーキング装置は、図に示すように空間中に一定形状の監視領域13を設定し、その監視領域13への物体9,10の侵入や物体までの距離を...
L200300570520030711ポリスチレン系樹脂、その製造方法、及びこれを含有する難燃性樹脂組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[Ar↑1は(置換)フェニレン;Ar↑2は(置換)フェニル;mは2以上の整数]で示される繰り返し単位を有するポリスチレン系樹脂。尚、...
L200300570420030711高温COシフト反応用触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化銅[含有量は、触媒全体を100(重量)%とするとき、20〜70%]、酸化亜鉛(含有量は、10〜60%)、酸化ジルコニウム(含有量は、1〜...
L200300570320030711赤外放射計測機器の電磁波試験用参照熱源及びその試験方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 赤外放射計測機器の電磁波試験用参照熱源は、図に示すように、黒体源として樹脂製のターゲット1を使用する。また、このターゲットを加熱するために流...
L200300570020030711プリント基板から銅箔板を回収する銅箔板回収装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基板上に銅箔板5が接着されてなるプリント基板を搬送する搬送装置13と、銅箔板5を巻き取る回転ドラム1とを備え、プリント基板から銅箔板5を剥離...
L200300569820030711フェニルアセチレン系化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(1)[RはC↓(1〜4)アルキル;R↑1、R↑2はC↓(4〜10)アルキル、C↓(4〜10)アルコキシ]で表されるフェニルアセチレン系化...
L200300569720030711高分子重合物の分析方法及び分析装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高分子重合物試料をサイズ排除クロマトグラフィー(SEC)により分離、分取し、その各画分を質量分析して得られたマススペクトルのピーク強度を、対...
L200300569120030711Rhodococcus属細菌における組換えタンパク質を生産する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TipA遺伝子プロモーターの−10領域配列に変異を導入したプロモーターであって、チオストレプトン非依存的に構成的に下流に存在する遺伝子を発現...
L200300568620030711レーザ振動計及びレーザ変位計の動的線形性計測方法及び計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示するように、金属棒の一端部に二重発射管から同心円上の2個の飛翔体を単独に、及び同時に又は所定時間間隔で衝突させて金属棒内に弾性...
L200300568420030711板状ケイ酸カルシウムとその製造方法、並びに板状ケイ酸カルシウムから得た板状シリカ多孔体とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 長径が2〜30μm、短径が1〜10μm、厚さが0.05〜2μmである板状ケイ酸カルシウム及び板状シリカ多孔体であって、板状ケイ酸カルシウムは...
L200300568320030711第三級カルボン酸の製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 オレフィン(例:1−オクテン等)、アルコール(例:t−ブチルアルコール等)の1種以上の化合物に一酸化炭素を反応させて第三級カルボン酸(例:対...
L200300568120030711光電変換構造体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の光電変換構造体は、MEMSやナノテクノロジ−デバイス等の小型のデバイスに適したものであり、光起電力効果を利用する無索電力供給用の光電...
L200300567920030711渦電流変位センサの動的線形性計測方法及び計測装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図示するように、金属棒5の端面に二重構造の発射管から発射される飛翔体を衝突させることによって金属棒5内部に弾性波パルスを発生させ、...
L200300567820030711固定化タンパク質及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 例えばポリアリルアミン、ポリリジン等の一級アミノ基を繰り返し構造中に有するポリマー化合物を介して、担体に式:NH↓2−R↓1−COOH(R↓...
L200300567720030711タンパク質アレイ及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 例えばポリアリルアミン、ポリリジン等の一級アミノ基を繰り返し構造中に有するポリマー化合物を、吸水性を有する平面状基材表面に導入してタンパク質...
L200300567420030711再現性のある現象の画像撮像方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、膜電位感受性色素と呼ばれる分子プローブで生体試料(たとえば、実験動物の露出された大脳皮質や、薄切した脳切片標本など、)を染色し、色...
L200300567320030711電磁振動による組織微細化のための連続鋳造方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の連続鋳造装置を図1,2に示す。図1は溶融金属等の液体材を注入する場合を、図2は塊、粉体等の固体材を注入する場合を示す。本発明は、電磁...
L200300567120030711C型肝炎ウイルスのタンパク質合成及び/又はC型肝炎ウイルスの複製を抑制することができる二本鎖オリゴヌクレオチド 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T:5’−S−O↑1−3’(Sは特定の塩基配列のうち、第82番目、第189番目、第286番目、第331番目のいずれかの部位を含む連続した塩...
L200300567020030711高強度・高透明性ポリプロピレンシート及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アイソタクチックポリプロピレンに結晶核剤を配合し、Tダイからシート状に溶融押出し、ポリプロピレンの融点をTmとしたとき、(Tm−90)〜(T...
L200300566820030711光応答型分子識別材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、図1に示すように、識別目的分子を捕捉する所定形状の大きさの空孔を持ち、かつ分子識別部位が、異なる波長の光照射により可逆的な光異性化...
L200300566520030711異方性を低減化した液晶性ポリエステル/ポリエチレンテレフタレートブレンド押出し物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明において押出し用原料として用いるブレンドは、液晶性ポリエステル(以下、LCPEとも言う)とポリエチレンテレフタレート(以下、PETとも...
L200300566420030711燃料油に含まれる硫黄化合物の光酸化触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光酸化触媒は、式:[A]↑n↑+[M↓xO↓y]↑n↑−([M↓xO↓y]↑n↑−はポリ酸アニオン;Mはポリ原子;x、yはMにより定められる...
L200300566220030711層状構造を有する酸化アルミニウム耐摩耗性部材及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 異方性を有する結晶から構成される高破壊靭性材料の表面に、粒径の小さな等軸晶の結晶からなる耐摩耗層を配した2層構造を有する耐摩耗層/高破壊靭性...
L200300566020030711ウェブサイトの検査装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は検査システム10の構成図である。検査装置100は、ウェブサイト50とブラウザ14との通信内容を取得する。検査装置100は、通信内容に基...
L200300565920030711危険状態検知方法および危険状態記録装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 危険状態記録装置1(図1)は、生理情報計測装置10、判定処理装置20、撮像装置30、画像記録装置40から構成されている。生理情報計測装置(図...
L200300539720030627エタノール分離膜、エタノール分離膜を有するエタノール製造装置及びエタノール分離膜を用いるエタノール製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコンゴムコーティングしたシリカライト膜からなる。尚、糖質を原料として発酵法によりエタノールを製造する発酵槽、発酵槽から得られるエタノール...
L200300539620030627シリコンゴムコーティングしたシリカライト膜を用いた浸透気化法による発酵法高濃度エタノールの製造方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グルコース等の糖質を原料としてエタノール発酵によりエタノールを製造する発酵槽を、シリコンゴムコーティングしたシリカライト膜等のエタノール選択...
L200300539520030627気体の分離剤及び気体を分離濃縮するための方法と装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 臭化テトラ-n-ブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウム塩をゲスト分子として含む中空の籠状結晶構造を持つ包接水和物からなる気体分離剤。尚、加...
L200300539420030627ナノコンポジット、その製造方法及びそれを用いたリチウム二次電池 国立研究開発法人産業技術総合研究所 層状のマンガン酸化物又はマンガン含有複合酸化物を水中で膨潤又は剥離させて得たナノシート懸濁液と、層状の炭素又はその酸化物を水中で膨潤又は剥離...
L200300539320030627太陽電池部分冷却装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すように、p型半導体素子2とn型半導体素子5を重合した太陽電池発電素子6の第1端部9には、p型の熱電用半導体素子10の上端面11を接続...
L200300539220030627リサイクル対応型太陽電池モジュール 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1にモジュール内に内包するセルを1枚とする単セルモジュールでの立体構成図と平面図を示す。このモジュールの構成部材は、太陽光線の入射側から順...
L200300539120030627微小信号測定方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すように周期t1で繰り返される微小信号の振幅T1を検出する際、周期t1より長い周期t2でこの信号を振幅変調し、この周期t2で振幅変調と位相が異な...
L200300539020030627画像表示方法及びシステム 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すように本発明の画像表示方法は、表示しようとする三次元立体画像を表示するときの基準となる座標系を与える基準物体と、視野内に置かれた基準...
L200300538920030627ポリ〔3〕ロタキサン製造用モノマー及びその製造方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(Rは炭化水素;Yは置換基;Qは、反応性の置換基;Xは、任意の陰イオン原子;但し、Rは、ジベンゾ-24-クラウン-8-エーテルの内径より大...
L200300538820030627工作機械の温度調節方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すように工作機械1を収納するケース2を開閉自在なプラスチック透明カバー3で覆い、加工物や工具が存在する加工部分4と工作機械本体5に対し...
L200300538720030627ペルチェ効果を利用した冷却方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図に示すようにシリコン基板10上に白金等の金属B薄膜11を形成し、その端部に第1半導体薄膜12及び第2半導体薄膜13を介して前記金属B薄膜1...
L2003005385200306271,3−プロパンジオールピレニルグリシンアミドアセチルアセトンエステル化合物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式〔T〕(R↑1は、飽和若しくは不飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基を示す。飽和又は不飽和脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし...
L200300537720030627透明平行平板の表面形状測定および厚さ不均一測定のための干渉縞解析法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の干渉縞解析方法は図1のように、透明平行平板の表面の各位置での光学的厚さ不均一を測定する方法であり、出力光が平行平板を透過するコヒーレ...
L200300537520030627亜鉛、アンチモン及びカドミウムからなる化合物の焼結体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Zn、Cd及びSb各成分の組み合わせからなり、その割合がモル比で、4対0以上(但し、0を含まない)対3.0〜2.8対1.2対3.0の割合で混...
L200300537420030627亜鉛アンチモン化合物焼結体及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Zn及びSb各成分の組み合わせからなり、その割合がモル比で4対3に混合した粉体を真空封入後、400〜500℃の温度範囲で固相反応させ、β-Zn↓4S...
L200300537320030627亜鉛アンチモン化合物焼結体及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Zn及びSb各成分の組み合わせからなり、その割合がモル比で4対3である混合された粉体を真空封入後、650〜700℃程度の温度下に溶融凝固させてβ-...
L200300537220030627亜鉛、アンチモン及びカドミウムからなる化合物焼結体及びその製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Zn、Cd及びSb各成分の組み合わせからなり、その割合がモル比で、4.0対0(但し、0を含まない)対3.0〜2.8対1.2対3の割合で混合さ...
L200300537120030627低温プラズマによる合成ガスの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 脂肪族炭化水素(例;メタン、エタン、プロパン等)等の炭化水素等の有機化合物を、水、空気、酸素及び二酸化炭素から選ばれた少なくとも一種である改...
L200300537020030627セラミックス粉末及び金属粉末を用いた傾斜組織コーティング複合材料及びその作製方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基材5と類似の熱膨張係数を有する金属粉末(粒径は、好ましくは10〜300μm)とセラミックス粉末(粒径は、好ましくは0.1〜300μm)を組み合わせて...
L200300536920030627X線照射装置における飛散物除去方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のX線照射装置における飛散物除去方法は、X線の発生と同時に発生する高速飛散物を、飛散物除去用プラズマと衝突させることにより、X線の強度...
L200300536720030627光応答性高分子膜材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(T)(Rは不飽和炭化水素基;Aは酸素、窒素;Bは光応答性基)で示される、フェニルアゾアクリルアニリド等の、側鎖に光応答性基を有する不飽和...
L200300536620030627損傷センシングシート 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の損傷センシングシートは、圧電素子と電極回路を備えた樹脂フィルムからなる損傷センシングシートであって、圧電素子として弾性波の発生と検知...
L200300536520030627タングステンブロンズ型圧電材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧電材料は、Sr↓2↓−↓xCa↓xNaNb↓5O↓1↓5(0.02<x<0.12)で示される組成40〜80モル%及びBaNaNb↓...
L200300536420030627ニオブ酸カリウム光触媒およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化ニオブを水酸化カリウム水溶液と混合して、300〜450℃の水熱条件下で処理して得られた反応生成物を濾過・水洗・乾燥した後、ニッケル含有溶液に浸...
L200300536120030627ポリビニルアルコールからの炭素材料の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリビニルアルコールを、ヨウ素ガス雰囲気中、50〜180℃の温度範囲でヨウ素処理した後、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中、500℃以上の、好ましくは10...
L200300518320030613圧力分布及び摩擦力分布測定用センサ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の圧力分布及び摩擦力分布測定用センサは、面状の圧力分布及び摩擦力分布を測定するためのセンサであり、図に示すように面状に広がった相互に嵌...
L200300518120030613洗浄剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光触媒機能を有する二酸化チタンと、リン酸、ピロリン酸に代表される酸とからなる洗浄・漂白・殺菌剤。好ましくは、二酸化チタンをゾル溶液として添加...
L200300518020030613炭化珪素薄膜の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 好ましくは300〜1000℃の温度に保持したシリコンウエハに、(A)炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを、低エネルギーで、同時または交互に...
L200300517920030613抗菌材料及びそれを用いた抗菌製品 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸素欠陥型酸化チタンTiO↓x(1.5<x<2)、チタンオキシナイトライドTiO↓xN↓(2−x)(1<x<2)、ダイヤモンド様炭素、チタニ...
L200300517820030613金属酸化物多結晶体、熱電材料、熱電素子及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 多結晶体を構成する金属酸化物結晶粒のc軸が、配向した金属酸化物多結晶体であって、Lotgering's法によるc軸配向度が0.7〜1であり、...
L200300517720030613アルキレンカーボネートの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↓1〜R↓4はH、炭素数15以下のアルキル、アリール等)で表される、例えばプロピレンオキサイド等のアルキレンオキサイドと、二酸化炭素...
L200300517620030613α−SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα−SiCヘテロエピタキシャル薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルゴン等の低圧不活性ガス雰囲気中で、高温相のα−SiCのターゲットに、パルスレーザを照射して、ターゲットを蒸発(アブレーション)させ、加熱...
L200300517520030613水素製造用触媒及びそれを用いた水素の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルミナ系担体に、鉄含有物質と、周期律表第Ua族金属(例:マグネシウム)、第Za族金属(マンガン)、および希土類金属(例:ランタン)から選ば...
L200300517320030613α−SiCのヘテロエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 パルスレーザをターゲット物質に照射してその物質を瞬間・パルス的にイオンクラスター等の微粒子に分解・剥離させ、それを高温(例:800〜1300...
L200300517220030613環状ウレタン製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式T(R↓1〜R↓7はアリール、C↓(1〜15)アルキル、アルケニル等;nは0〜5)で表される、例えば2−フェニルアジリジン等の環状アミンと...
L200300517120030613環状液晶性組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 式(R=C↓nH↓(2n+1);nは5〜23)で表される液晶性化合物、例えば、テトラ−p−(p−ヘキサデシロキシベンジルアセチレン)テトラ−...
L200300517020030613配向共役系高分子とチタン酸化物との積層薄膜素子とそれを用いた偏光検出回路およびその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ガラス等の透明基板1上にITO等が形成されてなる光を透過する第1の電極2と、チタン酸化物膜薄膜3と、共役系高分子の配向膜4と、金薄膜またはI...
L200300516920030613電極膜作製法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 固体電解質上に、導電性薄膜を形成する際に、(A)固体電解質の表面状態に依存して変化させる工程と、(B)固体電解質に導電性薄膜を堆積して、導電...