シリカ系中空粒子の製造方法およびシリカ系中空粒子分散体の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2019002192
- 開放特許情報登録日
- 2019/12/2
- 最新更新日
- 2019/12/2
基本情報
出願番号 | 特願2008-082495 |
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出願日 | 2008/3/27 |
出願人 | JSR株式会社 |
公開番号 | |
公開日 | 2009/10/15 |
登録番号 | |
特許権者 | JSR株式会社 |
発明の名称 | シリカ系中空粒子の製造方法およびシリカ系中空粒子分散体の製造方法 |
技術分野 | 化学・薬品、無機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 中空粒子とそれらの製造方法に関し、さらに詳しくは光学材料、マイクロカプセル材料、隠蔽材料、カラム充填剤、触媒、化粧品、耐紫外線材料等に好適に使用される中空粒子とその製造方法 |
目的 | コア粒子の表面にシリカ系被覆層を形成する段階において、コア・シェル粒子同士の凝集を防ぐことができるシリカ系中空粒子分散体の製造方法を提供する。 |
効果 | 粒子径が小さく、外殻(シェル)層の厚みも小さいシリカ系中空粒子を得ることができる。
粒子径が小さく、外殻(シェル)層の厚みも小さいシリカ系中空粒子が分散されたシリカ系中空粒子分散体を得ることができる。 |
技術概要 |
カチオン性基を有する重合体粒子およびアニオン系界面活性剤を含有する水系の分散媒中で、下記一般式(1)で表される少なくとも1種の化合物を加水分解縮合させることにより、シリカ系被覆層を有するコア・シェル粒子を形成する工程、
および前記工程により得られたコア・シェル粒子を加熱することにより重合体粒子を分解する工程 を含むことを特徴とするシリカ系中空粒子の製造方法。 R↑1↓dSi(OR↑2)↓4−d…(1) (式中、R↑1、R↑2は独立して1価の有機基を表し、dは0〜3の整数を表す。) |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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