| 出願番号 |
特願2007-333106 |
| 出願日 |
2007/12/25 |
| 出願人 |
大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 |
特開2009-158610 |
| 公開日 |
2009/7/16 |
| 登録番号 |
特許第5173396号 |
| 特許権者 |
大陽日酸株式会社 |
| 発明の名称 |
絶縁膜のダメージ回復処理方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、化学・薬品 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
半導体製造装置 |
| 目的 |
半導体製造装置の層間絶縁膜などの絶縁膜としては、誘電率が3.0以下の膜が用いられているが、これらの膜自体の機械的強度が低く、プラズマ耐性も低いと言う特性を有しているため、プラズマ処理を受けた際に、絶縁膜を構成する有機基が切断されて脱離するなど、絶縁膜誘電率上昇など電気的特性が劣化する。
このプラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を提供する。 |
| 効果 |
チャンバー内に導入された回復剤蒸気がチャンバーの内壁面で凝縮することがなくなり、このためすべての回復剤蒸気が気相中に存在することになって、気相中の回復剤濃度が高くなり、結果的に絶縁膜中の回復剤濃度が高くなって、絶縁膜中の活性サイト、例えばシラノール基と回復剤との反応が効率的に進行して、ダメージ回復処理が良好になる。 |
技術概要
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プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板を、チャンバー内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバーの内壁の温度を回復剤の沸点よりも高温とし、しかも基板の温度よりも高温とする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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