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L201100333720110715Mn−Znフェライトの製造方法 株式会社タムラ製作所 Mn−Zn原料混合粉またはMn−Zn原料を混合して仮焼後粉砕した粉体を焼結材料として、この焼結材料を所定の形状に成形して成形体を作成し、この...
L201100333520110715高周波電力増幅器 早稲田大学産学官研究推進センター 高周波電力増幅器において、従来技術の構成では電力付加効率17%であったものを、33%まで改善した。
インピーダンス変換回路やエンベロープ検波器等を...
L201100333420110715移動体の測位装置および状態推定装置     筆頭発明者:興梠 正克 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100333320110715画像生成装置、画像生成方法、及びプログラム     筆頭発明者:林 隆介 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100333220110715簡易式上肢運動モニター装置     筆頭発明者:肥後 範行 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100333120110715メトキシオリゴエチレングリコール−シラン化合物表面修飾材料     筆頭発明者:田中 睦生 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100333020110715アルコール損傷細胞賦活化剤     筆頭発明者:佐藤 俊 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332920110715−LIT型合成アルミノシリケート、−LIT型メタロシリケート及びその製造方法     筆頭発明者:長瀬 多加子 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332820110715ホスホリルコリン−シラン化合物表面修飾材料     筆頭発明者:吉岡 恭子 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332720110715メチル化核酸検出法     筆頭発明者:栗田 僚二 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332620110715ちらつき知覚閾値の測定装置、測定方法及び測定プログラム     筆頭発明者:岩木 直 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332520110715応力履歴記録方法及び応力履歴記録システム     筆頭発明者:寺崎 正 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332420110715応力履歴記録システム及び応力履歴記録方法     筆頭発明者:寺崎 正 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332320110715標準フリッカー値の計算式の決定方法、標準フリッカー値の計算方法及びプログラム、並びにフリッカー値測定装置     筆頭発明者:岩木 直 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332220110715熱電変換材料およびその製造方法     筆頭発明者:三上 祐史 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332120110715ジアリール化合物の製造方法     筆頭発明者:山下 浩 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100332020110715金ヒドロキソ陰イオン錯体溶液及び金ナノ粒子担持体の製造方法     筆頭発明者:櫻井 宏昭 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331920110715α,β−不飽和ケトンの製造方法     筆頭発明者:今 喜裕 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331820110715有機薄膜太陽電池     筆頭発明者:溝黒 登志子 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331720110715難焼結性Fe系金属間化合物合金の加圧焼結方法     筆頭発明者:村上 敬 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331620110715無機ナノ粒子含有シリコーン皮膜とその製造方法     筆頭発明者:Cheng Dalton 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331520110715波長選択性を付与した全固体型反射調光エレクトロクロミック素子及びそれを用いた調光部材     筆頭発明者:田嶌 一樹 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331420110715炭化珪素縦型電解効果トランジスタ     筆頭発明者:原田 祐一 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331320110715導波路型光スイッチ     筆頭発明者:河島 整 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331220110715炭化珪素半導体装置の電極形成方法     筆頭発明者:木下 明将 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331120110715擬微小重力環境下での三次元組織構築方法     筆頭発明者:西 正統 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100331020110715超音波を用いた非接触クリーニング方法     筆頭発明者:小塚 晃透 独立行政法人産業技術総合研究所 注:本件は未公開のため、公開後に提示します。内容については下記の問合わせ先にご連絡いただければご紹介いたします。
L201100330920110715遠赤外線放射床張り装置 有限会社ウッドメック 部屋11の床材12の一部又は全部と置き換えて部屋11内に遠赤外線を放射する遠赤外線放射床張り装置10であって、床材12を固定する台板13の上...
L201100330820110715遠赤外線放射板 有限会社ウッドメック 遠赤外線を放射し、粒度が2mm以上8mm以下の骨材と、粒度が0.1mm以上2mm未満の細骨材とからなる遠赤外線放射材にバインダーを加えて固め...
L201100330720110715ベッド装置 有限会社ウッドメック 水平に配置される有底のベッド本体11と、ベッド本体11の前部に載置又はベッド本体11の前部に連結され、ベッド本体11の高さより高いヘッド枠部...
L201100330620110715複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 昭和電工株式会社 基体表面に第一の金属元素を含む金属酸化物層を形成する工程と、第一の金属酸化物層に第二の金属のイオンを含む溶液を反応させ、第一および第二の金属...
L201100330520110715多結晶構造膜およびその製造方法 昭和電工株式会社 所定の配向に揃えられる結晶層からなる非磁性の下地層31と、下地層31の表面において相互に隔てられ、規則合金から構成され、かつ、下地層31の配...
L201100330420110715有機発光素子および発光材料 昭和電工株式会社 式I(図1)(式I中、R↑1は式II(図2)または式III(図3)のいずれかで表される基であり、R↑2は炭素数3のアルカノイル基を表し、nは...
L201100330320110715照明装置 昭和電工株式会社 所定間隔で基板11に直列配置された複数個の発光ダイオード等の発光素子12と、この複数個の発光ダイオード等の発光素子の直列方向とは直交する側面...
L201100330220110715生分解性ポリエステル溶液 昭和電工株式会社 生分解性ポリエステルおよび汎用非ハロゲン溶剤から得られ、式(1)で算出されるゲル化温度T↓mが20℃以下である生分解性ポリエステル溶液である...
L201100330120110715炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶を研磨するスラリーであって、コロイダルシリカからなる研磨材粒子、無機酸、ゲル化防止剤0.01〜6質量%、及び酸化剤として過酸化...
L201100330020110715FRP防水層用ラジカル重合性遮熱塗料、それを用いた遮熱層の形成方法及びFRP防水・遮熱構造体 昭和電工株式会社 FRP防水層用ラジカル重合性遮熱塗料は、(A)イソホロンジイソシアネート系ウレタン(メタ)アクリレート樹脂及びポリエステル(メタ)アクリレー...
L201100329920110715磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 非磁性基板上に磁性層を形成した後、その磁性層に部分的に原子を注入し、磁性層の原子を注入した箇所を非磁性化または非晶質化することにより、磁気的...
L201100329820110715磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 非磁性基板の少なくとも一方の面に磁性層が設けられ、この磁性層に磁気的に分離された磁気的パターンが形成されてなる磁気記録媒体の製造方法であって...
L201100329720110715磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 円盤状の非磁性基板の中心部に円孔14を有し、裏打ち軟磁性層と垂直磁気記録媒体層を形成するための主表面10と外周端面11との間、もしくは主表面...
L201100329620110715アルミニウム合金板の製造方法 昭和電工株式会社 Si:11〜20質量%およびNi:1〜6質量%を含有し、残部Alおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金素材に対し、1パス以上の熱間圧延に...
L201100329520110715磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 非磁性基板1上に、少なくともバリア層2、裏打ち層11、下地膜6、中間膜7及び垂直磁気記録膜8をこの順で有する垂直磁気記録媒体であって、裏打ち...
L201100329420110715冷凍サイクル用受液器 昭和電工株式会社 上下両端が閉鎖された筒状タンクと、タンク内に配置された乾燥剤とを備えており、タンクの下端閉鎖部に貫通状の冷媒流入路および冷媒流出路が形成され...
L201100329320110715三フッ化窒素の製造方法 昭和電工株式会社 フッ素ガス、アンモニアガスおよび希釈ガスのうちの少なくとも1つのガスを5℃以下の冷却温度に冷却した状態で、フッ素ガスと希釈ガスとの混合ガスA...
L201100329220110715ヒドロキシルアミンの安定化剤、安定化方法および安定化されたヒドロキシルアミン溶液 昭和電工株式会社 保存安定剤として3,4−ジヒドロキシ安息香酸をヒドロキシルアミン溶液に添加する、ヒドロキシルアミンの安定化方法である。また、酸化防止剤をさら...
L201100329120110715車両用灯具及び灯火装置 昭和電工株式会社 この車両用前照灯は、ハウジング10と、光源としての複数のLED21と、光源搭載部材としてのLED設置ブロック20と、冷却装置としてのヒートパ...
L201100329020110715三フッ化窒素の製造方法 昭和電工株式会社 フッ素ガスとアンモニアガスとを管状反応器に供給して、希釈ガスの存在下、気相中、無触媒条件で60℃以下の温度で反応させて、主として三フッ化窒素...
L201100328920110715磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体は、裏打ち層を構成する軟磁性膜の飽和磁束密度Bsが1.4(T)以上であり、軟磁性膜がCoFeHfにTa、Nbのうち少なくとも...
L201100328820110715フッ素ガス中の含有ガス成分の定量分析方法およびこれに用いる装置 昭和電工株式会社 その他のガス成分を含有するフッ素ガスと、臭化物とを反応させて臭素を生成させた後、生成した臭素を除去し、次いで、臭素を除去した後の残存ガスをガ...
L201100328720110715金属鋳造材の連続鋳造方法および連続鋳造装置 昭和電工株式会社 複数の回転モールド部材10、11を鋳造空間を囲んで対向配置し、これらの回転モールド部材10、11を鋳出し方向に駆動することによって金属鋳造材...
L201100328620110715表面検査方法および同装置 昭和電工株式会社 検査対象領域に照明光を照射し、その反射光をカメラで検出することにより表面欠陥を検出する表面検査方法は、検査対象領域の各部に対して、照明光の入...
L201100328520110715表面検査方法および同装置 昭和電工株式会社 検査対象領域に照明光を照射し、その反射光をカメラで検出することにより表面欠陥を検出する表面検査方法である。検査対象領域の各部に対して、表面欠...
L201100328420110715中空状被接合材の摩擦攪拌接合方法 昭和電工株式会社 両被接合材における相互に突き合わせる端部の肉厚および内周長を異なったものとし、支持部材3の外周面における軸方向の中間部に、環状外方突出部4を...
L201100328320110715据え込み加工方法及び据え込み加工装置 昭和電工株式会社 図1は据え込み加工装置の一部切欠き平面図、図2は据え込み加工装置により押出素材の露出部をタイムラグの間において拡径する途中の状態を示す、一部...
L201100328220110715熱交換器 昭和電工株式会社 図1は熱交換器を適用したエバポレータの全体構成を示す一部切り欠き斜視図、図2は図1に示すエバポレータを後方から見た際の中間部を省略した垂直断...
L201100328120110715細胞増殖促進因子 昭和電工株式会社 微生物に由来し、細胞外マトリックスに付着性を有するタンパク質であって、配列番号1に示すアミノ酸配列、または配列番号1に示すアミノ酸配列の1個...
L201100328020110715窒化ガリウム系半導体積層構造体の製造方法 昭和電工株式会社 サファイア基板の(0001)面(C面)上100に、基板100との接合部を六方晶からなる単結晶層とするAl↓XGa↓YN低温緩衝層101を25...
L201100327920110715電子回路基板の製造方法および電子部品の実装方法 昭和電工株式会社 プリント配線板上の導電性回路電極表面を、粘着性付与化合物と反応させることにより粘着性を付与し、粘着部にハンダ粉末を付着させ、次いでプリント配...
L201100327820110715据え込み加工方法及び据え込み加工装置 昭和電工株式会社 図1は据え込み加工装置の分解斜視図である。図2は据え込み加工装置により得られた据え込み加工品の斜視図である。素材1の拡径予定部2は、素材1の...
L201100327720110715感光性樹脂組成物及びその硬化物並びにそれらを使用するプリント配線基板の製造方法 昭和電工株式会社 ウレタンアクリレート化合物と、ウレタンアクリレート化合物を除くエチレン性不飽和基を有する化合物とを含む光硬化成分と、熱硬化性樹脂と、光重合開...
L201100327620110715垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 昭和電工株式会社 図1は、垂直磁気記録媒体の概略断面図である。垂直磁気記録媒体10は、基板11と、基板11上に、軟磁性裏打ち層12、配向制御層13、下地層14...
L201100327520110715毛髪処理剤 昭和電工株式会社 (1)式[Xは−O−、−S−、−NH−、−NR↑1−のいずれかの構造を示す。R↑1は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R↑2は水素原子または炭...
L201100327420110715乳化した毛髪処理用薬剤 昭和電工株式会社 式[Xは−O−、−S−、−NH−、−NR↑1−のいずれかの構造を示す。R↑1は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R↑2は水素原子または炭素数1...
L201100327320110715熱交換器 昭和電工株式会社 図1は、エバポレータの全体構成を示す一部切り欠き斜視図、図2は一部を省略した図1のII−II線拡大断面図、である。エバポレータ1は、上下方向...
L201100327220110715LED用基板および光源 昭和電工株式会社 LED11を取り付けるための基板1は、冷却液が流通する通路5を有するアルミニウム製扁平チューブ2が押出多穴管で構成され、かつその表面に陽極酸...
L201100327120110715ヒドロキシルアミンの製造方法 昭和電工株式会社 ヒドロキシルアミン溶液をモノベッド樹脂床に通すことにより精製する精製工程1を含むヒドロキシルアミンの製造方法である。この製造方法は、精製工程...
L201100327020110715ヒドロキシルアミンの製造方法 昭和電工株式会社 合成吸着剤および活性炭からなる群より選ばれる少なくとも1種の吸着剤とヒドロキシルアミン溶液を接触させてヒドロキシルアミン溶液を精製する精製工...
L201100326920110715熱交換器用チューブ、その製造方法及び熱交換器 昭和電工株式会社 アルミニウム製の扁平なチューブ芯材を準備し、このチューブ芯材に、その表面に溶射処理によってCu(Cu合金を含む)とZn(Zn合金を含む)、又...
L201100326820110715窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 昭和電工株式会社 InGaNからなる活性層とGaNからなる障壁層とを交互に複数層積層させた多重量子井戸構造の発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の...
L201100326720110715ヒドロキシルアミンの製造方法 昭和電工株式会社 芳香環上の連続する2以上の炭素原子の各々に水酸基を有する芳香族化合物から選ばれる少なくとも1種の安定剤の存在下に、ヒドロキシルアミンの塩とア...
L201100326620110715熱交換器 昭和電工株式会社 図1はエバポレータの全体構成を示す一部切り欠き斜視図、図2は冷媒入出用タンクの部分の水平断面図、図3は冷媒入出用タンクの部分の分解斜視図、図...
L201100326520110715熱交換器 昭和電工株式会社 図1はエバポレータの全体構成を示す一部切り欠き斜視図、図2は一部を省略した後方から見た垂直断面図、である。エバポレータ1は、アルミニウム製冷...
L201100326420110715一体型熱交換装置 昭和電工株式会社 図1は、一体型熱交換装置の全体構成を示す斜視図である。図1において、一体型熱交換装置1は、高温オイルを冷却するオイルクーラ2と高温圧縮空気を...
L201100326320110715エバポレータおよびその製造方法 昭和電工株式会社 前後方向に並んで配置された冷媒入口ヘッダ部5および冷媒出口ヘッダ部6と、両ヘッダ部を通じさせる冷媒循環経路とを備えており、冷媒入口ヘッダ部の...
L201100326220110715化合物半導体素子 昭和電工株式会社 結晶基板と、結晶基板上に設けられた第1のTTT−V族化合物半導体層と、第1のTTT−V族化合物半導体層上に設けられた第2のTTT−V族化合物...
L201100326120110715コンデンサ 昭和電工株式会社 アルミニウムからなる外装ケース3内にコンデンサ素子が収納されてなるコンデンサにおいて、外装ケースの外周面は、窒化アルミニウム皮膜で被覆されて...
L201100326020110715熱交換器 昭和電工株式会社 エバポレータ1に、上下方向に間隔をおいて配置されたアルミニウム製冷媒入出用タンク2およびアルミニウム製冷媒ターン用タンク3と、両タンク2、3...
L201100325920110715テトラフルオロシランの製造方法 昭和電工株式会社 ヘキサフルオロケイ酸を硫酸により分解してテトラフルオロシランを製造する方法において、第1の反応器でヘキサフルオロケイ酸を濃硫酸中で分解しテト...
L201100325820110715p形オーミック電極、それを備えた化合物半導体素子、化合物半導体発光素子及びそれらの製造方法 昭和電工株式会社 p形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層(p形リン化硼素半導体層)の表面に接触させて設けるp形オーミック電極にあって、p形オーミック電極...
L201100325720110715ヒドロキシルアミンの製造方法 昭和電工株式会社 ヒドロキシルアミンの塩と、アルカリ化合物との反応によりヒドロキシルアミンを製造する方法において、反応液のpHを7以上に保ちながら、ヒドロキシ...
L201100325620110715燃料電池車両のフレーム及び燃料電池車両 昭和電工株式会社 閉断面形状の周壁部11を有し、周壁部の内側に空洞部13が形成されるとともに、空洞部が、燃料電池4用の燃料の少なくとも一部を貯蔵する燃料貯蔵室...
L201100325520110715熱交換器 昭和電工株式会社 互いに間隔をおいて配置された冷媒入出側タンク2と冷媒ターン側タンク3との間に、両タンクの長さ方向に間隔をおいて並列状に配置された複数の熱交換...
L201100325420110715微生物によるコハク酸の製造方法 昭和電工株式会社 微生物(例えばコリネバクテリウム等)を好気的に培養する工程(1)、微生物を嫌気的に反応させてコハク酸塩を生産する工程(2)、コハク酸塩をコハ...
L201100325320110715圧延装置およびこれを用いた異形断面製品の製造方法 昭和電工株式会社 第1ワークロール25と、第1ワークロール25とともに金属素板Pを圧延する第2ワークロール26とを備えており、板状部および板状部の片面に板状部...
L201100325220110715熱交換器の仮組み装置および仮組み方法 昭和電工株式会社 図1は熱交換器の仮組み装置を示す一部切り欠き平面図、図2は正面から見た垂直断面図、図3は、図2のA−A線拡大断面図である。図1〜図3において...
L201100325120110715二次元ディスプレイ装置用放熱器の製造方法 昭和電工株式会社 例えば、2枚のアルミニウム板3、4を用意し、一方のアルミニウム板4の片面に圧着防止剤を所要パターン20に印刷した後、このアルミニウム板4の印...
L201100325020110715アルミナ系セラミックス材料及びその製造方法 昭和電工株式会社 アルミナを主成分とし、アルミナ原料として平均粒径が0.3〜1μmのものを使用し、これにマンガンとチタンとの複合酸化物と、酸化バナジウムとを混...
L201100324920110715シリカ被覆酸化亜鉛含有粉末、それを含有する有機重合体組成物およびその成形品 昭和電工株式会社 有機基およびハロゲンを含まない珪酸または前記珪酸を産生し得る前駆体、水、アルカリ、有機溶媒、を含有するシリカ被膜形成用組成物に原料酸化亜鉛粒...
L201100324820110715SiO2を主成分とする酸化物皮膜 昭和電工株式会社 表面に酸化物皮膜を有する金属またはガラス等の材質の基材は、SiO↓2を主成分とするとともに、R↑1↓nSi(OR↑2)↓4↓−↓nを含む組成...
L201100324720110715蒸発器 昭和電工株式会社 例えば、複数の熱交換チューブ6、7が並列に配置された上流側熱交換チューブ群P1及び下流側熱交換チューブ群P2が、前後方向に並んで配置されたコ...
L201100324620110715垂直多層磁気記録媒体 昭和電工株式会社 基板側から順に面内軟磁性膜である裏打層2、裏打層と磁気情報を記録する配向性を有する磁気記録層4とを磁気的に分離するとともに磁気記録層の配向性...
L201100324520110715光触媒性コーティング組成物および光触媒性薄膜を有する製品 昭和電工株式会社 光触媒性酸化チタンコーティング組成物は、(a)光触媒能を有する酸化チタン微粒子、(b)酸化アルミニウム粒子、(c)バインダー(酸化アルミニウ...
L201100324420110715シクロヘキサンジメタノール化合物とその製造中間体の製造方法 昭和電工株式会社 式(2):R−CH=CH−CHO[Rは炭素数1〜4のアルキル、フェニル]で示されるβ−置換−α,β−不飽和アルデヒド化合物と、式(3)[R↑...
L201100324320110715有機発光素子および発光材料 昭和電工株式会社 電気的励起による三重項励起状態から燐光発光する発光物質は、螺旋構造を有する核酸あるいは核酸誘導体、またはシクロデキストリンあるいはシクロデキ...
L201100324220110715磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 図1は磁気記録媒体を示す一部断面図、図2は図1に示す磁気記録媒体の軟磁性下地膜を示す構造図、である。磁気記録媒体は、非磁性基板1上に、軟磁性...
L201100324120110715長さ方向に外径の異なる棒状材及びその製造方法 昭和電工株式会社 図1は、棒状材を示す図、図2は、棒状材を接合前の状態で示す図、図3は棒状材を接合途中の状態で示す図である。この棒状材A1では、第1構成片10...
L201100324020110715熱交換器 昭和電工株式会社 図1は熱交換器を示す正面図、図2は熱交換器の要部斜視図、図3は熱交換器の要部の一部切欠き正面図、図4は熱交換器の要部分解斜視図、である。この...
L201100323920110715光触媒粉体の製造法 昭和電工株式会社 縮合燐酸またはそのソーダ塩の存在下に、四塩化チタンを加水分解して、二酸化チタン微粒子からなる光触媒粉体の製造法は、二酸化チタン微粒子が縮合燐...
L201100323820110715摩擦攪拌接合における終端部処理方法および終端部処理された摩擦攪拌接合体 昭和電工株式会社 摩擦攪拌接合における終端部処理方法は金属材1、1同士の接合線に沿って回転子2のプローブ3を埋入状態で回転しつつ進行させて両金属材1、1同士を...
L201100323720110715テトラフルオロベンゼンメタノール類の製造方法 昭和電工株式会社 式(1)で示されるテトラフルオロシアノベンゼンをR−OHで示されるアルキルアルコール及び酸の存在下で接触還元し、式(2)で示されるテトラフル...
L201100323620110715固体電解コンデンサ素子、その製造方法及びその製造用冶具 昭和電工株式会社 複数個の陽極体の表面に陽極酸化により誘電体層を同時に形成し、誘電体層上に半導体層を形成する電解コンデンサ素子の製造方法であって、個々の陽極体...
L201100323520110715透明導電性材料の製造方法 昭和電工株式会社 Zr、Hf、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1種の異種金属元素を含む窒化チタン、MoおよびWからなる群から選ばれる少...
L201100323420110715透明導電性材料の製造方法 昭和電工株式会社 図1は、透明導電性材料を示した概念断面図である。基体1の表面上に、Zr、Hf、Nb、Ta、MoおよびWから選ばれる少なくとも1種の元素(異種...
L201100323320110715固体電解コンデンサの製造方法 昭和電工株式会社 陽極体表面に誘電体層を形成し、誘電体層の上に半導体層を形成し、次いで半導体層の上に分散剤を含む導電性ペーストを用いて導電体層を形成して、固体...
L201100323220110715固体電解コンデンサおよびその製造方法 昭和電工株式会社 焼結体からなる陽極体1の表面に誘電体層2を形成する工程、誘電体層2の上にイオウ元素を含有する導電性ポリマーからなる半導体層3を形成する工程、...
L201100323120110715表面被覆サーメット部材及びその製造方法 昭和電工株式会社 表面被覆サーメット部材1は、サーメット基材11と、サーメット基材11上に設けられた耐酸化膜12とを具備させる。サーメット基材11は、炭窒化チ...
L201100323020110715III族窒化物半導体発光ダイオード及びその製造方法 昭和電工株式会社 シリコン単結晶基板の上に積層された、式:Al↓aGa↓bIn↓1↓‐↓a↓‐↓bN↓cM↓1↓‐↓c(但し、0≦a、b、a+b≦1、Mは窒素...
L201100322920110715オクタフルオロプロパンの製造方法及びその用途 昭和電工株式会社 (1)クロムの酸化物を主成分とし、この酸化物にインジウムを添加してなる塊状フッ素化触媒の存在下、ヘキサフルオロプロペンとフッ化水素とを、気相...
L201100322820110715表面被覆サーメット部材の製造方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100322720110715磁気記録媒体、磁気記録媒体製造方法、および情報再生装置 昭和電工株式会社 ディスク状の基板11と、基板上に形成された、強磁性を示す材料からなる、表層部がフッ素の導入により改質されてなる磁性層13と、磁性層の改質され...
L201100322620110715固体電解コンデンサ 昭和電工株式会社 図1は固体電解コンデンサの断面説明図、図2は陰極にカーボン層を設けないようにした他の例の固体電解コンデンサの断面説明図、である。固体電解コン...
L201100322520110715エピクロロヒドリンの製造方法 昭和電工株式会社 (A)長周期律表1〜16族から選ばれる1種以上の元素のハロゲン化物、酸化物、硫酸塩、リン酸塩、及び活性炭の1種以上からなる触媒の存在下、アリ...
L201100322420110715水酸化アルミニウムの表面処理方法 昭和電工株式会社 水酸化アルミニウム粉末にアルカリ金属の水酸化物を、水酸化アルミニウム量に対して、その酸化物換算で0.15%以下添加、混合し、次いでシランカッ...
L201100322320110715新規な不飽和エーテル化合物及び該化合物の製造方法 昭和電工株式会社 式I(図1)、式II(図2)または式III(図3)のいずれかで表される不飽和エーテル化合物である。式I、式II、式IIIにおいて、R↑1は水...
L201100322220110715切削工具及びその製造方法並びに切削加工方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100322120110715鍛造加工用金型及びその製造方法並びに鍛造加工方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100322020110715磁気記録媒体における潤滑膜形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置 昭和電工株式会社 (A)最表層がCVD法で成膜したカーボン薄膜である被塗布体(例えば保護層12)の上に、末端基に極性基、又は7つ以上のπ電子が導入された基のい...
L201100321920110715引抜ダイス及びその製造方法並びに引抜加工方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100321820110715正極活物質、その製造法及びそれを用いた非水二次電池 昭和電工株式会社 Li、Mn、Al及びOからなるスピネル構造を有する複合酸化物が、Li↓xAl↓yMn↓3↓−↓x↓−↓yO↓zで表され、1.0<x≦1.05...
L201100321720110715表面被覆サーメット部材及びその製造方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100321620110715表面被覆サーメット部材及びその製造方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100321520110715表面被覆サーメット部材及びその製造方法 昭和電工株式会社 炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンのうち、少なくとも1種以上のチタン化合物を硬質相の主成分とする焼結体によって構成されたサーメット基材...
L201100321420110715金属加工具の再処理方法 昭和電工株式会社 図1は表面被覆サーメット部材を模式化して示す断面図、図2は表面被覆サーメット部材の製造プロセスを示すブロック図、図3は押出ダイスの再処理方法...
L201100321320110715表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 昭和電工株式会社 チタン化合物と反応して複合酸化物を生成する金属塩と、有機酸と、20質量%以上の溶媒としての水とを含有する表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成...
L201100321220110715表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 昭和電工株式会社 チタン化合物と反応してスピネル型複合酸化物を生成する金属塩、水及び有機酸を含有する表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液である。金属...
L201100321120110715表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 昭和電工株式会社 チタン化合物と反応してイルメナイト型複合酸化物を生成する金属塩、水及び有機酸を含有する表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液である。...
L201100321020110715表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液 昭和電工株式会社 チタン化合物と反応してペロブスカイト型複合酸化物を生成する金属塩、水及び有機酸を含有する表面被覆サーメット部材の耐酸化膜形成用の処理液である...
L201100320920110715乳化重合方法及びそれにより得られるエマルジョン 昭和電工株式会社 N−ビニルアセトアミド1〜35質量%及びN−ビニルアセトアミドと共重合可能なエチレン性二重結合を有する化合物65質量%以上99質量%以下から...
L201100320820110715耐磨耗性撥水性塗料及び耐磨耗性撥水性表面を有する物品 昭和電工株式会社 表面が均一にフッ素化された金属酸化物の粒子(A)とシリコーン樹脂(B)と摩擦係数減少剤(C)とシリコーン樹脂と反応して三次元架橋構造を形成す...
L201100320720110715炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 昭和電工株式会社 図1は炭化珪素単結晶の反応装置を示す断面図、図2は要部拡大断面図、図3は炭化珪素単結晶の反応装置の変形例を示す概略構成図、である。ルツボ21...
L201100320620110715磁気記録媒体 昭和電工株式会社 磁気記録媒体は、近年、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体が、再生特性を悪化させることなく高記録密度...
L201100320520110715磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有して相対的に大きな垂直保磁力を有する記録層と、面内磁気異方性を有する第1軟磁性層と、記録層から第1軟磁性層...
L201100320420110715磁気記録媒体用基板の洗浄装置および洗浄方法 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板の洗浄装置は、浸漬槽内に複数の磁気記録媒体用基板を保持し、磁気記録媒体用基板を浸漬槽内に収容された洗浄液を用いて湿式で洗浄...
L201100320320110715重合性化合物の中間体およびその製造方法 昭和電工株式会社 有機発光素子の発光材料として有用なイリジウム錯体部分と重合性官能基とを有する重合性化合物の中間体として、式(17)で示される新規化合物が提供...
L201100320220110715重合性化合物の中間体およびその製造方法 昭和電工株式会社 有機発光素子の発光材料として有用なイリジウム錯体部分と重合性官能基とを有する重合性化合物の中間体として、式(19)で示される化合物、式(20...
L201100320120110715炭化珪素単結晶の製造方法 昭和電工株式会社 この炭化珪素単結晶の製造方法は、結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、この結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を配し、高...
L201100320020110715磁気ディスクのフォーマット方法 昭和電工株式会社 磁性体と非磁性体とで構成されるサーボパターンをもつ複数のサーボ領域が放射状に配置された磁気ディスクのフォーマットに際して、あらかじめ磁気ディ...
L201100319920110715磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 主表面に磁気トラックが同心円状に配置され、径方向に隣接する磁気トラック間同士を磁気的に分離するための溝部が形成されてなる磁気記録媒体の製造方...
L201100319820110715磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなるディスクリートトラック型の磁気記録媒...
L201100319720110715磁気記録媒体、および磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁...
L201100319620110715記録媒体用基板の内周端面のブラシ研磨方法 昭和電工株式会社 中心部に内周端面をなす円孔を有するディスク状記録媒体用基板を複数枚用意し、円孔の位置合わせをして積層して、中心部に円孔を有する被研磨対象物を...
L201100319520110715熱アシスト磁気記録媒体 昭和電工株式会社 磁気ディスクへの情報記録として消費電力の制約を受けにくい熱アシスト磁気ディスクの情報記録方法がある。しかし、従来の熱アシスト磁気ディスクでは...
L201100319420110715磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法 昭和電工株式会社 非磁性材料からなる基板と、基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配...
L201100319320110715リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法及び発光ダイオード 昭和電工株式会社 III族窒化物半導体は、発光ダイオード或いはレーザダイオード等の窒化物半導体素子を構成するために利用され、その発光素子の光スペクトルの半値幅...
L201100319220110715ワーク受け台ならびにこのワーク受け台を備えたワークの平坦度測定装置 昭和電工株式会社 平坦度検査時にドーナツ形ワークWの孔部Waに偏平円柱形の受け台基体21における中央凸部22を嵌合し、中央凸部を取り囲む環状面21aによりワー...
L201100319120110715酢酸製造用触媒の製造方法 昭和電工株式会社 この酢酸製造用触媒の製造方法は、エチレンと酸素とを気相で反応させる酢酸の製造方法に用いる、(a)パラジウム、(b)ヘテロポリ酸及びそれらの塩...
L201100319020110715黒色膜付基材の製造方法 昭和電工株式会社 この黒色膜付基材は、基材表面に、無光沢メッキ膜と、この無光沢メッキ膜の表面に形成された硫黄化合物または窒素化合物を含む無電解メッキ膜と、この...
L201100318920110715チタン酸バリウムの製造方法 昭和電工株式会社 このチタン酸バリウムの製造方法は、塩基性化合物の存在するアルカリ性溶液中で、酸化チタンゾルとバリウム化合物を反応させるチタン酸バリウムの製造...
L201100318820110715導電性構造体の射出圧縮成形方法 昭和電工株式会社 燃料電池用セパレータは水素や酸素などの気体不透過性に優れ、高い導電性を有し、かつ耐食性、強度にも優れることが要求される。これらの要求を達成す...
L201100318720110715熱交換器の製造方法 昭和電工株式会社 熱交換器の製造方法は、片面の両端部に第1突起が設けられるとともに、第1突起よりも長さ方向の内側に、当該第1突起と間隔をおいて、第1突起と同方...
L201100318620110715p形オーミック電極構造、それを備えた化合物半導体発光素子及びLEDランプ 昭和電工株式会社 III−V族化合物半導体の一種であるリン化硼素(BP)半導体層は、発光ダイオード(LED)或いはレーザダイオード(LD)等の化合物発光素子を...
L201100318520110715ハンダ回路基板の製造方法。 昭和電工株式会社 近年電子部品をハンダ付けして電子機器を構成させる手段が広く採用されている。ハンダ付け用フラックスは、ハンダ付けで重要な役割を果たすことは周知...
L201100318420110715熱交換器およびその製造方法 昭和電工株式会社 熱交換器は、流体流通部を有しかつ並列状に配置された複数の偏平中空体と、隣接する偏平中空体間に配置されかつ偏平中空体にろう付されたアルミニウム...
L201100318320110715熱交換器の製造方法 昭和電工株式会社 Cu0.3〜0.6質量%、Mn0.1〜0.4質量%を含み、残部Alおよび不可避不純物よりなるAl合金からなる管材本体、および管材本体の外周面...
L201100318220110715ボンベ移動システム 昭和電工株式会社 ボンベの移動方向に並んで配置された複数の回転ローラーと、ボンベを内部貫通穴に挿入可能な転倒防止用リングと、ボンベの移動方向に延び、転倒防止用...
L201100318120110715炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 昭和電工株式会社 この炭化珪素単結晶の製造方法は、黒鉛からなる成長ルツボに低温部と高温部を設け、成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を設置し、...
L201100318020110715ペンタフルオロエタンの製造方法およびその用途 昭和電工株式会社 ペンタフルオロエタンを製造する方法において、テトラクロロエチレンまたはそのフッ素化物をフッ化水素を用いてフッ素化するフッ素化反応を行うことに...
L201100317920110715反応装置及び反応方法 昭和電工株式会社 反応装置は、外筒内に熱交換器と、ヒーターを備えた反応容器を備える。熱交換器の上部が反応容器と接続され、熱交換器とそれを取り囲む外筒とは下端部...
L201100317820110715積層型熱交換器 昭和電工株式会社 この発明の積層型熱交換器は、前後上部タンク形成凹部が上面視で円形を有するとともに、前後上部タンク形成用凹部の底壁の全体に上面視で円形の流体通...
L201100317720110715テトラフルオロシランの製造方法およびその用途 昭和電工株式会社 このテトラフルオロシランの製造方法は、含酸素珪素化合物を含むヘキサフルオロ珪酸塩の加熱分解反応によりテトラフルオロシランを製造する方法であっ...
L201100317620110715皮膚外用剤 昭和電工株式会社 この化粧料は、一般式(I)(式中、R↑1、R↑2は低級アルキル基または水素原子を表し、R↑3およびR↑4は水素原子またはメチル基を表し、Rは...
L201100317520110715ヘキサアリールビイミダゾール化合物およびそれを含む光重合開始剤組成物 昭和電工株式会社 この光重合開始剤組成物は、光ラジカル発生剤として式(2)で表されるヘキサアリールビイミダゾール化合物及びその水素供与体として式(3)(式中、...
L201100317420110715金型部材の加工方法及び製造方法 昭和電工株式会社 超硬合金、導電性セラミックス、非導電性セラミックスのいずれかからなる金型部材における放電加工された加工部分の表面に生じている溶融残留層を、ワ...
L201100317320110715磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 ハードディスク装置のような磁気記録再生装置は、磁気記録密度を向上させるために、垂直磁気記録方式が使われている。その磁気記録媒体として、Co−...
L201100317220110715半導体素子および半導体層 昭和電工株式会社 従来、禁止帯幅を約2eVとするリン化硼素(BP)或いはその禁止帯幅のBPを含む混晶から半導体素子が構成されていた。室温禁止帯幅を1.1eVと...
L201100317120110715フィン付伝熱体の製造方法 昭和電工株式会社 従来から、切削加工型の放熱フィンは、金属製の伝熱板の表面をバイト等の切削工具で薄く削るスカイブ切削加工を行うことで、伝熱板の表面に外方に向け...
L201100317020110715積層型熱交換器の製造方法 昭和電工株式会社 積層型熱交換器の製造方法は、サイドプレートの少なくとも上下いずれか一端部に間隔保持用内方折曲部を介して重合用垂直平坦部を設けるとともに、同平...
L201100316920110715超微粒子酸化亜鉛、その製造方法及びそれを用いた化粧料 昭和電工株式会社 この超微粒子酸化亜鉛は、金属亜鉛蒸気と不活性ガスを吹き出す第一のノズルと、酸素と水蒸気を含む酸化性ガスを吹き出す第二のノズルと、過剰の支燃性...
L201100316820110715炭化珪素単結晶の成長方法及び装置 昭和電工株式会社 炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であり、成長容器内に炭化珪素種結晶を保持し、この種結晶の第1の表面側に炭化珪素形成ガス供給部...
L201100316720110715磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 昭和電工株式会社 従来から用いられていた磁気記録媒体は、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気記録媒体であり、高記録密度化には不向きで、熱...
L201100316620110715フィン付きアルミニウム押出形材の製造ダイス 昭和電工株式会社 フィン付きアルミニウム押出形材の製造ダイスは、アルミニウム押出形材(1)のトング比の高いフィン(3)部分に対応するダイス強度を確保するために...
L201100316520110715押出工具 昭和電工株式会社 周方向に交互に並ぶとともに長さ方向に延びた凹凸条が、周面に、周方向の一部の領域又は全周に亘って形成された押出材を製造するために用いられ、且つ...
L201100316420110715β−アラニン−N,N−二酢酸の晶析方法 昭和電工株式会社 このβ−アラニン−N,N−二酢酸の製造方法は、グリシンアルカリ金属塩とアクリロニトリルを反応させ付加体を得、付加体を加水分解してカルボキシエ...
L201100316320110715磁気記録媒体及びその製造方法 昭和電工株式会社 この磁気記録媒体は、非磁性基板上に磁気記録膜をスパッタ法で設けてなる磁気記録媒体であって、基板が、シリカを主成分として含有するホウ珪酸ガラス...
L201100316220110715低温活性ハンダペースト 昭和電工株式会社 ハンダペーストに使用するフラックスは、主としてロジンまたは合成樹脂系の樹脂成分、有機ハロゲン化物、有機酸等の活性剤、溶剤、チクソトロピック剤...
L201100316120110715摩擦撹拌接合法 昭和電工株式会社 摩擦撹拌接合法は、径大の回転子(11)と、該回転子の端面(11a)の回転軸線(Q)上に突設された径小のプローブ(12)とを備えた接合工具(1...
L201100316020110715多孔押出用工具 昭和電工株式会社 複数の装填用ホール(11)(12)が穿設されたダイスケース(10)、および各装填用ホール(11)(12)に装填される複数のダイス本体(21)(22)を備え、複数のパイプ...
L201100315920110715ポートホールダイス及び押出加工におけるディスカードの除去方法 昭和電工株式会社 ポートホールダイス(1)は、複数個のポート孔(23)からなるポート孔群(22)とブリッジ(24)とを有する。
ダイス後面(26)に、ポート孔...
L201100315820110715ハンダペースト用フラックスの製造方法 昭和電工株式会社 エレクトロニクス産業では、ハンダペーストはプリント基板上にスクリーン印刷またはディスペンサーにより塗布し、これに電子部品を載置し、ついでリフ...
L201100315720110715ヒートシンクおよびその製造方法 昭和電工株式会社 近年の電子機器における発熱量の増大と製品の小型化により、優れた放熱性能を有するヒートシンクが求められている。電子機器等に用いられる放熱部材の...
L201100315620110715磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 外部記憶装置等に用いる磁気テープ装置或いはフロッピーディスク装置では動作中に磁気ヘッドドラム或いは磁気ヘッドが常に磁気記録媒体と接触している...
L201100315520110715曲げ加工方法 昭和電工株式会社 固定金型におけるワーク導通孔ならびに固定金型の前方のジャイロ金型におけるワーク導通孔に金属製のワークWをそれぞれ強制導通し、この強制導通と、...
L201100315420110715AlGaInP発光ダイオードおよびその製造方法 昭和電工株式会社 従来のAlGaInP発光ダイオード(LED)は、透明な酸化物からなる導電性の窓層から構成されているが、酸化物結晶とIII−V族化合物半導体層...
L201100315320110715AlGaInP発光ダイオード 昭和電工株式会社 従来の、pn接合型のダブルヘテロ構造のAlGaInPLEDには、窓層が配置されているが、発光の取り出し効率を向上させるため、発光層からの光を...
L201100315220110715フッ化ハロゲンを含む排ガスの処理方法、処理剤及び処理装置 昭和電工株式会社 このフッ化ハロゲンを含む排ガスの処理方法は、フッ化ハロゲンを、はじめにアルカリ土類金属の炭酸塩と金属水酸化物とを含む反応処理剤と接触させ、次...
L201100315120110715シアノベンズアルデヒド化合物の製造法 昭和電工株式会社 一般式(2)(式中、CHOとXはベンゼン環上の置換基を表わし、CHOはCNのm位あるいはp位であり、Xは塩素原子またはフッ素原子を表わし、n...
L201100315020110715シアノ安息香酸化合物の製造方法 昭和電工株式会社 このシアノ安息香酸化合物の製法は、一般式(2)(式中、−COOHは−CNのメタ位あるいはパラ位であり、Xは塩素原子またはフッ素原子を表わし、...
L201100314920110715押出ダイスの製造方法 昭和電工株式会社 押出ダイスの製造方法は、ダイス用原盤を放電加工により所要形状に切断したのち、加工面に形成された放電変質層を研磨により除去する方法である。
ダ...
L201100314820110715二次電池及び該二次電池に用いる電解質、電極活物質 昭和電工株式会社 アイオニクス分野でのダウンサイジング、全固体化という流れの中で、従来の電解質溶液にかわる新しいイオン伝導体として、全固体一次電池や二次電池及...
L201100314720110715直流回生電動機 株式会社やちよ中央自動車学校 この発明の直流回生電動機は、回転子と、固定子と、指令信号を出力する指令信号生成手段と、給電信号を出力する給電信号生成手段と、回転子の磁極を検...
L201100314620110715起立座位補助装置 妹尾 淑子 公知の起立座位補助装置は、リハビリ専用であったり、機器の動作を受動的に受けるこのであって、生活の中での起立座位動作に照らしたシチュエーション...
L201100314520110715起立座位補助装置 妹尾 淑子 公知の起立座位補助装置は、リハビリ専用であったり、機器の動作を受動的に受けるこのであって、生活の中での起立座位動作に照らしたシチュエーション...
L201100314420110715起立座位補助装置 妹尾 淑子 公知の起立座位補助装置は、リハビリ専用であったり、機器の動作を受動的に受けるこのであって、生活の中での起立座位動作に照らしたシチュエーション...

 
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L201100313420110708肝臓指向性薬物キャリアー 日本新薬株式会社 @一定範囲のガラクトース誘導体。
A上記@のガラクトース誘導体とカチオン性脂質とを必須の構成成分として含有する薬物担体。
B医薬(例、siRNA...
L201100313320110708肝臓指向性薬物キャリアー 日本新薬株式会社 @一定範囲のガラクトース誘導体。
A上記@のガラクトース誘導体とカチオン性脂質とを必須の構成成分として含有する薬物担体。
B医薬を包含する上...
L201100301520110708医薬分割錠 日本新薬株式会社 上下表面のそれぞれに大きな溝を有する錠剤であって、当該溝の幅がいずれも4mm〜10mmの範囲内であり、当該溝の各底部には見掛け上形成され、当該錠剤...
L201100296420110624少ない部品数で着磁装置が作成できます。 中庄谷 秀雄 筒状に巻回されたコイルとスイッチとブレーカーを直列に接続し、上記スイッチを閉路してから、上記ブレーカーが遮断するまでの期間中のみ、上記コイル...
L201100284820110624サツマイモ茎葉ポリフェノール抽出物を有効成分として含有してなる、ノイラミニダーゼ阻害作用を有する薬剤 社団法人農林水産技術情報協会 サツマイモ茎葉からの熱水抽出物、アルコール濃度10%以上の含水アルコール抽出物、もしくはアルコール抽出物を、有効成分として含有してなることを...
L201100269920110610自己説明型プログラム、プログラム改変方法、改変管理方法およびコンピュータ処理方法 公立大学法人会津大学 図1は自己説明型コンポーネントモデルによるコンピュータ処理システムのハードウェア構成を示すブロック図、図2は機能構成を示すブロック図、図3は...
L201100256620110527歩行補助具 渡辺 幸男 この技術では、足載置台は、この足載置台の中央付近において転動体支持体に対し前下がり方向から後下がり方向に揺動自在に設けられるとともに、この足...
L201100252820110527遮熱材内臓外断熱用金具(セパレ−タ構造) 鈴木 善夫  セパレ−タ構造は、省エネルギ−建築物である外断熱通気層工法の普及拡大を目指し開発され、一側の型枠を支持固定する埋込アンカ−がその外側に外断...
L201100220120110428液晶マトリックス投影露光装置 東京電機大学 液晶パネルで指定した明暗分布を、光ファイバーテーパコンジットまたは光ファイバープレートまたは微小レンズアレイを介して液晶セルの接続境界やセル...
L201100189120110401小型弾性波検知装置および接触検知方法 学校法人鶴学園 広島工業大学 研削加工における砥石目立てや目直し時の接触開始を検知する手段として、アコースチックエミッションセンサ(AEセンサ)が使用されている。AEセン...
L201100189020110401音源方向推定システム、音源方向推定方法及び音源方向推定プログラム 学校法人鶴学園 広島工業大学 この技術は、所定の間隔を有する2つのマイクロホンからなる第一マイクロンホン対と、第一のマイクロホン対に直交するように配設する所定の間隔を有す...
L201100146920110318貫通孔補強材及びそれを用いた鉄筋コンクリート建造物の貫通孔補強構造 財団法人北九州産業学術推進機構 鉄筋で折曲形成され鉄筋コンクリート建造物に形成される貫通孔の周囲を補強する貫通孔補強材は、中心軸の周囲に1周以上折曲形成された第一補強筋2と...
L201100118320110225点心成型具 福永 恵介 @ 上部材と下部材との2つの部材に分け、これらをお互いに着脱可能に係合して連結する。
A上部材は、底部周縁に複数の側壁部を放射状に折り曲げ自...
L201100090820110218核分裂生成物の分離方法及びそれに用いる装置 独立行政法人日本原子力研究開発機構 図1は核分裂生成物の分離装置を示す説明図、図2はこの方法を適用した乾式再処理プロセスを示す説明図、である。分離装置は、分離材10が充填されて...
L201100037620110204人口減少社会と、クリーニング業界への革命。オゾンと振動のダブル効果全自動ハンガーアップ式洗浄機。 有限会社秋山テクノ 内部に液体状のクリーニング液が収容されたクリーニング槽であって、上端にフック部10aを有するハンガー10に掛けられた状態の衣類が上方から収容...
L201000619220101203アミロイド線維伸長ペプチド 鳥取大学 産学地域連携推進機構 パーキンソン病の原因タンパク質の1つであるαシヌクレインのアミロイド線維のアミロイド核部分を同定した。同定したアミロイド核部分の部分ペプチド...
L201000580220101029地震予知装置 松永 健一 この発明における実施形態1は、図1に示すように中空円盤状の基台1に方位磁針部3を設置し、この方位磁針部3を透明のガラス材、強化プラスチック材...
L201000568820101015燻製機 岡 昌之 この技術では、下方から順次、燻煙室、燻煙濾過室、燻製品室、燻煙換気部、燻製操作部を位置すると共に、これらを収納する筐状に形成した燻製器本体と...
L201000505620100903切断可能な対応付け分子およびそれを用いるスクリーニング方法 学校法人慶應義塾 スクリーニングされる物質が対応付け分子である場合、タンパク質に核酸が結合しているため、タンパク質と標的物質との相互作用の他に、核酸と固相や標...
L201000498220100827ジャイロスコープ 宇宙航空研究開発機構 ジャイロスコープは、外枠と、外枠内に配置され、一方向に移動可能に支持された内枠と、内枠内に配置され、一方向と垂直な方向に移動可能に支持された...
L201000435220100806個人認証方法、個人認証システム及び個人認証プログラム 株式会社キャンパスクリエイト 個人認証方法は、複数種類の触刺激の中から選択された所望の触刺激要素に対応する触刺激を出力する。そして、選択された触刺激要素を時系列に並べ、時...
L201000434220100806仮想環境表示システム、仮想環境表示処理方法、仮想環境表示端末装置、管理処理装置、管理処理方法及びプログラム 株式会社キャンパスクリエイト 表示制御手段(110、211a、211b)は、表示ユニット230bに表示された仮想環境において第1の物を第1の操作ユニットから220aの操作...
L201000427820100730高粘性物質を用いた内視鏡的粘膜下層剥離術及びそのシステム 学校法人産業医科大学 この技術では、薬剤は、病変の下層を剥離させる粘性物質および、その効果を一層高める成分として、止血剤ないし出血抑制のための血管収縮剤、マーキン...
L201000414620100716魚の骨抜具 福永 恵介 @ 把持部を作動させることにより挟持部を開閉可能に形成した毛抜き式の骨抜具であること
A 中央部で折り曲げ略V字状に形成した支持部と、該支持部...
L201000381620100702リファレンス回路 早稲田大学産学官研究推進センター カレントミラー回路1と、MOSピーキング電流源2とから構成され、MOSピーキング電流源2の出力側のMOSFETM1のバックゲートをこのMOS...
L201000379220100702電気車制御方法及び電気車制御装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 空転滑走が発生すると、空転滑走した第1軸に対する再粘着制御を行うとともに、他の第2〜第4軸それぞれに対する空転滑走誘発抑制制御を行う。横軸を...
L201000378420100702非接触部の冷却装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 発電、電動機13に電磁クラッチ14を介して駆動伝動力が接離される電力貯蔵用のフライホイール5を、真空ポンプ10による低温、真空容器1内に設け...
L201000377620100702軸箱支持装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 前後に離間して略平行に対向配置された一対の輪軸5の各々についてその両端部でこれを回転自在に軸支する軸受けを覆って設けられた軸箱9を台車枠2に...
L201000376720100702弾性支持体 公益財団法人鉄道総合技術研究所 支持部材21bと被支持部材27との間に設けられて圧縮荷重が負荷されるとともに、支持部材と被支持部材との圧縮荷重の作用方向に沿った相対変位、及...
L201000376620100702弾性支持体 公益財団法人鉄道総合技術研究所 支持部材と被支持部材との間に設けられて圧縮荷重が負荷されるとともに、支持部材と被支持部材との圧縮荷重の作用方向に沿った相対変位、及び、支持部...
L201000376320100702表示器 公益財団法人鉄道総合技術研究所 踏切1内に進入する車両の乗車員に対し映像を表示して注意を促す表示器において、車両に先行して踏切内に進入した先行車両を検出する進入センサ部と、...
L201000376220100702電線支持装置及び監視システム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 直流電力ケーブルCが配設される構造体Sに取り付けられ、直流電力ケーブルCを支持するクリート(電線支持装置)10は、直流電力ケーブルCを支持す...
L201000376120100702直流電気鉄道の電力貯蔵装置の制御システム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 電力貯蔵媒体の基準放電電圧と基準充電電圧を電気鉄道用変電所の無負荷直流電圧に基いて算出する直流電気鉄道の電力貯蔵装置の制御システムにする。例...
L201000375620100702撚線機 公益財団法人鉄道総合技術研究所 (A)複数本の線材束L↓1をそれぞれ撚り複数本の個別撚線L↓2を製造する個別撚り部4と、(B)複数本の個別撚線L↓2を個別撚り部4に装着した...
L201000375420100702電動機制御方法及び電動機制御装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 (A)給電ラインに並列接続された電動車車両内或いは台車内における制御対象のn軸(n≧2)のうちの進行方向最後方の軸の電動機電流を検出する電流...
L201000375320100702電動機制御方法及び電動機制御装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 (A)制御対象のn軸(n≧2)のうちの進行方向最前方の軸以外の軸の中から予め定められた軸である基準軸の電動機のトルク成分電流を検出する基準軸...
L2010003751201007023次元トンネル載荷模擬実験装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 (A)模型トンネル6が形成された模型地盤4がセットされる、基礎1と鋼製フレーム2と蓋3で囲まれたモルタル5と、(B)このモルタル5の側面の複...
L201000375020100702コンクリート中の鉄筋腐食速度の推定方法及びコンクリート中の鉄筋腐食速度の推定プログラム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 中性化残り量を判定する第1の工程と、塩化物イオン量を判定する第2の工程とからなり、第1の工程において、中性化残り量が所定量未満の場合には、含...
L201000374920100702回線特性制御システム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 両端に接続された通信装置5により信号が送受信される信号回線3と、信号回線3上に所定の間隔を有して接続され、インダクタンス値を変化させることが...
L201000374620100702鉄道軌道の現場計測用センサのノイズ低減システム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 外部電源11から供給される現場計測用センサ12の駆動電圧を、現場計測用センサ12に接続されるA/D変換器13の基準電圧発生装置14の基準電圧...
L201000374520100702鉄道のトロリ線の状態診断装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 検査車両1の屋根のこの検査車両1の進行方向に直交する方向の両側に2個のカメラ2、3をトロリ線5に向け傾斜させて取り付け、2個のカメラ2、3か...
L201000372820100702外輪へのひずみセンサ内蔵型転がり軸受の荷重分布測定方法及びその装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 外輪へのひずみセンサ内蔵型転がり軸受の荷重分布測定方法は、転がり軸受の外輪4の軌道面近傍に軸方向に細穴5を設け、この細穴5に光ファイバひずみ...
L201000372720100702内輪へのひずみセンサ内蔵型転がり軸受の荷重分布測定方法及びその装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 内輪へのひずみセンサ内蔵型転がり軸受の荷重分布測定方法は、転がり軸受の回転軸1に固定される内輪2の軌道面近傍に軸方向に細穴2Aを設け、この細...
L201000370120100702強風監視方法及び強風監視装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は強風監視装置の構成図、図2は鉄道沿線に架設する強風監視装置の構成図、である。ブリルアン散乱型光ファイバケーブル14を鉄道(又は道路わき...
L201000367420100702三軸加速度センサとPICマイクロコンピュータを内蔵した光通信式三次元センシングストーン 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は三軸加速度センサとPICマイクロコンピュータを内蔵した光通信式三次元センシングストーンシステムの全体ブロック図である。三軸加速度センサ...
L201000362020100625リスク管理支援総合システム 公益財団法人鉄道総合技術研究所 リスク管理支援総合システムは、統計情報を収集して蓄積する信頼性管理支援システムのデータベースと、統計情報の発生の変化を検出する判定部と、この...
L201000359020100625フォーカス検出方式3Dスキャナ(フォーカス検出方式三次元デジタイザ) 佐藤 洋  「通常のカメラ用のズームレンズ」のような電子可動レンズをハイスピードカメラに取り付け、レンズを移動させながら連続的に画像を撮影し、その後、...
L201000324120100528肩掛け型バドミントン練習用球出し器 中原 聡恵 シャトルコックの羽根の最大径よりも大径の空洞部を有する筒体全体は、蛇腹状の伸縮カトウ性であり、両端に開口部を有し、開口部にキャップを設けるこ...
L201000205220100312酸素を含有した金属間化合物熱電変換材料並びに熱電変換素子乃至熱電変換モジュール 独立行政法人産業技術総合研究所 金属間化合物熱電変換材料を主相とし、主相に対する酸素濃度がモル比率で0.1mol%以上、15mol%以下の割合で酸素を含むように金属間化合物...
L201000205120100312フラン類の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 式(I)で表される1,4−ジケトン類を、固体酸触媒存在下、マイクロ波を照射して反応させることを特徴とする式(II)で表されるフラン類の製造方...
L201000204920100312移動体の高度計測装置 独立行政法人産業技術総合研究所 移動体の周辺の気圧を計測する携帯型気圧センサ102と、移動体の外部に設置される参照気圧センサ103により計測された気圧と参照気圧センサが設置...
L201000204820100312水素発生用触媒及び水素発生方法 独立行政法人産業技術総合研究所 白金とニッケルの複合金属からなる、ヒドラジン及びその水和物から選ぶ少なくとも一種の化合物の分解反応による水素発生用触媒である。白金とニッケル...
L201000175420100305半導体評価装置 独立行政法人科学技術振興機構 この技術における被測定試料設置部は、第1面及び第1面の反対側に形成された第2面を持つ第1の透過性基板と、第1の透過性基板の第2面に接触する第...
L201000164820100305ポリヒドロキシアルカン酸の製造法 国立大学法人北海道大学 油脂類を炭素源とし、Pseudomonas61−3株由来ポリヒドロキシアルカン酸合成酵素の477番のセリン、325番目のセリン、130番目の...
L201000164520100305映像分類装置、映像分類方法、映像分類プログラムおよびコンピュータ読取可能な記録媒体 国立大学法人北海道大学 図1は映像分類装置1の要部構成を示すブロック図、図2はオーディオインデキシングの処理の概要を示す図、である。ショット分割部2は、映像信号に含...
L201000164220100305ホスホパンテテン転移酵素遺伝子及びこれを用いた長鎖多価不飽和脂肪酸の製造方法 国立大学法人北海道大学 MP−1のPPTaseをコードするDNAのクローニングし、このDNAが既知のDHAクラスターと組み合わせることでDHAの組み換え的製造を可能...
L201000133220100226機器内の固体ウラン測定装置 独立行政法人日本原子力研究開発機構 ガス遠心分離法のウラン濃縮施設では、多数の遠心機が使われており、ここに固体ウランがどの程度存在しているかモニタリング出来れば、安全性や運転効...
L201000102020100212路面上を走行する際に車輪から車体に加えられる衝撃、又は車体から人体に加えられる衝撃を緩和する衝撃静止装置において、衝撃で上下運動する梃子を、... 大浦 昇次郎 振動部分を、一直線に引っ張って衝撃を吸収する装置を、コンパクトに構成して押しバネで、クッション効果を発揮させる。
L201000010520100115磁気共鳴画像化装置、磁気共鳴画像化方法、磁気共鳴画像化プログラム及びそれを記録した情報記録媒体 宇都宮大学 磁界発生手段は被検体が載置される空間内に、均一な静磁界及び線形勾配を有する勾配磁界を含む所定の磁界を発生させる。
高周波パルス発生手段は原子...
L201000004320100108PET装置、及び、その画像再構成方法 独立行政法人放射線医学総合研究所 検出器をリング状または多角形状に密にまたは部分的に配置した複数の検出器リングが、体軸方向にオープンスペースを空けて配置され、該オープンスペー...
L200900674920091204α−アミノホスホン酸エステル誘導体の製造方法 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、α−アミノホスホン酸エステル誘導体の製造方法において、式で表されるイミノホスホネートと、式[II]で表される電子不足オレフィン...
L200900573220091009融雪路面構築用の舗装ブロック及び融雪路面構造 株式会社サンケイ企画 基盤上に敷設することで路面を舗装する舗装ブロックを基礎ブロックとその上に覆着される上蓋ブロックとに二分し、基礎ブロックには路面下に配置される...
L200900546220090925骨格筋の培養用足場、同培養装置及び骨格筋の形成方法 学校法人常翔学園 この技術は、できた筋組織(切片)に直接機械的刺激を与えるのではなく、筋芽細胞が播種されて培養を開始すると同時にまたは開始後に伸縮性を有する足...
L200900496220090828コンクリート連結構造 株式会社アドヴァンス 図1はコンクリート連結構造を示す説明斜視図、図2は連結手順説明側断面図、図3は連結手順説明側断面図、図4は連結手順説明斜視図、である。このコ...
L200900457520090717設計データ管理システム 株式会社PFU 構成データサーバは、設計データの属性情報からなる構成データを、その設計データとリンクして、製品毎に登録する。
図面登録サーバは設計データを登...
L200900457420090717サーバ設定方法 株式会社PFU 所定の役割を実行する設定対象サーバが、ネットワークスイッチの前記所定の役割に予め対応付けられたポートに接続された場合、所定の制御信号を送信す...
L200900450520090717荷電変換用デバイス 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、異なる電子密度をもつ薄膜を積層してなる荷電変換用デバイスを提供する。このデバイスにおいては、不織布カーボンナノチューブシート上...
L200900447020090717反応部往復路ダクトを有する熱交換部一体型反応器 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、熱交換部と反応部を備えた一体型反応器において、反応器全体の容積をあまり大きくすることなく少数の往復路の反応部ダクトを形成し、かつ...
L200900423220090626試料膨張・収縮量計測システムおよび試料膨張・収縮量計測方法 国立大学法人北海道大学 図1は試料台および傾斜半透鏡により試料を挟持して干渉縞の変化を測定する要部の構成を示す模式図、図2は熱膨張・収縮量計測システムを示す模式図で...
L200900413820090619撥水性を有する貴金属含有触媒 国立大学法人北海道大学 Pd、Pt、Ir、Ru及びRhより成る群から選ばれる一つ以上の金属、並びに、Cu、Sn及びInより成る群から選ばれる一つ以上の金属が、活性炭...
L200900378820090529光学素子、成形金型、光学素子の製造方法、マイクロ化学チップおよび分光分析装置 株式会社東北テクノアーチ この技術では、金属ガラスの表面に、微細凹凸構造を有し、異なる光学性能を有する2以上の反射型光学素子を設ける。即ち、マイクロ化学チップは金属ガ...
L200900334920090515果実や果菜が着果している作物に光を照射し、その画像を取り込み、果実や果菜を自動的に検出するようにした果実の検出方法 社団法人農林水産技術情報協会 作物に光を照射して画像を取り込み、光を強く反射する白く光った鏡面反射部分及びその周囲に隣接する適当な部分を果実と決定することで個々の果実を検...
L200900268320090410防汚性窯業製品とその製造方法 小川 一文 アルコキシシラン系界面活性剤を用い、高耐久性の撥水撥油防汚性被膜を窯業製品表面に脱アルコール反応で形成する。また、本発明の窯業製品は、前記被...
L200900233320090327水耕栽培装置 国立大学法人千葉大学 この技術は、従来的な培養液の流れる縦方向の一次傾斜に加え、少なくとも、横方向の二次傾斜を加える。さらに栽培ベッドに沿って培養液供給手段を設置...
L200900219220090327硫化セリウム焼結体及びその製造方法 独立行政法人物質・材料研究機構 この硫化セリウム焼結体は、α相のCe↓2 S↓3 粉末、またはこの粉末をβ単相化した粉末原料の焼結体であって、結晶構造がβとγの混合相からなり、...
L200900150120090314ヒアルロン酸を用いた小型肝細胞の選択的培養法および分離法 独立行政法人科学技術振興機構 表面にヒアルロン酸を付着させた担体及び/又はヒアルロン酸を主成分とする担体の共存下で小型肝細胞を培養する、小型肝細胞の培養方法である。さらに...
L200900148320090314植物栽培方法 国立大学法人筑波大学 この技術では、光強度を調整した赤色光(R;600〜700nm)を植物に対して照射することによって、植物の主茎伸長を抑制しながら花成を制御する...
L200900131420090314無細胞タンパク質合成用転写鋳型の設計および構築、並びにこれを用いる希釈バッチ方式コムギ胚芽無細胞タンパク質合成法 株式会社セルフリーサイエンス プライマーの塩基配列であって、異なる2種類の塩基配列からなる2種類のポリヌクレオチド(A)、(B)を5′末端側のプライマーとして用いてPCR...
L200900092520090227光触媒皮膜及び光触媒材料並びにこれらの製造方法 近畿大学 この技術では、光触媒皮膜は、光触媒能を有する二酸化チタン皮膜を過マンガン酸塩水溶液中で光照射することにより、二酸化チタン皮膜に二酸化マンガン...
L200900074320090220共有メモリ型マルチプロセッサシステムにおける大規模データの並列処理 株式会社ターボデータラボラトリー 所定の順序で重複の無い値を含む第1及び第2の配列を記憶するメモリと、メモリにアクセス可能な複数台のプロセッサとを備える共有メモリ型プロセッサ...
L200900060120090206パンタグラフの接触力変動低減方法及びパンタグラフ 公益財団法人鉄道総合技術研究所 すり板体をトロリ線に押し当てる押上力を制御して、パンタグラフのトロリ線への接触力の変動を低減する方法に関する。
押上力を発生しているバネの力...
L200900059420090206着霜除去装置及び着霜除去方法 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図に示すように、車両がA方向に走行しているときに、回転ブラシ部がB方向に回転すると、トロリ線に付着した霜にブラシが次々に衝突して、霜に連続し...
L200900059120090206沈下地盤の補修方法 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この発明の沈下地盤の補修方法は、上部構造を支持するてん充層の下の地盤に沈下が生じたときに、地盤の表面を乾燥させると共に、てん充層を上部構造ご...
L200900058820090206レール電食防止装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 本発明のレール電食防止装置は、直流き電回路におけるレールの電食を抑制する。
レール電食防止装置は、帰線自動開閉器、スイッチ手段、検出器、制御...
L200900053020090130車両制動方法及び車両制動装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 車両下部に固定されかつレール頭部の上方位置にてレール頭部と上下に間隔をおいて対向配置されるとともにレールR1・R2の長手方向に沿って直列配置...
L200900052920090130遮断かん及び踏切遮断機 公益財団法人鉄道総合技術研究所 上下に回動して開閉される、踏切遮断機用の遮断かん20は、回動軸寄りの基端部分21と、基端側部分の反対側の先端部分25と、基端部分21と先端部...
L200900052020090130バッテリーの残容量推定装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は、SOC推定装置の概略を示すブロックダイヤグラムである。図1に示すように、SOC推定装置は、テーブル参照方式でDOD(放電深度)値(第...
L200900051320090130通電回転装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は、鉄道車両の接地装置を備えた軸箱の断面図、図2は鉄道車両の接地装置を示す側断面図である。通電回転装置としての鉄道車両の接地装置10は、...
L200900050420090130電圧降下式パンタグラフ接触力の測定装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1はパンタグラフ接触力の測定装置を有する鉄道車両を示す図、図2はそれを用いたパンタグラフ接触力の測定方法を示す図である。電圧降下式パンタグ...
L200900049820090130高温超電導体により浮上させた円筒型発電装置及び高温超電導バルク体を有する浮上小型発電機 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は円筒型発電装置の原理を示す模式図、図2はその円筒型発電装置の浮上用高温超電導体と上部の仮想磁場空間を示す下面図である。中央部の磁石2の...
L200900049120090130地下水含有イオン濃度の連続測定方法および連続測定装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 図1は地下水含有イオン濃度の連続測定装置の概略図である。図2はイオン選択性電極を用いてナトリウムイオンのイオン濃度を測定したグラフ図である。...
L200900047820090130三軸加速度センサーを用いた三次元センシングストーン 公益財団法人鉄道総合技術研究所 三軸加速度センサー2個を砕石20の中に間隔をあけて埋め込み、砕石20を鉄道の道床内に配置して、三軸加速度センサーのx、y、z軸の三軸について...
L200900047120090130プログラム及びシミュレーション装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 シミュレーション装置1では、旅客管理部110が、行動属性毎に出現駅と目的駅との組合せ毎の旅客の出現確率を定義した旅客出現確率テーブル522に...
L200900043020090130摩擦緩和材、摩擦緩和装置及び摩擦緩和方法 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この技術の、車輪とレールとの間の摩擦抵抗を緩和する摩擦緩和材は、コークス粒子と黒鉛粒子とを混合してなり、好ましくは、コークス粒子の添加率が5...
L200900041720090130車輪の脱線防止及び制動装置 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この技術の車輪の脱線防止装置は、レールの近傍に所定間隔をおいて車輪の脱線防止ガードレールが敷設されている。通常、車輪はレール頭頂面上を走行し...
L200900040720090130ホーム柵及びホーム柵の制御方法 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この技術のホーム柵は、プラットホームの前端縁近傍に上下動可能に、かつ、プラットホームの長さの方向に相互に間隔をおいて複数設けられた遮蔽体と、...
L200900040620090130ホーム柵 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この技術のホーム柵は、プラットホームの前端縁近傍に上下動可能に、かつ、プラットホームの長さの方向に相互に間隔をおいて複数設けられた遮蔽体と、...
L200900040120090130トンネル走行実験装置及びトンネル走行実験方法 公益財団法人鉄道総合技術研究所 この技術のトンネル走行実験装置は、模擬トンネルと、この模擬トンネルの前方に設置され一対の回転ロールを備える発射手段と、発射手段から模擬トンネ...
L200800578620081121水平面ビーム走査型アンテナ 独立行政法人情報通信研究機構 水平面ビーム走査型アンテナは、図1に示すように、図2に示す給電ロッド11およびロッド12を、本体部1が地導体10に平行となる形の逆Fアンテナ...
L200800572520081114亜硫酸電解セル 独立行政法人日本原子力研究開発機構 図1は亜硫酸電解セルの概念図、図2は亜硫酸電解セルの要部断面図、図3は図2のA−A線に沿った断面図である。陽イオン交換膜2の一方の面側にアノ...
L200800564720081107運転行動モデルとその構築方法及び構築システム 日本大学産官学連携知財センター ドライバモデルは、フィードフォワード制御ブロック14と、フィードバック制御ブロック16と、安定化制御ブロック18とを具備させる。ここで、外乱...
L200800528520081010船舶間の航行意思疎通支援装置 独立行政法人海上技術安全研究所 洋上で遭遇した自船と相手船とが、衝突回避のための操船意思を表明できるように、表示器4の画面上に表示した自船の予定航路および回避操船の際に航過...
L200800527420081010環境負荷低減型航海計画提供システム 独立行政法人海上技術安全研究所 図1は船舶の出発港から目的港までの航路を示す説明図、図2は出発港から目的港までの航海距離および航海時間を模式的に示すグラフ、図3は環境負荷低...
L200800514620080926グルコース及びアスコルビン酸の測定装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、グルコース及びアスコルビン酸含有試料中のグルコース及び/又はアスコルビン酸濃度を、試料がグルコース酸化酵素に接触することにより...
L200800505420080919リステリア菌の同定・検出方法 株式会社産学連携機構九州 リステリア菌( Listeria monocytogenes)は,動物や土壌などの環境中に広く常在しており,食肉や乳製品を中心とする様々な食品から高頻度に検出され...
L200800505320080919嘔吐毒産生セレウス菌の検出方法及び当該方法のためのプライマーセット 株式会社産学連携機構九州 Bacillus cereusは自然界に広く分布する好気性有芽胞のグラム陽性桿菌であり、食中毒、食品の腐敗・変敗の原因菌。B. cereus食中毒は、「下痢型」と「...
L200800480620080905シュードプロテオグリカンおよびその用途 国立大学法人お茶の水女子大学 シュードプロテオグリカンは、実験によりその機能等を裏付けした後に、プロテオグリカンの分子構造を模倣した人工分子に命名した新しい技術用語である...
L200800476220080905透明膜、光学部材及び透明膜の製造方法 国立大学法人 長岡技術科学大学 純アルミニウムからなるターゲットを使用して、窒素を含有するガス中でスパッタリングにより基体2上にアルミニウムの一部が窒化された窒素含有アルミ...
L200800373120080725ペプチド化合物PYY3−36の存否の確認方法 独立行政法人科学技術振興機構 被検薬剤中における特定のアミノ酸配列により特定されるペプチド化合物PYY↓3↓−↓3↓6の存否を確認する方法であり、その方法は、被検薬剤およ...
L200800274220080606酸化物ぺロブスカイト薄膜EL素子 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、単結晶研磨基板からなる下部電極と、下部電極上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる電子輸送層と、電子輸送層上...
L200800271920080606高エネルギー電子ビーム発生装置及びX線装置 独立行政法人産業技術総合研究所 電子源、入力空洞及び出力空洞からなるマイクロ波増幅管と、マイクロ波増幅管の電子ビームの一部を加速管に供給するビーム制限用スリットと、単一ある...
L200800242120080523リグノセルロース系のバイオマスを原料とした糖化と発酵のコストを低減し、環境に対する負荷の少ない効率的なエタノールの製造方法 社団法人農林水産技術情報協会 リグノセルロース系バイオマスをアルカリ蒸解法で脱リグニンし、アルカリ蒸解したリグノセルロース系バイオマスを炭素源として糖化酵素生産菌を培養し...
L200800182320080404金属コーティング方法および金属リングの製造方法 独立行政法人理化学研究所 リング状の金属構造を得る場合にはビーズを2枚の基板で挟んで押しつぶした状態でメッキ処理をする。円環状、三角環状などの形状を得るときには、円環...
L200800179720080404RFコンタクト、RFコンタクト付きベローズ 独立行政法人理化学研究所 筒状の本体部と、本体部の一端から延び且つ本体部の外周に沿って配置された複数の第1フィンガと、本体部の他端から延び且つ本体部の外周に沿って配置...
L2008001293200803072次電源を有するブラシレスDCモータとその充電駆動方法 宮内 則雄 永久磁石を有するステータは、第1パワーオンリセット回路と1次コイルと送受信スイッチと該送受信スイッチを介して該1次コイルに接続される、第1送...
L200800121820080307機能的近赤外分光装置の信号解析方法及び信号解析装置、機能的近赤外分光装置並びに信号解析プログラム 日本大学産官学連携知財センター 機能的近赤外分光法(fNIRS)の検査システム100は、例えば、fNIRS検査装置111及び解析装置112を有する。fNIRS検査装置111...
L200800111920080229電磁界感応機能性材料 学校法人 東海大学 この技術では、電磁界変化に感応する多数の単位セルを有すると共に、単位セルに組み込まれた回路素子を有し、回路素子にバイアス電圧又はバイアス電流...
L200800105520080222窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法 独立行政法人物質・材料研究機構 直径が15〜20nmであり、肉厚が3.5〜4.5nmである窒化ガリウムからなる中空の球状粒子である。アンモニアガスと不活性ガスとの混合気流中...
L200800103920080222光学顕微鏡写真の色むら除去方法 独立行政法人物質・材料研究機構 光学顕微鏡写真の色むら除去方法は、光学顕微鏡写真のカラー画像のR、G、Bの各成分画像について、画像全体の色の平均濃度値を求め、X方向の平坦化...
L200800101820080222金属センシング用環状高分子材料および金属イオン検出素子 独立行政法人物質・材料研究機構 金属センシング用環状高分子材料は、イミンとベンゼン環とを含む式(1)〜(3)(図1)からなる群から少なくとも1つ選択され、ここで、R1および...
L200800098720080222セラミックス内包型クローズドセル構造金属を有する機能性複合材料とその製造方法 独立行政法人物質・材料研究機構 図1は、セラミックス内包型クローズドセル構造金属を有する機能性複合材料の製造法の概念図である。セラミックス粒子に金属をコーティングする工程、...
L200800055020080215巻上げ有機物量予測計算方法および水質予測計算方法 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、底泥からの巻上げ懸濁物質量を予測計算するステップを有すると共に、巻上げ懸濁物質濃度と巻上げ懸濁物質中の有機物濃度とを巻上げ懸濁...
L200800050720080215高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子とその製造方法 東京電機大学 粒子サイズ1.5〜2.0nm、2.0〜2.5nm、2.5〜3.5nmの何れかのナノシリコンを多数内包する半導体基板上の酸化ケイ素膜に、フッ酸...
L200800032820080201電気流体力学ポンプ 学校法人金沢工業大学  この技術では、金属製の線状の内側電極を金属製の筒状の外側電極の内部長手方向に架設してその外側電極内に露出させ、その外側電極の外部に延びた液体...
L200800021420080125余裕幅無プレキャストボックスカルバート土留開削工法 加藤 眞樹 図1は本工法の施行一般図を示す。2は仮設材、4は本工法用ボックスカルバート、からなる構成である。図2は組合せパネルの構成を示す。この組合せパ...
L200800005920080111超高感度画像検出装置およびその製造方法 国立大学法人北海道大学 図1は、超高感度画像検出装置のデバイス構造(MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造)を示す。半導体基板17上に、基...
L200700690320071109タンパク質溶液の析出物を判定する方法及びシステム 独立行政法人理化学研究所 この技術のタンパク質溶液の析出物の結晶構造解析可能性の判定方法は、タンパク質溶液の電子画像を取得して原画像とする原画像取得ステップと、原画像...
L200700681520071102生体分子の相互作用試験装置、生体分子の相互作用試験方法、生体分子の融解温度測定方法、核酸の配列検知方法 独立行政法人理化学研究所 図1は、生体分子の相互作用試験装置の概略図である。生体分子の相互作用試験装置は、基板上に生体分子が固定化された生体分子マイクロアレイ1、およ...
L200700611520070928歩行補助具 (ウオッケート) 渡辺 幸男 この技術では、歩行補助具は、路面を走行するための転動体と、転動体を支持する転動体支持体と、転動体支持体に対し、前傾自在に設置される靴台と、靴...
L200700548520070914酸素を吸収あるいは放出し得る酸素吸蔵合金 関西電力株式会社 低抵抗の主成分と高抵抗の添加物で組成された多結晶質の酸化物からなり、酸素イオンの移動速度が速い低抵抗酸化物の空乏層と、二つの空乏層間に存在し...
L200700326120070706有機化合物分子の電気特性測定方法及び装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術は、量子井戸ヘテロ構造をもつ半導体基板の特定劈開面に自己組織化有機化合物単分子を選択的に配列させたのち、あるいは非酸化雰囲気中で量子...
L200700233620070413特定の麹菌の同定方法 独立行政法人酒類総合研究所  麹菌の同定方法は、麹菌のゲノムDNA中に、特定の領域若しくはその部分領域が存在すること該特定の領域とその隣接領域との分断部位が存在することを...
L200700231620070406稲のいもち病に対する抵抗性品種・系統を、そのDNA配列上に基づいて識別あるいは選抜するためのプライマー、プライマーセットあるいはそのプライマ... 社団法人農林水産技術情報協会 開示する二つの塩基配列から、それぞれ選択された12〜50個の塩基のプライマーからなる対合プライマー9種で構成されるプライマー群のうち、1種類...
L200700192020070330往復逓倍変調システム 独立行政法人情報通信研究機構 本技術の第一の側面に係る往復逓倍変調システムは,基本的には,入力光の強度,位相又は周波数を制御することにより出力される光を変調する光変調器と...
L200700155220070323単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブ及びその製造方法 独立行政法人物質・材料研究機構 長さ方向に針状のサブマイクロメートルチューブ形状を有し、単結晶セレン化亜鉛からなる。サブマイクロメートルチューブの直径は250〜600nmで...
L200700125820070309セラミックス粉末の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノサイズのセラミックス粒子を構成する材料と、サブミクロンサイズのセラミックス粒子からなるセラミックス粉末と、を予め混合した原料を用い、これ...
L200700122720070309伝送線路特性のモデル化方法およびそのモデル化装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、伝送線路のモデル化方法は、伝送線路の複数の伝送特性をそれぞれ測定し、伝送線路モデルの計算結果と、伝送線路の複数の測定結果とを同...
L200700119120070309ハイスループット発光活性測定のためのセレンテラジン(ウミシイタケルシフェリン)溶液の安定化組成物および安定化法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、セレンテラジン又はそのアナログと酸化防止剤を含むセレンテラジンまたはそのアナログの安定化組成物とする。セレンテラジンまたはそのア...
L200700118020070309多層材料の温度応答算出方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、任意層数の多層材料に対して各単層材料間の界面熱抵抗を考慮した面積熱拡散時間を計算するため、四端子行列各成分をラプラス変数で冪級...
L200700082320070302光により過屈曲する細管 学校法人慶應義塾 管状物体の管腔部または構造物の空間部に挿入して用いる細管であって、細管先端部に光の照射を感知するデバイスおよび/または光の照射により作動する...
L200700064120070216変色性繊維、その変色性繊維を用いた糸、布、およびその変色性繊維の製造方法 学校法人慶應義塾 繊維に液晶インキが塗布された変色性繊維にする。この変色性繊維は、例えば天然繊維、蛋白繊維、無機繊維、再生繊維、半合成繊維、合成繊維、無機繊維...
L200700049820070209高圧タンク及びその製造装置並びに高圧タンクの製造方法 株式会社産学連携機構九州 高圧タンクは、接着剤を付着した繊維をライナの外周面に巻き付けることによりシェルを形成した高圧タンクにおいて、シェルを形成する際に、ライナのボ...
L200700046720070202イネいもち病圃場抵抗性遺伝子pi21、ならびにその遺伝子を利用した植物のいもち病圃場抵抗性を改変する方法 社団法人農林水産技術情報協会 植物において、いもち病圃場抵抗性能を有するDNAと、そのDNAを植物体の細胞内で発現させる工程を含む植物に、いもち病圃場抵抗性を付与する方法...
L200600742520061222半導体内不純物および欠陥の電子状態測定方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、その半...
L200600715020061201結晶性高分子ブレンドの配向構造制御法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、結晶性高分子ブレンドの配向構造制御法は、相溶する2種類の結晶性高分子の混合物を、一方の結晶性高分子が完全に溶融し、他方の結晶性...
L200600713620061201オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法ならびに製造されたイリジウム錯体からなる発光材料 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術のオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、ハロゲン化イリジウム化合物と一般式(1)または(2)のいずれかで表される有機配位子とを反...
L200600708120061201マイクロ波プラズマ解析プログラム 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、数値的に解くべきプラズマの方程式を一つにできることを見出し、即ち、物理量を高周波振動成分と平均速度成分に分離し、パラメータフィッ...
L200600706020061201ガン細胞の老化、アポトーシス誘導剤 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、CARFの作用を阻害する薬剤を使用してガン細胞の老化、あるいはアポトーシスを誘導するものであり、これにより抗ガン作用を発揮させる...
L200600705320061201光学分光測定方法及び装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、光学的分光測定方法は、被測定試料に対して励起光を照射し、試料から再放射される信号光を計測する光学配置において、散乱体を試料に近...
L200600687020061102非線形弾性機構及びロボット用関節機構 学校法人 東海大学 モータと、モータによって動力が伝達される入力部と、入力部の動きに対応する出力部と、入力部と出力部との間に設けられ弾性特性を有する弾性部材と、...
L200600580020060915超音波探傷方法及び装置 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、表面き裂の開口縁の第1のカ所から固体表面に沿って検出点まで直接伝搬する表面波超音波である直接波を発生させて、これを検出点で検出...
L200600576020060915熱物性測定用試料表面処理方法及び熱物性測定方法 独立行政法人産業技術総合研究所 実際に均一な黒化膜を作成するため、図1(a)のような、黒化したい試料よりも少し厚い板状の、例えばプラスチック消しゴムの材料のような弾性材の板...
L200600558020060908超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜 独立行政法人物質・材料研究機構 マイクロ波プラズマ化学気相成長法により、(A)炭素化合物及び(B)ホウ素化合物と、水素を含む混合ガスを用いて、超電導性を有するホウ素ドープダ...
L200600554320060908表面にアンモニウム陽イオンを持つロッド状ポリシロキサンと層状粘土鉱物からなるピラー化粘土とその製造方法およびその用途 独立行政法人物質・材料研究機構 (A)(@)繰返し単位が、式:Z↑−・NH↓3↑+(CH↓2)↓3SiO↓1↓.↓5(Zは塩化物イオン等のハロゲン元素陰イオン、硝酸イオン等...
L200600554120060908緻密な硬質導電性カーボン及びその製造方法 独立行政法人物質・材料研究機構 炭素を主成分とし、ガラス状炭素類似構造による緻密な組織を有し、好ましくは、マイクロビッカース硬度が800Hv以上であり、電気抵抗率が1×10...
L200600478320060901光通信システム 独立行政法人情報通信研究機構 図1は光通信システムの基本構成を示す図である。図1に示されるように、光通信システム1は、光周波数シフトキーイング(FSK)変調器などの光FS...
L200600477220060901消臭抗菌防腐剤及び防臭防腐防虫方法 山根 守之 スピラエ属植物の葉、花、枝、茎、若しくは根を定法により水で抽出した抽出液や煮出したり蒸して得た抽出液、或いはスピラエ属植物の葉、花、枝、茎、...
L200600462820060818殺菌方法 独立行政法人産業技術総合研究所 光源1から出力されるレーザー光を光ファイバー2の一端に入力し、光ファイバー2を伝送した後のレーザー光Lを、空調機ダクトなどの殺菌対象物Tに照...
L200600462720060818コレステリック液晶化合物 独立行政法人産業技術総合研究所 式I(図1)で示されるコレステリック液晶化合物である。また、式II(図2)で示される、S体のコレステリック液晶化合物である。さらに、式III...
L200600454020060811フッ化アルコール溶液 東京電機大学 式に示す(a)および(b)を必須セグメントとする共重合体をフッ化アルコールに溶解してなるフォトクロミック化合物である。式中、R↓1〜R↓4は...
L200600428220060714質量分析用イオン化基板及び質量分析装置 独立行政法人産業技術総合研究所 本技術は、レーザー脱離イオン化質量分析に供するための試料基板において、基板平滑表面上に物質を付着させて複数の凸状ドット構造体が分布する表面を...
L2006004256200607142価銅イオンの生成方法及び装置 独立行政法人産業技術総合研究所 金属銅を析出させるためのカソード、隔膜内側に導電性の多孔質素材、導電性繊維状物質又は導電性粒子から選ばれるアノードを設置したアノード室を設置...
L200600398920060623シロキサン系ポリマーの効率的製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 トリアルコキシシラン、又はトリアルコキシシランとジアルコキシシランの混合物に、触媒存在下、温度を制御してマイクロ波を照射することにより、ポリ...
L200600394220060623アミド製造法 独立行政法人産業技術総合研究所 アクリルニトリルからアクリルアミド、アクリル酸への化学反応式を図1に示す。アミド及び/又はカルボン酸の製造法では、アクリロニトリル(CH↓2...
L200600393820060623質量流量計 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、質量流量計は、内部を流体が流通する管路内の、流体の遠心力ないし向心力が作用する部分に、遠心力ないし向心力検出用ストレインゲージ...
L200600392220060623ピリジンスルフェンアミド化合物及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、N−(ピリジンスルフェニル)ベンゾトリアゾール化合物及びN−(ピリジンスルフェニル)ベンゾイソチアゾリノン化合物が有する窒素−硫...
L200600384720060616イチゴ由来の薬物代謝酵素阻害剤及びその製造法 有限会社金沢大学ティ・エル・オー イチゴ由来でシトクロムP−450 3A4阻害活性を示す物質を有効成分として含有する薬物代謝酵素阻害剤である。イチゴ由来でシトクロムP−450 ...
L200600328720060428新規微生物、その培養方法及びそれを用いた排水処理方法 財団法人岡山県産業振興財団 岡山TLO 好気的条件下において、式(Rは、炭素数が4〜24のアルキル、n=0、1、2)の化合物を資化する能力を有し、エンシファー属又はシュードモナス属...
L200600303620060414高輝度発光粒子とその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 高輝度発光粒子は、アルミニウム含有複合酸化物を母体物質とし、その中に発光中心イオンとして希土類金属イオン及び遷移金属イオンの中から選ばれる少...
L200600294320060331耳垢掃除器 山ア 寛之 耳垢掃除器では、羽根の取り付け角度をβ=19度とし、スクリュー250×2r.p.m、プロペラ350×2r.p.m、モーターも夫々500、700r.p.mと...
L200600186520060317高耐放射線性材料で構成した減速機付きサーボモータ 独立行政法人日本原子力研究開発機構 この技術は、モータ巻線、レゾルバ式角度検出器巻線用電気絶縁材料として、ポリイミド樹脂、若しくはアルミナ、酸化珪素、窒化珪素などのセラミックス...
L200600160220060317生分解性ポリエステルの高効率橋かけ方法 独立行政法人日本原子力研究開発機構 1分子内に2以上の二重結合を有する、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート等の多官能性モノマーを、少なくとも1種の、ポリ乳酸等の...
L200600153520060317シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法 独立行政法人日本原子力研究開発機構 (A)結晶面方位が(100)面のシリコン単結晶基板を表面洗浄して成膜用の真空容器に導入し、(B)窒化チタン(TiN)をターゲットとして、例え...
L200600153420060317軟X線ミラー用エピタキシャル多層膜の作製方法 独立行政法人日本原子力研究開発機構 (A)超高真空下で、(B)サファイア(α−Al↓2O↓3)単結晶基板上に、(C)チタンと銅、チタンとコバルトを真空蒸着させ、2.3〜4.4n...
L200600103320060303アンヒドロ糖の製造方法 有限会社金沢大学ティ・エル・オー ヘキソサンまたはヘキソサンを含む原料を高沸点有機溶媒中で均一に懸濁させ、常圧下、190〜300℃の温度に加熱し、生成する式で示されるアンヒド...
L200501137320060106デジタル聴診解析システム 有限会社山口ティー・エル・オー 本発明は、デジタル化された心音波形を解析するデータ保存部と、振動モデルを用いた心音波形解析部と、解析結果の保存部とを有するシステムである。
L200501078020051118能動型避雷針 学校法人 東海大学 本発明の能動型避雷針は、能動型避雷針(20)より変換器21の多巻(n巻)のコイル(24)を接続して能動型避雷針(20)とこの多巻(n巻)のコ...
L200500981120051021炭化珪素系多孔質成形体の製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、架橋剤を使用せずに、炭化珪素前駆体高分子を不活性気体中において400℃以下で加熱して熱的に架橋した炭化珪素前駆体を形成し、この...
L200500884820050909浅漬の製造方法 埼玉県産業技術総合センター 辛味成分を含有或いは生成する野菜類を、15%〜飽和の食塩水中に47〜62℃の温度範囲で3分間〜48時間保持し、次いで75〜90℃の温度範囲で...
L200500702320050701スイッチング素子とスイッチング素子を用いた競泳用タッチ板 独立行政法人産業技術総合研究所 図1はスイッチング素子1の概要を図示している断面図である。スイッチング素子1は2枚の基板2、2’を有する。2枚の基板2、2’の内側にそれぞれ...
L200500693620050701水平力検出装置 独立行政法人産業技術総合研究所 図1は、水平力検出装置の全体構成を説明するための斜視図である。図1に示すように、水平力検出装置1は、基板上に移動可能に支持され、静電アクチュ...
L200500487220050422生体骨または模擬骨若しくはそれらに装着する部材の応力分布測定方法および測定部材 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、骨の応力及び歪み(応力)分布の測定に際して、従来用いられていた赤外線サーモグラフィーを用いた手法に代え、機械的エネルギーによって...
L200500458020050408カーボンナノチューブ分散ポリイミドおよびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ、アミド系極性有機溶媒並びに非イオン性界面活性剤及び/又はポリビニルピロリドン(PVP)からなるカーボンナノチューブ分散...
L200500087020050204固体状態で発光する蛍光色素 四国TLO ((株)テクノネットワーク四国) 本発明は、新規な複素多環系化合物に関する。一般的な有機色素や有機蛍光性色素として、或いは適当な有機ゲスト分子を包接させ蛍光性を高めたクラスレ...
L200500066720050128擁壁用ブロック及び同ブロックを使用した擁壁の構築方法 有限会社マス構造企画 本発明の擁壁用ブロックは、図に示すように、前壁と、同前壁の後面より後方へ突出状に形成した控え壁とを具備し、控え壁には上下方向に貫通する鉄筋挿...
L200500058820050128太陽電池 独立行政法人科学技術振興機構 本発明の太陽電池は、充電ができる。太陽電池は、図に示しているように、カチオン交換膜4を介して、光アノード側電解質溶液5と電荷蓄積電極側電解質...
L200400882220041203高感度圧電素子 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術は、湾曲した基板の少なくとも一方の面に圧電体層及び電極層を形成し、外から圧力等の機械的信号を入力すると素子全体が変形し、圧電体層に対...
L200400748420040813円筒型燃料電池およびその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、基体管上には、NiCrAlYなどからなる多孔質のアノード集電膜を形成し
、その上にはNiやNiOからなる多孔質のアノード活性層...
L200400740620040813ゼオライト膜及びその製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 アルミナ、ムライト、ジルコニア及びSUSに代表される金属多孔質基板及び/または金属酸化物である多孔質基板上に、製膜したゼオライト膜であって、...
L200400280720040312全光スイッチ及び波長変換器 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 本発明の一例により概説する。図示する、全光スイッチは、半導体導波路10、11、制御光パルスを入力する第1入力ポート12、信号光パルスを入力す...
L200400265520040312Snメッキ鋼材からSnメッキを剥離する方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 Snを含むメッキ層が形成された鋼材を、大気、富酸素空気、純酸素雰囲気等の酸化性雰囲気下、500〜1000℃に加熱することによりSnメッキを酸...
L200300797420031010フック接地検出装置 古河機械金属株式会社 この技術によるフック接地検出装置は、クレーンのブームの先端部に、ワイヤロープの端末を連結するワイヤソケットを回動自在に軸支し、このワイヤソケ...
L200300742320030926オゾン処理装置とそれを利用した水、廃水または下水処理システム。直接河川等に放流できる水質、無色・無臭まで分解処理できる。 有限会社バイオ・ファースト 原水から固形物を除去する手段と、固形物が除去された被処理液をオゾン処理するオゾン処理装置と、オゾン処理された被処理液をセラミックス焼結体に接...
L200300119420030228磁気記録媒体及び磁気記憶装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術の面内磁気記録用媒体は、媒体の基板である直径3.5インチディスク用石英基板の上に、磁性膜の配向制御用下地膜、格子整合用下地膜、コバル...
L200300116420030228強磁性トンネル効果素子の製造方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、強磁性トンネル効果素子の製造方法は、基板上に下部強磁性体層を形成し、この下部強磁性体層上に貴金属からなる耐酸化層を形成し、この...
L200300114120030228半導体非線形導波路及び光スイッチ 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、半導体非線形導波路は、制御光の吸収により非線形屈折率変化を生ずる媒質から成るノンドープのコア層と、コア層の下層に設けられた一導...
L200300109620030228交換結合膜及びこれを用いた磁気抵抗効果素子 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、反強磁性体が、Mnと面心立方晶の金属Mからなる体心正方晶系の規則格子合金M−Mnであって、(001)方位にエピタキシャル成長し...
L200300108820030228磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、基体上に下地層を介して、磁性層/非磁性層/磁性層/反強磁性層、又は反強磁性層/磁性層/非磁性層/磁性層を順次形成する。そして、...
L200200499020020323建造物の雷電流低減方法 学校法人 東海大学 この技術では、建造物の1階四隅のそれぞれは、接地手段により接地されている構造とする。第1接地手段は抵抗を介して建造物正面左下隅を接地する。以...
L200200010920020112垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、基板上に形成した磁性薄膜の磁化容易軸が基板面に略垂直方向に配向した垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録状態もしくは膜面にほぼ...
L200200010720020112磁気抵抗効果素子の製造方法、及び磁気抵抗効果センサ 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 本技術に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層された基本構成を有する磁気抵抗効...
L200200009520020112垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、媒体表面に垂直な方向に磁界を印加して直流消磁したときに媒体表面に現れる反転磁区の面積を円に換算したときの平均直径が媒体表面で測...
L200200009420020112磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術による磁気記録媒体は、垂直磁気記録に用いられる磁気記録媒体において、膜面垂直方向に磁界を印加して測定した時の磁化曲線が非可逆な磁化反...
L200101260920011110垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術によると基板上に形成した磁性膜の磁化容易軸が基板面に略垂直方向に配向し、磁性膜の磁化容易方向の磁化−磁界曲線において、飽和磁化Msと...
L200101236720011110微小トンネル接合部の製造方法及び微小トンネル接合素子の製造方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、中空に懸架したマスクの孔を通し、3回以上蒸着角度を変化させて、基板上に金属蒸着膜を順次成膜して複数の蒸着膜が部分的に重複する重...
L200101235520011110磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術では、下地層上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層が順次に積層された磁気抵抗効果素子において、Ni酸化物,Co酸化物又...
L200100938520010818半導体不揮発性記憶素子、半導体不揮発性記憶回路及びその動作方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 この技術における半導体不揮発性記憶素子は、半導体基板を被覆する第1の絶縁膜上に単一電子トランジスタが形成され、単一電子トランジスタ上に第2の...
L200100633320010421トンネルトランジスタおよびその製造方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 第4の半導体5は第1,第2および第3の半導体2,3,4に接しているが、第3の半導体4に接している部分は完全に空乏化するように第4の半導体5の...
L200000636620001028高集積化、高速動作が可能なトンネル現象利用のトランジスタ 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 基板上の一部に一導電型の縮退した第1の半導体、縮退していない第2の半導体、第1の半導体と反対の導電型で縮退した第3の半導体、縮退していない第...
L199901277719991225第1の導電型を有するソース領域と、ソース領域とは異なる導電型を有し縮退した半導体からなるドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域に接続して... 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 高性能の電界効果トランジスタを実現する目的で、不純物を原子層程度にドーポしたチャネルを用いる構造が提案されている。しかし、原子層ドーピングし...
L199900870019990426合金化によりソース領域及びドレイン領域を形成する、トンネル現象利用のトランジスタを製造する方法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 GaAs基板1上にMBE(Molecular Beam Epitaxy)法により、厚さ500nmのi−Al0.5Ga0.5Asからなる絶縁層...
L199900548319990320電界効果型のトンネルトランジスタ。 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 ドレイン領域13のバンドギャップ幅がチャネル領域(基板11)のそれより狭くなっており、ゲート下には選択ドープヘテロ接合が形成されている。これ...
L199900415519990306トンネル現象トランジスタの動作電流密度を大きくする構造 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 図1はこの発明の実施例、図6は従来例を示す断面図である。先ず、ソース電極をアース電位としてドレイン電極に正電圧を印加しておく、ゲート電極に電...