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登録日 | タイトル | 登録者 | 概 要 |
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| L2003003284 | 20030328 | フッ素系有機化合物の光分解法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 本発明は、酸素の存在下で水溶性で難分解性のフルオロアルキルカルボン酸類、フルオロアルキルスルホン酸類、フルオロアルコール類等のフッ素系有機化... |
| L2003003283 | 20030328 | リチウムフェライト系複合酸化物およびその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 本発明のＬｉ↓（２−ｘ）（Ｍｎ↓（１−ｍ−ｎ）Ｆｅ↓ｎＮｉ↓ｍ）Ｏ↓（３−ｙ）で表される層状岩塩型リチウムフェライト系複合酸化物は、可溶性マ... |
| L2003003282 | 20030328 | 立方晶岩塩型リチウムフェライト系酸化物およびその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 本発明のＬｉ↓（２−ｘ）Ｔｉ↓（１−ｚ）Ｆｅ↓ｚＯ↓（３−ｙ）で表される立方晶岩塩型リチウムフェライト系酸化物は、水溶性チタン塩と水溶性鉄塩... |
| L2003003281 | 20030328 | 軽油の深度脱硫方法、その触媒及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 本発明の深度脱硫方法は、軽油留分からなる炭化水素を、２〜１０ＭＰａの水素の存在下２００〜４５０℃、２０〜１００Ｋｇ／ｃｍ↑２の圧力条件下に、... |
| L2003003280 | 20030328 | 銅鉱石からそれに含まれる有価金属を分離する方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 本発明は、硫化銅鉱中の硫黄の酸化に過塩素酸などの酸化剤をもちいて、硫化銅鉱を過塩素酸などの酸化剤を用いて、過塩素酸を含む無機酸例えば塩酸混合... |
| L2003003279 | 20030328 | 超硬度カーボンナノチューブ及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 原料となるカーボンナノチューブは、平均直径０．７〜５ｎｍ、長さ０．１〜５０μｍの中空炭素繊維で、これを用いて超硬度カーボンナノチューブを製造... |
| L2003003278 | 20030328 | 油の改質方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 縮合環を有する複素環式化合物を含有する油に、低極性炭化水素溶媒と光触媒を存在させて光りを照射し、生成した複素環式化合物の酸化生成物を溶媒で溶... |
| L2003003117 | 20030328 | 低温型燃料電池の燃料極用電極触媒 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、電極触媒は、遷移金属又はその合金と、平面状立体配位構造を有する有機金属錯体を含む。遷移金属又はその合金としては、燃料電池の燃料... |
| L2003003115 | 20030328 | 薄型圧力センサ及びそれを用いた人体情報計測装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、外部電極はそれぞれ内側に圧電体層を設けた導電体薄膜からなっている。導電体薄膜からなる内部電極は、２枚の外部電極の間に全体が完全... |
| L2003003114 | 20030328 | 吸着された活性炭素繊維シートの再生方法及び該シートを備えた吸着物質の除去又は回収装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、活性炭素繊維シートの再生方法は、吸着物質を加熱により脱着させる活性炭素繊維シートの再生方法とする。そして、活性炭素繊維シートの... |
| L2003003111 | 20030328 | アミノ基導入法及びアミノ酸の合成方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、高温高圧水条件下の高温熱水中に、反応基質として所定の濃度の有機酸及びアンモニアあるいはアンモニウム塩化合物を存在させることによ... |
| L2003003110 | 20030328 | 被膜形成用エマルション組成物及びその組成物から得られた被膜、並びにそれらの製造方法、及びこれらによる表面処理方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、被膜形成用ポリマー組成物を、ビニルアセテートのホモポリマー若しくはその部分加水分解物、またはビニルアセテートとアクリル酸エステ... |
| L2003003109 | 20030328 | 脂肪族ポリエステル系重合体の製造方法及び脂肪族ポリエステル系重合体 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、脂肪族ジカルボン酸、そのジエステル及びその酸無水物の中から選ばれる少なくとも１種の脂肪族ジカルボン酸系化合物と脂肪族ジオールと... |
| L2003003108 | 20030328 | ＤＮＡ増幅方法、アミノ酸配列の繰り返し配列をコードする遺伝子 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、増幅対象の塩基配列における第１の領域を挟み込むとともに３’末端で互いにアニールするように一対のプライマーを設計し、これら一対の... |
| L2003003104 | 20030328 | フッ素系高分子量化合物の光分解法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、活性酸素を生じさせる化学種の存在下、光触媒を含む水層とフッ素系高分子量化合物を含む超臨界状態または液体状態の二酸化炭素層とを混... |
| L2003003103 | 20030328 | 光−光スイッチ用微小共振器および光−光スイッチ | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術は、擬イソシアニン等のＪ会合体、ＰＰＶ（ポリパラフェレンビニレン）等の高分子ポリマー、ペロブスカイト型有機無機半導体などの室温でも十... |
| L2003003102 | 20030328 | 半導体基板の表面不活性化方法及び半導体基板 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、シリコン基板などの半導体基板の一部又は全部を、キンヒドロンまたは準キンヒドロンを含む溶液に浸すことにより表面を処理する。半導体... |
| L2003003100 | 20030328 | 結晶主軸から傾けて切断した疑似整合エピタキシャル成長基板 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、薄膜がテンプレート基板の上に形成される際の傾斜角度を計算により導き出すことができる。そして、得られたテンプレート基板の上に形成... |
| L2003003098 | 20030328 | メソ−置換ポルフイリン誘導体化合物の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術は、ジピロメタンと電子吸引性の基を有しない芳香族アルデヒド化合物を反応させて目的とするメソ置換ポルフイリンを製造するものである。この... |
| L2003003097 | 20030328 | 選択透過膜及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、はじめに、ゼオライト骨格金属源、アルカリ金属源及び水を均一に撹拌混合する。混合させる際のモル比は重要な意味を有している。ゼオラ... |
| L2003003096 | 20030328 | 紫外線照射によるビスマス系層状ペロブスカイトＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜の新規結晶性・配向性・表面平滑性制御方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、調製したＳｒ−Ｂｉ−Ｔａトリプルアルコキシド前駆体溶液をＰｔ電極付き基板上にコーティングした後、乾燥処理を行うが、この温度は使... |
| L2003003094 | 20030328 | リアルタイムかつナノメータスケールの位置測定方法および装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、コンデンサの一方の電極を探針等で構成して可動とし、他方の電極を絶縁基板上に所定ピッチＰで平行配列した複数の電線を１組として固定... |
| L2003003093 | 20030328 | 視線検出方法及びシステム | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、頭部が固定された被験者において、反射位置が角膜上に位置するように配置された光源により照明された瞳孔を撮影可能のカメラによって、... |
| L2003003091 | 20030328 | ｐ−アミノスチレン環状４量体及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、第一に、一般式（１）で示されるｐ−アミノスチレン環状４量体が提供される。第二に、ｐ−アミノスチレンを酸触媒の存在下でオリゴマー... |
| L2003003088 | 20030328 | 薄膜状発光素子の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、用いる基板は、従来酸化亜鉛発光薄膜の基板として用いられていた素材、又は発光素子のパネル基板として慣用されていた素材の中から任意... |
| L2003003087 | 20030328 | 不要電磁放射を低減するデジタルシステム、インピーダンス調整方法、およびその方法を実行する処理プログラム | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、デジタル処理を行って所定の基本的機能を奏するシステムにおいて、システム内の、各論理素子間を結ぶ一つまたは複数の配線にそれぞれ介... |
| L2003003086 | 20030328 | 植物成長抑制剤 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ロクショウグサレキン又はその類似菌類により木質部中に産生された色素又はロクショウグサレキン又はその類似菌類の菌体に含まれる色素... |
| L2003003085 | 20030328 | 排熱回収方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、排熱を有効に回収活用する排熱回収方法において、蟻酸メチルを分解してメタノールを生成するとともに、その生成時に温排水の熱を吸収し... |
| L2003003083 | 20030328 | 新規なアラキドン酸及びカロチノイド産生微生物、その産生方法及びそれを用いたアラキドン酸及びカロチノイドの製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ラビリンチュラ属に属し、カロチノイドを産生して細胞が赤色に着色すること及びリン無添加培地においてアラキドン酸を産生する微生物で... |
| L2003003082 | 20030328 | 高温用ヒートパイプの加熱装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、コンテナの内壁面にウィックが布設されてなる高温用ヒートパイプにおいて、ヒータに挿入された高温用ヒートパイプの高温部の温度を観測... |
| L2003003080 | 20030328 | 磁気結合型超伝導スイッチ素子及びこれを用いた回路 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、印可される磁場と平行な面内での超伝導トンネル接合素子の平面形状を、一対の正規分布形状を底辺部分で対象に接続した形状とし、その各... |
| L2003003079 | 20030328 | 対称Ｘ型光学系 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、試料に対して対称なＸ型に配置された４枚の楕円面鏡を有し、その楕円面鏡から選択された少なくとも２枚以上の楕円面鏡を組み合わせ、試... |
| L2003003078 | 20030328 | 有機高分子多孔体及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、グリシジルメタクリレートとトリメチロールプロパントリメタクリレートを特定の割合で含む有機溶媒溶液を、重合開始剤を含む水溶液中に... |
| L2003003077 | 20030328 | オリゴ糖の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、多糖に所定の分子鎖長を有するブロック形成性分子を反応させて、多糖分子の分子鎖の複数の個所を所定の分子鎖長でブロックされた複合体... |
| L2003003076 | 20030328 | 多孔質粒状リチウム吸着剤の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、リチウム含有マンガン酸化物粉末と水溶性細孔形成剤粉末と有機バインダーとを混合し、造粒したのち、得られた粒状物を水中に投入し、水... |
| L2003003075 | 20030328 | パージ容器 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、容器内の対抗する２つの側面に物質透過性のシート状または板状のスクリーンを配置する。それにより、容器内での場所に依存しない均一な... |
| L2003003074 | 20030328 | シルセスキオキサン系ポリマーを含む耐熱性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された被膜、及びその被膜の作成方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、耐熱性樹脂組成物は、一般式（１）（ＨＳｉＯ↓（３／２））↓ｎ（式中、ｎは４〜１０００の整数である。）で表されるヒドリドシルセス... |
| L2003003073 | 20030328 | シルセスキオキサン系ポリマー成形体及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ヒドリドシルセスキオキサン類とジビニルシロキサン類をヒドロシリル化重合させて得られるシルセスキオキサン構造を有する含ケイ素ポリ... |
| L2003003072 | 20030328 | 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特... | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属種の金属イオン、さらに具体的にはこれら金属種を含む希土類超電導膜を構成する金属種の金属... |
| L2003003071 | 20030328 | 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特... | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属種の金属イオン、さらに具体的にはこれら金属種を含む希土類超電導体を構成する金属種の金属... |
| L2003003070 | 20030328 | 不純物イオン注入層の活性化法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、所定の不純物元素をイオン注入によりドーピングした半導体材料に対して、その半導体材料のバンドギャップと同じか、またはそれよりも高... |
| L2003003069 | 20030328 | 電池有効利用回路および電池有効利用方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、並列に接続された２のｎ乗（ｎ：正の整数）個の電池を有効に利用する電池有効利用回路において、２のｎ乗個の電池を２個宛の対としたと... |
| L2003003067 | 20030328 | デジタルミラー装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、利用者の複数の方向の画像データを得る複数の視覚センサと、視覚センサのデータにより利用者の特定の向きの画像を得る画像処理部と、画... |
| L2003003066 | 20030328 | 多価カルボン酸及びエポキシ樹脂組成物 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、次に示す多価カルボン酸、それを含むエポキシ樹脂組成物及び該組成物の硬化物が提供される。（１）糖化合物及び／又はリグニン物質をポ... |
| L2003003065 | 20030328 | 酵素反応による有機化合物の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、基質Ｓに作用して生成物Ａを生じる第一酵素及び基質Ｓに作用して生成物Ａとは異なる有用な有機化合物Ｂを生成する第二酵素が共存する反... |
| L2003003063 | 20030328 | 遷移金属含有カルコゲン化物ガラス発光体 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、３ｄ遷移金属元素のイオン（但し、ＴｉのイオンおよびＣｕ↑＋を除く）を含有するカルコゲン化物ガラス発光体に係る。この技術のガラス... |
| L2003003062 | 20030328 | 超伝導時間領域反射信号測定回路 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ａ：極低温環境下で動作し、入力端子を介して取り込む被測定波形とパルス発生回路から得られる極短パルスとに、さらにバイアス電流を重... |
| L2003003061 | 20030328 | 強誘電体半導体記憶デバイス | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ＭＦＢＳ構造の隣にＭＦＢＳと強誘電体層を共通とし、金属がその強誘電体層の両側を挟んだキャパシタ（ＭＦＭキャパシタ）を置き、ＭＦ... |
| L2003003060 | 20030328 | フェナザシリン含有π共役ポリマー | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ケイ素原子を含む特定の繰り返し構造単位からなる新規なフェナザシリン系ポリマーが優れた特性を有する。即ち、この技術によれば、一般... |
| L2003003059 | 20030328 | 特殊構造を有する２−ピロリドン重合体およびその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、次の各項の特殊構造を有する２−ピロリドン重合体及びその製造方法を提供する。項１．塩基性重合触媒およびカルボン酸系化合物を用いて... |
| L2003003058 | 20030328 | 赤外減衰全反射薄膜測定装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、赤外領域に吸収を持たない減衰全反射プリズム上に被測定物である成長薄膜を密着裁置し、減衰全反射プリズムの端面に赤外光を入射させる... |
| L2003003057 | 20030328 | 熱エネルギー貯蔵容量と電気エネルギー貯蔵容量の相互融通方式 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、充電手段と、充電手段の充電に関わる物質を移送する手段と、充電手段の充電に関わる物質の温度を変化せしめてその圧力の変化を生じしめ... |
| L2003003056 | 20030328 | ポリエチレングリコールリンカーを有するポリスチレン担持光学活性アンモニウム塩、その製造方法、それから成るポリマー担持型光学活性相間移動触媒及... | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、溶媒中において、光学活性三級アミンと、ポリエチレングリコールリンカーにおいてリンカーの末端に特定の構造を有する置換ポリスチレン... |
| L2003003054 | 20030328 | 脂肪族ポリエステル共重合体及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、一般式（１）のγ−ラクトン類と一般式（２）のグリコール酸無水物とを超高圧の加熱条件下に開環重合反応させて、一般式（１）で表され... |
| L2003003053 | 20030328 | イリジウム担持物質、イリジウム担持方法およびイリジウム担持触媒 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ＩｒＣｌ↓４（７９ｍｇ）を水５００ｍｌに溶解し、液温を３４３Ｋに保つ。この溶液に０．１ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液８ｍｌを１時間... |
| L2003003052 | 20030328 | ボラジン含有ケイ素系共重合ポリマー及びその薄膜の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、Ｂ，Ｂ’，Ｂ’’−トリエチニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリメチルボラジン（０．１２５ｍｍｏｌ）、ｍ−ジエチニルベンゼン（０．１２５... |
| L2003003048 | 20030328 | 半導体装置の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、溝に露出されたシリコン層の側面部に熱酸化等で酸化膜を形成する。次に、溝に、多結晶シリコン層を埋め込み第１回目の機械化学的研磨法... |
| L2003003047 | 20030328 | 二重ゲート電界効果トランジスタ | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、絶縁物により基板から分離された半導体結晶層を用意し、少なくともソース領域、ドレイン領域及びこれらに隣接するチャネル領域からなる... |
| L2003003046 | 20030328 | メタノール合成用触媒 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、硝酸銅三水和物３５．４ｇ、硝酸亜鉛六水和物２５．５ｇ、硝酸アルミニウム九水和物８．５ｇ、オキシ硝酸ジルコニウム二水和物１１．１... |
| L2003003045 | 20030328 | ボラジン含有ケイ素系ポリマーの薄膜の製造方法及びポラジン含有ケイ素ポリマー | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、式（１）（式中、Ｒ↑１はアルキル基、アリール基、アラルキル基または水素原子を示し、Ｒ↑２はアルキル基、アリール基、アラルキル基... |
| L2003003044 | 20030328 | 最大電力動作点追尾方法及びその装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電流電圧特性がへの字特性である太陽電池等の電源で発生する電力をスイッチングコンバータを介して負荷に供給する方法において、この技術では、スイッ... |
| L2003003043 | 20030328 | ウォータージェット装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、一側に凹部を設け、凹部連通して軸方向にノズル孔を４個、等間隔に配置・形成する。１つのノズル孔２の径はｄ＝０．３５ｍｍであり、ノ... |
| L2003003042 | 20030328 | β−アミロイドタンパク質会合阻害剤 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、（アミノエトキシ）エトキシ酢酸が縮合した親水性部分を持つ各種の会合阻害剤（Ｘ０〜Ｘ６）は、アミノ基をＦｍｏｃ基で保護したアミノ... |
| L2003003041 | 20030328 | スチレンモノマーの製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、先ず、各金属の総和が０．３モルであり各金属硝酸塩の混合比は触媒として完成したときの成分比が酸化鉄１０重量％、酸化バリウム５重量... |
| L2003003040 | 20030328 | 疑似光発生装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術による疑似光発生装置は、光源部、分光分散部、単色光強度制御部、単色光混合部、疑似光検知部および疑似光と基準光との差分を検出する比較部... |
| L2003003039 | 20030328 | 二酸化炭素からのメタンの製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、３号水ガラス（ＳｉＯ↓２ ２８％，Ｎａ↓２Ｏ ９％，モル比３．２２）２６．１ｇを蒸留水１２０ｍｌに溶解させ、１３規定の硝酸９．... |
| L2003003038 | 20030328 | ラクタムの製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、温度３７５℃、圧力３０ＭＰａ及び密度０．５５８３ｇ／ｃｍ↑３の高温高圧水条件下でシクロヘキサノンオキシム試薬（純度９７％）を用... |
| L2003003037 | 20030328 | リチウムイオン二次電池用負電極板の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、負極活物質としてメソカーボンマイクロビーズを１００重量部、バインダーとしてポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）を１０．５重量部、安... |
| L2003003036 | 20030328 | 導電性銅アルミ酸化物の溶液法による製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、先ず、水性媒体中に水溶性銅塩と水溶性アルミニウム塩を溶解させて、銅及びアルミニウムを含む水性溶液を作る。この場合、銅塩とアルミ... |
| L2003003035 | 20030328 | 階層型命令を実行する計算機 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、計算機の命令に二階層型命令を導入し、データ処理に関するものは二階層型命令によって処理する。計算機の構造もそれに応じて、従来の計... |
| L2003003033 | 20030328 | ポリアミド類分解菌及びポリアミド類の分解方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、まず、炭素源として粉末状のナイロン４を添加した合成無機培地を用い、活性汚泥を馴養する。即ち、２００ｍｇのナイロン４を含む合成無... |
| L2003003032 | 20030328 | 多糖物質溶液 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、アルカリ金属ハロゲン化物及びアルカリ土類金属ハロゲン化の中から選ばれる少なくとも１種の金属ハロゲン化物をギ酸に溶解させて形成し... |
| L2003003028 | 20030328 | シリカ原料の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、３２メッシュ以下に粉砕し、乾燥したもみ殻粉末（灰分１７．４質量％、灰分中の全金属成分量に基づくＳｉ濃度８９．１質量％）０．５ｇ... |
| L2003003027 | 20030328 | スクッテルダイト単結晶及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、純度９９．９％以上のＣｏ及びＰ粉末（粒度、約１００μｍ）を、１：３のモル比で秤量し、十分に混合する。これを、ＢＮ容器に充填し、... |
| L2003003026 | 20030328 | 難削材の切削方法及びそれに用いる切削工具 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、支持体に支持された超音波発振器の先端に取り付けられた切削工具が上下方向に振動しながら、矢印方向に回転する被切削材を切削する。こ... |
| L2003003025 | 20030328 | 巨核球成熟作用物質、該物質産生微生物及び該物質の製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、微生物Ａ１７３株の大量培養はグルコース１．５％、肉エキス０．５％、酵母エキス０．５％、ポリペプトン０．５％、塩化ナトリウム０．... |
| L2003003024 | 20030328 | 過酸化水素耐性微生物による過酸化水素含有廃水の処理法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、イグジォバクテリウム（Ｅｘｉｇｕｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ）Ｔ−２−２株、大腸菌、黄色ブドウ球菌、腸炎ビブリオ菌、シュードモナス フ... |
| L2003003023 | 20030328 | 縦渦発生装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、風洞の壁面に複数の微小孔を主流の方向と直交する方向であるＺ方向に設けておき、個々の微小孔から壁面に垂直なＹ方向に空気の吹き出し... |
| L2003003022 | 20030328 | 遠隔操作装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、遠隔地のマニピュレータや把持部等の作動部材の操作を、利用者の操作によって行う操作部材は、下端の支持部に支持された操作部材の各移... |
| L2003003021 | 20030328 | 小型燃料電池 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、内径０．３ｍｍ、外径０．５ｍｍ、長さ６０ｍｍのチューブ状フレミオン電解質膜の内部に０．１Ｍの水素化ホウ素ナトリウムと１Ｍ水酸化... |
| L2003003007 | 20030328 | 非接触信号測定装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、極低温環境下で動作し、入力端子を介して取り込む被測定波形とパルス発生回路から得られる極短パルスとに、さらにバイアス電流を重畳し... |
| L2003003006 | 20030328 | 高耐久性を有するアルミナ−ガリア系窒素酸化物還元触媒の製造法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、２０．４ｇのアルミニウムイソプロポキシドを、８０℃、８０ｍｌの熱水で加水分解した後、１規定の硝酸で１時間解膠し、ベーマイトゾル... |
| L2003003005 | 20030328 | 放電加工と塑性加工を組み合わせた金属質の多孔質体の気孔率分布制御法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、気孔率の高い金属質の多孔質体として、板厚１０ｍｍ、一辺５ｃｍの正方形で、気孔率約９５％、平均セル直径１ｍｍ弱の工業用純ニッケル... |
| L2003003004 | 20030328 | アザフラーレンの製造方法及び精製方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、Ｃ↓（６０）にＭＥＭ−Ｎ↓３（２−メトキシエトキシメチル アジド）を反応させてＣ↓（６０）Ｎ↓３−ＭＥＭとし、加熱してＣ↓（６... |
| L2003003003 | 20030328 | 水溶性天然高分子架橋物及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、水溶性天然高分子と親水化ポリイソシアネートとを水性媒体中で反応させる。ここで、親水化ポリイソシアネートと水溶性天然高分子との割... |
| L2003003001 | 20030328 | 超耐熱性エステラーゼ | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ＤＮＡデータベースからアエロパイラム・ペルニクス（ＡＰＥ１５４７）の情報を得、酵素遺伝子と推定される配列を選択する。ここで、得... |
| L2003003000 | 20030328 | プロピレンオキシドの製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、ハイシリカゼオライト（ＨＳＺ）（Ｓｉ／Ａｌ↓２比＝１９００）２ｇを取り４００℃で３時間脱気した後、チタンテトライソプロポキシド... |
| L2003002999 | 20030328 | 新規β−Ｎ−アセチルヘキソサミニダーゼ及びその製造方法 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、１／２ＴＺ培地５ｍｌに冷蔵保存菌Ｐ２Ｋ−５（ＦＥＲＭ ＢＰ−５７６９）２００μｌを植菌し、２５℃で終夜振とうし、その後、本培養... |
| L2003002998 | 20030328 | 細胞接着性基材 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、酸化被膜をスパッタリングにより基材にコーティングする。ここで、基材はカバーガラスとする。コーティング法により形成した被膜の膜厚... |
| L2003002997 | 20030328 | 移動マニピュレータの遠隔操作装置 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | この技術では、基台上にＹステージを固定し、Ｙステージ上の平行支持ロッドにＸステージを移動自在に設け、このＸステージの平行支持ロッドにジョイス... |