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L201300039420130318気象情報提供方法、気象情報提供プログラム及び気象情報提供サーバ 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 (1) 利用者が操作したログ情報を保存しておき、
(2)次回以降に利用者が情報取得を要求した時に、ログ情報より、前回同じ情報取得時に操作した...

 
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L201200248820120906異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス 独立行政法人科学技術振興機構 表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、SF↓6とC↓4F↓8とを含む混合ガス、又は、SF↓6とC↓4F↓8とO↓2とを含む混合ガスを用...
L201200116320120404皮膚糸状菌の非加熱検出方法 国立大学法人福井大学 非イオン性界面活性剤または両イオン性界面活性剤を含有する処理液を用いて、試料から皮膚糸状菌由来成分を抽出する工程を含むことを特徴とする皮膚糸...
L201200047120120224pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 アモルファスSi又は多結晶Siに代り、酸化物を活性層とする薄膜トランジスタ(TFT)については、近年、酸化亜鉛を活性層とするトランジスタの研究...
L201200043720120224地絡故障検出システム、モノレールの安全運転システムおよびレールが地向に接している電車の安全運転システム 国立大学法人琉球大学 地絡故障検出システムは、直流電気鉄道き電回路において地絡故障検出装置8と演算処理装置18からなる。 地絡故障検出装置8は、対地間電圧に振動を...
L201200004920120113薄膜トランジスタとその製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、このチャネル層としてIn−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜ト...
L201100552620111104水系溶媒中での含窒素化合物の製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 アレニルボロネートとα−ヒドラゾノエステルとを、金属水酸化物又は金属酸化物の存在下、水溶媒中で反応させて、α−アレニルヒドラジノエステル及び...
L201100551820111104高分子固定化金ナノクラスター触媒及びこの触媒を用いたイミン化合物の製法 独立行政法人科学技術振興機構 液相で、式(1)で表されるスチレン系高分子に金のナノサイズクラスターを担持させ、該スチレン系高分子のエポキシ基と水酸基とを架橋させて成る高分...
L201100483520110909ビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶(A)を形成...
L201100445720110902抗原ペプチドおよびその利用 独立行政法人科学技術振興機構 本技術は、配列番号1に示されるアミノ酸配列を含むペプチドをコードするポリヌクレオチドを提供する。本技術に係るポリヌクレオチドは、ペプチドをコ...
L201100438820110902標的分子の認識場が再構築可能な分子認識ポリマーおよびその製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、複数の分子の存在により機能発現(標的分子の特異的な認識)が可能となる人工レセプターを創生するために、標的分子に対する認識場を構...
L201100421920110826スルホニルイミデートを求核剤とする反応方法 独立行政法人科学技術振興機構 一般式(1)(式中、R↑1、R↑2;炭化水素基、R↑3、R↑4;水素原子又は炭化水素基)で表されるスルホニルイミデートを、塩基の存在下で求核...
L201100421320110826制御された主鎖らせん構造を有するポリイソシアニド誘導体 独立行政法人科学技術振興機構 一般式(1)(式中、Arは芳香環を示し、R↑1は、炭素数6〜30のアルキル基でエステル化された光学活性アミノ酸エステルのアミノカルボニル基、...
L2011002363201105132次元図形マッチング方法 国立大学法人福井大学 入力地図および参照地図に新たな点を挿入し(S102,S108)、入力地図および参照地図の局所特徴を抽出し(S104,S110)、抽出された参...
L201100190220110401α−グルコシダーゼ阻害剤、エリオジクチオール−7−O−グルコシド含有物の製造方法、及びこれを含有する飲食品 県立広島大学 この技術では、柑橘類、マンゴー、ペパーミント、ハニーブッシュ、ローズマリーから得られる物質がα−グルコシダーゼの阻害作用が極めて高いことを見...
L201100185420110401マイクロコイルの製作方法およびマイクロコイル 東京電機大学 外径が100μm以下の金属性のマイクロパイプの外表面にレジストを付する塗布工程と、マイクロパイプと露光ビームとの相対傾斜角、またはビーム照射...
L201100083220110218太陽電池、センサ、ダイオード及びその製造方法 国立大学法人琉球大学 ダイオードを含んで成る太陽電池10であり、基板1上に形成され、n型不純物が導入されている多結晶シリコン層3と、一端が多結晶シリコン層3に接続...
L201100081820110218自然エネルギー発電設備を用いた電力系統周波数制御装置 国立大学法人琉球大学 数をフィードバックして内燃機関発電機20の発電量Pdを制御すると共に、外乱推定オブザーバ40が負荷電力推定値^Plを生成し、出力電力指令装置...
L201100017220110121単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 学校法人関西学院 単結晶炭化ケイ素基板に対し、半導体を形成可能な不純物原子をイオンドーピングした多結晶炭化ケイ素基板のイオン注入面を近接又は密接させて密閉容器...
L201000637820101217強誘電体、圧電体及びこれらの製造方法 有限会社金沢大学ティ・エル・オー 強誘電体としては、これまでチタン酸ジルコン酸鉛(PZT:Pb(Zr,Ti)O↓3)を中心とする鉛系ペロブスカイト強誘電体が用いられていた。し...
L201000600120101119有機ラジカル種の製造方法、並びに造影剤の製造方法及び造影剤 独立行政法人日本原子力研究開発機構 原子核の磁気モーメントを核スピンと呼び、NMRでは核スピンのエネルギー吸収・放出過程を観測する。通常は、共鳴周波数の電磁波を停止した直後の核...
L201000599020101119強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法 独立行政法人科学技術振興機構 従来の強磁性体素子では、強磁性体のミクロな磁区構造と情報とを対応させている。このため磁区構造の保持には電力は不要で、省電力化に適している。一...
L201000575920101022家事支援システム及び家事支援プログラム 独立行政法人科学技術振興機構 図1は家事支援システムの構成図である。家事支援システムでは、各カメラ11は、被写体の状況(様子)を示す画像データを生成する。掃除ロボット21...
L201000469920100820微粒子画像計測装置 東京医科歯科大学 この技術では、基板上にフローセルと、フローセルの上流側に接続されて微粒子を含む試料液を導入するための第一の流路と、フローセルの上流側に接続さ...
L201000465220100820カーボンナノチューブを含む骨親和剤とそれを用いた材料及び製剤 株式会社信州TLO この技術では、骨親和剤は、カーボンナノチューブからなる骨親和物質を含んでいるものとする。この骨親和剤においては、カーボンナノチューブが、0....
L201000345520100604生分解性に優れた熱成形材料及びその製造方法、並びに熱成形体 学校法人金井学園 天然物質由来の含水酸基物質を基材とし、脂肪族ポリエステル鎖をグラフト鎖とする生分解性熱可塑性重合体(成分A)と、天然物質の粉末(成分B)との...
L201000342820100604テラヘルツ測定装置、時間波形取得法、テラヘルツ測定法及び検査装置 独立行政法人日本原子力研究開発機構 図1は、テラヘルツ測定装置としてのテラヘルツ(THz)波スペクトル測定装置1の構成図である。THz波スペクトル測定装置1は、フェムト秒レーザ...
L201000335920100528有機半導体装置、検出装置および検出方法 独立行政法人科学技術振興機構 有機半導体からなる活性層を有する有機半導体装置が開発されており、その活性層にターゲット分子が吸着されると活性層の伝導度の変化を2つの電極で検...
L201000315920100514気体分離装置並びに酸素濃縮装置及びエアロバイク 株式会社ゼリアエコテック 酸素濃縮装置1は、固定部4と可動部5の間にベローズ3を挟み、固定部4に対して可動部5を往復移動させて混合気体の吸入・圧縮を行う圧力変動装置2...
L201000203520100312分散制御システムおよび分散制御方法 独立行政法人産業技術総合研究所 ネットワークに複数の制御装置10、20、30が接続された分散制御システム1とさせ、それぞれの制御装置10、20、30は、制御装置間で同期され...
L201000202720100312密閉空間に配置されるガス計測装置 独立行政法人産業技術総合研究所 測定装置1に、水晶振動子センサを利用したガス測定素子2、測定部3及び計算部4とからなる計測回路、記憶部(記憶手段)5、及びアルカリ電池や2次...
L201000164320100305グラフェン集積回路 国立大学法人北海道大学 シリコンカーバイド基板のシリコン面に形成したグラフェンを含む非線形素子を有するグラフェン集積回路、及びその製造方法である。シリコンカーバイド...
L201000105720100212FSK信号に対する周波数選択性SISO及びMIMO通信路に於ける、周波数領域等化と非同期検波方式を組み合わせた伝送方式 国立大学法人名古屋工業大学 この発明は、ディジタル無線通信方式におけるデータ伝送方式に関するものである。特に、非同期検波方式を採用したFSK信号に対し、周波数選択性通信...
L201000006220100108一対の片足載置型移動体を組み合わせた乗用移動装置 独立行政法人産業技術総合研究所 図1は、片足載置型の移動体の全体図を示す。移動体1の上面には、使用者の片足が載置されるステップ2が形成されており、このステップ2に、使用者の...
L200900690020091204水素化物の電気化学的酸化用触媒 独立行政法人産業技術総合研究所 この水素化物の電気化学的酸化用触媒は、金属成分としてロジウム、ルテニウム又はイリジウムを含み、配位子として窒素含有多環式化合物又はCOを含む金...
L200900654520091120絹タンパク質ナノファイバー及びその製造方法、並びに絹タンパク質複合体ナノファイバー及びその製造方法 株式会社信州TLO 家蚕又は野蚕由来の絹タンパク質水溶液を透析して純粋な絹タンパク質水溶液である絹タンパク質ドープを調製した後、この絹タンパク質ドープを用いてエ...
L200900645420091113意思伝達装置及び意思伝達方法並びにプログラム 独立行政法人産業技術総合研究所 会話の構成要素を階層的にデータベース化し、構成要素をシンボル表示した視覚記号を複数表示する各階層の選択画面を作成して、各階層で選択された構成...
L200900617820091030排ガスエコノマイザのすす燃焼予測検知方法及び同システム 独立行政法人海上技術安全研究所 排ガスエコノマイザのすす燃焼予測検知方法は、高温の排気ガス通路に設けられ、排気ガスから排熱回収を行う伝熱管を有した排ガスエコノマイザにおいて...
L200900513220090911紫外線露光方法、紫外線露光装置及び電鋳モールドパターンの作製方法 独立行政法人産業技術総合研究所 紫外線の集点と基板上に形成された紫外線感光性材料の相対位置を変化させて紫外線感光性材料をフォトマスクのパターンに露光するステップと紫外線感光...
L200900498620090828超伝導量子干渉素子及びその製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 超伝導量子干渉素子は、リング部を有する超伝導体層と、リング部上に配設された一又は複数の強磁性層とを備える。一対のアンテナ部を一対の狭窄部で接...
L200900493520090821第三元素粒子を添加することにより、軽量耐熱金属間化合物の延性と強度を向上させる方法 独立行政法人日本原子力研究開発機構 TiとAlからなる粉末にCr粉末を5質量%添加した後、高温等方加圧処理を施すことにより、Cr添加混合粉末を焼結させる、金属間化合物の延性及び...
L200900476020090807超分子構造を有する超極細ホースの合成 国立大学法人名古屋工業大学 オキサジアゾール基を骨格の一部とする(オキサジアゾール基の数は3〜4)マクロサイクルを合成し、このマクロサイクルが積層したナノホース状(又は...
L200900475920090807金属イオン応答性蛍光発色タンパク質 国立大学法人名古屋工業大学 好ましくは、N末端からC末端方向に以下のアミノ酸配列を順番に有するタンパク質からなる金属イオン応答性蛍光発色タンパク質にする。(1)金属イオ...
L200900461220090724HLA−A11拘束性Tax抗腫瘍エピトープ 東京医科歯科大学 この技術では、配列番号3又は4に示されるアミノ酸配列からなるHTLV−I特異的CTL誘導活性ペプチドを提供する。また、配列番号3又は4に示さ...
L200900450720090717確率的推論装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、確率的推論装置は、基本的な構成として、確率変数を表す複数のノードとノードの間の確率変数間の因果関係を表すエッジによりネットワー...
L200900448720090717体重支持用具及び介護装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術のずり落ち防止策を施した体重支持用具は、被介護者の上半身を支持する体重支持板と、被介護者の脇の下を支持して被介護者のつま先方向へのず...
L200900447520090717屈折率測定方法および屈折率測定装置 独立行政法人産業技術総合研究所 図1に示すように、屈折率測定装置100は、光源3と、光源3から出射する光の経路を規定する光学系(第1ビームスプリッタ4、ミラー6、第2ビーム...
L200900446720090717多価アルコールからの環状エーテル及びヒドロキシケトンの製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 水酸基を少なくとも3個有する多価アルコールの脱水反応により、環状エーテル又はヒドロキシケトンを製造する方法において、反応系に所定の圧力の二酸...
L200900434520090710電気化学応答性多孔質体 国立大学法人福井大学 機多孔質体の表面水酸基が反応修飾されて電気化学応答性分子が結合固定されている電気化学応答性多孔質体である。無機多孔質体は、多孔質ガラス、シリ...
L200900417520090619黄鉄鉱の浮遊性を抑制する浮遊選鉱方法 国立大学法人北海道大学 この黄鉄鉱の浮遊性を抑制する浮遊選鉱方法は、鉱石に含まれる黄鉄鉱の浮遊性を抑制しながら高品位精鉱を回収する浮遊選鉱方法であって、鉱石のスラリ...
L200900301920090508検体検出センサー及び検体検出方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、透明基板上に、単結晶Si薄膜層、透明薄膜層、及び検体を捕らえる検体捕捉層を持つ検出板を用い、この検出板の透明基板側から光を入射す...
L200900296320090508光触媒体およびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、光触媒体は、電子帯および伝導帯のレベルが酸化タングステンの価電子帯および伝導帯のレベルよりも高く、バンドギャップが2.8eVよ...
L200900188820090314半導体装置及びその製造方法 株式会社鹿児島TLO 従来、トランジスタを構成するp型半導体、n型半導体は、主にW族元素にV価イオン、X価イオンをドープすることによりトランジスタ及び集積回路が製...
L200900169620090314電界放出素子、この電界放出素子を備えた電子デバイス、及び、電界放出素子の製造方法 国立大学法人千葉大学 基板11と、基板11上に配置され、銀フィラメント13Aからなるエミッタ13と、エミッタ13に対向するように配置されたアノード14と、を備えて...
L200900159220090314糖尿病合併症検査用試薬 国立大学法人九州工業大学 合成樹脂製やガラス製等で略球状や多面体状等に形成された担体2に、酵素特異性を有さない化合物Xを結合させる。担体2の合成樹脂は、ハロゲン化炭化...
L200900080420090220軟凝集粉末、及び無機粒子−有機ポリマー複合ペースト 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、無機原料粉末をミルプロセスで粒子表面の損傷なく、即ち、原料として用いる無機原料粉末の表面状態と同程度の損傷状態となるように、解砕...
L200900080020090220リチウム電池用活物質及びその製造方法、並びにそれを用いたリチウム電池 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、次に示すNa↓2Ti↓6O↓(13)型トンネル構造複合チタン酸化物Li↓2Ti↓6O↓(13)活物質及びその製造方法、並びにその...
L200900016620090109マルチブロック共重合体およびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 一方のブロック(A)がシンジオタクチック構造を有するポリ芳香族ビニル系ブロックであり、他方のブロック(B)が結晶性を示すポリエチレン系ブロッ...
L200900016220090109脂肪族ポリエステル組成物およびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 2種類以上の非相溶性のブレンドされた樹脂をシリンダー18と、スクリュー20と、試料投入部と、加熱部とを備えた溶融混練部に試料投入部から投入す...
L200900012620090109絶縁膜の形成方法及び絶縁膜 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体集積回路の高密度化、高速度化のため、トランジスタのゲート絶縁膜の薄膜化と高絶縁化が期待されている。しかし、シリコン表面に二酸化シリコン...
L200900011720090109オーステナイト系ステンレス鋼、及びその水素添加方法 独立行政法人産業技術総合研究所 結晶構造が面心立方格子構造であるオーステナイト相を有するオーステナイト系ステンレス鋼であって、オーステナイト系ステンレス鋼に含有される拡散性...
L200800597020081219廃棄ガラス繊維強化プラスチックを用いた多孔質セラミックの製造方法 国立大学法人宮崎大学 ガラス繊維強化プラスチックと、粘土を混合して成形するステップと、プラスチックのプラスチック成分が分解する温度まで昇温して焼成するステップと、...
L200800550820081024高分子担持キラルジルコニウム触媒の製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 ジルコニウムがさらにポリマーに結合したイミダゾール基を配位子としているキラルなジルコニウム化合物である。キラルなジルコニウム化合物は、式1で...
L200800513120080926高撥水性或いは超撥水性材料及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この高撥水性或いは超撥水性材料は、処理前の基材表面の水との接触角が80°以上である有機素材からなる基材の表面に、熱転写により形成された100...
L200800438420080815微小形状スイッチアレイ 独立行政法人産業技術総合研究所 伸縮可能な支持体に密着した表面薄膜の微小領域での座屈変形に基づいて特性空間周波数を有する微細凹凸構造を備えた微小形状スイッチアレイは、薄膜が...
L200800436120080815α−アミノニトリルの製造触媒 独立行政法人産業技術総合研究所 メソポーラスシリカまたはシリカアルミナを主成分とする、α−アミノニトリルの製造触媒である。また、メソポーラスシリカがアルミニウムを含有し、さ...
L200800434520080815超短光パルスの増幅方法及び超短光パルス増幅装置、並びに広帯域コム発生装置 独立行政法人産業技術総合研究所 図1は、入射パルスのチャープ量を変化させたときの光ファイバ増幅器の出力とパルス幅の関係を示す図である。図2は、高出力超短光パルス増幅装置の構...
L200800434420080815非磁性金属の識別方法及び識別回収装置 独立行政法人産業技術総合研究所 非磁性金属の識別回収装置は、非磁性金属の破砕片を搬送するベルトコンベア上に供給装置、重量計、レーザー3次元計測器、及び分別回収機構を備える。...
L200800433020080815アンモニア測定素子、アンモニア測定装置、アンモニアの測定方法、塩素測定素子、塩素測定装置及び塩素の測定方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、アンモニア測定素子は、圧電体及び圧電体をはさんで両側に設置されている電極を備え、電極の表面にアンモニアと化合物を形成する金属が...
L200800432820080815補助因子による受容体の活性化方法並びにリガンド活性の利用方法 独立行政法人産業技術総合研究所 betaKlotho又は、betaKlotho活性を増強又は阻害する物質を、FGF受容体を介したFGF21活性の調節剤として用い、これらを有...
L200800429820080815ホウ素ナノ粒子又はホウ素含有ナノ粒子及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、結晶性のホウ素ナノ粒子又はホウ素を10原子%以上含有するホウ素含有ナノ粒子からなり、このナノ粒子の平均粒径が1〜500nmであり...
L200800429020080815ガラス部材の成形法、成形装置およびガラス材料の成形体 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術のガラス材料の成形方法は、ガラス材料と成形用型を加熱し、接触保持した状態で、ガラス材料と成形用型の間に電圧を印加し、ガラス材料と成形...
L200800427220080815液相用吸着脱硫剤 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、平均粒径50nm以下の金ナノ粒子を金属酸化物に担持してなる液相用吸着脱硫剤を提供する。この脱硫剤においては、比表面積が1m↑2...
L200800409120080815金属複合材料 株式会社信州TLO 本技術に係る金属複合材料は、メソフェーズピッチにカーボンナノファイバーが混入され、メソフェーズピッチが連続多孔質構造体に形成されると共に、連...
L200800275120080606高精度レーザ加工およびレーザ・電解複合加工装置 独立行政法人産業技術総合研究所 高精度レーザ加工装置は、レーザ加工装置およびワーク保持具を支持するスピンドル、レーザ加工装置とスピンドルとをXYZ方向に相対移動させる移動ス...
L200800270520080606低温廃熱を利用した吸着式ヒートポンプシステム 独立行政法人産業技術総合研究所 吸着式ヒートポンプシステムは、吸着物質と、吸着物質を吸脱着する吸着剤を備えた吸着器と、蒸発器と、凝縮器とを備える。 吸着剤の吸着過程及び脱着...
L200800270020080606高活性耐熱性キチナーゼ 独立行政法人産業技術総合研究所 超好熱菌ピロコッカス・フリオサス由来のキチナーゼ遺伝子を改変し、高活性耐熱性キチナーゼをコードする遺伝子、このポリペプチドを含むキチナーゼ、...
L200800265920080606X線治療用増感剤 独立行政法人産業技術総合研究所 プロトポルフィリン、プロトポルフィリンナトリウム、ヘマトポルフィリン及び5−アミノレヴリン酸から選択された化合物を有効成分として含有するX線...
L200800265520080606酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜は、アルミニウム元素をペロブスカイトに置換した多結晶ターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃...
L200800264720080606タンパク質機能識別装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、機能既知の複数のレセプタの立体構造と複数のリガンドの立体構造から教師データを求める。教師データは、各々のレセプタについて、各レ...
L200800262120080606パターン描画方法および装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、インクジェット方式により、金属微粒子を含むインク、又は金属アルコキシド溶液を原料溶液として、液滴化し、液滴を基板上に着弾させて...
L200800261520080606光計測装置 独立行政法人産業技術総合研究所 近赤外光を生体の所定の部位に照射し、所定の部位の近傍において出射してくる光を検出し、生体に関する情報を獲得する光計測装置であって、近赤外光の...
L200800261320080606ポリカーボネート積層体 独立行政法人産業技術総合研究所 この積層体は、ポリカーボネート樹脂材と、ポリカーボネート樹脂材の表面上に堆積された膜厚50nm〜10μmで、表面粗さRaが20nm以下の炭素...
L200800175720080404極端紫外光源装置および極端紫外光源における付着物除去方法 国立大学法人宮崎大学 この技術における、極端紫外光源装置1では、プラズマ生成領域に供給された金属スズにプラズマ発生用レーザー光が照射されて、プラズマとなり、波長1...
L200800094520080222液晶配向表面とこの表面を具備した液晶表示セル 独立行政法人産業技術総合研究所 微細凹凸構造を有する液晶配向表面は、座屈表面であり、周期的な凹凸構造を有する。構造は50nm以上500μm以下の周期を有する。液晶表示セルは液晶配向...
L200800086520080222炭化珪素の研磨剤、及びそれを用いた炭化珪素の研磨方法 独立行政法人産業技術総合研究所 例えば、(A)シリコン、ガラス等の基材を用意する、(B)ダイヤモンド微粒子を粉砕して基材上にこのダイヤモンド微粒子を設ける、(C)マイクロ波...
L200800086420080222有機半導体装置の作製方法及び有機半導体装置 独立行政法人産業技術総合研究所 例えば、(a)ポリエチレンナフタレート等のプラスチック、ガラス等の基板10表面に、金等からなる金属電極を被着するかもしくはそれら金属あるいは...
L200800085420080222バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 基板上に形成された、A(AはK、Rb及びCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜45...
L200800084020080222HCV患者における瀉血治療の効果の判定方法及び判定キット 独立行政法人産業技術総合研究所 HCV患者のサンプル中のヒドロキシオクタデカジエノイックアシッド(HODE)類、αフェトプロテイン(AFP)及びチオレドキシン(TRX)から...
L200800081220080222ペロブスカイト型複合酸化物 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、組成式(1):(Ba↓(1−x)A↓x)BH↓aO↓(3−b)(1)(式中、Aは、ランタノイド元素及び周期表2族の元素からなる群...
L200800078320080222蛍光体、及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 蛍光体は、ナノ蛍光粒子を分散させた溶液と、金属塩を溶解した溶液とを混合し、所定の熱温度で所定の加熱時間の間に加熱して、製造されたものである。...
L200800076220080222アルカンからのアルキレンオキシドの直接製造 独立行政法人産業技術総合研究所 水素及び酸素を含有する酸化剤混合物、及び貴金属又は貴金属合金、及び支持体を含有する1又は複数の触媒を用いて、200℃以下という低温で、アルカ...
L200800069420080222Zn5(CO3)2(OH)6結晶自立膜及びその作製方法 独立行政法人産業技術総合研究所 Zn↓5(CO↓3)↓2(OH)↓6結晶自立膜であって、ナノシートの集積体から形成されており、気相面側は平坦であり、液相面側はナノシートが立...
L200700650020071026医療用材料 東京医科歯科大学 この技術では、医療用材料は、一般式:CH↓2C(R↑1)COOR↑2(式中R↑1は水素基又はメチル基を表し、式中R↑2は炭素数が8〜14の脂...
L200700553620070921遺伝子多型およびその利用による癌の予後診断 有限会社金沢大学ティ・エル・オー 癌患者より採取されたゲノムDNA含有試料において、配列番号:1で表されるヒトLTBP−1L遺伝子5V一調節領域の塩基配列中塩基番号2014お...
L200700380420070810半導体チップの電極接続構造および導電部材、並びに半導体装置およびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、半導体装置の製造方法は、第1電極を備えた基板もしくは半導体チップと、外周部に第2電極を備えた半導体チップとを、接着層を介して接...
L200700380220070810カーボンナノチューブの高効率分離法 独立行政法人産業技術総合研究所 アーク放電法、レーザー蒸発法、化学気相成長法などで得られるカーボンナノチューブ(CNT)に含まれる金属型カーボンナノチューブ(金属型CNT)...
L200700380120070810カーボンナノチューブの分離法 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ(CNT)をゲル電気泳動法により、それに含まれる金属型CNTと半導体型CNTに分離する。分離用容器内に分離用ゲルを入れ、...
L200700372920070803片側開放型磁気回路 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、円筒軸方向に磁化された円筒型磁石の内周に沿って、円筒軸に垂直な方向に磁化された磁石を配列した片側解放型磁気回路とする。さらに、円...
L200700364720070803複合金属硫化物の製造方法および複合金属硫化物焼結体の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 複合金属硫化物を形成する金属の塩を、ヒドロキシ酸(例えば、クエン酸)を加えたグリコール溶液中に溶解し錯体化させ、加熱してエステル重合させてゲ...
L200700362720070803単結晶マンガン酸ナトリウム(Na0.44MnO2)ナノワイヤーの製造方法及びそれを用いたハイレート用Liイオン電池 独立行政法人産業技術総合研究所 本技術で用いるMn↓3O↓4は、市販品を用いることが出来き、水酸化ナトリウム水溶液は、1〜20Mを用いる必要がある。1M以下では反応が遅く、...
L200700302520070615マクロポーラスな連通孔を持つセラミック多孔体及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、ゲル化可能な水溶性高分子の水溶液にセラミック粉体を分散したスラリーを、ゲル化、凍結、解凍、乾燥、焼結してセラミック多孔体を製造...
L200700283220070601酸化シリコン薄膜の製造装置及び形成方法 独立行政法人産業技術総合研究所 薄膜形成装置の概念図を図1に示す。前処理部には基板洗浄手段及び基板表面改質手段を有する基板前処理装置50が備えられている。塗設部にはケイ素化...
L200700279820070601活性炭の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 (A)固体有機物100重量部にアルカリ金属の化合物を10〜100重量部加え、混合し、(B)この固体有機物とアルカリ金属の化合物との混合物を不...
L200700279020070601アルミニウム液体を利用した硬質材料の作製方法及びその成形体 独立行政法人産業技術総合研究所 硬質粒子、遷移金属、及びアルミニウムの粉末を混合し、加熱によりアルミニウムを軟化あるいは溶解させて、最終形状に加圧成形させる。その後に、更に...
L200700126520070309金属粉末射出成形法による高密度アルミニウム焼結材の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 アルミニウムを主成分とする粉末と有機バインダーからなるコンパウンドを射出成形することにより所定形状に成形した成形体を脱脂、焼結して焼結体を製...
L200700118920070309積層体、及びそれを用いた研磨材及び研削材、並びにその積層体の形成方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この硬質基材表面の研磨材として有効な積層体は、基材とこの基材上に設けられた炭素層とを備え、炭素層は、基材に設けられ、衝撃を与えられて粉砕され...
L200700116320070309移動物体の指標位置への相対角度及び位置計測方法及び、それを利用した駐車支援方法及びシステム 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、移動物体の指標位置への相対角度及び位置計測方法は、対象となる環境に既知の目印として、径及び間隔が既知の2つの指標を配置し、水平...
L200600704620061201電極、半導体チップ、基板、半導体チップの電極接続構造、半導体モジュールおよびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、電極は、突起状の金属導体からなり、接続相手である他の電極に設けた挿入開口部に挿入する際に、挿入開口部の開口縁または内壁面に沿っ...
L200600429920060714N−アシル化合物、その製造法及びその装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、例えば流通式高温高圧反応装置を用いて、合成条件を、無触媒、温度50〜200℃、圧力5MPa、滞留時間9.9秒で実施した。即ち、...
L200600305920060414タイヤ空気圧センサおよびタイヤ空気圧監視装置 独立行政法人産業技術総合研究所 図1は、タイヤ空気圧センサとして使用するフィルム状の圧電センサ1の積層構造を示す断面図である。圧電センサ1はタイヤ空気圧センサとしての基本構...
L200600300320060414リサーフ構造を用いた窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ 独立行政法人産業技術総合研究所 図1は、窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの構造の説明図である。図1において、1は基板、2はAl↓xGa↓1↓−↓xN層、3はGaN層、4は...
L200600011920060120色可逆変化表示装置用電極体及びその製造方法、並びに色可逆変化表示装置及び色可逆変化調光装置 独立行政法人産業技術総合研究所 電圧を印加することによって物質の色を自由に制御する方法として、従来、エレクトロクロミック現象を利用したプルシアンブルー型金属錯体があるが、高...
L200500822020050819メソポーラスシリカ厚膜及びその製造方法、吸着装置並びに吸着用膜 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、メソポーラスシリカ厚膜は、メソポーラスシリカにより10μm〜1mmの厚さに形成されている膜である。このメソポーラスシリカは、1...
L200500703220050701高密度粉末成形体及び焼結体とその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 (A)原料粉末と(B)溶媒とを混合し、粘土を40mPa・s以下、単位時間当たりの粘度の変化量を10mPa・s/h以下とする、低粘性・低チクソ...
L200500465520050408繊維強化粘土膜及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 粘土と少量の補強材、または粘土と少量の添加物と少量の繊維状補強材から構成され、柔軟性を有し、自立膜として利用可能であり、耐熱性を有す、粘土層...