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L201100314320110708鉄筋用スペーサー 棚原 正仁 この鉄筋スペーサーはWU側と直線側がある上部から下に4本の足が出ている。その足を腐食させないようにキャップをかぶせる。スペーサーの太さやスペー...
L201100314220110708鉄筋コンクリート打設用スペーサーブロック 棚原 正仁 土木建築の工事をする場合、当該型枠と型枠内の配筋した鉄筋網との間に所定間隔を保持することが重要である。鉄筋のスペーサーの鉄の部分や配筋の部分...
L201100314120110708アミノ酸金属リン酸塩の製造方法 藤井 謙治 二価金属を第2鉄イオンの存在下、アミノ酸化合物とキレート化合物を生成させ、リン酸を加え、リン酸塩として分離する方法で、
生体の必須金属の摂取...
L201100314020110708組換えヒト・コラーゲンを産生する形質転換カイコと、この形質転換カイコを作製するための組換えベクター、並びに組換えヒト・コラーゲンの製造方法 社団法人農林水産技術情報協会 組換えヒト・コラーゲンを繭または絹糸腺内のタンパク質の一部として産生する形質転換カイコの作製方法であって、(a)昆虫由来DNA型トランスポゾン...
L201100313920110708外来DNA断片由来の逆方向反復配列を含むDNA断片の調製方法、DNA断片の調製方法に利用できる方法及び材料、調製方法で調製されたDNA断片か... 社団法人農林水産技術情報協会 標的遺伝子DR構造を有するプラスミドの調製方法。(1)1つの標的遺伝子を有するプラスミド(プラスミドS:標的遺伝子の両側にニッキングエンドヌ...
L201100313820110708新規のセレン含有化合物の提供、さらに新規セレン含有化合物の製造法や抗酸化剤としての用途、新規セレン含有化合物を標準物質として用いる分析方法 社団法人農林水産技術情報協会 試料を有機溶媒または水によって抽出し、精製することによって化学式1〜4に表される新規なセレン含有化合物を製造した。またこの新規セレン含有化合...
L201100313720110708クロストリジウム属微生物を利用したセルロース分解酵素の生産方法及びクロストリジウム属微生物の培養増殖方法 社団法人農林水産技術情報協会 セルロース資化能を有し、セルロース分解酵素を分泌するクロストリジウム属微生物を培養してセルロース分解酵素を生産させる方法であって、クロストリ...
L201100313620110708微生物の多重検出方法 プリマハム株式会社 (A)少なくとも、アクロモペプチダーゼ、リゾチーム等の溶菌酵素及び/ 又はエンテロリシン等の溶菌活性を持つバクテリオシンと界面活性剤とタンパ...
L201100313520110708新規バクテリオシン プリマハム株式会社 エンテロコッカス・ファセウムにを対する抗菌活性を指標として、新規乳酸菌エンテロコッカス・ムンディティ7393株を分離し、該菌株から新規バ
ク...
L201100313420110708肝臓指向性薬物キャリアー 日本新薬株式会社 @一定範囲のガラクトース誘導体。
A上記@のガラクトース誘導体とカチオン性脂質とを必須の構成成分として含有する薬物担体。
B医薬(例、siRNA...
L201100313320110708肝臓指向性薬物キャリアー成分 日本新薬株式会社 @一定範囲のガラクトース誘導体。
A上記@のガラクトース誘導体とカチオン性脂質とを含有する薬物担体。
B医薬を包含する上記Aの薬物担体を含有...
L201100313220110708回転ピストン機械 野口 清 回転ピストン機関において排気ガス循環量を調節する為に、副吸排気口付きハウジング隔壁の吸排気口側に副吸排気口となるラジアル方向の貫通穴を設け、...
L201100313120110708核酸医薬の液相合成法 日本新薬株式会社 @リン酸トリエステル化された一定のリボ核酸化合物(1)。
A一定のリボ核酸化合物(2)にレブニリル化剤とリパーゼとを作用させることによって、5’位...
L201100313020110708釣り用餌付け補助具 野口 清 ワカサギ釣りにおいて、ワカサギ用釣り餌であるサシや赤虫などの大きさや形状に合わせて作られた釣り餌用受け皿としての餌置き用の1つ以上の窪みに、...
L201100312920110708コンデンサ及びその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、コンデンサは、弁作用金属元素を含んでなる基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応...
L201100312820110708磁気記録媒体 昭和電工株式会社 この技術では、磁気記録媒体は、ガラス基板に半金属からなる非磁性体膜と、下地膜と、磁性体膜と、保護膜とを順次積層してなり、ガラス基板に含まれる...
L201100312720110708垂直磁気記録媒体 昭和電工株式会社 この技術では、垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、シード層上に形成された...
L201100312620110708垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 昭和電工株式会社 この技術では、軟磁性裏打ち層と、軟磁性裏打ち層上に設けられた記録層と、を有する垂直磁気記録媒体において、記録層上に磁束スリット層を有し、磁束...
L201100312520110708硬化性樹脂組成物 昭和電工株式会社 この技術では、式で表される(A)ビス(2−オキサゾリン)化合物と、(B)アクリロイル基を有する不飽和カルボン酸及び/又はアクリロイル基を有す...
L201100312420110708アシルコエンザイムAを用いるアシル基転移酵素反応方法 昭和電工株式会社 この技術では、アシルコエンザイムA(アシルCoA)のアシル基を転移するアシル基転移酵素反応において、チオール化合物のアシルエステルであるアシ...
L201100312320110708不飽和ポリエステル樹脂組成物およびその硬化体 昭和電工株式会社 この技術では、(A)不飽和ポリエステル、(B)スチレンを主成分とするラジカル重合性モノマー、(C)コバルト塩からなる硬化促進剤、(D)アセチ...
L201100312220110708磁気記録媒体及び磁気記憶装置 昭和電工株式会社 この技術では、磁気記録媒体は、AlRu及びAlVの一方からなるシード層と、CoCr合金からなる磁気記録層と、AlRu及びAlVの他方からなり...
L201100312120110708磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、磁気記録媒体を、基板と、hcp構造のCo系磁性層と、基板の上に設けられ、c軸が基板面に対する垂線から10度から45度の角度傾斜...
L201100312020110708多層構造膜およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、多層構造膜の製造方法は、対象物の表面に第1原子群を堆積させる工程と、堆積した第1原子群に熱を加えて、第1多結晶層を形成する工程...
L201100311920110708垂直磁気記録媒体 昭和電工株式会社 この技術では、垂直磁気記録媒体は、相互に隣接する結晶粒で構成される磁性の第1配向制御層と、第1配向制御層の表面に広がり、相互に隣接する結晶粒...
L201100311820110708多結晶構造膜の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、所定の配向に揃えられる結晶層からなる非磁性の下地層を形成する第1工程と、下地層の表面において金属原子を堆積させ、堆積した金属原...
L201100311720110708鍛造方法、鍛造品及び鍛造装置 昭和電工株式会社 この技術では、棒状の素材の軸方向両側部の拡径予定部をそれぞれ据え込み加工により拡径する鍛造方法において、素材の軸方向中間部を保持ダイで拡径阻...
L201100311620110708アクリル樹脂成形品の表面に形成される補強層のための樹脂組成物及びそれを用いたアクリル樹脂製品 昭和電工株式会社 この技術では、不飽和ポリエステル樹脂100質量部に対して、レゾール型フェノール樹脂0.2〜5質量部を含有することを特徴とするアクリル樹脂成形...
L201100311520110708磁気記録媒体及びその磁気記録方法 昭和電工株式会社 この技術では、磁気記録媒体は、第1の磁性層と、第1の磁性層上に形成され、フェリ磁性を有し、第1の磁性層とは反対方向に磁化した第2の磁性層と、...
L201100311420110708エバポレータ 昭和電工株式会社 この技術では、左右方向に間隔をおいて並列状に配置された複数の熱交換管からなる熱交換管群が前後方向に並んで複数列配置されるとともに、隣り合う熱...
L201100311320110708磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、基板と、該基板上に硬磁性ナノ粒子よりなる記録層とを有する磁気記録媒体の製造方法は、ナノ粒子を形成するナノ粒子形成工程と、ナノ粒...
L201100311220110708垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、および垂直磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、垂直磁気記録媒体は、磁気ヘッドにより情報が記録されるトラック領域と、トラック領域の幅方向に隣り合うトラック領域を離隔するトラッ...
L201100311120110708摩擦撹拌接合装置及び摩擦撹拌接合法 昭和電工株式会社 この技術では、下端にワークの接合予定部位の表面に当接される肩部と、肩部の下面中央部に突設され、ワークの接合予定部位中に埋入される径小のプロー...
L201100311020110708多結晶構造体およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、下地層と、規則合金から構成され、下地層の表面で相互に隔てられる複数の磁性結晶粒とを備えることを特徴とする多結晶構造体を提供する...
L201100310920110708アイチュリンAおよびその同族体の製造法 昭和電工株式会社 この技術では、アイチュリンAおよびその同族体生産能を有するバチルス(Bacillus)属微生物を大豆粉またはその抽出物を2質量%以上含む液体...
L201100310820110708親水性粘着剤組成物 昭和電工株式会社 この技術では、式(I)で表される繰り返し単位および式(II)で表される繰り返し単位のみからなる共重合体と、メタケイ酸アルミン酸マグネシウム、...
L201100310720110708気相法炭素繊維の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、炭素化合物と触媒および/または触媒前駆体化合物を加熱帯域で接触させることにより気相で炭素繊維を連続的に製造する方法において、炭...
L201100310620110708フリーデルクラフツ反応による芳香族化合物の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、芳香族化合物とエステル化合物とをヘテロポリ酸含有固体酸触媒の存在下で反応させることを特徴とする、フリーデルクラフツ反応による芳...
L201100310520110708磁気記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、垂直磁気異方性を有する記録磁性層を備える磁気記録媒体を製造するための方法は、基材の上に非磁性材料を堆積することによって非磁性材...
L201100310420110708ラジカル重合性樹脂組成物 昭和電工株式会社 この技術では、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリエステル(メタ)アクリレート樹脂、ウレタン(メタ)アクリレート樹脂および(メタ...
L201100310320110708磁気記録媒体及び磁気記憶装置 昭和電工株式会社 この技術では、非磁性下地層と、初期磁性層と、初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、...
L201100310220110708酸化チタン粒子、その水分散ゾル、薄膜及びそれらの製造法 昭和電工株式会社 この技術では、塩素イオンを塩素元素として50〜10,000ppm含む水分散酸化チタンゾルを提供する。また、平均粒子径が0.5μm以下で比表面...
L201100310120110708磁気記録装置およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、基板上に磁性層と炭素を含有する保護膜層と潤滑剤層とを順次積層してなる磁気記録媒体を備えた磁気記録装置において、潤滑剤層に使用さ...
L201100310020110708コンデンサ 昭和電工株式会社 この技術では、二つの電極とその電極間に介在する誘電体とから構成され、電極の一方がタンタルまたはその合金からなるコンデンサにおいて、その電極に...
L201100309920110708フッ素化ベンゾニトリルの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、式(1)で示されるテトラフルオロジシアノベンゼンを触媒の存在下で水素化分解により一方のシアノ基のみを水素化脱シアノして式(2)...
L201100309820110708FRP圧力容器の成形方法 昭和電工株式会社 この技術では、可視光重合開始剤及び/又は近赤外光重合開始剤と熱重合開始剤を含む重合開始剤(C)を含む、スチレンモノマーの含有量が10重量%未...
L201100309720110708β−ジケトン化合物、その金属錯体および金属化合物の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、CR↑1R↑2R↑3COOR↑4(但し、R↑1〜R↑3は、それぞれ独立に炭素数1〜3のアルキル基を示し、R↑4は、アルキル基を...
L201100309620110708複合酸化物およびその製造方法と用途 昭和電工株式会社 この技術では、BET比表面積が10〜200m↑2/gであり、酸化亜鉛を主成分とする複合酸化物において、酸化亜鉛とシリカの各結晶系構造を含み、...
L201100309520110708ハロゲン化芳香族メチルアミン類の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、式(1)(式中、Xは塩素原子またはフッ素原子を示し、mは1〜5の整数を示し、nは1〜5の整数を示し、m+n≦6であり、nが2以...
L201100309420110708ダイヤモンドの合成方法 昭和電工株式会社 この技術では、黒鉛板と溶媒金属層とを積層し、積層物にダイヤモンド種結晶を含有させ、ダイヤモンドの安定領域の圧力及び温度条件下にダイヤモンド種...
L201100309320110708酢酸製造用触媒、その製造方法及びそれを用いた酢酸の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、エチレンと酸素とを反応させる酢酸の製造方法において使用する触媒において、触媒が、(a)パラジウム、(b)ヘテロポリ酸及びそれら...
L201100309220110708重合性化合物およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、式(1)で示される重合性化合物を提供する。〔式中、Lは一価アニオン性の二座配位子、Xは重合性官能基を有する置換基、R↓1〜R↓...
L201100309120110708重合性化合物およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、式(1)で示される重合性化合物を提供する。〔式中、X↓1、Y↓1、Z↓1の少なくとも1つは重合性官能基を有する置換基を表し、X...
L201100309020110708記録媒体の表面処理方法 昭和電工株式会社 この技術では、記録媒体の表面処理方法は、記録媒体の表面に形成される潤滑剤膜に向けて紫外線を照射する工程と、紫外線の照射後に塩基に記録媒体を曝...
L201100308920110708磁気記録媒体及び磁気記録装置 昭和電工株式会社 この技術では、非磁性基板上に、磁気記録層として、Coを主成分とする合金層と、PtあるいはPdを主成分とする層を、交互に積層した磁性多層膜を有...
L201100308820110708空調用凝縮器 昭和電工株式会社 この技術では、空調用凝縮器は、間隔を置いて互いに平行に配置する一対のヘッダー間に、両端を両ヘッダーに連通接続する多数本の熱交換管が配置される...
L201100308720110708気相成長装置 昭和電工株式会社 この技術では、基板材料上に半導体の結晶層を積層した積層構造体を形成するための気相成長装置は、1種または複数の気相成長原料を予め搬送用気体に混...
L201100308620110708熱交換器の配管構造 昭和電工株式会社 この技術では、熱交換器の冷媒入口及び冷媒出口に接続された冷媒入口管及び冷媒出口管の先端に第1及び第2ジョイントブロックがそれぞれ設けられる一...
L201100308520110708ジクロロプロパノールの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、アリルアルコールと塩素を気相で反応させてジクロロプロパノールを製造する。そして、触媒の存在下、アリルアルコールと塩素を気相で反...
L201100308420110708III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、緩衝層上に接して設...
L201100308320110708ハンダ付けフラックス、ハンダペースト、ハンダ付け方法、接合物 昭和電工株式会社 この技術では、ハンダ付けフラックスは、フラックス中に、アスコルビン酸またはその誘導体の1価基の化学構造とトコフェロールまたはその誘導体の1価...
L201100308220110708エバポレータ用フィン 昭和電工株式会社 この技術では複数のルーバーフィンが、互いに平行にかつ所定の間隔おきに並列配置されて、複数のルーバーフィンの各間に通風路が形成される一方、各ル...
L201100308120110708ハンダ付けフラックス 昭和電工株式会社 この技術では、フェノール性水酸基を有する配糖体を含むことを特徴とするハンダ付けフラックスを提供する。配糖体のフェノール性水酸基が、ヒドロキノ...
L201100308020110708ボーキサイトの処理方法 昭和電工株式会社 この技術では、ボーキサイトに混合されるアルミン酸アルカリ溶液のNa↓2O濃度が100g/l〜150g/l又は155g/l〜240g/lで、ボ...
L201100307920110708アルミニウム−鉄系クラッド材及びその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、鉄材に冷間圧延により接合したアルミニウム材(第1アルミニウム材)、アルミニウム材に熱間圧延により接合したアルミニウム材(第2ア...
L201100307820110708ヒートシンクおよびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、ヒートシンクは、基板部および基板部の少なくとも片面側に設けられたフィン形成用被削部よりなるヒートシンク素材の被削部を削り起こし...
L201100307720110708シアノベンジル化合物の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、シアノベンジルアミン化合物のベンゼン環上のシアノ基を損なうことなく、アミノメチル基からヒドロキシメチル基、ハロゲノメチル基また...
L201100307620110708半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および半導体発光素子 昭和電工株式会社 この技術では、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)により、少なくともそれぞれAlGaInP系材料からなる下部クラッド層、活性層および上部ク...
L201100307520110708低級オレフィンと低級脂肪族カルボン酸との混合ガスの製造方法、及び該混合ガスを用いた低級脂肪族エステルの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、0.2MPa〜2MPaの圧力で低級オレフィンと低級脂肪族カルボン酸とを混合した後に加熱して50℃〜250℃で気化することを特徴...
L201100307420110708凝縮器 昭和電工株式会社 本技術の凝縮器は、間隔をおいて互いに平行に配置される一対のヘッダー間に、両端を両ヘッダーに連通接続する複数の熱交換チューブが配置されてコアが...
L201100307320110708AlGaInP発光ダイオード 昭和電工株式会社 この技術では、III−V族化合物半導体結晶層上に、金属薄膜を介して、酸化物を含む窓層と、電極を有するAlGaInP発光ダイオードにおいて、I...
L201100307220110708パイプの溶接構造 昭和電工株式会社 この技術では、小径のパイプの端部を、大径のパイプの外径と略等しくなるまで、ビーディング加工によって張り出し加工し、この張り出し加工した加工端...
L201100307120110708AlGaInP発光ダイオード 昭和電工株式会社 この技術では、p形GaAs単結晶基板上に、それぞれ(Al↓XGa↓(1−X))↓YIn↓(1−Y)P(0≦X≦1、0<Y<1)で表される下部...
L201100307020110708塩素含有重合体加硫用組成物 昭和電工株式会社 この技術では、塩素化ポリエチレン加硫用組成物は、塩素化ポリエチレンにゼオライト系化合物、メルカプトトリアジン系加硫剤またはチアジアゾール系加...
L201100306920110708ベンゾニトリル及びベンジルアルコールの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、フッ素原子1〜4個で置換され、残部は塩素原子で置換されていてもよいフッ素化ジシアノベンゼンを触媒の存在下で水素化分解することよ...
L201100306820110708シアノベンズアルデヒドの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、式(1)(式中、−CH↓2NH↓2と−Xはベンゼン環上の置換基を表わし、−CH↓2NH↓2は−CNのm位あるいはp位であり、−...
L201100306720110708生分解性発泡体用樹脂組成物 昭和電工株式会社 この技術では、長鎖分岐を有する脂肪族ポリエステルに、脂肪族アミン及びその誘導体、脂肪族アミド化合物及びその誘導体並びに脂肪族エステルからなる...
L201100306620110708GaN系化合物半導体の製造方法 昭和電工株式会社 本技術のGaN系化合物半導体の製造方法は、充填容器内に少なくとも一部が液相になるように充填され、充填容器内の液相アンモニア中の水分濃度が、フ...
L201100306520110708重合性化合物、それを用いた高分子固体電解質及びその用途 昭和電工株式会社 この技術では、特定のポリまたはオリゴエーテル/カーボネート基を主成分とする架橋及び/または側鎖基を有する高分子化合物及び電解質塩を含む高イオ...
L201100306420110708熱重合性組成物及びその用途 昭和電工株式会社 この技術は、重合することにより架橋及び/または側鎖形構造を有する高分子となる重合性官能基を有する少なくとも一種の熱重合性化合物、少なくとも一...
L201100306320110708炭化珪素単結晶の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、金属炭化物被覆ルツボを用い、ルツボ内の珪素原料からの珪素蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に種結晶基板上に到達させ、Si...
L201100306220110708電気化学素子用セパレータ及びその用途 昭和電工株式会社 この技術では、オリゴエーテル類及びカーボネート類から選ばれる少なくとも一種の有機溶媒、及び式(1)または式(2)[式中R↑1、R↑2は水素ま...
L201100306120110708重合性マロン酸誘導体および硬化性組成物 昭和電工株式会社 この技術では、式(I)で示される重合性マロン酸誘導体、式(I)で示される重合性マロン酸誘導体と、分子内に水酸基、アミノ基、またはカルボキシル...
L201100306020110708高分子固体電解質フィルムの積層方法 昭和電工株式会社 この技術では、次のSPEフィルムの積層方法(複合フィルムの製造方法)を提供する。(1)基材フィルム上、または金属もしくは金属酸化物薄膜層を有...
L201100305920110708フィラメントワインディング成形方法 昭和電工株式会社 この技術では、フィラメントワインディング成形方法は、可視光に感光性を有するアシルホスフィンオキサイド系化合物と、ヘキサアリールビイミダゾール...
L201100305820110708記録媒体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、基板上に記録膜を成膜する記録媒体の製造方法において、記録膜を成膜する前工程で、記録媒体用基板を炭素数が3以上のカルボン酸および...
L201100305720110708硬化性複合材料組成物及びその硬化方法 昭和電工株式会社 本技術の硬化性複合材料組成物は、重合性不飽和化合物、繊維強化材及び一般式(1)で表される有機ホウ素化合物及び酸化化合物からなる重合開始剤を含...
L201100305620110708電解液及びそれを用いた高分子ゲル電解質、及びその用途 昭和電工株式会社 この技術では、電解液や高分子ゲル電解質に使用する溶媒としてエーテル結合とカーボネート基(−OCOO−)を有する化合物が、比較的高分子量であっ...
L201100305520110708リチウム二次電池正極活物質としてのニッケル酸リチウム及びその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、水酸化リチウム(無水)23.5g(0.98モル)と水酸化ニッケル92.7g(1.00モル)とを混合し(Li/Ni原子比で0.9...
L201100305420110708高分子固体電解質フィルムの電極への固定方法並びにそれを用いた電池及びその製造方法 昭和電工株式会社 高分子固体電解質フィルムを電極に固定する方法において、この技術では、電気化学的活性物質からなる多孔質電極内部を減圧にする。また、固定方法によ...
L201100305320110708洗浄剤組成物 昭和電工株式会社 この技術では、主成分にアルカリ金属水酸化物とアミノジカルボン酸二酢酸塩類及びグリコール酸塩類を混合した洗浄剤を提供する。アルカリ金属水酸化物...
L201100305220110708酸化チタン微粒子及びその製造法 昭和電工株式会社 この技術では、酸化チタン微粒子は、平均粒径が0.1〜0.5μm、比表面積が40〜95m↑2/gであり、該微粒子を800℃に30分間加熱した場...
L201100305120110708磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置 昭和電工株式会社 この技術では、磁気記録媒体は、ガラスウェハ、シリコンウェハ或いはNiPで覆われたアルミニウムウェハなどからなる非磁性の基板と、基板の上に形成...
L201100305020110708塩化水素とペンタフルオロエタンとの分離方法 昭和電工株式会社 この技術では、塩化水素とペンタフルオロエタン(HFC−125)とを含む原料混合物を水と接触させて、塩化水素に富む水相とペンタフルオロエタンに...
L201100304920110708凝縮器 昭和電工株式会社 この技術では、複数本の熱交換用偏平チューブと、少なくとも一本の中空ヘッダーとが備えられ、中空ヘッダーの周側壁の周方向の一方の側に、その長手方...
L201100304820110708ブロックポリエステルの製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、融点が70℃以上、数平均分子量が10,000以上で、末端基が実質的にヒドロキシル基である脂肪族ポリエステル1〜99重量%と数平...
L201100304720110708高分子固体電解質、その材料及び用途 昭和電工株式会社 この技術は、一般式(1)CH↓2=C(R↑1)CO[O(CH↓2)↓x(CH(CH↓3))↓y]↓zNHCONR↑2−R↑3−(1)[式中、...
L201100304620110708アルミナ質焼結砥粒およびその製造方法 昭和電工株式会社 この技術では、擬ベーマイト500gを水1.9リットルに分散した。次に硝酸カルシウム・4水和物16.84g(アルミナに対しCaO換算量で1.1...
L201100304520110708クロム系フッ素化触媒、その製法及びフッ素化方法 昭和電工株式会社 この技術では、3価の水酸化クロムを主成分とする原料を水素の存在下、350℃以上500℃以下の温度で焼成する。即ち、3価の水酸化クロムを主成分...
L2011003044201107081,1,1,2,2−ペンタフルオロエタンの製法 昭和電工株式会社 この技術では、反応を第1反応器と第2反応器とに分けて行い、第1反応器ではPCEとHFとを反応させて中間体を含む第1生成物を生成させ、第2反応...
L201100304320110708フッ素化触媒およびフッ素化方法 昭和電工株式会社 この技術は、インジウム、クロム、酸素、フッ素を必須の構成元素として含み、クロムに対するインジウムの原子比が0.005〜0.6であるフッ素化触...
L201100304220110708ペンタフルオロエタンの精製方法 昭和電工株式会社 この技術では、CFC−115を含んだHFC−125を抽出蒸留する際に、抽剤として標準沸点(即ち大気圧下における沸点)が−10℃から100℃の...
L201100304120110708感光体基盤用アルミニウム合金管の製造方法 昭和電工株式会社 本技術の感光体基盤用アルミニウム合金管は、Mn0.2〜0.8wt%を含有し、かつMn固溶量がMn含有量の40%以下のAl−Mn系合金からなり...
L201100304020110708車両の荷台用壁等におけるパネルの結合装置 昭和電工株式会社 この技術では、上位パネルの下端部の左右両側壁部の内側に、下方に至るほど内向きに傾斜しかつ先端に係合用外向き突起を有する一対の連結用下向き傾斜...
L201100303920110708車両の荷台用壁等におけるパネルの結合装置 昭和電工株式会社 この技術では、パネル下端部の左右両側に、パネル左側壁部と同側の連結用下向き傾斜凸部とによって横断面略逆V形の下方開口凹状部、並びにパネル右側...
L201100303820110708車両の荷台用壁等におけるパネルの結合装置 昭和電工株式会社 この技術では、下位パネルの凹陥部内に、上位パネルの左右両連結用下向き凸部が嵌め入れられ、これらの下向き凸部下端の係合用外向き突起が、断面略横...
L201100303720110708磁気記録媒体 昭和電工株式会社 この技術の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、情報を記憶する磁気記録層と磁気記録層の損傷を防止する炭素系保護層および潤滑層を順次形成した磁気記録...
L201100303620110708ジフルオロメタンの精製方法 昭和電工株式会社 この技術では、ジフルオロメタンとHClを主成分とする生成物の蒸留方法において、生成物を蒸留塔に導入して、HCl含有軽質成分とジフルオロメタン...
L201100303520110708重合性組成物 昭和電工株式会社 この技術では、ホウ素原子に3個の置換基が付いたトリアルキルホウ素化合物よりも安定で安全性の高い、ホウ素原子にアルキル基、アリール基などの置換...
L201100303420110708ポリエステル製発泡性粒子および発泡体 昭和電工株式会社 この技術では、700Lの反応器を窒素置換してから、1,4−ブタンジオール183kg、コハク酸224kgを仕込んだ。窒素気流下で昇温を行い、1...
L201100303320110708ポリエステル製発泡体の製造方法 昭和電工株式会社 この技術は、温度190℃、剪断速度100sec↑(−1)における溶融粘度が1.0×10↑3〜1.0×10↑6ポイズであり、融点が70〜190...
L201100303220110708酢酸の製造法 昭和電工株式会社 この技術では、塩化パラジウムナトリウム10gの水溶液に、シリカ担体(5mmφ)250ccを浸し、全量吸水させた後、メタケイ酸ナトリウム18g...
L201100303120110708熱交換器用冷媒流通管 昭和電工株式会社 この技術では、熱交換器用冷媒流通管は、平らな上下壁と、上下壁にまたがるとともに長さ方向にのびかつ相互に所定間隔をおいて設けられた複数の補強壁...
L2011003030201107081,1,1,2−テトラフルオロエタンの製造方法 昭和電工株式会社 HCFC−133aとHFとの反応により、HFC−134aを製造する方法において、この技術では、Zn、Cr、O、Fの元素を必須成分として含み、...
L201100302920110708高さ計測装置 STシステムズ この技術では、ワークの基板に二次元的に配置された複数の被計測物体を基板に対し略交差する方向から照射する第一の光源と、基板の平面に対し被計測物...
L201100302820110708タケノコ発酵食品の製造方法及びタケノコ発酵食品 柏木 享 この技術では、原料タケノコの水分含有量を20〜90%に調整し、これに納豆菌を接種した後、湿度30〜90%、温度20〜50℃において5〜60時...
L201100302720110708ファイルノート 山本 瑞枝 この技術は、表表紙、裏表紙、背表紙、からなる表紙からなり、背表紙は、縦方向にジャバラを設けるか、又は、伸縮する性質の材料で作られ、綴じ代側と...
L201100302620110708教育支援システム 株式会社大磯教育研究会 この技術は、ネットワークを介して接続される、教育機関スタッフが使用するユーザ端末と、教育機関生徒または教育機関生徒の保護者である被教育者側利...
L201100302520110708教育支援システム 株式会社大磯教育研究会 この技術の教育支援システムは、教育事業者によって運用される添削システム、受講者が使用する受講者端末、問題提供者によって運用される問題提供者端...
L201100302420110708PCB等の難燃性高粘度廃棄物の燃焼システム 浜田 尚 この技術では、PCBを内蔵する電気機器を破砕する破砕機と、この破砕機に連設した破砕された電気機器とPCBとを分離し、かつこのPCBの粘度を下...
L201100302320110708ごみ処理システム 浜田 尚 この技術は、ごみ袋を投入するバンカーと、バンカー内に設けたごみ袋を搬送するコンベヤと、ごみの破袋機、磁選機、ごみの乾燥機、選別機、粉細機、焼...
L201100302220110708廃プラスチック類の微粉細燃焼を利用したごみ焼却灰の熔融システム 浜田 尚 この技術は、廃プラスチック類ラインと、焼却灰ラインとで構成される廃プラスチック類の微粉細燃焼を利用したごみ焼却灰の熔融システムであって、廃プ...
L201100302120110708半導体性のカーボンナノチューブの濃縮方法 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブを強酸水溶液に分散する工程と...
L201100302020110708ヘキサベンゾコロネン−ジアリールエテン連結分子からなる同軸ナノチューブによる光導電性の変調 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、DTE部位を有するHBC誘導体が自己組織化して直径約20ナノメートルのナノチューブを形成すること、このナノチューブは、壁内部に...
L201100301920110708有限要素法解析方法、有限要素法解析装置及び有限要素法解析プログラム 独立行政法人科学技術振興機構 この技術は、解析モデルに対して有限要素法による解析を行う有限要素法解析方法であって、ユーザの操作により解析モデルの形状を変更するモデリング工...
L201100301820110708対話型赤外線通信装置 独立行政法人科学技術振興機構 この技術では、会話したい相手が見通し距離にいる場合には、相手に向かって音声入力部を介して声を掛ける。そして、会話用指向性赤外線信号送信部から...
L201100301720110708口腔内速崩性錠剤 日本新薬株式会社 水溶性医薬を含有する造粒物からなる核、又は医薬と糖類とを含有する造粒物からなる核がデンプンで被覆されている、口腔内速崩性錠剤を製造するための...
L201100301620110708発泡性医薬組成物 日本新薬株式会社 酸(例えば、酒石酸、酒石酸水素カリウム、リンゴ酸、塩酸、リン酸)を含有させた吸着性物質(例えば、軽質無水ケイ酸、含水二酸化ケイ素、ケイ酸カルシ...
L201100301520110708医薬分割錠 日本新薬株式会社 上下表面のそれぞれに大きな溝を有する錠剤であって、当該溝の幅がいずれも4mm〜10mmの範囲内であり、当該溝の各底部には見掛け上形成され、当該錠剤...
L201100301420110708釣り糸の接続具 野口 清 超延伸材を用いた管の内面に接着剤の層を有し、使用前における接着防止のために、この接着剤の層の内面に極細巻線による被覆を施した構造を有するもの...
L201100301320110708開封用ミシン目入り再利用封筒 熊谷 強 封筒を開封する→中身を封筒に入れなおす→ファイル・綴じ込みファイルとして再利用する封筒は、まだ出ていないと思います。
L201100301220110708寒冷地域の農業用コンクリート開水路のFRPM板補修工法(商標登録名:クイックパネル工法) 独立行政法人土木研究所寒地土木研究所  本工法は、老朽化した農業用用排水路の表面を補修する工法である。老朽化したコンクリート開水路を取り壊すことなく、既設水路の表面に発泡ポリエチ...

 
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ライセンス
情報番号
登録日タイトル 登録者 概     要
L201100301120110701開脚杖 齊藤 栄作 柄の下部には、補助脚が柄管の軸中心に対して放射状に設けられている。この補助脚は上部の一端が柄管と回動可能に連結され、中央部が両端が回動可能な...
L201100296420110624少ない部品数で着磁装置が作成できます。 中庄谷 秀雄 本発明に係る簡易着磁装置は、スイッチを閉路することで、筒状コイルに大きな電流を流し、筒状コイル内に磁界を発生させ、筒状コイル内の被着磁体が着...
L201100209320110422簡易雪密度測定器 独立行政法人土木研究所寒地土木研究所  雪密度の計測は、一般に密度サンプラーで雪を採取し、上皿秤でその重量を計測する方法が採られている。計測のためにはサンプラーと秤の両方を携行す...
L201100131120110304検出システム 財団法人北九州産業学術推進機構 この技術では、検出システムにおいて、送信装置は、デジタル信号生成部のデジタル信号に対応して揺らぎを与えられたレーザ光を、受信装置の太陽電池に...
L201100130720110304結晶性多孔質無機酸化物材料の製造方法 財団法人北九州産業学術推進機構 この技術では、水酸化カルシウム(Ca(OH)↓2)、シリカ粉(SiO↓2)、アルミナ粉(Al↓2O↓3)を所定の割合(SiO↓2/Al↓2O...
L201000204220100312高濃度のグルコース耐性を有するβ−グルコシダーゼ 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、メタゲノム解析法によって高濃度グルコース耐性を有するβ‐グルコシダーゼのスクリーニングを行った。その結果、500mMの高濃度の...
L201000203920100312チタニアナノチューブアレイ及びその形成方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、チタン又はチタンを主成分とする合金からなる薄膜を、チタン又はチタンを主成分とする合金とは異なる材料からなる導電性基板上に形成し...
L201000203820100312Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィル... 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、ZnOウィスカーの温水処理や、Zn(OH)↓2の成長、加熱処理を用いて、Zn(OH)↓2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によ...
L201000203720100312導電性基板とそれを用いた半導体素子、それらの製造方法 独立行政法人産業技術総合研究所 この技術では、絶縁性の樹脂からなるバインダー中に球状の2以上の複数の異種金属微粒子を適宜量分散した導電ペーストにより、基板上に成膜手段を用い...
L201000033720100122食器、調理器具及び食材の洗浄乾燥方法と同法に用いる洗浄乾燥装置 有限会社PC技術研究所 この技術の、食器、調理器具、及び食材の洗浄乾燥方法は、温水又は水が噴射される噴射ノズル部及び作業者に把持されるグリップ部が設けられた噴射体と...
L200900691020091204単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造 早稲田大学産学官研究推進センター この技術は、バンドギャップ0.7〜1.05eVとなるInNを基としたInGaAlN薄膜をエピタキシャル成長させ得るstillwellite型...