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ライセンス 情報番号 |
登録日 | タイトル | 登録者 | 概 要 |
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L2015000620 | 20150325 | 絶縁膜のダメージ回復方法 | 大陽日酸株式会社 | プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、ニトロ基、カルボニル基、のうち少なくとも1種以上と、炭化水素基または水素基の1種以上を有する分子構... |
L2015000619 | 20150325 | 生体吸収性複合材料およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ポリハイドロキシアルカノエート種の共重合体と、主にバテライト相である炭酸カルシウムとを主成分とする複合材料であり、この複合材料の製造方法は、... |
L2015000618 | 20150325 | チタニアナノ中空粒子およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 粒子径が100〜800nm、殻厚が30〜100nmのチタニア殻からなるナノ中空粒子である。このようなチタニア殻からなるナノ中空粒子を得るため... |
L2015000617 | 20150325 | 3,5−ビス(ペンタフルオロスルファニル)−フェニル基を有するフタロシアニンの製造方法及び新規フタロシアニン | 国立大学法人名古屋工業大学 | 一般式(1)で表されるフタロニトリル誘導体の製造方法であって下記(化1)に示す反応式のように3,5-ビス(ペンタフルオロスルファニル)−フェニル... |
L2015000616 | 20150325 | ガス中の微量不純物の分析方法及び装置 | 大陽日酸株式会社 | 試料ガス中の主成分ガスと微量不純物とを分離するガスクロマトグラフからの流出ガスに、精製ガスを添加して大気圧イオン化質量分析計に導入することで... |
L2015000615 | 20150325 | 3,5−ビス(ペンタフルオロスルファニル)−フェニル基を有するサブフタロシアニンの製造方法及び3,5−ビス(ペンタフルオロスルファニル)−フ... | 国立大学法人名古屋工業大学 | 次の一般式(1)
で表されるサブフタロシアニン誘導体の製造方法であり、 (1)3,5-ビス(ペンタフルオロスルファニル)-フェニルボロン酸誘導体を4位... |
L2015000614 | 20150325 | 電磁波吸収用粉体、および電磁波吸収用紛体とセラミックスとの複合体の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | セラミックス粉体、水溶性モノマー、架橋剤、および分散剤により水系スラリーを調整し、界面活性剤、重合開始剤、油相と前記水系スラリーとを減圧下で... |
L2015000613 | 20150325 | 分子性クラスターイオン系正極材料 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 化学式がX↓7YV↓13O↓38
(X:周期律表第1族の第2〜4周期の元素、Y:周期律表第7族〜第10族第4周期の元素) からなり、粒子径が... |
L2015000612 | 20150325 | トリフルオロメチルフタロニトリルの簡便な製造方法及びフタロシアニン誘導体 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 発明者らは既存の化合物であるヨードフタロニトリルに対して芳香族カップリング反応を用いることによって簡便なトリフルオロメチルフタロニトリルの合... |
L2015000611 | 20150325 | 膜タンパク質可溶化剤 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 一般式
(式中、Xは酸性アミノ酸と塩基性アミノ酸が交互に並ぶ4残基のアミノ酸からなるアミノ酸配列を示し、Yは1残基の酸性アミノ酸、1残基の塩基... |
L2015000610 | 20150325 | ガス中の微量不純物の分析方法及び分析装置 | 大陽日酸株式会社 | ガスクロマトグラフの分離カラムで試料ガス中の微量不純物を分離し、この微量不純物をイオン源部でイオン化し、質量分離する質量分析装置を用いるガス... |
L2015000609 | 20150325 | 2‐(3‐(トリフルオロメチルスルホニル)‐1H‐インドール−2‐イル)フェノール誘導体及びその製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 下記一般式(1)で表される2‐(1H‐インドール‐2‐イル)フェニルトリフルオロメタンスルホネート。
(式中,R↓1,R↓2,R↓3,R↓4,R↓... |
L2015000608 | 20150325 | プロセスチャンバー内のクリーニング方法 | 大陽日酸株式会社 | 一般式CvIwHxOyFz(式中、vは1〜5の整数、w、x、yはそれぞれ0又は1以上の整数、zは1以上の整数である。)で表されるフッ素化合物及び三フッ化窒素... |
L2015000607 | 20150325 | 光増感剤およびこれを用いた光起電力素子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1分子中に、一般式(1)で表される構造を有する光増感剤。一般式(I)中、R↓1〜R↓3は、それぞれ独立に、H、カルボニル含有基、リン酸エステ... |
L2015000606 | 20150325 | 複合砥粒、複合砥粒砥石及び複合砥粒砥石の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 核となる第1の砥粒と、該第1の砥粒よりも微細な砥粒およびボンド材を混合して混合砥粒を作製し、該混合砥粒を複合化装置に投入した後に、該混合砥粒... |
L2015000605 | 20150325 | セリアとジルコニアとの複合材料およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ジルコニアの表面に相対的に高濃度でセリアを配置したセリア・ジルコニア複合材料であって、全金属成分の合計に対するセリウムの含量が17〜50モル... |
L2015000604 | 20150325 | 糖誘導体及びそれを用いた抗菌剤 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 下記一般式で示される誘導体又はその塩
(ただし、R↓1はアルキレン基を示し、R↓2は分岐してもよくシクロ環を有してもよいアルキル基を示す)。 R... |
L2015000603 | 20150325 | 産業用ロボット | 国立大学法人名古屋工業大学 | 平行に配置された第1の板ばね4と、第2の板ばね5と、それぞれの板ばねの上端と下端を接続する、剛体と見なすことのできる上端構造物6と、下端構造... |
L2015000602 | 20150325 | モノフルオロメチル置換インドール化合物及びその触媒的エナンチオ選択的製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 発明者らは鍵反応として,シンコナアルカロイド相間移動触媒を用いて,フルオロビス(フェニルスルホニル)メタンからのカルボアニオンの3−(アレーン... |
L2015000601 | 20150325 | 5−トリフルオロメチル−2−イソキサゾリン−N−オキシド及びその製造法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 一般式(1)で表される5−トリフルオロメチル−2−イソキサゾリン−N−オキシド。
(式中,R1,R2,R3及びR4は置換もしくは未置換のアル... |
L2015000600 | 20150325 | 電気二重層キャパシタ用電極およびこれを用いた電気二重層キャパシタ | 国立大学法人名古屋工業大学 | 電気二重層キャパシタ用電極であって、電極材が単層カーボンナノチューブからなり、当該カーボンナノチューブの平均直径が1.0〜1.6nm、直径分... |
L2015000599 | 20150325 | リチウム二次電池用正極材料の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 二次電池用正極材の製造方法であって、基板上に電解法あるいは無電解法により、前駆体としてマンガンあるいはコバルトを主成分とする酸化膜を形成し、... |
L2015000598 | 20150325 | モノフルオロメチル基を有するヘテロ原子含有5員環化合物と不活性なC−F結合切断を鍵反応とするその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | モノフルオロメチル基を有するヘテロ原子含有5員環化合物と不活性なC−F結合切断を鍵反応とするその製造方法。 |
L2015000597 | 20150325 | 鋼製橋脚の鉄筋コンクリート方式アンカー部の耐震補強方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 鋼製橋脚の鉄筋コンクリート方式アンカー部の耐震補強方法であって、
アンカーボルト上端部を橋脚躯体基部に固定することを特徴とする耐震補強方法ま... |
L2015000596 | 20150325 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 基板上にバッファ層、歪超格子層、チャネル層、およびバリア層なるAlGaN系半導体層を順次設けた半導体積層構造であって、室温〜1200℃におけ... |
L2015000595 | 20150325 | 剪断剥離試験による界面強度の評価方法。 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 触針の形状とこの触針と接触する試験片の形状との幾何学的条件のみで一義的に触針と試験片との接触位置が決定されて負荷が付与される、試験片の剥離強... |
L2015000594 | 20150325 | 無機組成物およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ジルコニウム(Zr)、セリウム(Ce)、およびテルビウム(Tb)を含む組成式Zr↓XCe↓YTb↓ZO↓(2−δ)(X+Y+Z=1、原子比)... |
L2015000593 | 20150325 | 光触媒用シリコンカーバイドおよびこれを用いた光触媒反応方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 単結晶SiCをダイアモンド砥石等で研磨加工、あるいは研磨加工後にアルカリ液等にてエッチング処理を施し、表面粗さRaを0.1〜1.0μmとする... |
L2015000592 | 20150325 | 3,5−ジアリール−4−トリフルオロメチルスルホニルピラゾールと1−トリフルオロメチルスルホニルピラゾロ[5,1−a]イソキノリン及びその製... | 国立大学法人名古屋工業大学 | 一般式(1)で表される3,5−ジアリール−4−トリフルオロメチルスルホニルピラゾール。
(式中,Ar↑1及びAr↑2はアリール基を示す。式中,R... |
L2015000591 | 20150325 | ガス中の微量不純物の分析方法及び装置 | 大陽日酸株式会社 | 各種高純度ガス中のppb〜サブppbレベルの微量不純物を測定するに際し、ガスクロマトグラフのキャリヤーガス、あるいは、ガスクロマトグラフの流出ガス... |
L2015000590 | 20150325 | 蛍光体粒子およびその製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 層状水酸化亜鉛あるいは六角板状酸化亜鉛からなる波長430〜600nmの発光が可能な蛍光体粒子である。塩化亜鉛水溶液にpHを6.0〜9.0の範... |
L2015000589 | 20150325 | クラウド一体型異常検知センサシステム | 国立大学法人名古屋工業大学 | 本発明は、設置が容易であり、且つ侵入者、要介護者の状況をクラウドに設置されたサーバ上により介護者、監視者が適切に把握することができ、異常事に... |
L2015000588 | 20150325 | チューナブルキャパシタ | 国立大学法人名古屋工業大学 | 強誘電体の電界誘起相転移および臨界点近傍での誘電チューナビリティーを利用したチューナブルキャパシタ。 |
L2015000587 | 20150325 | ガス分析装置 | 大陽日酸株式会社 | 試料ガス源からの試料ガスを分析器導入弁を介して分析器に導入する分析器導入経路と、分析器導入弁の一次側経路から分岐し、分離器導入弁を介して試料... |
L2015000586 | 20150325 | 圧縮ガス供給設備及び方法 | 大陽日酸株式会社 | 圧縮ガスの充填ラインにおいて、圧縮ガス供給源から小型ガス容器へのガス供給を制御するガス供給弁の二次側の経路に分析計を備えた分岐経路を設け、分... |
L2015000585 | 20150325 | 技能訓練システム | 国立大学法人名古屋工業大学 | 訓練者が操作すると動作可能な操作部と,前記操作部に力を及ぼす力発生部を備えると共に,前記操作部の動作を一時的に停止させる動作停止機構を備える... |
L2015000584 | 20150325 | 高圧ガス供給方法 | 大陽日酸株式会社 | 高圧側配管と低圧側配管とを仕切る開閉弁を介して高圧ガスを低圧側配管に供給する設備で、高圧側配管と低圧側配管とを仕切る開閉弁を跨いで高圧側配管... |
L2015000583 | 20150325 | ニトロメタンのβ−アリール−β−トリフルオロメチルエノンへの不斉共役付加反応およびトリフルオロメチル置換ジアリールピロリンまたN−オキシドの... | 国立大学法人名古屋工業大学 | シンコナアルカロイド相間移動触媒を用いて,ニトロアルカンのβ−置換−β−トリフルオロメチルエノンへの高エナンチオ選択的共役付加反応に成功した... |
L2015000582 | 20150325 | 校正ガスの製造方法、容器入り校正ガス、検出器の校正方法 | 大陽日酸株式会社 | シール材に使用されるフッ素樹脂又はフッ素樹脂からなるシール材を乾燥した雰囲気中で熱分解ないし酸素と反応させることによって、少なくともフッ化カ... |
L2015000581 | 20150325 | 遠心鋳造装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 少なくとも金型、回転軸、およびガス導入管を含む遠心鋳造装置であって、金属溶湯の鋳込みを行う前記金型に連結し、該金型の回転を行う前記回転軸を中... |
L2015000580 | 20150325 | 2軸引張試験方法およびそれに用いられる装置 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 中央部の厚みを周囲の厚みより薄くした軟らかい薄膜状試料に対して2軸引張力を加えつつ、前記中央部に加えられる負荷と変形量を変形測定センサーで計... |
L2015000579 | 20150325 | 絶縁膜のダメージ回復方法および回復剤 | 大陽日酸株式会社 | プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、tert-ブチル基を有する化合物、炭化水素基とアミノ基を含む化合物、および乳酸化合物のうち少なくとも1... |
L2015000578 | 20150325 | 強度、潤滑性および耐摩耗性に優れた自己潤滑性金属複合材料および自己潤滑性金属基複合材料、ならびに当該金属複合材料および金属基複合材料の製造方... | 国立大学法人名古屋工業大学 | 金属母材に対する固体潤滑粒子が母材体積比で1%〜10%である金属複合材料および金属基複合材料。金属複合材料は、母材金属粉末および固体潤滑粒子... |
L2015000577 | 20150325 | 絶縁膜のダメージ回復処理方法 | 大陽日酸株式会社 | プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板を、チャンバー内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、絶... |
L2015000576 | 20150325 | 人工分子により修飾した走査型プローブ顕微鏡用探針、およびこれに用いる人工錯体分子 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 1分子中に、下記一般式で表される構造を有する人工シデロフォア錯体分子でプローブ表面を修飾する。 |
L2015000575 | 20150325 | 光学活性な四置換不斉炭素を有するδ−アミノ−γ−ブテノライド類の製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ケチミン類に対し金属種と不斉配位子とアルコール存在下でフラン誘導体を反応させて、もしくは適切な塩基存在下にてγ-ブテノライド類を反応させるこ... |
L2015000574 | 20150325 | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 | 大陽日酸株式会社 | クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量... |
L2015000573 | 20150325 | 高圧ガス供給方法 | 大陽日酸株式会社 | 高圧側ラインと低圧側ラインとを仕切る開閉弁を介して高圧側から低圧側へ高圧ガスを供給するに際し、予め低圧側ライン内圧を昇圧し、その後、規定の圧... |
L2015000572 | 20150325 | ビタミンCを含むゲル状構造体、その合成方法、ならびにビタミンCの溶存量の測定方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | ビタミンC中のアニオンとペプチド中のカチオンが共存するように水溶液のpHを調整することによりペプチドをゲル化させる。ペプチドとしてβ‐シート... |
L2015000571 | 20150325 | 絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜 | 大陽日酸株式会社 | プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を、温度が120℃以下、又は、圧力が5... |
L2015000570 | 20150325 | 光学活性四置換不斉炭素を有する3−アリル−3−アミノ−2−オキシインドール誘導体の不斉触媒的製造方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 式(1)の反応により、イサチン由来のイミン類に触媒と銀塩存在下でアリル化剤を反応させることを特徴とする光学活性な3−アリル−3−アミノ−2−... |
L2015000569 | 20150325 | アクティブノイズコントロールシステムおよびそれに用いられるアナログ電子回路 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 騒音に対して逆位相の音を発生し、騒音を消音するアクティブノイズコントロールシステムに用いられ、階層型ニューラルネットワークを構成しているアナ... |
L2015000568 | 20150325 | 軟組織の層状力学特性分布の表層からの計測方法 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 軟組織の試料表面に二等辺三角形,又は、正三角形の孔を空けた板をあて押し付けて、当該三角形の対称軸に沿った押込み方向の前記試料の押込変形量を測... |
L2015000567 | 20150325 | アクティブノイズコントロールシステムおよびそれに用いられるアナログ電子回路 | 国立大学法人名古屋工業大学 | アナログアクティブ消音回路を用い、騒音に対して逆位相の音を発生し、騒音を消音するアクティブノイズコントロールシステムに用いられるアナログ電子... |
L2015000566 | 20150325 | 単結晶グラフェンの製造方法、および単結晶グラフェンを用いたタッチパネル | 国立大学法人名古屋工業大学 | 炭素源の熱分解によりグラフェンを製造する方法であって、第1の領域に炭素源である化合物を配置させ、第2の領域に基板を配置させ、前記第1の領域を... |
L2015000565 | 20150325 | アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体及びその製造方法、並びに酸化物イオン伝導体、固体電解質 | 国立大学法人名古屋工業大学 | La↓2SiO↓5を主成分とする第1の層と、La↓2Si↓2O↓7を主成分とする第2の層と、La↓2SiO↓5を主成分とする第3の層とを、「... |
ライセンス 情報番号 |
登録日 | タイトル | 登録者 | 概 要 |
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L2015000427 | 20150310 | パルス幅変調信号生成器およびフルデジタルアンプおよびデジタル−アナログ変換器 | 国立大学法人名古屋工業大学 | パルス符号変調信号である目標信号を入力し、パルス幅変調信号を出力し、要求信号生成器と非線形要素と再量子化器とパルス幅変調器を持つパルス幅変調... |
L2014000545 | 20140327 | EVの走行可能距離推定方法 | 渡邉 雅弘 | 省エネルギー走行中のEVの、大容量バッテリー残エネルギー量El、標準走行条件での定速走行時の単位走行距離当たりの消費エネルギー量Es 、標準走... |
L2013002317 | 20131121 | 携帯型移動支援装置(シーズ情報有) | 岩田 治幸 | 【請求項1】
カメラを備えるスマートフォン等の携帯端末であって、 拡張現実(AR: Augmented Reality)技術を用いて、 前記携帯端末のディスプレ... |
L2013001853 | 20130911 | 非接触給電システム | 株式会社信州TLO | 送信コイルと受信コイルとの間における非接触給電システムであって、
前記送信コイルには、第1の給電回路と第1の位置検出回路が接続され、 前記受... |
L2013001709 | 20130814 | Acremoniumcellulolyticus(アクレモニウム・セルロリティカス)由来のβ−グルコシダーゼ及びその利用 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 下記の(a)又は(b)のポリヌクレオチド:
(a)配列番号1又は2の塩基配列を有するポリヌクレオチド; (b)配列番号1又は2の塩基配列と90... |