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L201500128120150812チアカリックスアレーン誘導体及びその製造方法 学校法人 神奈川大学 下記式(2)で表されるチアカリックスアレーン誘導体。

(式(2)中、nは4〜10の整数を表し、R↓1は置換若しくは非置換の炭素数1〜20の...
L201500128020150812カリックスレゾルシンアレーン誘導体及びその製法 学校法人 神奈川大学 式(1)で表されるカリックスレゾルシンアレーン誘導体。

(式(1)中、R↓1は炭素数1〜20のアルキレン基を示し、R↓2は炭素数1〜20の...
L201500127920150812カリックスアレーン誘導体及びその製造方法 学校法人 神奈川大学 式(2)で表されるカリックスアレーン誘導体。

(式(2)中、nは4〜10の整数を表し、R↓1は炭素数1〜20のアルキレン基を示し、R↓2は...

 
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L200100140320010210チタン含有シリカメソ多孔体からなる光触媒及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本チタン含有シリメカソ多孔体光触媒は、酸性水溶液相中において生成するSi−及びTi−アルコキシド溶存種と1−アルキルアミンとの急速な相互作用...
L200100140220010210表面に異種の原子を吸着させた基板材料の探針の触媒的作用による微細パターン形成方法/水素結合手を表面に有するシリコン基板材料の探針の触媒的作用... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体基板の表面は、安定で清浄な表面を維持し、また平滑さを保持するため通常、表面の結合手を異種物質で終端する。シリコン基板では、異種物質とし...
L200100140120010210幅広い吸光領域、吸光係数を持つ金属錯体からなる感光剤を吸着させた酸化物半導体電極及びその電極を用いた太陽電池。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の増感剤である金属錯体はカルボキシル基等の結合基を持つ1,10フェナントロリン誘導体を配位子とするルテニウム等の8族金属錯体である。1...
L200100140020010210微小サイズの絶縁体同士の摩擦面の垂直方向に外部から電場を加える、摩擦力のアクティブ制御方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1において、制御装置1は二つの物体間の接触面における摩擦力を電場によって制御するもので、金属板2と、金属板2に静電圧又は振動電圧を印加する...
L200100139820010210酸素のみを酸化剤としてプロピレンからプロピレンオキシドを効率良く製造する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プロピレンと酸素とからプロピレンオキシドを合成する時に使用する触媒は、硫酸根等を坦持したジルコニア系超強酸酸化物、又は超強酸にチタン化合物又...
L200100139720010210生理活性化合物及びその中間体として有用な新規なN−グリコシド類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 D−グルコピラノース及びD−リボフラノースの1位にイソチオシアナート基を持つ糖イソチオシアナート類は二級アミンと容易に反応して、N−グリコシ...
L200100139520010210農薬や医薬の中間体として有用なトリアジン系化合物の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 対応する含酸素化合物から酸素−硫黄交換反応やイソチオシアナート類にアミンを付加させる方法等によって容易に合成される、N−置換チオアミド類、1...
L200100138620010210信号線路の全体にわたってインピーダンスを一定にすることによって、信号伝送特性を大幅に改善できるジョセフソン論理集積回路の構成方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 信号線路の全体にわたってインピーダンスを一定にするために、自動配置配線手法により配置する全てのスタンダードセルについて、ファンアウトの出力ポ...
L200100138520010210プラズマをイオン源とする質量分析計用金属−セラミック複合サンプラー及びスキマー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、プラズマをイオン源とする質量分析法の従来の欠点、金属製サンプラー、スキマーの溶融・変形、2次放電の発生、サンプラー・スキマーが冷却...
L200100136920010210β−グリコシダーゼ活性を有する有機溶媒耐性かつ耐熱性酵素 国立研究開発法人産業技術総合研究所 目的を解決すべく、90〜100℃で生育する超好熱性細菌に着目し、その遺伝子配列から本酵素活を示すタンパク質をコードすると推測される遺伝子を常...
L200100136720010210耐熱性に優れた固定化蛋白質の生成方法及びその変性処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 蛋白質配列のカルボキシ末端を特異的に固定化担体に結合することにより蛋白質を固定化する新規な固定化の方法及びカルボキシ末端が特異的に固定化担体...
L200100136420010210殺菌剤などとして有用なアルキルカルバモイルグアニジン型化合物の合成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 N−アリル−N’−カルバモイルグアニジンの無機塩を水又は水と水溶性の有機溶媒の混合物中で、通常の重合反応に使用される装置を利用してアゾ系開始...
L200100135920010210規則的に配列した細孔を有する、球形又は平板状のシリカメソ多孔体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 テトラエチルオルトンリケート(TEOS)と塩酸のエマルジョンを形成し、攪拌下にアルキルアミンを添加して常温で60分程度反応させる。反応後、懸...
L200100135720010210ペプチドを有効成分とする摂食抑制剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 線維芽細胞増殖因子(Fibroblast Growth Factors)(FGF)(真 等を形成する細胞を増殖させる因子)は摂食抑制を有する...
L200100135320010210長時間安定的にレーザー光を高強度のストークス光に変換し得る、誘導散乱容器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 誘導散乱容器は、中心軸を鉛直方向としてその方向に励起光、ストークス光を伝搬するように構成する。誘導散乱媒質の上部に誘導散乱媒質より密度の低い...
L200100134920010210350〜500℃での焼成で製造可能なスピネルの製造方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 構造式 Mg↓1−xAl↓x(OH)↓2Aa・bH↓2O A:無機陰イオン x:1/5〜1/3 a:x/n(nはAイオンの価数)で表されるハ...
L200100134820010210低速回転域でより大きなトルク、低負荷時にはより高い回転速度が得られ、小型で、消費電力の小さいるブラシレスDCサーボモータ 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ロータ内に設けた永久磁石の両磁極からロータ外部へ磁束を導く磁束誘導路を設け、この磁束誘導路はロータの回転速度上昇に伴って増大する遠心力により...
L200100134720010210農薬や医薬の中間体として有用なオキサゾリジ及びオキサジン系化合物の製造法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 2,4−ジケトオキサゾリン骨格及び2,4−ジケトメタオキサジン骨格を持った化合物の従来の代表的な製造方法は、α及びβ−ヒドロキシ酸に2当量の...
L200100134620010210海生菌ラビリンチュラ属菌の選択的分離方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明者らは新たな海洋微生物資源としての利用が期待されるラビリンチュラ属菌について生態的な 特徴などを調べるとともに、その生態的な特徴を利用...
L200100134520010210高配向ポリシラン膜と低配向ポリシラン膜との積層体からなる非偏光を吸収して偏光を発光する偏光発光体 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高配向用ポリシラン[重量平均分子量(Mw)5000以上、軟化点190℃の非溶解性ポリジェルシラン]をメカニカルデポジション法により透明石英基...
L200100134320010210超微粒状硫化モリブデン系触媒の回収方法及び装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超微粒状硫化モリブデン系触媒の回収方法は、蒸留残渣を触媒の融点より低い温度で燃焼させる燃焼工程と、燃焼工程で生成した酸化モリブデン蒸気をその...
L200100134220010210水素終端処理をした保護膜上からオゾン曝露を行うシリコン酸化膜形成方法/オゾンジェットによる低温酸化プロセスを用いたシリコン酸化膜形成方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコン基板の酸化膜形成を低温で行うプロセスを実現した。第一の工程で、対象とするシリコン基板に水素終端処理を行う。例えば、従来から行われてい...
L200100134120010210イオン注入による巨大磁気抵抗材料のドライプロセス製造方法/イオン打ち込みによる素材、形状などの自由度が高い巨大磁気抵抗材料の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の巨大磁気抵抗発現機構は、Al2O3にイオン注入された磁性原子Feが、微細粒子として分散して存在し、微粒子間の電子トンネリングにより生...
L200100134020010210ディーゼルエンジンの排ガス中に含まれるカーボン微粒子の酸化除去方法及びそれに用いる触媒 国立研究開発法人産業技術総合研究所 触媒として、Pt(NH↓3)↓4(ON)↓2水溶液をシリカに含浸、乾燥後、水素で還元し、空気中で焼成してなるシリカに担持させた白金を使用する...
L200100133920010210素材の多孔質化により熱伝導率の減少と熱電能の増加を図った熱電変換材料およびその製造方法/陽極反応のエッチングで素材の多孔質化を図る熱電変換材... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱電材料の熱電性能指数を改善するには、素材の熱電能を大きく、抵抗率および熱伝導率を小さくすれば良いが、従来の材料では、熱電能を大きくすると抵...
L200100133820010210リサイクル時に前後部ガラス間の分離が容易に出来るモニター用のブラウン管装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 モニター用ブラウン管のガラスのリサイクルにおいて、組成の異なる前部パネル部のガラスと、後部ファンネル部のガラスの分離回収は、必須であり、この...
L200000760420001215超電導多結晶線材の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超電導線材の超電導特性、特に臨界電流特性を向上させるためには、線材を構成する結晶粒の結晶軸を揃える必要がある。本特許では、Bi2Sr2CaCu2O8(Bi-...
L200000760320001215芳香族オリゴエステル類、その製造方法及びその用途 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図(1)の化合物を含有するポリマー薄膜を電場配向して得られる。大きな2次非線形光学特性と高い光学透明性を有する材料。
L200000759920001215結晶性含水酸化ジルコニウム担持多孔性吸着材の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、多孔質支持体(多孔質樹脂、活性炭)の細孔内に含水酸化ジルコニウムの結晶を分散担持したイオン選択吸着剤の製造方法を提供するものである...
L200000759820001215多層ガスセンサー 国立研究開発法人産業技術総合研究所 貴金属増感剤による一酸化炭素の最高感度の低温化現象と、静電付着現象による増感剤の高分散化、静電沈着現象による高気孔率厚膜化を応用した。 メタ...
L200000759720001215新規エポキシ化剤 国立研究開発法人産業技術総合研究所 第三級アミンのN−オキシドあるいはヨードソベンゼンを酸化剤として用いる穏和な条件で高収率に、しかも精製が容易なペロフルオロオレフィンのエポキ...
L200000759620001215FGF−5類似体タンパク質およびそれを含有する医薬組成物 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、FGF−5タンパク質をコードする遺伝子がスプライシングの際にエクソン1とエクソン3が直接結合して形成された成熟型mRNAをコードす...
L200000759520001215クロマトグラフィーの微分シグナル検出方法及びそれに用いる検出装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 同性能を持つ2つ以上の検出器と、それらの検出器から得られるシグナルを、差動アンプを用いて微分シグナルを得るシステムである。液体クロマトグラフ...
L200000759420001215三次非線形光学材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 一般式 AkBl(LIGa)i(LIGb)jで示される錯化合物からなる三次非線形光学材料。ここで、A, Bは金属元素、LIGa、LIGbは錯化合物における配位子。
L200000759220001215超音波を用いた非接触マイクロマニピュレーション方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 定在波音場中において、微小物体は音圧の節に捕捉される。凹面型振動子とその焦点位置に反射板を設置して生成される定在波音場中において、周波数を変...
L200000759020001215セシウム分離材の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 アルコールに対するヘキサシアノ鉄(U)酸カリウムの不溶性と塩化銅などの銅塩の易溶性を利用して、ヘキサシアノ鉄(U)酸カリウムの水溶液を含浸、...
L200000758920001215酸化物超電導テープ材とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 結晶粒内にPbを多量に添加したBi2Sr2CaCu2O8(Bi-2212)構造を有する超電導テープ材を等温雰囲気制御部分溶融法により作製した。Pbの多量添加により...
L200000758620001215紫外光照射により体積変化するガラス材料 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高周波スパッタリング法により、GeO2含有量が0.5〜90mol%であるGeO2−SiO2薄膜を、アルゴン雰囲気中、あるいは酸素比20%以下のアルゴン−...
L200000758520001215ガラスの光微細加工方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 スパッタリング法により、酸素比0〜30%のアルゴン−酸素混合雰囲気中にて、GeO2含有量20〜95mol%のGeO2-SiO2薄膜を形成する。この薄膜にArFエキシマ...
L200000752120001209荷電粒子の捕獲供給装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1は本発明の原理的な構成を示す。中心軸の回りに4本の柱状電極11A〜11Dに交流電源13を接続し、柱状電極11A〜11Dのそれぞれに交互に...
L200000751820001209ジョセフソン回路(超伝導回路)の出力する高速微小信号を解析するため、当該信号を所定周期で複数回サンプリングし、それに基づき拡大された時間軸上... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 この発明によれば、図1、図2、図3に示す通り@ジョセフソンサンプラにおいて極低温環境下に置くべき構成要素を被測定回路に搭載されている被測定回...
L200000751620001209広範囲のpH域でアミノトランスフェラーゼ活性を有する耐熱性酵素及びそれをコードする遺伝子 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高温で安定であり、かつ広範なpHで安定であるアミノトランスフェラーゼが単離されれば、過酷な条件下で行なわれる化学反応における新たな触媒として...
L200000751420001209光増幅機能部分の支持基板を光ビームを低損失で通過させる透明基板に置き換えた面型光増幅素子構造とその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の面型光増幅素子は、光増幅機能部を、励起キャリアを生成する活性層をp型とn型半導体で挟んで構成する。これらをn型半導体層の外部でポリイ...
L200000751320001209量子ビート現象を用いたテラヘルツ電磁波発生素子/量子ビート現象を用いた超高速光−光スイッチ素子/量子ビート現象を用いたフェムト秒領域の光−電... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体中のコヒーレント現象の1つである量子ビートは、2準位間のエネルギー差によって決まる振動現象を伴い、例えば、300meV程度のエネルギー...
L200000751220001209化学的に岩盤のき裂成長を促進して岩盤の掘削効率を向上させる岩盤の水圧掘削方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、水圧により岩盤を掘削するにあたり、化学薬剤を掘削用水に添加して水と岩盤との間に発生するζ電位をゼロに調整することを特徴とする岩盤の...
L200000751120001209ガスバリアー性が高く、かつ温度に対するガス透過係数の変化率が急激に変化する変化点を有する透過スイッチ型カーボン膜 国立研究開発法人産業技術総合研究所 基材のカーボン膜は、平均細孔直径3〜7Å、厚さ1〜500μm、空孔率5〜50%である。本カーボン膜は、基材カーボン膜中に金属イオンを含有させ...
L200000751020001209短い波長領域における強力光源を得るに適したレーザプラズマ光源と、そこからの輻射線発生方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1(A)に示すように、固体ターゲット11に半球状の窪み12を形成する。この窪み12に向かって図示しないアブレーション用レーザー源からレーザ...
L200000750920001209ガラス基板上に形成されたエレクトレット化された有極性高分子薄膜からなり、二次非線形光学材料として有利に用いられるエレクトレット及びその製造方... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は従来の圧電素子や焦電素子への応用を目的としたエレクトレットでなく、波長変換材料や電気光学素子材料に用いられる新しい二次非線形光学材料...
L200000750620001209輝度と色度を測定し、画像の画素値を補正するカラー画像の画質改善方法及びその装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明の画質改善方法及びその装置は輝度の高い領域及び低い領域、色度の偏った部分の画素値を補正し、画素値のダイナミックレンジを有効に活用し、画...
L200000750420001209レーザ媒質容器と反射鏡との距離をレーザ媒質容器の長さを超える調整範囲に連続的に変えることにより、レーザ光の出力エネルギー、パルス幅を連続的に... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 レーザ媒質容器と反射鏡とをもつ安定型共振器を構成し、レーザ媒質容器と反射鏡の距離をレーザ媒質容器の長さを超える調整範囲に連続的に変えることが...
L200000750220001209耐熱性、耐圧性に優れた強化セラミック管及び多孔性強化セラミックス管の製造方法およびその製造装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属管の管内面から電気化学的酸化を行なって金属酸化物層を金属管内面側に形成する方法は、金属がその酸化物に変化する際の体積膨張が金属管の外側の...
L200000749720001209内部が高温流体の内管とこの内管と同一軸心の外管から成る2重円筒体において、内管と外管との対向面上に複数個の熱電変換素子を備え、両端に生じる温... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明はビスマステルル等の熱電変換素子を組込んだ発電装置に関するもので、高温の排水や排ガス等の熱を電気エネルギーに変換するためのモジュールを...
L200000749120001209複数の同一構成のユニットを用いて所望形状の構造体を自律的に形成可能なユニット型可変構造機構 国立研究開発法人産業技術総合研究所 同一構成のユニットを複数用いて全体として所望形状の構造体を自律的に形成するユニット型可変構造機構である。各ユニットは、正方形の形状をしており...
L200000732920001202シリルチオアルケン化合物及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、ケイ素原子とイオウ原子を同一分子に含み、各種化合物の製造原料として有用なシリルチオアルケン化合物【R(ArS)C=CH(SiX3)...
L200000727820001202生分解性のあるポリラクチド系高分子の混合高分子材料を溶融成形して成形体を得る。この成形体を一定温度において変形させて形状を記憶させる形状記憶... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)生分解性のある高分子成形体に形状記憶させる方法において、ポリラクチドとポリ(ε−カプロラクトン)を主成分として、ポリラクチドの含有率が...
L200000727720001202アルカリ金属アルコシドと芳香族系塩化物との反応による第3級ブチルエーテル類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 芳香族系塩化物をアルカリ金属アルコキシドでエーテル化することからなる第3級ブチルエーテル類の合成は穏和な条件下では容易でなかった。本発明の概...
L200000727620001202低級脂肪族炭化水素と一酸化炭素との直接反応による脂肪族アルデヒドなどの含酸素脂肪族化合物の製造方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来の間接法は、工程数が多くなり、省資源、省エネルギーの面から好ましくない。本発明は、常温でガス状の脂肪族炭化水素と一酸化炭素を反応させて含...
L2000007275200012022−アルキル−3−オキソ脂肪酸エステル式(TT)のケトン基を立体選択的に還元し、シン体を優先的に得るシン−2−アルキル−3−ヒドロキシ脂肪酸... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明のシン−2−アルキル−3−ヒドロキシ脂肪酸エステル(式T)は、2アルキル−3−オキソ脂肪酸エステル(式TT)のケトン基を立体選択的に還...
L200000727420001202穏和な反応条件下でカルボキシル基と水酸基が同時に保護された脱硫縮合生成物である1,3−ジオキソラン−4−オン化合物の製造方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 α−ヒドロキシカルボン酸とアリールチオケトン化合物とを脱硫剤と塩基の存在下で脱硫縮合反応させて、1,3−ジオキソラン−4−オン化合物を製造す...
L200000727320001202サリチル酸類とジアリールチオケトン類を溶媒、塩基、銀塩などの存在下で、カルボキシル基と水酸基が同時に保護された、脱硫縮合生成物である1,3−... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、サリチル酸化合物(式2)とアリールチオケトン化合物(式3)とを脱硫剤と塩基の存在下で脱硫縮合反応させて、1,3−ベンゾオキサン−4...
L200000727220001202海洋細菌を由来とする、界面活性物質として有用な新規グリセロール誘導体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 海洋細菌デュレイヤ・マリナ(Deleymarina)を対象とし、これまで固定されていない当該菌体によって産生される物質に着目して研究した結果...
L200000727120001202有機化合物への錫原子及び硼素原子の選択的導入法の開発に関し、一分子内にビニルスタナン構造とビニルボラン構造を有するオレフィン化合物である2−... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 従来の2−スタニルビニルボラン化合物の製造法としてはトリアルキルハロスタナンと1−アルキニルトリアルキル硼酸リチウム塩から分子内アルキル置換...
L200000727020001202沃化水素を用いずに、固体状のジョード金錯体に沃素蒸気を吸収させる簡単操作によるテトラヨード金錯体の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明は、炭素数1〜30の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、シクロアルキル基又はアラル基を含む第4級アンモニウムイオンとジョード金(式I)陰イ...
L200000726920001202pH及び熱に応答する、アリルビグアニド重合体とポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)からなる複合体含水ゲルの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 人間の生体と類似構造をもつアリルビグアニド重合体については本特許権者は日本国において、特許第2580554号を有し、アメリカ合衆国においても...
L200000726820001202窒素原子に由来する特異な反応性を有する新規ポリマー用モノマーとして有用な2,7−ジアザ−1,2,3,6,7,8−ヘキサヒドロピレン化合物の製... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明において、2,7−ジアザ−1,2,3,6,7,8−ヘキサヒドロピレン骨格の合成は、1,4,5,8−テトラキス(ハロゲノメチル)ナフタレ...
L200000726720001202エアロゾル中の超微粒子を特定の粒径に応じて分級して成膜および成形する方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 精密加工部品、薄膜材料および電子材料などに使用される粒子径の整った成膜材料を製造する方法に関するものである。超微粒子エアロゾルを、アルゴンガ...
L200000726520001202光記録材料や光導波材料等に利用可能なジスルフィド化合物を吸着した金の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エーテル系溶媒やエタノール等ジスルフィド化合物を溶解する。次にこの溶液中に微粒子状あるいは板状の金を一定時間浸漬する。このようにして非対称型...
L200000726420001202薄膜を形成したい時、その噴霧ノズルの詰まりを防止し、高粘性流体でも使えるようにした高周波振動を利用した噴霧ノズル装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 真空中で有機系薄膜を製造するのに噴霧ノズルから噴出させる必要がある。この噴霧ノズルは、ダイヤフラム部を上下させ、一定ノズル孔から噴出させてい...
L200000726320001202超臨界水を利用して、ポリ塩化ビフェニル及びこれを含む媒体油を分解し、無害化する方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明によれば、ポリ塩化ビフェニルを分解して無害化するために、(1)超臨海水のみ、(2)アルカリを加えた超臨界水、(3)アルカリと酸化剤を加...
L200000726020001202金属やセラミック等の超微粒子を噴射、堆積して微細な部品作りを行うのに、効果的に行う方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 超微粒子をノズルから噴射し、堆積させる時、ノズルと噴射先の間に、マスクを置き、調整しながらマスクの開口部を通して噴射できるようにした。
L200000725820001202海洋温度差発電器に付設され、淡水を製造する装置及び方法であって、従来のように冷海水の流れるパイプと蒸気との単なる熱交換によって淡水を製造する... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 図1及び図3は本発明の実施の形態を示すものである。図1に示すように、温海水によって蒸気を発生させる蒸発器10の蒸気はタービン発電機20を作動...
L200000585120000923熱を一定時間貯蔵し、外部への熱損失が小さい蓄熱装置およびその装置における熱管理方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 蓄熱装置の基本動作は、熱の注入、保存及び抽出の3つの過程の繰り返しである。注入過程では、過冷却可能な蓄熱材を融点以上の熱で加熱し、融解させる...
L200000585020000923高機能断熱材や高性能触媒担体等として有用な金属酸化物エアロゲル(高空隙の乾燥ゲル体)の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本技術は透明性などの高機能性断熱材や高性能触媒担体として有用な金属酸化物エアロゲル多孔体の製造方法に関する。従来、この種のエアロゲル体の製造...
L200000584920000923有機臭素系難燃剤を含む難燃性樹脂及び熱硬化性樹脂を300〜420℃で効率的に水素化分解し、油状物を得る油化処理方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)処理対象とする難燃性樹脂は難燃剤(ハロゲン系、リン系難燃剤及び架橋剤)を含有する樹脂材で、ベースマトリックス樹脂は特に制限はない。又エ...
L200000584720000923海水が淡水の下にもぐり込み2層構造が形成されている汽水域の塩分と水温を測定する方法およびそのための装置 国立研究開発法人産業技術総合研究所 温度計測のためのサーミスタと、塩分計測を電気伝導度により計測する電磁誘導セルのセンサを、プローブとして組み立てたものを複数個ケーブルに取り付...
L200000584620000923堅牢かつ緻密な厚膜酸化物被膜を有するチタン系金属材料及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 本発明によるチタン酸化物被膜を有する材料を得るには、先ず大気中においてチタン系金属材料を、600〜1100℃、好ましくは800〜1000℃の...
L200000584520000923熱硬化性樹脂を原料モノマーを主成分とする低分子量化合物留分に分解油化する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (1)廃棄された熱硬化性樹脂を10mm以下に破砕し、樹脂100重量部当り0.5〜4重量部の水素供与性溶剤と共に反応器に入れる。反応器内雰囲気...
L200000584420000923最小液滴直径2μmの液滴塗布が実現できる極微少量液滴の塗布方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 液体を塗布する方法としては一般に管内の液体を加圧する事で押し出す方法がある。しかし微量の塗布に関しては圧力の制御が難しいために塗布できる液量...
L200000584320000923地質調査現場で調査する、岩石、地層などの様々な被測定体について、柱状に整形した試料を用いてその面構造の方位を測定する、柱状試料を用いた面構造... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 岩石等を柱状にくりぬき、その方向をコンパス等を用いて測定し、試料19を採取する。通常一つの露頭から複数の柱状試料19を採取することにより、多...
L200000583920000923グリシン、プロリン、サルコシンのアミノ酸残基を含むオリゴペプチドと長鎖ジカルボン酸とをアミド連結して得られるカルボキシル末端を両端にもつ双頭... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 メチレン鎖6〜18の直鎖ジカルボン酸と、一般式HCl・H−Am−・・・−A1OR(式中、A1、・・・Amはグリシン残基、プロリン残基、サルコ...
L200000583820000923光学材料へ応用可能なポリシラン類の製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シクロペンタジエニル基(T)、L↑1)と{N、N’−ビス(トリアルキルシリル)アリールアミジナート基(U)、L↑2)を配位子として有する一般...
L200000583720000923高速の高エネルギービームを用いて超微粒子の結晶性を保持して緻密で優れた物性と基板への良好な密着性を有する薄い皮膜を形成する超微粒子成膜法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 金属、セラミックス等の超微粒子を交流電界やガス撹拌などによりエアロゾル化し、微小なノズルを通したり、或いは電気的に帯電させ電場勾配を用いて加...
L200000583620000923ポリカテナン製造用モノマー前駆体及びその製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリカテナンのモノマー前駆体の例として、Tに示す化合物の合成法を示す。Yの式で表わされるテトラベンジルアミド誘導体2、7ミリモルを1−エチル...
L200000570420000909導電性結晶を下部電極として備えた結晶の電気光学効果を利用した光変調器 国立研究開発法人産業技術総合研究所 マッハツェンダ型光変調器は、Zカットのニオブ酸リチウム結晶基板5に酸化亜鉛結晶を成長させ、これを下部結晶電極とする。その上にニオブ酸リチウム...
L200000570320000909安全で取扱性の容易な鉄触媒を用いるテトラフルオロヒドラジンの製造方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 テトラフルオロヒドラジンは、三フッ化窒素から製造され、医薬農薬、あるいはそれらの中間体として使用される含フッ素アミン化合物の合成に用いられて...
L200000570220000909ステレオビジョンにより得られた3次元画像データを統合して、物体の3次元幾何モデルを自動生成するための3次元物体モデル生成方法。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 3台のカメラを用いて物体をある方向から観測したステレオ画像を入力し(S1)、セグメントベーストステレオによる処理フローではステレオ画像からエ...
L200000570120000909水溶液又は含水状態のセルロース系バイオマスをニッケル触媒の存在下で、加圧加熱しガス化する方法 国立研究開発法人産業技術総合研究所 セルロース5gを水30ml、炭酸ナトリウム0.25gと混合し、回分式の加圧反応容器中で、可溶化処理した。予め窒素ガスで30気圧に加圧した後、...
L200000570020000909産業用視覚システムやロボットに視覚を与えるための3次元幾何状復元に有用なステレオ画像修正方法およびステレオ画像修正装置。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 撮影されたステレオ画像を入力して、領域を分ける境界線を検出するため、輝度変化が大きい部分でエッジを検出する(S1)。検出されたエッジをその局...
L200000569920000909操作者が事前に入力装置によりシミュレーション作業を行い、作業データを記憶させ、記憶させた作業データに従いマニピュレータに実際の作業を行えるよ... 国立研究開発法人産業技術総合研究所 作業テーブル3上にマニピュレータ2が設置され、制御装置1により制御されて、作業テーブル3上の作業対象物4を把持する作業を行うものとする。この...
L200000569820000909人の掌、指先、足の裏における接触温熱感覚を計測するための接触温熱感覚計測装置。 国立研究開発法人産業技術総合研究所 実験を行う所要の材料からなる温度提示板1を収納箱11に取り付け、温度制御装置に提示温度を設定すると、面状発熱部2の発熱抵抗体層4に電力が供給...