追加ライセンス情報 ＝４１件

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情報番号		 登録日タイトル 登録者 概　　　　　要
L201300066920130419気体透過性評価装置　　　筆頭発明者：向田　雅一 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066820130419窒化銅微粒子およびその製造方法　　　筆頭発明者：中村　考志 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066720130419非晶質鉄ケイ酸塩及びその合成方法　　　筆頭発明者：鈴木　正哉 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066620130419炭化珪素半導体装置の製造方法　　　筆頭発明者：原田　信介 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066520130419自己倍数化抑制に基づく酵母の育種方法　　　筆頭発明者：福田　展雄 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066420130419エステル交換触及び該触媒を用いたバイオディーゼル燃料の製造方法　　　筆頭発明者：陳　仕元 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066320130419面状ヒータ及びそれを用いたデバイス　　　筆頭発明者：沖川　侑揮 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066220130419有機ＥＬ表示装置及びそれに用いるテープ状構造体　　　筆頭発明者：一木　正聡 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066120130419抗体結合性ペプチド　　　筆頭発明者：渡邊　秀樹 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300066020130419埋め込み電極又は配線の作製方法　　　筆頭発明者：日下　靖之 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065920130419高パワーインコヒーレント光発生装置　　　筆頭発明者：高見澤　昭文 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065820130419摩擦撹拌プロセスツール並びにこれを用いた鉄系材料の表面改質方法及び鉄系材料を一方とする接合方法　　　筆頭発明者：細川　裕之 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065720130419液晶と高分子の配向相分離構造とその製造方法　　　筆頭発明者：垣内田　洋 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065620130419積層型ＬＳＩチップの絶縁膜の検査方法及び積層型ＬＳＩチップの製造方法　　　筆頭発明者：居村　史人 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065520130419半導体ウエハの加工装置　　　筆頭発明者：栗田　恒雄 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065420130419ガス中のホルムアルデヒド濃度の決定方法　　　筆頭発明者：渡邉　卓朗 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065320130419未分化幹細胞特異的標識プローブ　　　筆頭発明者：伊藤　弓弦 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065220130419内視鏡用組織片採取装置　　　筆頭発明者：栗田　恒雄 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065120130419コンピュータ断層撮影を用いた分析方法　　　筆頭発明者：中島　善人 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300065020130419太陽電池の電力配分回路　　　筆頭発明者：山田　隆夫 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064920130419歌声合成システム、歌声合成システム用プログラム及び歌声合成方法　　　筆頭発明者：中野　倫靖 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064820130419標的物質検出用マイクロチップ　　　筆頭発明者：田中　正人 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064720130419演算増幅器　　　筆頭発明者：大内　真一 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064620130419熱雑音温度計及びそれに用いる基準雑音電圧発生器　　　筆頭発明者：山田　隆宏 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064520130419音波・電磁波共鳴測定装置及びその装置を用いた熱力学温度計測方法　　　筆頭発明者：狩野　祐也 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064420130419レーザアブレーションを用いた定量分析用の粉末試料ディスク及びその製造方法並びにそのための装置　　　筆頭発明者：朱　彦北 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064320130419半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端　　　筆頭発明者：榊原　陽一 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064220130419炭素量子ドットの製造方法及び炭素量子ドット　　　筆頭発明者：王　正明 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064120130419形質転換植物による木質の高効率生産方法　　　筆頭発明者：光田　展隆 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300064020130419ガスクロミック調光部材　　　筆頭発明者：吉村　和記 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063920130419ポリイミド仮固定剤、仮固定剤膜成膜基板、二層仮固定剤膜成膜基板、半導体複合基板及び半導体電子部品　　　筆頭発明者：板谷　太郎 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063820130419摂水行動計測装置　　　筆頭発明者：山本　慎也 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063720130419ナノ複合体、それを備えたＤＤＳ製剤、及びそれらの製造方法　　　筆頭発明者：神　哲郎 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063620130419乾式研磨法による脆弱試料薄片の作製法　　　筆頭発明者：大和田　朗 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063520130419微小タンパク質の骨格構造に基づく分子ライブラリ　　　筆頭発明者：本田　真也 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063420130419多成分系酸化物半導体の前駆体塗布液及び該塗布液を用いた多成分系酸化物半導体膜の製造方法　　　筆頭発明者：福田　伸子 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063320130419項目表示装置、方法、並びに、プログラム　　　筆頭発明者：山本　吉伸 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063220130419マイクロ電極及びマイクロ電極の製造方法　　　筆頭発明者：平野　悠 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300063020130419疲労判定装置、疲労判定方法、及びそのプログラム　　　筆頭発明者：河原　純一郎 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300062920130419プローブアレイ　　　筆頭発明者：西村　良弘 独立行政法人産業技術総合研究所 注：本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201300060520130419適応フィルタ 地方独立行政法人岩手県工業技術センター 処理回路のパイプラインピッチを短縮し、かつクリリティカルパスにおける処理の並列化と先行実行を行う。

　
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