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ライセンス 情報番号 |
登録日 | タイトル | 登録者 | 概 要 |
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L2015000751 | 20150408 | 金属イオン回収装置、金属イオン回収方法 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 金属が金属イオンの形で含まれる水溶液である原液から前記金属イオンを回収液の中に回収する金属イオン回収装置であって、 前記金属のイオン伝導体で... |
L2015000750 | 20150408 | 耐食性、靭性および高温機械的特性に優れた酸化物分散強化型焼き戻しマルテンサイト鋼およびその製造方法 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 焼き戻しマルテンサイトと残留αフェライトの複相組織を有し、その複相組織中の残留αフェライトの含有率が30体積%以下に規制されていることを特徴... |
L2015000749 | 20150408 | 微細気泡発生装置 | 沖田 好範 | 回転駆動手段の駆動を受けて水中に空気を通気できる軸管2と、軸管2の下部に連結されてなる胴体3と、軸管と連通して胴体3の外周に開口を有する散気... |
L2015000748 | 20150408 | メタルボンド砥石およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | Cu母相とダイヤモンド粒子を含み、さらにCu母相とダイヤモンド粒子との間にTiの炭化物あるいはCrの炭化物が介在するCu基ダイヤモンド砥石で... |
L2015000747 | 20150408 | 焼結法と鋳造法とを併用した傾斜機能材料製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 母材金属粉末および強化材微細粒子粉末を混合してこれらの混合粉末を作製し、該混合粉末を円筒形状金型に投入した後に遠心焼結することにより成形体を... |
L2015000746 | 20150408 | オーミック電極の形成方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 融点の高い半導体材料にオーミック電極を形成するために、金属4を半導体材料にあらかじめ吸着させておいて、その後電極材料2を直接堆積、あるいは真... |
L2015000745 | 20150408 | インドール‐3−トリフロン類の直接的製造法及びインドールトリフロン誘導体 | 国立大学法人名古屋工業大学 | インドール誘導体に対して、トリフルオロメタンスルホン酸無水物と少なくとも1種の塩基又は酸の存在下、溶媒中において反応させてインドールトリフロ... |
L2015000744 | 20150408 | 運動器具 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 筋力をトレーニングするための運動器具であって、板ばねからなる板ばね部と前記板ばねの両端部にそれぞれ接続された把持部とからなることを特徴とする... |
L2015000743 | 20150408 | 半導体結晶材料およびこれを用いた半導体素子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | バナジウムの濃度を5×10↑(16)cm↑(−3)以下とし、そのバナジウム濃度と、残留ドナー不純物濃度N↓Dおよび残留アクセプター不純物の濃... |
L2015000742 | 20150408 | 半導体結晶材料およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ELO法を複数回繰り返して転位密度5×10↑4cm↑(−2)以下のSiC単結晶を得た後、当該SiC単結晶を種結晶4とし、SiC多結晶粉末と不... |
L2015000741 | 20150408 | シクロデキストリン誘導体並びにそれを用いた抗菌剤及びそれを用いた抗菌活性増強剤 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 下記一般式で示されるシクロデキストリン誘導体又はその塩(ただし、R↑1はアルキレン基を示し、R↑2は分岐してもよいアシル基を示す)。 |
L2015000740 | 20150408 | グラフェン構造の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 基材と、前記基材上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された触媒金属層と、前記触媒金属層上に高真空度、高温度下でプラズマ状態の炭素供... |
L2015000739 | 20150408 | ジルコニアとセリアとの複合材料、その製造方法およびそれを含む触媒 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ジルコニアの表面に相対的に高濃度でセリアを配置し、全金属成分の合計に対するセリウムの含量が2〜50モル%であり、その粒子の一部がセリアとジル... |
L2015000738 | 20150408 | 傾斜機能材料の製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 密度および/又は粒子径の大きな高速沈降粒子および密度および/又は粒子径の小さな低速沈降粒子を混合してこれらの混合粉末を作製し、粉砕した溶融可... |
L2015000737 | 20150408 | 半導体素子およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 基板2の上に少なくともAlを含む第3族窒化物からなる下地層(バッファー層)3を設けた上で、第3族窒化物、好ましくはGaNからなる第1の半導体... |
L2015000736 | 20150408 | 3次元構造物載荷における平行維持装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 平行に配置した複数の支柱により上下面間の相対回転を拘束する機構と、
並進3方向の変位および荷重成分は独立に制御できる機構と、 回転拘束する鋼... |
L2015000735 | 20150408 | 母相金属と固相微細粒子が複合化した複合材料の製造方法及び当該方法により製造されるメタルボンド砥石 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 母相金属粉末および固相微細粒子粉末を混合してこれらの混合粉末を作製し、該混合粉末を鋳造用鋳型に投入した後に鋳造用鋳型に遠心力を印加し、鋳造用... |
L2015000734 | 20150408 | 関節トルク発生装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 受動的な脚であって、腰軸を介して相対的に回転するレバーと大腿部、バネとカムの組合せにより前記腰軸まわりに関節トルクを発生させるためのトルク発... |
L2015000733 | 20150408 | 光増感剤 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1分子中に、一般式(1)で表される構造を有する光増感剤。一般式(1)中、M↓1は、Ru、Os、Fe、Re、RhおよびCoから選ばれた遷移金属で... |
L2015000732 | 20150408 | チタン合金への白色コーティング方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | チタンあるいはチタン合金を基材として高温熱処理により基材表面を酸化させて高白色度の皮膜を生成させる、歯科補綴用金属−金属酸化物複合材料の製造... |
L2015000731 | 20150408 | 層状複水酸化物を利用する電極材の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 二次電池用電極材の製造方法であって、2価金属および3価金属の硝酸塩または塩化物の溶液に水酸化ナトリウムを含む溶液を滴下して層状複水酸化物を合... |
L2015000730 | 20150408 | ハウリング低減システム及びそれに用いられるアナログ電子回路 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ハウリングした信号が入力され、ハウリング周波数を検出し、同じ周波数の信号を出力するアナログ位相同期回路と、このアナログ位相同期回路の出力信号... |
L2015000729 | 20150408 | 4−トリフルオロメチルスルホニルイソキサゾール及びその製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 一般式(1)で表される4−トリフルオロメチルスルホニルイソキサゾール。
(式中,R↑1及びR↑2は置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル... |
L2015000728 | 20150408 | 光学活性α−無置換−β−アミノニトリル誘導体の不斉触媒的製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 式(1)
(式中、R↑1は-ピリジンスルホニル基、2-チオフェンスルホニル基,2-ピリミジンスルホニル基,2-キノリンスルホニル基,8-キノリンスルホ... |
L2015000727 | 20150408 | 画像処理装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 入力画像の骨格成分を得るTotal Variation正則化成分分離手段と、前記Total Variation正則化成分分離手段により得られた骨格成分に対し、入力画像のエ... |
L2015000726 | 20150408 | 高導電性イオン液体組成物 | 国立大学法人名古屋工業大学 | イオン液体と層状無機化合物とを複合化した導電性材料。 |
L2015000725 | 20150408 | 火山灰を原料とする無機固化体の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 火山灰のみを原料として用いて、火山灰を80℃以下の温度で固化させる。
より具体的には、硬化剤としてアルカリ水溶液を用いて火山灰を硬化させる。 |
L2015000724 | 20150408 | 結晶欠陥を低減した化合物半導体の製造方法およびこれによって得られた化合物半導体デバイス | 国立大学法人名古屋工業大学 | 積層欠陥密度が10cm↑(−1)以下のSiC単結晶を気相成長法あるいは溶液成長法を用いて製造する方法において、少なくとも2つの熱電対を設けて... |
L2015000723 | 20150408 | リセットワインドアップ対策を有するフィードバック制御装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 第1の目標値信号と制御量信号を入力し、第1の操作量信号を出力するフィードバック制御装置において、第1の操作量信号は第2の操作量信号に対して飽和器... |
L2015000722 | 20150408 | グラフェン状物質の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 基板を500〜1000℃に加熱して、炭化水素を含むガスを導入してプラズマCVD法により前記基板上にグラフェン状物質を形成する、グラフェン状物... |
L2015000721 | 20150408 | ヘテロアレーンカルボニル化キナアルカロイド触媒とそれを用いる光学活性β−アミノホスホン酸またはβ−アミノホスフィンの製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 種々のメソアジリジン類にアルキル亜鉛と不斉配位子存在下で亜リン酸エステルを反応させてアジリジンの不斉開環反応によりβ-アミノホスホン酸または... |
L2015000720 | 20150408 | 酸素貯蔵能セラミック材料とその製造方法、および触媒 | 国立大学法人名古屋工業大学 | セリウムと鉄を含み、Ce↓1−xFexOyで、xが0.03〜0.4であり、酸素貯蔵能が1グラム当たり酸素(O2)ガス換算で10ml以上である... |
L2015000719 | 20150408 | 回遊行動分析用データコーディング装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 回遊行動分析用のデータを収集するための装置であって、出入口ノード、経路リンク及び立寄り施設を回遊行動情報の入力項目として備える入力手段と、少... |
L2015000718 | 20150408 | 光増感剤 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1分子中に、一般式(1)で表される構造を有する光増感剤である。なお、一般式(1)中、R↑1〜R↑4は、それぞれ独立に、H、カルボニル含有基、... |
L2015000717 | 20150408 | 炭酸カルシウム中空粒子およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 中空粒子の粉体がX線回折により70体積 %以上のバテライト組織を有し、粒子殻厚が20〜250nm、粒径が0.3〜10μm、BETデータによる... |
L2015000716 | 20150408 | クラッシュボックスおよびその製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 必要な位置を必要な方向に必要な量だけ材料強度を変化させたクラッシュボックスであって、新しい材料の概念としての傾斜機能材料であるアルミニウムと... |
L2015000715 | 20150408 | 制振合金の処理方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 制振合金をオーステナイト領域温度で熱処理した後、加工によりマルテンサイト相が生じる温度まで冷却し、その温度以下にて塑性加工を施すという操作を... |
L2015000714 | 20150408 | 血管壁破裂圧力推測システムにおける破裂圧力の推測方法、血管壁破裂圧力推測システム、及び血管壁破裂圧力推測装置。 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1心拍における血圧変化を血圧計測装置により計測し、その血圧の微小変化時の血管壁の形状変化を血管壁形状計測装置で撮影する。この際の微小血圧変化... |
L2015000713 | 20150408 | 片脚式歩行支援機 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 利用者の片脚に装着されて、利用者の歩行を支援する片脚式歩行支援機であって、利用者の一方の腰側部に装着される腰装着部と、利用者の大腿の側方に配... |
L2015000712 | 20150408 | シリカナノ中空粒子の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | シリコンアルコキシド、有機溶媒、蒸留水、および触媒の存在下、所定の寸法形状を有する乾燥粉末状態または懸濁液状態の粉末表面にシリカ殻を形成して... |
L2015000711 | 20150408 | 表面改質されたシリカ殻からなる中空粒子およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 殻内にガス吸着等温線から検出される細孔を有するシリカ殻からなる中空粒子であって、殻外表面、あるいは殻内表面の少なくとも一部位が表面改質剤によ... |
L2015000710 | 20150408 | グラフェン構造の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 所定の基材2上において、少なくともケイ素を含む絶縁膜層3と、触媒金属層4とを順次に積層し、その上に炭素化合物の分解反応で形成された炭素を供給... |
L2015000709 | 20150408 | 光増感剤およびこれを用いた光起電力素子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1分子中に、一般式(1)で表される構造を有する光増感剤。一般式(1)中、R↑1〜R↑5は、それぞれ独立に、H、カルボニル含有基、リン酸エステ... |
L2015000708 | 20150408 | 不斉四置換炭素を有するトリフルオロメチル置換ピロリンの触媒的エナンチオ選択的製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 発明者らは鍵反応として,シンコナアルカロイド相間移動触媒を用いて,シアノヒドリンからのシアノアニオンのβ−置換−β−トリフルオロメチルエノン... |
L2015000707 | 20150408 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 基板上にAl↓XGa↓(1−X)Nからなるバッファ層、Al↓XGa↓(1−X)Nからなる歪超格子層またはAl↓XGa↓(1−X)Nからなる組... |
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